第一章 半导体中的电子状态思考题与练习题1、比较说明孤立原子中的电子、自由电子、晶体中的电子的运动状态？2、定性比较说明导体、绝缘体、半导体导电能力差异物理机制。3、说明描述晶体中的电子的有效质量的物理含义，与自由电子的惯性质量有何区别，其引入有何好处？第三章 半导体中载流子的统计分布思考题4、空穴的物理含义？5、简述半导体的导电机构，与金属比较。6、解释等能面，简述回旋共振测量有效质量的原理7、简述Si、Ge的能带结构特征8、简述GaAs的能带结构特征9、比较CdTe、HgTe的 能带结构n10、族或族或族半导体中，那些可以形成混合晶体，其能带结构随组分的变化而如何变化？这些混合晶体有何应用？n11、晶格常数为0.25nm的一维晶格，当外加102V/m、107V/m的电场时，分别计算出电子从能带底运动到能带顶的时间n12、设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值Ec（k）和价带极大值附近能量分别为：带底时准动量的变化。）价带顶电子跃迁到导（；）价带顶电子有效质量（；）导带底电子有效质量（）禁带宽度；（求：，为电子惯性质量，4321314.02136,31002202120212022nmaakmmkhmkhkEmkkhmkhkEvc
