1、第一章第一章 电介质陶瓷电介质陶瓷一、概念一、概念二、一般特性二、一般特性 1、电绝缘与极化、电绝缘与极化 2、介电损耗、介电损耗三、性能与分类三、性能与分类四、电绝缘陶瓷生产工艺、性能及应用四、电绝缘陶瓷生产工艺、性能及应用五、非铁电电容器陶瓷五、非铁电电容器陶瓷六、铁电电容器陶瓷六、铁电电容器陶瓷七、反铁电电容器陶瓷七、反铁电电容器陶瓷1一、一、 概念概念n电介质陶瓷是指电阻率大于电介质陶瓷是指电阻率大于108m的陶瓷材料，的陶瓷材料，能承受较强的电场而不被击穿。能承受较强的电场而不被击穿。n按其在电场中的极化特性，可分为电绝缘陶瓷按其在电场中的极化特性，可分为电绝缘陶瓷（insulati
2、on ceramics）和电容器陶瓷）和电容器陶瓷（capacitor ceramics；condenser ceramics）。）。随着材料科学的发展，在这类材料中又相继发现了随着材料科学的发展，在这类材料中又相继发现了压电、热释电和铁电等性能。压电、热释电和铁电等性能。2二、二、 一般特性一般特性 电介质陶瓷在静电场或交变电场中使用，其一般特电介质陶瓷在静电场或交变电场中使用，其一般特性是电绝缘性、极化（性是电绝缘性、极化（polarization）和介电损耗）和介电损耗（dielectric loss）。）。1、电绝缘与极化、电绝缘与极化n电介质陶瓷中的分子正负电荷在弱电场的作用下，电介
3、质陶瓷中的分子正负电荷在弱电场的作用下，虽然正电荷沿电场方向移动，负电荷逆电场方向移虽然正电荷沿电场方向移动，负电荷逆电场方向移动，但它们并不能挣脱彼此的束缚而形成电流，因动，但它们并不能挣脱彼此的束缚而形成电流，因此具有较高的体积电阻率，此具有较高的体积电阻率，具有绝缘性。具有绝缘性。3u由于电荷的移动，造成了正负电荷中心不重合，在电介质陶由于电荷的移动，造成了正负电荷中心不重合，在电介质陶瓷内部形成偶极矩，瓷内部形成偶极矩，产生了极化产生了极化。在与外电场垂直的电介质。在与外电场垂直的电介质表面上出现了感应电荷表面上出现了感应电荷Q，这种感应电荷不能自由迁移，称，这种感应电荷不能自由迁移，
4、称之为之为束缚电荷束缚电荷。束缚电荷的面密度即为。束缚电荷的面密度即为极化强度极化强度P。u对于平板型真空电容器，极板间无电介质存在，当电场强度对于平板型真空电容器，极板间无电介质存在，当电场强度为为E时，其表面的束缚电荷为时，其表面的束缚电荷为Q0，电容为，电容为C0，在真空中插入，在真空中插入电介质陶瓷时，则束缚电荷增为电介质陶瓷时，则束缚电荷增为Q，电容也增至，电容也增至C。评价同评价同一电场下材料的极化强度，可用材料的相对介电常数一电场下材料的极化强度，可用材料的相对介电常数r 表示。表示。用下式计算：用下式计算： Q / Q0 = C / C0 = r 相对介电常数越大，极化强度越大
5、，即电介质陶瓷表面的束相对介电常数越大，极化强度越大，即电介质陶瓷表面的束缚电荷面密度大。用于制作陶瓷电容器的材料，缚电荷面密度大。用于制作陶瓷电容器的材料， r越大，电越大，电容量越高，相同容量时，电容器的体积可以做的更小。容量越高，相同容量时，电容器的体积可以做的更小。42、介电损耗、介电损耗 电介质在电场作用下，把部分电能转变成热能使电介质在电场作用下，把部分电能转变成热能使介质发热，在单位时间内因发热而消耗的能量称介质发热，在单位时间内因发热而消耗的能量称为为损耗功率损耗功率或简称为或简称为介电损耗介电损耗。常用。常用tg表示，其表示，其值越大，损耗越大，其中值越大，损耗越大，其中称为
6、介质损耗角。称为介质损耗角。 5三、三、 性能与分类性能与分类 根据根据体积电阻率体积电阻率、介电常数介电常数和和介电损耗介电损耗等参数的等参数的不同，可把电介质陶瓷分为不同，可把电介质陶瓷分为电绝缘陶瓷及装置陶电绝缘陶瓷及装置陶瓷和电容器陶瓷瓷和电容器陶瓷。此外，某些具有特殊性质，如。此外，某些具有特殊性质，如压电性、铁电性及热释电性的电介质陶瓷，按性压电性、铁电性及热释电性的电介质陶瓷，按性质分别称为质分别称为压电陶瓷压电陶瓷、热释电陶瓷热释电陶瓷和和铁电陶瓷铁电陶瓷。(一一)电绝缘陶瓷电绝缘陶瓷n电绝缘陶瓷又称装置陶瓷，是在电子设备中作为电绝缘陶瓷又称装置陶瓷，是在电子设备中作为安装、固
7、定、支撑、保护、绝缘以及连接各种无安装、固定、支撑、保护、绝缘以及连接各种无线电元件及器件的陶瓷材料。线电元件及器件的陶瓷材料。6作为装置陶瓷要求具备以下性质：作为装置陶瓷要求具备以下性质：（1）高的）高的体积电阻率体积电阻率（室温下，大于（室温下，大于1012m ）和高）和高介电介电强度强度（大于（大于104 kV/m）。以减少漏导损耗和承受较高的）。以减少漏导损耗和承受较高的电压。电压。（2）介电常数小（常小于）介电常数小（常小于9）。可以减少不必要的）。可以减少不必要的分布电分布电容值容值，避免在线路中产生恶劣的影响，从而保证整机的，避免在线路中产生恶劣的影响，从而保证整机的质量。质量。
8、（3）高频电场下的）高频电场下的介电损耗介电损耗要小。介电损耗大会造成材料要小。介电损耗大会造成材料发热，使整机温度升高，影响工作。发热，使整机温度升高，影响工作。（4）机械强度机械强度要高，通常抗弯曲强度为要高，通常抗弯曲强度为45300MPa，抗压，抗压强度为强度为4002000MPa。（5）良好的）良好的化学稳定性化学稳定性。能耐风化、耐水、耐化学腐蚀，。能耐风化、耐水、耐化学腐蚀，不致于性能老化。不致于性能老化。 7 此外，随着电绝缘陶瓷的应用日益广泛，有此外，随着电绝缘陶瓷的应用日益广泛，有时还要求具有时还要求具有耐机械力冲击耐机械力冲击和和热冲击热冲击的性能。如的性能。如高频装置瓷
9、，除要求介质损耗小外，还要求高频装置瓷，除要求介质损耗小外，还要求热膨热膨胀系数胀系数小，小，热导率热导率高，能承受较大的热冲击。作高，能承受较大的热冲击。作为集成电路的基片材料，要求为集成电路的基片材料，要求高导热系数高导热系数，合适，合适的热膨胀系数、的热膨胀系数、平整、高表面光洁度平整、高表面光洁度及易镀膜或及易镀膜或表面金属化。表面金属化。8v电绝缘陶瓷按化学组成可分为电绝缘陶瓷按化学组成可分为氧化物系氧化物系（如氧化（如氧化铝瓷、氧化镁瓷等）和铝瓷、氧化镁瓷等）和非氧化物系非氧化物系（如氮化硅瓷、（如氮化硅瓷、氮化硼瓷等）两大类。除上述多晶陶瓷外，近年氮化硼瓷等）两大类。除上述多晶陶
10、瓷外，近年来发展了来发展了单晶电绝缘陶瓷单晶电绝缘陶瓷，如人工合成云母、人，如人工合成云母、人造蓝宝石、尖晶石、氧化铍及石英等。造蓝宝石、尖晶石、氧化铍及石英等。 9（二）电容器陶瓷（二）电容器陶瓷v根据陶瓷电容器所采用陶瓷材料的特点，电容器根据陶瓷电容器所采用陶瓷材料的特点，电容器分为：分为：温度温度(热热)补偿型（补偿型（型）：型）：使用非铁电陶瓷，高频损耗小，介电常数随温度线性变化，可补偿电路中或电阻随温度系数的变化，维持谐振频率的稳定。10n温度温度(热热)稳定型稳定型：使用：使用非铁电陶瓷非铁电陶瓷，特点是介电，特点是介电常数随温度变化很小，接近于零，适用于高频和常数随温度变化很小，
11、接近于零，适用于高频和微波电路中。微波电路中。n高介电常数型高介电常数型：采用：采用铁电或反铁电陶瓷铁电或反铁电陶瓷，特点是，特点是介电常数非常高，可达介电常数非常高，可达30000，适用于，适用于低频高容低频高容量量电容器。电容器。n半导体型半导体型：非线性电阻电容器非线性电阻电容器，用于开关电路或，用于开关电路或热保护电路中，起自动开关作用。热保护电路中，起自动开关作用。11v按制造陶瓷电容器的材料性质分：按制造陶瓷电容器的材料性质分：第一类为第一类为非铁电电容器非铁电电容器陶瓷（陶瓷（型），又称热补偿电型），又称热补偿电容器陶瓷。第二类为容器陶瓷。第二类为铁电电容器铁电电容器陶瓷（陶瓷（
12、型），又称强介电常数电容器陶瓷。第三类型），又称强介电常数电容器陶瓷。第三类为为反铁电电容器反铁电电容器陶瓷（陶瓷（型）。第四类为型）。第四类为半半导体电容器导体电容器陶瓷（陶瓷（型）。型）。12v用于制造电容器的陶瓷材料的性能要求：用于制造电容器的陶瓷材料的性能要求：（1）介电常数要尽可能高。介电常数越高，陶瓷电容）介电常数要尽可能高。介电常数越高，陶瓷电容器的体积可以做得越小。器的体积可以做得越小。（2）在高频、高温、高压及其它恶劣环境下稳定可靠。）在高频、高温、高压及其它恶劣环境下稳定可靠。（3）介质损耗角正切值小。对于高功率陶瓷电容器，）介质损耗角正切值小。对于高功率陶瓷电容器，能提高
13、无功功率。能提高无功功率。（4）比体积电阻高于）比体积电阻高于1010m ，可保证在高温下工作。，可保证在高温下工作。（5）高的）高的介电强度介电强度。13四、四、 电绝缘陶瓷生产工艺、性能及应用电绝缘陶瓷生产工艺、性能及应用n（一）（一）电绝缘陶瓷的生产特点电绝缘陶瓷的生产特点 电绝缘陶瓷的性能，主要强调三个方面，即高体积电阻率、低介电常数和低介电损耗。除此之外，还要求具有一定的机械强度。 陶瓷材料是晶相、玻璃相及气相组成的多相系统，其电学性能主要取决于晶相和玻璃相的组成和结构，尤其是晶界玻璃相中的杂质浓度较高，且在组织结构形成连续相，所以陶瓷的电绝缘性和介电损耗性主要受玻璃相的影响。14n
14、通常陶瓷材料的导电机制为离子导电。离子导电又可分为本征离子导电、杂质离子导电和玻璃离子导电。要获得高体积电阻率的陶瓷材料，必须在工艺上考虑以下几点； 选择体积电阻率高的晶体材料为主要相。 严格控制配方，避免杂质离子，尤其是碱金属和碱土金属离子的引入，在必须引入金属离子时，充分利用中和效应和压抑效应，以降低材料中玻璃相的电导率。 由于玻璃的电导活化能小，因此应尽可能控制玻璃相的数量，甚至达到无玻璃相烧结。15 避免引入变价金属离子，以免产生自由电子和空穴，引起电子式导电，使电性能恶化。 严格控制温度和气氛，以免产生氧化还原反应而出现自由电子可空穴。 当材料中已引入了产生自由电子或空穴的离子时，可
15、引入另一种产生空穴或自由电子的不等价杂质离子，以消除自由电子和空穴，提高体积电阻率这种方法称作杂质补偿。16n另外，对于绝缘陶瓷还要求低介电损耗，陶瓷损耗的 主要来源是漏导损耗、松弛质点的极化损耗及结构损耗。因此，降低材料的介电损耗主要从降低漏导损耗和极化损耗入手： 选择合适的主晶相。 在改善主晶相性质时尽量避免产生缺位固溶体或填隙固溶体，最好形成连续固溶体。 尽量减小玻璃相含量。 防止产生多晶转换，因为多晶转变时晶格缺陷多，电性能下降，损耗增加。 注意烧结气氛，尤其对含有变价离子的陶瓷的烧结。 控制好最终烧结温度，使产品“正烧”。17n（二）电绝缘陶瓷性能（二）电绝缘陶瓷性能 无论哪种绝缘陶
16、瓷，必须具备以下性能：1.高的体积电阻率高的体积电阻率1012m；2.小的相对介电系数小的相对介电系数r30；3.损耗因子损耗因子tg 0.001；4.介电强度高介电强度高500kV/cm18n其他性能n良好的导热性:热导率为2428WmK ；n耐腐蚀，不变形，可在-55+860温度范围内使用 ；n良好的机械性能；n与半导体材料尽可能一致的热膨胀系数。19（三）刚玉（三）刚玉-莫来石瓷及莫来石瓷莫来石瓷及莫来石瓷1、概述、概述n莫来石瓷莫来石瓷是以莫来石（是以莫来石（3Al2O32SiO2）和石英（）和石英（SiO2）为）为主晶相的陶瓷，它是应用最早的高频装置瓷。主晶相的陶瓷，它是应用最早的高
17、频装置瓷。n刚玉刚玉-莫来石瓷莫来石瓷的结晶相不是单一的刚玉，而是共存有莫来的结晶相不是单一的刚玉，而是共存有莫来石，因此称为刚玉石，因此称为刚玉-莫来石瓷。其主要原料是粘土、氧化铝莫来石瓷。其主要原料是粘土、氧化铝和碳酸盐。刚玉和碳酸盐。刚玉-莫来石瓷的电性能较好，机械强度较高，莫来石瓷的电性能较好，机械强度较高，热稳定性能好，工艺性能好，烧结温度不高，且烧结温度热稳定性能好，工艺性能好，烧结温度不高，且烧结温度范围宽。可用来制造高频高压绝缘子，线圈骨架，电容器范围宽。可用来制造高频高压绝缘子，线圈骨架，电容器外壳及其他绝缘支柱，高压开关及其他大型装置器件等。外壳及其他绝缘支柱，高压开关及其
18、他大型装置器件等。20(1)一次莫来石的生成一次莫来石的生成v偏高岭石偏高岭石（ Al2O32SiO2 ）或硅线石（）或硅线石（ Al2O3SiO2 ）在）在高高温下按下式分解：温下按下式分解： 1200 3（Al2O32SiO2） 3Al2O32SiO2+4SiO2 130015003（Al2O3SiO2） 3 Al2O32SiO2+4SiO2 这种从原料矿物高温分解直接生成的莫来石称为这种从原料矿物高温分解直接生成的莫来石称为一次莫来石一次莫来石。(2)二次莫来石的生成二次莫来石的生成n一次莫来石生成的同时，还伴生游离石英。石英有多晶转变，一次莫来石生成的同时，还伴生游离石英。石英有多晶转
19、变，对瓷质不利，在生产高铝瓷时要增加对瓷质不利，在生产高铝瓷时要增加Al2O3成分，使之与游成分，使之与游离石英起反应生成莫来石，这时所生成的莫来石称为离石英起反应生成莫来石，这时所生成的莫来石称为二次莫二次莫来石来石。3Al2O3 + 2SiO2 3Al2O32SiO22、莫来石的生成、莫来石的生成213、莫来石瓷及刚玉、莫来石瓷及刚玉-莫来石瓷的配方莫来石瓷的配方n莫来石瓷及刚玉莫来石瓷及刚玉-莫来石瓷属于高铝瓷的范畴，莫来石瓷属于高铝瓷的范畴，其烧结温度高，为了降低烧结温度，常引入碱土其烧结温度高，为了降低烧结温度，常引入碱土金属氧化物做外加剂，常用的外加剂有金属氧化物做外加剂，常用的外
20、加剂有BaO、SrO、CaO、MgO等。等。4、生产工艺、生产工艺n莫来石瓷及刚玉莫来石瓷及刚玉-莫来石瓷的生产工艺可按一般莫来石瓷的生产工艺可按一般陶瓷的生产过程加工处理：陶瓷的生产过程加工处理： 混料球磨混料球磨 成型成型烧结烧结22（四）镁质瓷（四）镁质瓷v按照主晶相的不同，它可分为以下四类：按照主晶相的不同，它可分为以下四类：原顽辉石瓷原顽辉石瓷(即滑石瓷即滑石瓷)、镁橄榄石瓷、尖、镁橄榄石瓷、尖晶石瓷及堇青石瓷。晶石瓷及堇青石瓷。23v滑石瓷滑石瓷介电损耗小介电损耗小，用于一般高频无线电设备中，如，用于一般高频无线电设备中，如雷达、电视机常用它制造绝缘零件。雷达、电视机常用它制造绝缘
21、零件。v镁橄榄石瓷镁橄榄石瓷的的介质损耗低介质损耗低，而且随频率的变化小，在，而且随频率的变化小，在微波范围内也不增加，它的微波范围内也不增加，它的比体积电阻大比体积电阻大，并且在高，并且在高温下仍然具有相当高的数值，可作为高频绝缘材料。温下仍然具有相当高的数值，可作为高频绝缘材料。但它的但它的热膨胀系数高热膨胀系数高，因此热稳定性较差。，因此热稳定性较差。v尖晶石瓷尖晶石瓷的的介质损耗低于滑石瓷，而介电常数稍高，介质损耗低于滑石瓷，而介电常数稍高，化学稳定性良好化学稳定性良好。在电子工业中，它是低压高频电容。在电子工业中，它是低压高频电容器、感应线圈骨架及电子管插座等的良好材料。器、感应线圈
22、骨架及电子管插座等的良好材料。v堇青石瓷堇青石瓷的的膨胀系数低，热稳定性好膨胀系数低，热稳定性好，可用于要求体，可用于要求体积不随温度变化、耐热冲击的绝缘材料或电热材料。积不随温度变化、耐热冲击的绝缘材料或电热材料。24（五）绝缘陶瓷的应用及未来（五）绝缘陶瓷的应用及未来 1、应用、应用1）电力：绝缘子、绝缘管、绝缘衬套、真空开关。）电力：绝缘子、绝缘管、绝缘衬套、真空开关。2）汽车：火花塞、陶瓷加热器。）汽车：火花塞、陶瓷加热器。3）耐热用：热电偶保护管、绝缘管。）耐热用：热电偶保护管、绝缘管。4）电阻器：膜电阻芯和基板、可变电阻基板。）电阻器：膜电阻芯和基板、可变电阻基板。5）电子管：管壳
23、、磁控管、管座。）电子管：管壳、磁控管、管座。6）半导体：）半导体：Si晶体管管座、二极管管座、超高频晶体管外晶体管管座、二极管管座、超高频晶体管外壳。壳。7）封接用：金属喷镀法加工、玻璃封接。）封接用：金属喷镀法加工、玻璃封接。8）光学用：高压钠灯、紫外线透过窗口、红外线透过窗口。）光学用：高压钠灯、紫外线透过窗口、红外线透过窗口。25n 1855年：陶瓷绝缘子作为电绝缘材料应用于铁路年：陶瓷绝缘子作为电绝缘材料应用于铁路通信线路通信线路n 1880年：美国在电力输电线路中开始使用陶瓷绝年：美国在电力输电线路中开始使用陶瓷绝缘子缘子n 现在：已经能够制造出耐压现在：已经能够制造出耐压500
24、kV以上的超高压以上的超高压输电用高性能陶瓷绝缘子输电用高性能陶瓷绝缘子 2627 汽车陶瓷火花塞、燃气灶具用点火针汽车陶瓷火花塞、燃气灶具用点火针2829 集成电路是一种把大量微集成电路是一种把大量微晶体管电路元件组装在一块基晶体管电路元件组装在一块基片上所构成的超小型、高密度的电路，这类电路通常要片上所构成的超小型、高密度的电路，这类电路通常要封装在集成电路的管壳内。封装在集成电路的管壳内。 电子工业中，电子工业中，Al2O3、BeO、SiC、AlN、单晶硅绝缘陶、单晶硅绝缘陶瓷用于集成电路的基片和封装材料瓷用于集成电路的基片和封装材料30氧化铝陶瓷基片氧化铝陶瓷基片313233 陶瓷管壳
25、、封装材料陶瓷管壳、封装材料3435整流管用陶瓷管壳整流管用陶瓷管壳36 陶瓷管保险丝、陶瓷管座陶瓷管保险丝、陶瓷管座陶瓷管保险丝陶瓷管保险丝陶瓷管座陶瓷管座37 电子电器用陶瓷绝缘管电子电器用陶瓷绝缘管38陶瓷真空开关管陶瓷真空开关管39高温陶瓷炉管、热电偶保护管高温陶瓷炉管、热电偶保护管402、绝缘陶瓷的未来发展、绝缘陶瓷的未来发展 1）向极端发展）向极端发展：高纯度、大型化（超大型绝缘：高纯度、大型化（超大型绝缘子）、小型化（超小型半导体管壳）。子）、小型化（超小型半导体管壳）。 2）向更大功能和多功能发展）向更大功能和多功能发展 3）向节约并开发资源和能源发展）向节约并开发资源和能源发
26、展41五、五、非铁电电容器陶瓷n介电常数高：体积小，小型化和集成化n介电损耗小：高频电路和高功率的损耗少n体积电阻高：1010W.cm，高温下不失效n介电强度高：避免意外击穿n化学稳定性好：保证在高频、高压及其它恶劣环境中工作可靠。42n非铁电陶瓷的种类n1.金红石陶瓷金红石陶瓷：n组成：TiO2含量约90，另有10的添加剂，如ZrO2、高岭土、BaCO3、CaF2、钨酸、ZnO、La2O3等，SiO2的存在对介电性能有害。n烧成：金红石陶瓷一般在132510氧化气氛中烧成，还原气氛也对电性能不利。n性能：介常100，介损4104，电阻1010n问题：直流老化，与银电极反应432.钛酸钙陶瓷钛
27、酸钙陶瓷 钛酸钙陶瓷是目前国内外大量使用的材料，它具有较高的钛酸钙陶瓷是目前国内外大量使用的材料，它具有较高的介电系数和负温度系数，可以制成小型高容量的高频陶瓷介电系数和负温度系数，可以制成小型高容量的高频陶瓷电容器等。电容器等。 (1)配方：配方： 钛酸钙瓷的制备一般分两步进行。先合成钛酸钙瓷的制备一般分两步进行。先合成CaTiO3 ，然后再配方。典型的配方如下：，然后再配方。典型的配方如下：CaTiO3烧块烧块 99% ZrO2 1% 瓷料的烧结温度为瓷料的烧结温度为136020 。在国外，为了降低烧结温。在国外，为了降低烧结温度，改善烧结性能和结晶状态，从而提高介电性能，还可度，改善烧结
28、性能和结晶状态，从而提高介电性能，还可加入少量氧化钴（加入少量氧化钴（2.5% ）。）。44（2）生产工艺）生产工艺n钛酸钙瓷是一种含钛陶瓷，其合成与烧结必须在氧化气氛钛酸钙瓷是一种含钛陶瓷，其合成与烧结必须在氧化气氛中进行。中进行。n原料球磨时原料球磨时CaO可能水解生成水溶性可能水解生成水溶性Ca(OH)2，故球磨后，故球磨后应进行烘干，不能过滤除水，否则会因应进行烘干，不能过滤除水，否则会因Ca(OH)2流失而影流失而影响配比。响配比。n钛酸钙的结晶能力较强，为防止晶粒长大，烧结温度和保钛酸钙的结晶能力较强，为防止晶粒长大，烧结温度和保温时间均要控制好。生产中往往采用高温快速冷却来控制温
29、时间均要控制好。生产中往往采用高温快速冷却来控制晶粒长大。晶粒长大。45六、铁电电容器陶瓷n特点：铁电陶瓷晶体中存在着许多自发极化的偶极子，在电场中会产生一类似磁滞回线的电滞回电滞回线线，故称为铁电体。铁电陶瓷在高于某温度时会失去自发极化，低于该温度时又重新获得铁电性，这一转变温度称为居里温度居里温度(Curie Point)46材料及工艺材料及工艺高介电常数铁电介电陶瓷：钛酸钡基陶瓷居里点移动剂：BaSnO3、BaZrO3、CaZrO3、SrTiO3、PbTiO3、La2O3、CeO2等，能将居里点从120移至室温附近。居里点压降剂：CaTiO3、MgTiO3、MgZrO3、Bi2(SnO3
30、)3、NiSnO3、MgSnO3等，能降低居里点处的e峰值，并使e随湿度的变化变得平坦。烧结助剂：Al2O3、SiO2、ZnO、CeO、B2O3、Nb2O5、WO3防止还原添加剂：MnO2、Fe2O3、CuO等47七、反铁电电容器陶瓷n特点：高介电常数，温度系数非线性，存在居里点，该类材料中的每个电畴中存在两个方向相反、大小相等的自发极化，而不是方向相同的偶极子，因此，具有双双电滞回线电滞回线。n组成：反铁电陶瓷常以PbZrO3或LaNbO3为主要组成的固溶体。48多层电子封装多层电子封装4950写在最后写在最后成功的基础在于好的学习习惯成功的基础在于好的学习习惯The foundation of success lies in good habits谢谢聆听 学习就是为了达到一定目的而努力去干, 是为一个目标去战胜各种困难的过程,这个过程会充满压力、痛苦和挫折Learning Is To Achieve A Certain Goal And Work Hard, Is A Process To Overcome Various Difficulties For A Goal
