1、基区非平衡少子分布（1）发射效率与基区输运系数：发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度基区宽度尽量小，基区中非平衡少子的寿命尽量大。注入效率 基区输运系数*3 双极晶体管直流电流增益*nCpCnCnEnCpEnEnEECIIIIIIIIII)(0定量分析可得：要增大*peenbbbpeLnDWpD00112221*nbbLW0001(4)晶体管放大电路工作原理2 大电流效应（2）大注入效应：（3）电流集边效应：3 晶体管小电流特性小电流情况下，由于空间电荷区的复合，导致0下降。20lg ecvECiiIIbc20lg bcvbciiIIce)22(21)(212TCCdcmcnbbTEecdbe
2、TCRxDWCrf BJT的特点的特点优优点点垂直结构垂直结构与输运时间相关的尺与输运时间相关的尺寸由工艺参数决定，寸由工艺参数决定，与光刻尺寸关系不大与光刻尺寸关系不大易于获易于获得高得高fT高速高速应用应用整个发射结整个发射结上有电流流上有电流流过过可获得单位面积可获得单位面积的大输出电流的大输出电流易于获得易于获得大电流大电流大功率大功率应用应用开态电压开态电压VBE与尺寸、与尺寸、工艺无关工艺无关片间涨落小，可获片间涨落小，可获得小的电压摆幅得小的电压摆幅易于小信易于小信号应用号应用模拟电模拟电路路输入电容由输入电容由扩散电容决扩散电容决定定随工作电流的随工作电流的减小而减小减小而减小
3、可同时在大或小的电可同时在大或小的电流下工作而无需调整流下工作而无需调整输入电容输入电容输入电压直接控制提供输入电压直接控制提供输出电流的载流子密度输出电流的载流子密度高跨导高跨导缺点：缺点：存在直流输入电存在直流输入电流，基极电流流，基极电流功耗大功耗大饱和区中存储电饱和区中存储电荷上升荷上升开关速度慢开关速度慢开态电压无法成开态电压无法成为设计参数为设计参数2.5 JFET与与MESFET器件基础器件基础2.5.1 器件结与电流控制原理VGSrsubTqNaV022DsatDSTGSDSDSDSTGSDVVVVVVVVVI,)1()(22LWaNqsubn)(DsatDSTGSDSTGSDVVVVVVVI,)1)(22 LVfDSnTDsatDSTGSDSDSTGSXnDVVVVVVVVLWCI,21)(20)1 ()(212DSTGSoxnDsatVVVLWCI源 栅 漏 源 漏N沟道衬底JFETN沟道衬底MESFETJFET与MESFET结构P+Metal
