2015年宁波大学博士专业课考试试题3823半导体物理B.pdf

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1、宁波大学宁波大学 2015 年攻读博年攻读博士学位研究生士学位研究生 入入 学学 考考 试试 试试 题题(B 卷卷) (答案必须写在答题纸上) 考试科目考试科目: 半导体物理半导体物理 科目代码:科目代码: 3823 适用专业适用专业: 微纳信息系统微纳信息系统 第 1 页 共 1 页 一一、 填空题:填空题: 本大题共本大题共 6 小题,共小题,共 32 分。不写解答过程,将正确的答案写在每小题的空格分。不写解答过程,将正确的答案写在每小题的空格内内,或按要求的相应选项上打勾,或按要求的相应选项上打勾。错填或不填均不得分。错填或不填均不得分。 1) (8 分) 由于非晶半导体晶格结构( )的

2、特点,其电子态中出现了( ),非晶半导体的电导包含 ( ) 和( )两部分。 2) (5 分) Si 是一种重要的元素半导体,其晶格结构是( ),有( )个最近邻原子,其带隙结构为(*请打勾请打勾:直接带隙、间接带隙),其导带底附近等能面的形状为( ),因此它的许多物理性质呈(*请打勾请打勾:各向同性、各向异性)。 3) (4 分) 对于非简并半导体,在光注入或电注入等外界作用下,材料中的电子浓度和空穴浓度都是偏离平衡值的,多出来的这部分载流子叫做( ),其重要特点是:当外界作用停止后它们会因( )而消失,其( )称为寿命,常用(*请打勾:请打勾:少数载流子、多数载流子)的寿命来描述。 4)

3、(5 分) 当 p-n 结形成时,在交界处有一结区,此结区常称为( );p-n 结在正向偏压下,电流随偏压的增加而( );在反向偏压下,电流很快趋向( );当反向偏压升到某电压值时,反向电流急剧( ),称为( )。 5) (4 分) p-n 结电容包括( )和 ( )两部分 6) (6 分) 对于非平衡少数载流子空穴的扩散运动,其稳态扩散方程和扩散电流分别为:( )和( )。 二二、 简答简答题:题:(本大题共(本大题共 6 小题,共小题,共 68 分)分) 1) (12 分) 画出非平衡态时 p 型半导体的准费米能级偏离平衡时费米能级的示意图。 2) (12 分)什么叫本征激发?温度越高,本征激发的载流子越多,为什么?试定性说明之。 3) (12 分)何谓欧姆接触?请以 n 型半导体为例说明从功函数角度如何实现欧姆接触。 4) (8 分)深能级杂质和浅能级杂质对半导体有何影响? 5) (12 分)掺杂半导体与本征半导体之间有何差异?试举例说明掺杂对半导体的导电性能的影响。 6) (12 分)什么是功函数?哪些因数影响了半导体的功函数?什么是接触势差?

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