1、Theory introduction.1P5000 Minframe overview主机.2Power on.3Remote AC box.4AC box.5DC power1.48v 10A Chopper driver, moto break2.+/-15v 3A Match, manometer, remote support equipment, tool3.24v 31ADI/O,.6.7TCMFC.8.9.10Expand 12 gases to 28 gases.附机.11Heat exchanger .121.AMAT-0 standard工作温度：20-80 冷却液：50
2、% ethylene glycol 50% DI water流量：2 gpm容量：2 gallon2.AMAT-1 high temperature工作温度：20-120 冷却液：100% ethylene glycol流量：1.25 gpm容量：2 gallon3.Neslab工作温度：5-35 冷却液：50% ethylene glycol 50% DI water容量：5 gallon常见热交换器.13AMAT Heat Exchanger.14AMAT standard.15AMAT-1 high temperature.16 Neslab.17.18Wafer transfer su
3、bsystem.19Robot 方向.20.21P5000 robot assemblely.22robot blade.23手臂取片位置手臂在cassette中slot base位置手臂在cassette中slot delta位置手臂在elevator中slot base位置手臂在elevator中slot pick up位置（往腔体传片）手臂在elevator中slot passthrough位置（往cassette传片）.24Handler manual control.25TRANSFER STEPPER MOTORS CONTROL.26ETCH chamberP5000 ETCH
4、chamber type:v Mark IIv Mxpv Mxp+v eMxp+v ASP.27ETCH chamber components.28Mark II chamber body.29Mxp chamber body.30ETCH MxP chamber.31.32Mxp+ chamber.33Mxp+ chamber parts.34Monitor ETCH chamber.35ETCH MxP chamber.36VACUUM SUBSYSTEM.37.38.39Vacuum GaugesIon GaugeCapacitance ManometerConvectronTC Gau
5、ge.40是一种绝对真空计，它利用薄膜受气压 变化产生挠曲，检测膜片电容值改变来 测量真空，它是一种高精度真空计 误差.，测量范围：760托-10-5托 （所有干法设备均采用MKS 127/122系列）Capacitance Manometer.41.42Capacitance Manometer.43 利用熱散失的原理量測溫度，當壓力越高則加熱絲溫度低，反之亦然 熱電偶偵測出溫度的變化於是產生電壓，藉由電壓變化的判讀得知壓力 適用壓力範圍為10-31 torr.44.45 电离真空计（离子规ION GAUGE） 具有一定动能的带电质点通过稀薄气体时可 以产生电离现象。由阴极发射出来的电子在加
6、 速电场的作用下具有较大的动能，电子在飞行 过程中与残余气体分子相撞，使气体分子电离。 电离产生的正电子数与气体密度成正比即与气 体的压强成正比。因此可以通过测量离子流的大小来间接测量真空度。测量范围：10-2-10-12托。ION GAUGE.46Gauge Convectronn利用熱散失的原理量測溫度，當壓力越高則加熱絲溫度低，反之亦然n為間接量測之壓力計，所量測的氣體種類需要輔以校正參數n適用的壓力範圍為10-41000 torrn當量測壓力高於1 torr時，擺放方位必須為水平位置，方能得到準確的壓力量測值.47Gas panalGas delivery subsystem.48SE
7、NSORBYPASSCONTRLVALVEELECTRONICS(PCB)GASFLOWMass flow control.49MFC function 用途： 制程用气体的流量控制与测量。 组成： 1.A mass flow meter(MFM) 2.A control and solenoid valve(控制或螺线形电导管阀门） 3.Electronics(produce and send signals) .50MFC的使用条件：的使用条件： 工作电压:+/-15V 前后压力差：10-40PSI responese time : =1sec（typical=500ms) 接口：1/4“
8、VCR 使用范围：10%-90% 控制接口： 20-pin card edge connector (金手指） 15-pin D connector 9-pin D connector.51Plasma & RF subsystemv 腔体充满气体和适当的压力之下刚开始只有少数的游离电子v 提供电场,离子化与碰撞开始发生提供电场之后,电子会被加速,同时与中性粒子发生碰撞,產生离子化v 等离子体中的碰撞适当压力与能量下,产生星火燎原的连锁反应产生一团发光发热的云状物质.52提供电场,离子化与碰撞开始发生Plasma.53腔体充满气体和适当的压力之下Plasma.54RF Match of the
9、 MxP Chamber.55 腐蚀P5000设备的射频源在设计上都以50欧姆为额定输出电阻，但腔体在腐蚀过程中其电阻是不断变化的，因此需要在RFG与腔体之间加一匹配器，用以使RFG的负载电阻稳定在50欧姆。RF 匹配原理匹配原理.56Chamber pressure control 腔体压力控制：（THROTTLE VALVE） 通过改变泵的抽气管径来改变泵的抽力，以达到设定的腔体压力。.57Throttle valve.58 Derivative 目的為避免壓力過高(Overshoot)或過低(Undershoot)的突衝現象 過度使用rate function會減緩系統的壓力反應時間，而
10、使得系統壓力不穩定Pressure PID control.59Pressure Control Screen.60Wafer CoolingIon bombardment generate large amount heatHigh temperature can cause PR reticulationNeed cool wafer to control temperatureHelium backside cooling is commonly usedHelium transfer heat from wafer to water cooled chuck.61 ETCH chamber HE.62结束结束 谢谢！谢谢！.63
