2020年昆明理工大学考研专业课试题864材料科学基础.doc

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1、昆明理工大学2020年硕士研究生招生入学考试试题(A卷)考试科目代码:864 考试科目名称 : 材料科学基础考生答题须知1 所有题目(包括填空、选择、图表等类型题目)答题答案必须做在考点发给的答题纸上,做在本试题册上无效。请考生务必在答题纸上写清题号。2 评卷时不评阅本试题册,答题如有做在本试题册上而影响成绩的,后果由考生自己负责。3 答题时一律使用蓝、黑色墨水笔或圆珠笔作答(画图可用铅笔),用其它笔答题不给分。4 答题时不准使用涂改液等具有明显标记的涂改用品。一、名词解释(任选10个作答,每个3分,共30分)晶胞 配位数 肖特基缺陷 组织 孪晶 克根达尔效应 重构型相变 固相反应 弹性形变

2、N型半导体 扩散通量 热压烧结二、简答题(共11题,任选9题作答,每题6分,共54分)1. 试从内部质点排列情况分析SiO2晶体及SiO2玻璃的结构及特点有何异同。2. 试说明间隙固溶体和间隙化合物有什么区别。3. 什么是柯氏气团,解释其引起体心立方金属的明显屈服现象。4. 金属铸件能否通过再结晶退火来细化晶粒?5. 试根据结合键的特点分析离子晶体及金属晶体的性质差异。6. 解释为什么铜和黄铜焊接件在高温环境中经一段时间后,在焊接点附近发生了断裂。7. 比较孪生与滑移的相同点和不同点。 8. 试从热力学的角度说明菲克定律的局限性。9. 简述液相烧结过程。10. 简要分析位错运动过程中碰到第二相

3、颗粒时可产生那些情况。11. 简要分析包晶转变在非平衡冷却条件下产生的现象和原因。三、作图分析题(每题10分,共30分)1. 画出SiO4四面体共顶、共棱、共面连接示意图,并根据鲍林规则分析何种连接方式最稳定。2. 在简单立方晶胞中分别画出晶面(212)、(111)和晶向212、111,并分析在立方晶系中(hkl)和hkl的关系,同时写出111和所包含的晶面和晶向。3. 判断下列位错反应能否进行?若能进行,试在晶胞图上画出各位错反应矢量关系图。(1)a2111+a2111a001(2)a2101+a2011a2110昆明理工大学2020年硕士研究生招生入学考试试题四、计算及综合题(每题12分,

4、共36分)1. 870和927渗碳,两种温度下碳在-Fe中的扩散系数分别为810-12和1.6710-11m2/s. (R=8.314J/molK)。 (1)求D0(设Q在一定温度范围内为常数)?(2)若在927下经1104s后渗碳厚度达到0.05mm,则经多长时间后,厚度增加一倍?2. 由A向B的液固相变中,单位体积自由焓变化GV在 1000时是4.18108J/m3,在 900时是20.9108J/m3,设A-B间的界面能为0.5J/m2,求:(1)在 900和 1000时的临界半径;(2)在 1000时进行相变时所需的形核功。3. 请根据Si-Sr二元相图分析下列问题:(1)写出所有的三相反应式;(2)分析50wt%Sr合金的平衡凝固过程,室温组织是什么;(3)假使要得到50%的Si2Sr且不含单质Si,合金成分应该是多少。第 2 页 共 2页

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