1、与其它光电器件相比,热电探测器件具有下列特性: 1.响应率与波长无关，光谱响应范围特别宽，属无选择性探测器； 2.受热时间常数的制约,响应速度慢,为毫秒级； 热电探测器件大致分为温差电型、热敏电阻型、气动型和热释电型四类。 本章首先讨论热电探测器件的共同原理，然后再分别介绍以上各种具体器件。各种不同类型的热电探测器件的性能各种不同类型的热电探测器件的性能 3.1 基本原理对热电探测器件的分析，可分为两步： 第一步是按系统的热力学特性来确定入射辐射所引起的温升，这种分析对各种热电探测器件都适用； 第二步是根据温升来确定具体探测器件输出信号的性能。 在相同的入射辐射下，希望得到大的温升，就是说，探
2、测探测器与外界的热耦合和热容以及调制频率等要小，这点是热电探器与外界的热耦合和热容以及调制频率等要小，这点是热电探测器件与普通的温度计的重要区别。测器件与普通的温度计的重要区别。二者虽然都有随温度变化的性能，但热电探测器件所需要的，不是要与外界有尽量好的热接触，必须达到热平衡，而是要与入射辐射有最佳的相互作用，同时又要尽量少的与外界发生热接触。 时间常数： 热容，探测元每温升1K所需的热量，JK1。 G 热导，单位时间下降单位温度所散失的热量， JK1S-1。 的数量级约为几毫秒至几秒，这比光电器件的时间常数大得多。因此，热电探测器件在某些应用领域中，所处的地位不如光电探测器件。但是，对系统中
3、各种相互制约的因素进行综合考虑以后，这一缺点也许不那么严重。 为使探测器的热容小，应尽量使探测器的结构小、重量轻，同时要兼顾结构强度。后面提到的热释电器件就是一种灵敏度高和机械强度好的热电探测器。 热导G对于探测器灵敏度和时间常数的影响正好相反，G小，灵敏度高，但响应时间长。所以，在设计和选用热电探测器件时须采取折衷方案。另外G对探测极限也有影响。HCGCH/ 探测器与外界的热耦合，主要有辐射交换和热传导两种形式。其中，辐射交换的热导率最小。如果只考虑辐射交换，不计因支架和引线等引起的热传导时，热导率的极限值可根据斯忒藩-波耳兹曼定律来估算。设当探测器与外界达到热平衡时，它所辐射的总通量为其中
4、为斯忒藩-波耳兹曼常数，T为温度，探测器的灵敏面面积为A，发射率为 对上式两边进行微分，由辐射交换所产生的热导G为 另外，根据统计计算，探测器与外界达到热平衡时，探测器的功率起伏均方根值为 式中，k为波耳兹曼常数，G为热导；f为测试系统的频带宽度。 4TA34TAdTTAGdTd342/12)4(fGkTWT 实际上， 就是探测器因温度起伏所产生的噪声温度起伏所产生的噪声。 若式中的G取最小值，即G ，并取f1Hz，则 将是可能取值中最小的，即 按最小可探测功率（最小可探测功率（NEPNEP）的定义输出端信噪比为1时，入射功率的有效值，有 则 此式表示了热电探测器件可能达到的最佳性能最佳性能。
5、如果所有的入射辐射全为探测器所吸收，即=1，则上式可变为TWRGTW2/12)4(RTGkTW 2/15)16(AkTWNEPT2/15)/16(AkTNEP 式中，若假定A1 ；T290K；f1Hz，则此值可作为衡量实际探测器性能的比较基准此值可作为衡量实际探测器性能的比较基准。 为了与习惯保持一致，通常也使用NEP的倒数，即探测探测率率D作为探测器探测最小光信号能力的指标 D=1/NEP对于探测器，D越大越好。由于探测器的NEP常与探测器的面积Ad和测量系统带宽f乘积的平方根成正比，比较各种探测器的性能时，需除去Ad和f差别的影响，因此用归一化参数表示，归一化的等效噪声功率和探测率如下2/
6、15)16(AkTNEP 42121067. 5KcmW1231038. 1KkWNEP11101 . 52cm2/1)(*fANEPNEPd2/1)(*1*fADNEPDd3.2 温差电偶 温差电偶也叫热电偶，是最早出现的一种热电探测器件。其工作原理是温差电效应。 例如，由两种不同的导体材料构成的接点，在接点处可产生电动势。这个电动势的大小和方向与该接点处两种不同的导体材料的性质和两接点处的温差有关。如果把这两种不同的导体材料接成回路，当两个接头处温度不同时，回路中即产生电流。这种现象称为温差这种现象称为温差电效应或塞贝克效应。电效应或塞贝克效应。 构成温差电偶的材料，既可以是金属，也可以是
7、半导体。在结构上既可以是线、条状的实体，也可以是利用真空沉积技术或光刻技术制成的薄膜。实体型的温差电偶多用于测温，薄膜型的温差电堆（由许多个温差电偶串联而成）多用于测量辐射，例如，用来标定各类光源，测量各种辐射量，作为红外分光光度计或红外光谱仪的辐射接收元件等。 温差电偶原理 热电偶原理图示于右图。温差电偶接收辐射一端称为热瑞，另一端称为冷端。为了提高吸收系数，在热端都装有涂黑的金箔。 由半导体材料构成的温差电偶，热端接收辐射产生温升，半导体中载流子动能增加。从而，多数载流子要从热端向冷端扩散，结果P型材料热端带负电，冷端带正电；而N型材料情况正好相反。 当冷端开路时，开路电压为式中，M为比例
8、系数，称塞贝克常数，也称温差电势率，单位为V/；T为温度增量。 因G与材料性质和环境有关，所以为了使G较小，提高灵敏度，并使工作稳定，常把温差电偶或温差电堆放在真空的外壳里。 温差电势形成的物理过程温差电势形成的物理过程 TMUOC 真空温差电偶的主要参量有：灵敏度灵敏度（也叫响应率）R、响应时间常数响应时间常数、噪声等效功率噪声等效功率NEP或比探测率比探测率D*等。 温差电偶的响应率为 ：冷端负载上所产生的电压降。：入射于探测器的辐射通量。 要使温差电偶的响应率高，应选用温差电势大的材料，并增大吸收系数。同时，内阻要小，热导也要小。在交变情况下，调制频率低时比调制频率高时的响应率高。减小调
9、制频率和减小时间常数 都有利于提高响应率，可是与 是矛盾的，所以，响应率与带宽之积为一常数的结论，对于温差电偶也成响应率与带宽之积为一常数的结论，对于温差电偶也成立。立。温差电偶的时间常数多为毫秒量级，带宽较窄。多用于测量恒定的辐射或低频辐射。只有少数时间常数小的器件才适用于测量中、高频辐射。 /LURLUTT 热电探测器件最小可探测功率的主要限制因素是温度噪声和约翰逊噪声。理想的热电探测器件，噪声等效功率为 W数量级。而温差电堆，常温、理想情况下噪声等效功率可达 W数量级。 1110910 由于薄膜技术的发展，已经能够制作出价格低廉的温差电堆，可以制成各种复杂的阵列，而且性能可靠。例如，用锑
10、、铋材料薄膜制成的器件，不仅具有金属丝温差电堆的某些优点，还有较高的响应率。 曲线6表示锑铋蒸发薄膜的温差电堆，它的性能虽然比某些热电探测器件低，但它坚固，容易制作，既可以制成单个元件，也可以制成超过100个单元的探测器阵列。因此，它的应用很广泛，已成功地应用于某些航天仪器，包括星际航行仪器。 由半导体材料制成的温差电堆，一般都很脆弱，容易破碎，使用时应避免振动。其次是额定功率小，入射辐射不能很强，应避免通过较大的电流，一般多为微安级。检验时，不宜使用欧姆表测量，免得表内电源烧毁元件中的金箔。再次是，保存时不要使输出端短路，以防因电火花等电磁干扰产生的感应电流烧毁元件。另外，工作时环境温度不宜
11、超过60。 3.3热敏电阻（测辐射热计） 热敏电阻是由电阻温度系数大的导体材料制成的电阻元件，也称它为测辐射热计。 1.热敏电阻的分类及其区别 热敏电阻有金属金属的和半导体半导体的两种。制作热敏电阻灵敏面的材料，金属的多为金、镍、铋等薄膜；半导体的多为金属氧化物，例如氧化锰、氧化镍、氧化钴等。 而半导体的热敏电阻，电阻温度系数多为负的，绝对值比金属的大十多倍，它的电阻与温度的关系是非线性的，耐高温能力较差，所以多用于辐射探测，例如，防盗报警、防火系统、热辐射体搜索和跟踪等。 它们的主要区别是，金属的热敏电阻，电阻温度系数多为正的，绝对值比半导体的小，它的电阻与温度的关系基本上是线性的，耐高温能
12、力较强，所以多用于温度的模拟测量。2.原理 热敏电阻的物理过程是吸收辐射，产生温升，从而引起材料电阻的变化，其机理很复杂。 由半导体材料制成的热敏电阻可定性地解释为，吸收辐射后，材料中电子的动能和晶格的振动能都有增加。因此，其中部分电子能够从价带跃迁到导带成为自由电子，从而使电阻减小，电阻温度系数是负的。 对于由金属材料制成的热敏电阻，因其内部有大量的自由电子，在能带结构上无禁带，吸收辐射产生温升后，自由电子浓度的增加是微不足道的。相反，因晶格振动的加剧，却妨碍了电子的自由运动，从而电阻温度系数是正的，而且其绝对值比半导体的小。 3.结构 热敏电阻的灵敏面是一层由金属或半导体热敏材料制成的厚约
13、0.01mm的薄片，粘在一个绝缘的衬底上，衬底又粘在一金属散热器上。热敏电阻结构示意图热敏电阻结构示意图 使用热特性不同的衬底，可使探测器的时间常数由大约1ms变到50ms。因为热敏材料本身不是很好的吸收体，为了提高吸收系数，灵敏面表面都要进行黑化。早期的热敏电阻是单个元件接在惠更斯电桥的一个臂上。现在的热敏电阻多为两个相同规格的元件装在一个管壳里，一个作为接收元件，另一个作为补偿元件，接到电桥的两个臂上，可使温度的缓慢变化不影响电桥平衡。 工作时，或按上图a接成桥式电路，或按上图b以补偿元件为负载接放大器。图中 为接收元件， 为补偿元件， 、 、 为普通电阻。对于图b，如果有入射辐射，则热敏
14、电阻的电阻将因温升而产生一微量变化 ，于是所产生的信号电压为 i：电流如果入射辐射使元件产生的温升为T，则元件的电阻温度系数为：热敏电阻的接电电路热敏电阻的接电电路 1TR2TR2R1R3RTdRTsidRu 则热敏电阻的电压响应率为： 由上式可知，要使热敏电阻的电压响应率大，电流 i、电阻温度系数、热敏电阻 、吸收系数都要大，热导G、热辐射的交变频率、热容 都要小，但这些量是受诸因素制约的，只能折中选取，而不能任意增减。 )/()/1 (dTdRRTTTRiuTS2/1222)/(HTVCGRiRTRHC1）由于要求放大器的输入阻抗要远大于 ，这就限制了 不 能任意的大。另外，假如 很大，那
15、它和引线的杂散电容和放大器输入电容等所构成的电路时间常数就有可能大于热时间常数。这时，将使频率特性变坏。2）决定于材料。对于大多数金属，l/T。对于大多数半导体，在某有限温区内3000/ 。所以，通过致冷可提高。3）为了提高，要使灵敏面表面黑化。4）为了减小G，可使接收元件装在一个真空的外壳里。但G小，热时间常救 （ /G）要变大，频率特性要变坏。所以，权衡利弊，有的为了提高频率特性，宁可牺牲一些响应率，而把热敏电阻粘在一块热导率很大的衬底上以取得小的时间常数。TRTRTR2TTHC5）i不能很大，因i若较大，产生的焦耳热会使元件温度提高，如果是负，还可能因为 变小而产生破坏性的热击穿。另外，
16、i大了噪声也要随之增大。所以，这就限制了i的取值。 限制热敏电阻最小可探测功率的主要因素是与元件电阻有关的约翰逊噪声和与辐射吸收、发射有关的温度噪声。在室温下，热敏电阻的噪声等效功率可达 W ，在致冷到液氦温度（3K）时，可达 W 。 TR6109102/1Hz131014102/1Hz4.其它类型测辐射热计 除了热敏电阻的测辐射热计外，还有超导测辐射热计、碳测辐射热计和锗测辐射热计等。 超导测辐射热计超导测辐射热计是利用某些金属或半导体，从正常态变为超导态时，电阻发生巨大变化这一特性来工作的。超导材料多为铌、钽、铅或锡的氮化物，在1520K时变为超导体。在转变期内的温度仅为几分之一开氏温度，
17、电阻温度系数约每度5000%。但保持住转变期温度，所需的致冷量很大，控制复杂，目前这种探测器还不太可能在实验室外使用。 碳测辐射热计碳测辐射热计已用于极远的红外波段的分光考察。灵敏元件是从碳电阻上切下来的一小块，致冷到2.1K时，其 要比热敏电阻测辐射热计高一个数量级。 锗测辐射热计锗测辐射热计的灵敏元件是锗掺镓单晶。致冷到2.1K时，其 比热敏电阻测辐射热计约高12个数量级，它的光谱响应可延伸致1000m以外。D 热释电器件是一个以热电晶体为电介质的平板电容器。因热电晶体具有自发极化性质，自发极化矢量能够随着温度变化，所以入射辐射可引起电容器电容的变化，从而可利用这一特性来探测变化的辐射。
18、1.结构原理 热电晶体是压电晶体中的一种，具有非中心对称的晶体结热电晶体是压电晶体中的一种，具有非中心对称的晶体结构构。自然状态下，在某个方向上正负电荷中心不重合，从而晶体表面存在着一定量的极化电荷，称为自发极化。晶体温度变化时，可引起晶体的正负电荷中心发生位移，因此表面上的极化电荷即随之变化。 3.4 热释电器件热电晶体在温度变化时所显热电晶体在温度变化时所显示的热电效应示意图示的热电效应示意图a) 恒温下 b) 温度变化时 c) 温度变化时的等效表现 温度恒定时，因晶体表面吸附有来自于周围空气中的异性电荷，而观察不到它的自发极化现象。当温度变化时，晶体表面的极化电荷则随之变化，而它周围的吸
19、附电荷因跟不上它的变化，失去电的平衡，这时即显现出晶体的自发极化现象。这一过程的平均作用时间为/，式中，为晶体的介电系数，为晶体的电导率。所以，所探测的辐射必须是变化的，所探测的辐射必须是变化的，而且只有辐射的调制频率而且只有辐射的调制频率f f1/1/时才有输出。时才有输出。 图中晶体的自发极化矢量为 ，即单位体积内由自发极化产生的电矩，其方向垂直于电容器的极板平面。接收辐射的极板和另一极板的重合部分面积为A。Sp 辐射引起的晶体温度变化为T。由此，引起表面极化电荷的变化为 Q = A 若使上式改变一下形式，则为 Q = A( /T)T = AT式中，= /T称热释电系数。 SpSpSp(a
20、)硫酸三甘酞（TGS）(b) 钛酸钡（BaTiO3） 制作热释电器件的常用材料有，硫酸三甘肽（TGS）晶体，掺丙胺酸改性后的硫酸三甘肽（LATGS）晶体，钽酸锂(LiTaO3）晶体，锆钛酸铅（PZT）类陶瓷，聚氟乙烯（PVF）和聚二氟乙烯（PVF2）聚合物薄膜等。但不论那种材料，都有一个特定温度，称居里温度居里温度。当温度高于居里温度时，自发极化矢量为零，只有低于居里温度时，材料才有自发极化性质。正常使用时，都是使器件工作于离居里温度稍远一点都是使器件工作于离居里温度稍远一点,热释电热释电系数变化平稳的温区系数变化平稳的温区。 按热释电器件的基本结构，其等效电路可表示为恒流源Is 其中 输出电
21、压为 式中， 为热时间常数， = /G； 为电路时间常数， =CR，R= ，C= 。 、 的数量级为0.110s左右。由上式得电压响应率为 ：2/1222)/(HSCGAiTHCeLR热释电器件的等效电路热释电器件的等效电路 )1 ()1 (/2/1222/122eTSGRAuTeLCeTSRSC)1 ()1 (/2/1222/122eTVGRAR该式表明： 低频段（1/ 、 1/ ）时，Rv，0时，Rv0； 时，设 ，在 1/ 1/ 范围内，Rv与无关，为一常数； 高频段（1/ 、1/ ）时，Rv则随-1变化。所以，在许多应用中，该式的高频近似式为 Rv = A/ C TeeTeTTeTeH
22、C2.噪声、信噪比和噪声等效功率 因热释电器件的基本结构是一个电容器，输出阻抗特别高，所以它后面常接有场效应管，构成源极限随器的形式，使输出阻抗降低到适当数值。因此，在分析噪声的时候，也要考虑放大器的噪声。这样，它的噪声，主要有电阻的热噪声电阻的热噪声、温温度噪声度噪声和放大器噪声放大器噪声三个分量。 电阻的热噪声电阻的热噪声来自于晶体的介电损耗和与探测器相并联的电阻。如果其等效电阻为R，则电阻热嗓声电流的均方值为式中，k为波耳兹曼常数， 为灵敏元温度，f为测试系统带宽。RfkTiRR/42RT 放大器噪声放大器噪声来自于放大器中的有源元件和无源元件，以及信号源的源阻抗和放大器输入阻抗之间噪声
23、是否匹配等方面。如果放大器的噪声系数为F，把放大器输出喘的噪声折合到输入端，认为放大器是无噪声的，这时，放大器输入端附加的噪声电流均方值为 式中，T为背景温度。 温度噪声温度噪声来自于灵敏面与外界辐射交换的随机性，其噪声电流的均方值为 式中， 为温度起伏的均方值。 如果这三种噪声是不相关的，则总噪声为 式中， ，称放大器有效输入噪声温度。RfTFkiK/) 1(42GfAkTRfTFkRfkTiRN/4/) 1(4/422222GfAkTRfkTN/4/42222TFTTRN) 1(考虑统计平均值时信噪功率比为所以，噪声等效功率为 由上式可以看出，热释电器件的噪声等效功串（NEP），有随着调制
24、频率的增加而减小的性质。 )/4/4/(/2222222222RAfGkTfGkTiISNRNNSp)/()/(1)/4()(2222222RAGTTfGkTNEPN3.5热电器件使用要点 热电器件的共同特点是，光谱响应范围宽，从紫外到毫米量级的电磁辐射几乎都有相同的响应。而且响应率都很高，但响应速度都较低，速度与响应率之积为一常量的结论对热探测器也成立。不同类型器件的响应率、机械强度、响应速度和使用条件等则不同。因此，具体选用器件时，要扬长避短，综合考虑。 1）由半导体材料制成的温差电堆，响应率很高，但机械强度较差，使用时必须十分当心。它的功耗很小，测量辐射时，应对所测的辐射强度范围有所估计
25、，不要因电流过大烧毁热端的黑化金箔。保存时，输出端不能短路，要防止电磁感应。 2）测辐射热计，响应率也很高，对灵敏面采取致冷措施后，响应率会进一步提高。但它的机械强度也较差，容易破碎，所以使用时要当心。它要求踉它相接的放大器要有很高的输入阻抗。流过它的偏置电流不能大，免得电流产生的焦耳热影响灵敏面的温度。 3）热释电器件是一种比较理想的热探测器，机械强度、响应率、响应速度都很高。但根据它的工作原理，它只能测量变化的辐射，入射辐肘的脉冲宽度必须小于自发极化矢量的平均作用时间。辐射恒定时无输出。利用它来测量辐射体温度时，它的直接输出，是背景与热辐射体的温差，而不是热辐射体的实际温度。所以，要确定热辐射体实际温度时，必须另设一个辅助探测器，先测出背景温度，然后再将背景温度与热辐射体的温差相加，即得被测物的实际温度。另外，因各种热释电材料都存在一个居里温度，所以它只能在低于居里温度的范围内使用。 P247, 3,4,5
