1、从外观能看出该元件的种类 名称以及是否有极性、方向性。从元件表面的标记能读出该元件的性能参数 容许误差范围等参数。能识别各类元件在线路板上的丝印图。知道在作业过程中不同元件须注意的事项。第一部分第一部分l 电子技术是十九世纪末、二十世纪初开始发展起来的新兴技术，二十世纪发展最迅速，应用最广泛，成为近代科学技术发展的一个重要标志。进入21世纪，人们）电子计算机和因特网为标志的信息社会。高科技面临的是以微电子技术（半导体和集成电路为代表的广泛应用使社会生产力和经济获得了空前的发展。现代电子技术在国防、科学、工业、医学、通讯（信息处理、传输和交流）及文化生活等各个领域中都起着巨大的作用。现在的世界，
2、电子技术无处不在：收音机、彩电、音响、VCD、DVD、电子手表、数码相机、微电脑、大规模生产的工业流水线、因特网、机器人、航天飞机、宇宙探测仪，可以说，人们现在生活在电子世界中，一天也离不开它。电子技术的应用电子技术的应用l分立元件阶段（分立元件阶段（1905190519591959）真空电子管、半导体晶体真空电子管、半导体晶体管管l集成电路阶段（集成电路阶段（19591959）SSISSI、MSIMSI、LSILSI、VLSIVLSI、ULSIULSI 主要阶段概述主要阶段概述 第一代电子第一代电子 产品以电子管为核心。四十年代末产品以电子管为核心。四十年代末世界上诞生了第一只半导体三极管，
3、它以小巧、轻世界上诞生了第一只半导体三极管，它以小巧、轻便、省电、寿便、省电、寿 命长等特点，很快地被各国应用起来，命长等特点，很快地被各国应用起来，在很大范围内取代了电子管。五十年代末期，世界在很大范围内取代了电子管。五十年代末期，世界上出现了第一块集成电路，它把许多晶体管等电子上出现了第一块集成电路，它把许多晶体管等电子元件集成在一块硅芯片上，使电子产品向更小型化元件集成在一块硅芯片上，使电子产品向更小型化发展。集成电路从小规模集成电路迅速发展到大规发展。集成电路从小规模集成电路迅速发展到大规模集成电路和超大规模集成电路，从而使电子产品模集成电路和超大规模集成电路，从而使电子产品向着高效能
4、低消耗、高精度、高稳定、智能化的方向着高效能低消耗、高精度、高稳定、智能化的方向发展。向发展。l电子管时代（电子管时代（1905190519481948）为现代技术采取了决定性步骤为现代技术采取了决定性步骤主要大事记主要大事记19051905年年 爱因斯坦阐述相对论爱因斯坦阐述相对论E Emcmc2 219061906年年 亚历山德森研制成高频交流发电机亚历山德森研制成高频交流发电机 德福雷斯特在弗菜明二极管上加栅极，制威第一只三极管德福雷斯特在弗菜明二极管上加栅极，制威第一只三极管19121912年年 阿诺德和兰米尔研制出高真空电子管阿诺德和兰米尔研制出高真空电子管19171917年年 坎贝
5、尔研制成滤波器坎贝尔研制成滤波器19221922年年 弗里斯研制成第一台超外差无线电收音机弗里斯研制成第一台超外差无线电收音机19341934年年 劳伦斯研制成回旋加速器劳伦斯研制成回旋加速器19401940年年 帕全森和洛弗尔研制成电子模拟计算机帕全森和洛弗尔研制成电子模拟计算机19471947年年 肖克莱、巴丁和布拉顿发明晶体管；香农奠定信息论的基础肖克莱、巴丁和布拉顿发明晶体管；香农奠定信息论的基础 真空电子管真空电子管l晶体管时代（晶体管时代（1948194819591959）宇宙空间的探索即将开始宇宙空间的探索即将开始主要大事记主要大事记19471947年年 贝尔实验室的巴丁、布拉顿
6、和肖克莱研制成第一个点接触型晶体管贝尔实验室的巴丁、布拉顿和肖克莱研制成第一个点接触型晶体管19481948年年 贝尔实验室的香农发表信息论的论文贝尔实验室的香农发表信息论的论文 英国采用英国采用EDSAGEDSAG计算机，这是最早的一种存储程序数字计算机计算机，这是最早的一种存储程序数字计算机19491949年年 诺伊曼提出自动传输机的概念诺伊曼提出自动传输机的概念19501950年年 麻省理工学院的福雷斯特研制成磁心存储器麻省理工学院的福雷斯特研制成磁心存储器19521952年年 美国爆炸第一颗氢弹美国爆炸第一颗氢弹19541954年年 贝尔实验室研制太阳能电池和单晶硅贝尔实验室研制太阳能
7、电池和单晶硅19571957年年 苏联发射第一颗人造地球卫星苏联发射第一颗人造地球卫星19581958年年 美国得克萨斯仪器公司和仙童公司宣布研制成第一个集成电路美国得克萨斯仪器公司和仙童公司宣布研制成第一个集成电路时时 期期规规 模模集成度集成度（元件数）（元件数）5050年代末年代末小规模集成电路（小规模集成电路（SSISSI）1001006060年代年代中规模集成电路（中规模集成电路（MSIMSI）100010007070年代年代大规模集成电路（大规模集成电路（LSILSI）100010007070年代末年代末超大规模集成电路（超大规模集成电路（VLSIVLSI）100001000080
8、80年代年代特大规模集成电路（特大规模集成电路（ULSIULSI）100000100000 自1958年第一块集成元件问世以来，集成电路已经跨越了小、中、大、超大、特大、巨大规模几个台阶，集成度平均每2年提高近3倍。随着集成度的提高，器件尺寸不断减小。1985年，1兆位ULSI的集成度达到200万个元件，器件条宽仅为1微米；1992年，16兆位的芯片集成度达到了3200万个元件，条宽减到0.5微米，而后的64兆位芯片，其条宽仅为0.3微米。集成电路制造技术的发展日新月异，其中最具有代表性的集集成电路制造技术的发展日新月异，其中最具有代表性的集成电路芯片主要包括以下几类，它们构成了现代数字系统的
9、基石。成电路芯片主要包括以下几类，它们构成了现代数字系统的基石。可编程逻辑器件（可编程逻辑器件（PLD）微控制芯片（微控制芯片（MCU）数字信号处理器（数字信号处理器（DSP）大规模存储芯片（大规模存储芯片（RAM/ROM）IBM 7090 伴随着电子技术的发展而飞速伴随着电子技术的发展而飞速发展起来的电子计算机所经历的四个发展起来的电子计算机所经历的四个阶段充分说明了电子技术发展的四个阶段充分说明了电子技术发展的四个阶段的特性。阶段的特性。第一代（第一代（1946194619571957）电子管计算机）电子管计算机 第二代（第二代（1958195819631963）晶体管计算机）晶体管计算机
10、 第三代（第三代（1964196419701970）集成电路计算机）集成电路计算机 第四代（第四代（19711971）大规模集成电路计算机）大规模集成电路计算机 世界上第一台电子计算机于世界上第一台电子计算机于19461946年在美年在美国研制成功，取名国研制成功，取名ENIACENIAC。这台计算机使用了。这台计算机使用了1880018800个电子管，占地个电子管，占地170170平方米，重达平方米，重达3030吨，吨，耗电耗电140140千瓦，价格千瓦，价格4040多万美元，是一个昂贵多万美元，是一个昂贵耗电的耗电的 庞然大物庞然大物。由于它采用了电子线路。由于它采用了电子线路来执行算术运
11、算、逻辑运算和存储信息，从来执行算术运算、逻辑运算和存储信息，从而就大大提高了运算速度。而就大大提高了运算速度。ENIACENIAC每秒可进行每秒可进行50005000次加法和减法运算，把计算一条弹道的次加法和减法运算，把计算一条弹道的时间短为时间短为3030秒。它最初被专门用于弹道运算，秒。它最初被专门用于弹道运算，后来经过多次改进而成为能进行各种科学计后来经过多次改进而成为能进行各种科学计算的通用电子计算机。从算的通用电子计算机。从19461946年年2 2月交付使用，月交付使用，到到19551955年年1010月最后切断电源，月最后切断电源，ENIACENIAC服役长达服役长达9 9年。
12、年。IBM 360 晶体管计算机晶体管计算机ENIACENIAC品牌电脑品牌电脑ENIACENIAC第一代（第一代（19461957）电子管计算机时代：它的）电子管计算机时代：它的基本电子元件是电子管，内存储器采用水银延迟基本电子元件是电子管，内存储器采用水银延迟线，外存储器主要采用磁鼓、纸带、卡片、磁带线，外存储器主要采用磁鼓、纸带、卡片、磁带等。由于当时电子技术的限制，运算速度只是每等。由于当时电子技术的限制，运算速度只是每秒几千次秒几千次几万次基本运算，内存容量仅几千个字。几万次基本运算，内存容量仅几千个字。程序语言处于最低阶段，主要使用二进制表示的程序语言处于最低阶段，主要使用二进制表
13、示的机器语言编程，后阶段采用汇编语言进行程序设机器语言编程，后阶段采用汇编语言进行程序设计。体积大，耗电多，速度低，造价高，使用不计。体积大，耗电多，速度低，造价高，使用不便，主要局限于一些军事和科研部门进行科学计便，主要局限于一些军事和科研部门进行科学计算。（算。（ENIAC）IBM 7090第二代（第二代（19581963）晶体管计算机）晶体管计算机时代：它的基本电子元件是晶体管，时代：它的基本电子元件是晶体管，内存储器大量使用磁性材料制成的磁内存储器大量使用磁性材料制成的磁芯存储器。与第一代电子管计算机相芯存储器。与第一代电子管计算机相比，晶体管计算机体积小，耗电少，比，晶体管计算机体积
14、小，耗电少，成本低，逻辑功能强，使用方便，可成本低，逻辑功能强，使用方便，可靠性高靠性高。（。（IBM 7090）l第三代（19641970）集成电路计算机时代：它的基本元件是小规模集成电路和中规模集成电路，磁芯存储器进一步发展，并开始采用性能更好的半导体存储器，运算速度提高到每秒几十万次基本运算。由于采用了集成电路，第三代计算机各方面性能都有了极大提高：体积缩小，价格降低，功能增强，可靠性大大提高。（IBM 360系列为代表）IBM 360 晶体管计算机晶体管计算机l第四代（1971）大规模集成电路计算机时代：它的基本元件是大规模集成电路，甚至超大规模集成电路，集成度很高的半导体存储器替代了
15、磁芯存储器，运算速度可达每秒几百万次，甚至上亿次基本运算。具有体积小、功能强、可靠性高等特点。品牌电脑品牌电脑 电子设计技术的核心就是电子设计技术的核心就是EDAEDA技术。技术。EDAEDA是指以计算机为工作平台，融合应是指以计算机为工作平台，融合应用电子技术、计算机技术、智能化技术最新成果而研制成的电子用电子技术、计算机技术、智能化技术最新成果而研制成的电子CADCAD通用软件包，通用软件包，主要能辅助进行三方面的设计工作，即主要能辅助进行三方面的设计工作，即ICIC设计、电子电路设计和设计、电子电路设计和PCBPCB设计。设计。电子系统设计自动化电子系统设计自动化(ESDA)(ESDA)
16、阶段（阶段（9090年代以后）：设计人员按照年代以后）：设计人员按照“自顶自顶向下向下”的设计方法，对整个系统进行方案设计和功能划分，系统的关键电的设计方法，对整个系统进行方案设计和功能划分，系统的关键电路用一片或几片专用集成电路（路用一片或几片专用集成电路（ASICASIC）实现，然后采用硬件描述语言）实现，然后采用硬件描述语言（HDLHDL）完成系统行为级设计，最后通过综合器和适配器生成最终的目标）完成系统行为级设计，最后通过综合器和适配器生成最终的目标器件。器件。EDAEDA技术发展的三个阶段：技术发展的三个阶段：计算机辅助设计计算机辅助设计(CAD)(CAD)阶段（阶段（7070年代）
17、：用计算机辅助进行年代）：用计算机辅助进行ICIC版图编辑、版图编辑、PCBPCB布局布线，取代了手工操作。布局布线，取代了手工操作。计算机辅助工程计算机辅助工程(CAE)(CAE)阶段（阶段（8080年代）：与年代）：与CADCAD相比，相比，CAECAE除了有纯粹的除了有纯粹的图形绘制功能外，又增加了电路功能设计和结构设计，并且通过电气连图形绘制功能外，又增加了电路功能设计和结构设计，并且通过电气连接网络表将两者结合在一起，实现了工程设计。接网络表将两者结合在一起，实现了工程设计。CAECAE的主要功能是：原理的主要功能是：原理图输入，逻辑仿真，电路分析，自动布局布线，图输入，逻辑仿真，电
18、路分析，自动布局布线，PCBPCB后分析。后分析。ARM开发板开发板 纳米电子学主要在纳米尺度空间内研究电子、原子和分子纳米电子学主要在纳米尺度空间内研究电子、原子和分子运动规律和特性，研究纳米尺度空间内的纳米膜、纳米线。纳运动规律和特性，研究纳米尺度空间内的纳米膜、纳米线。纳米点和纳米点阵构成的基于量子特性的纳米电子器件的电子学米点和纳米点阵构成的基于量子特性的纳米电子器件的电子学功能、特性以及加工组装技术。其性能涉及放大、振荡、脉冲功能、特性以及加工组装技术。其性能涉及放大、振荡、脉冲技术、运算处理和读写等基本问题。其新原理主要基于电子的技术、运算处理和读写等基本问题。其新原理主要基于电子
19、的波动性、电子的量子隧道效应、电子能级的不连续性、量子尺波动性、电子的量子隧道效应、电子能级的不连续性、量子尺寸效应和统计涨落特性等。寸效应和统计涨落特性等。从微电子技术到纳米电子器件将是电子器件发展的第二次从微电子技术到纳米电子器件将是电子器件发展的第二次变革，与从真空管到晶体管的第一次变革相比，它含有更深刻变革，与从真空管到晶体管的第一次变革相比，它含有更深刻的理论意义和丰富的科技内容。在这次变革中，传统理论将不的理论意义和丰富的科技内容。在这次变革中，传统理论将不再适用，需要发展新的理论，并探索出相应的材料和技术。再适用，需要发展新的理论，并探索出相应的材料和技术。电子元器件简介电阻（电
20、阻（R R）电容（电容（C C）电感、磁珠（电感、磁珠（L L）1、概述、概述 我们平常在工作中所说的电阻（我们平常在工作中所说的电阻（Resistance）其实是电阻器。其实是电阻器。电阻器是一种具有一定阻值，一定几何电阻器是一种具有一定阻值，一定几何形状，一定性能参数，在电路中起电阻作用形状，一定性能参数，在电路中起电阻作用的实体元件。在电路中，它的主要作用是稳的实体元件。在电路中，它的主要作用是稳定和调节电路中的电流和电压，作为分流器、定和调节电路中的电流和电压，作为分流器、分压器和消耗电能的负载使用。分压器和消耗电能的负载使用。大部分电阻器的引出线为轴向引线，大部分电阻器的引出线为轴向
21、引线，一小部分为径向引线，为了适应现代表面一小部分为径向引线，为了适应现代表面组装技术（组装技术（SMT）的需要，还有）的需要，还有“无引出无引出线线”的片状电阻器（或叫无脚零件），片的片状电阻器（或叫无脚零件），片状电阻器像米粒般大小、扁平的，一般用状电阻器像米粒般大小、扁平的，一般用自动贴片机摆放。电阻器是非极性元件，自动贴片机摆放。电阻器是非极性元件，电阻器的阻值可在元件体通过色环或工程电阻器的阻值可在元件体通过色环或工程编码来鉴别。编码来鉴别。2、种类、种类我们常见的电阻器有下列几种：我们常见的电阻器有下列几种：（1）金属膜电阻器）金属膜电阻器 （2）碳膜电阻器）碳膜电阻器（3）线绕电
22、阻器）线绕电阻器 （4）电位器）电位器（5）电阻网络器）电阻网络器 （6）热敏电阻器）热敏电阻器 不同的电阻器，不仅其电阻值不同，功能不同的电阻器，不仅其电阻值不同，功能也不一样，所以不同的电阻器是不可以随便替也不一样，所以不同的电阻器是不可以随便替代的。代的。绕线电阻绕线电阻金属膜电阻金属膜电阻碳膜电阻碳膜电阻贴片电阻 排阻排阻水泥电阻可变电阻贴片电阻贴片电阻压敏电阻压敏电阻3单位单位 电阻的单位是欧姆（电阻的单位是欧姆（），千欧），千欧（K），兆欧（），兆欧（M）。）。它们的换算公式为它们的换算公式为 106=103K=1M4、功率、功率 功率的单位是瓦特，电阻器的功率功率的单位是瓦特，电
23、阻器的功率能告诉我们它在正常使用情况下能释放能告诉我们它在正常使用情况下能释放多少能量，功率越高，释放的能量越多。多少能量，功率越高，释放的能量越多。注意：尽管电阻阻值一样，也不可使用注意：尽管电阻阻值一样，也不可使用低功率的电阻代替高功率的电阻。低功率的电阻代替高功率的电阻。5、误差、误差 误差是允许电阻阻值变动的范围，用误差是允许电阻阻值变动的范围，用正号（正号（+）或负号（）或负号（-）表示其正常的变动）表示其正常的变动状况。比如一个电阻阻值为状况。比如一个电阻阻值为10010%，则电阻阻值可以在则电阻阻值可以在90-110之间变化。之间变化。精密电阻的误差在精密电阻的误差在2%以下，用
24、五个以下，用五个色环识别：半精密电阻的误差在色环识别：半精密电阻的误差在2%以上，以上，用四个色环识别。用四个色环识别。6、电阻的标识方法、电阻的标识方法色环法示值法直接标识法6.1、色环法、色环法 目前国标上普遍流行色环标识电阻，目前国标上普遍流行色环标识电阻，色环在电阻器上有不同的含义，它具有色环在电阻器上有不同的含义，它具有简单、直观、方便等特点。色环电阻中简单、直观、方便等特点。色环电阻中最常见的是四环电阻和五环电阻。最常见的是四环电阻和五环电阻。色环法色环法规则规则：四色环表示阻值，其中前三条色环（从最靠近引脚的色环数起）标明两位有效数字倍率，第4位表示误差范围（用金、银色表示），适
25、用于普通电阻。色环法色环法规则规则：精密电阻用五色环表示阻值，前三条表示有效数，第4条表示倍率，第5条表误差范围，适用于精密电阻。颜色 第一有效数 第二有效数 倍率 误差 黑 00100 棕 11101红 22102 橙 33103黄 44104 绿 55105 蓝 66106紫 77107 灰 88108白 99109 金 10-1 5%银 10-210%无色 20%颜色 第一有效数 第二有效数 第三有效数倍率 误差 黑 000100 棕 111101红 222102 橙 333103黄 444104 绿 555105 蓝 666106紫 777107 灰 888108白 999109 金
26、10-1 5%银 10-210%无色 20%四位数表示法四位数表示法 前三位表示有效前三位表示有效数数字，第四位字，第四位数数表示有效表示有效数数字字后后“0 0”的個的個数数，这样这样得出的阻值得出的阻值单单位也位也为为其基本其基本单单位位欧欧姆姆()。如：如：“10011001”表示表示10001000欧欧姆。姆。这种电这种电阻的阻的误误差范差范围围一般一般为为+1%1%，一般在，一般在08050805封装的贴片电阻上比较封装的贴片电阻上比较常见。常见。三位数表示法 “222222”表示表示2222X10X102 2=2200=2200，即即2.2k2.2k 注：注：片状电阻除了阻值与误差
27、等级这两个参数外还有承受功率和体积二个参数常用的电阻所能承受的功率有1/10W,1/8W,1/4W等常用的电阻的尺寸有060308051206等。电阻的尺寸用英制单位英寸表示如0603表示0.060.03英寸一般而言0805规格的电阻承受的功率为1/10W也有少部分为本1/8W,1206规格的电阻承受的功率为1/8W。电阻器件的选用原则电阻器件的选用原则：1.什么是电容什么是电容 两块互相靠近但彼此绝缘的金属片就可两块互相靠近但彼此绝缘的金属片就可以构成一个电容，它是一种储能的元件。以构成一个电容，它是一种储能的元件。两块金属片这间的绝缘材料叫做绝缘介质。两块金属片这间的绝缘材料叫做绝缘介质。
28、在电路图中，电容用字母在电路图中，电容用字母“C”C”表示，基表示，基本单位是本单位是“法拉法拉”简称简称“法法”，用字母，用字母“F”F”来表示。来表示。我们定义电容两极板之间的电压为我们定义电容两极板之间的电压为U，两极板所带的电量为两极板所带的电量为Q，则有，则有 C=Q/U 那么两极板间的电压增加那么两极板间的电压增加1V所需要的电量，这个所需要的电量，这个值就是这个电容的容量。值就是这个电容的容量。电容的大小不是由电容的大小不是由Q或或U决定的，而是由电容决定的，而是由电容本身的性质决定的。本身的性质决定的。C=S/4kd 其中其中是一个常数，与电介质的性质有关。是一个常数，与电介质
29、的性质有关。k是静是静电力常量，电力常量，k=9.0109Nm2/C2。电容的单位除了电容的单位除了F外，还有外，还有F（微法）、（微法）、nF（纳法）、（纳法）、pF（皮法）。（皮法）。1F =106 f 1f=103 nF 1nF=103pF 电容的种类很多，按结构分有固定电容、电容的种类很多，按结构分有固定电容、可变电容、微调电容；按介质材料分有可变电容、微调电容；按介质材料分有 纸纸介电容介电容、瓷介电容、玻璃釉电容、独石电、瓷介电容、玻璃釉电容、独石电容、涤纶电容、容、涤纶电容、云母电容云母电容、铝电解电容、铝电解电容、钽电解电容、聚苯乙烯电容钽电解电容、聚苯乙烯电容、聚碳酸酯薄、聚
30、碳酸酯薄膜电容等膜电容等；按极性分有有极性电容和无极；按极性分有有极性电容和无极性电容；按安装结构有直插电容和贴片电性电容；按安装结构有直插电容和贴片电容。容。独石电容独石电容铝电解电容铝电解电容钽电解电容钽电解电容瓷介电容瓷介电容薄膜电容薄膜电容3.1电容的标称容量及其偏差电容的标称容量及其偏差 电容器的标称容量和偏差与电阻器的规定相同，电容器的标称容量和偏差与电阻器的规定相同，但不同种类的电容会使用不同系列，其偏差有但不同种类的电容会使用不同系列，其偏差有10%、20%等几种。它的标记方法有以下等几种。它的标记方法有以下4种：种：（1）直标法）直标法 直接把电容器的容量、额定电压、最高使用
31、温直接把电容器的容量、额定电压、最高使用温度、偏差等级标记在电容器体上。有时因电容器度、偏差等级标记在电容器体上。有时因电容器的面积小而省略单位，但存在这样的规律，即小的面积小而省略单位，但存在这样的规律，即小数点前面为数点前面为0时，单位为时，单位为f，小数点前不为，小数点前不为0时，时，则单位为则单位为pF。如下图所示：。如下图所示：铝电解电容（2）数码表示法）数码表示法 一般用三位数字表示前面两位表示有效数值最后一位表示零的个数得出的容量单位是pF(皮法)这种方法在较小的电容上常用如陶瓷电容、独石电容等。如“102”表示该电容的容量为1000pF（3）文字符号法 该标记方法有数字和字母两
32、部分组成，其中字母可当成小数点，而数字和字母两者共同决定该电容的容量。例如：P82=0.82PF 6n8=6.8nF 2 2=2.2 f(4)色标法色标法 电容器的色标法与电阻器的色标法规定相同，电容器的色标法与电阻器的色标法规定相同，其基本单位为其基本单位为pFpF，一般有三条色环，其颜色代表一般有三条色环，其颜色代表三个数字，其中前两位代表数值，第三位代表有三个数字，其中前两位代表数值，第三位代表有多少个多少个0；读码的方向是自上而下。有时还会在；读码的方向是自上而下。有时还会在最后增加一色环表示电容的额定电压。最后增加一色环表示电容的额定电压。耐压是指电容器在电路中长期有效地工作而耐压是
33、指电容器在电路中长期有效地工作而不被击穿所能承受的最大直流电压。在交流电压不被击穿所能承受的最大直流电压。在交流电压中，电容器的耐压值应大于电压的峰值，否则，中，电容器的耐压值应大于电压的峰值，否则，电容器可能被击穿。耐压的大小与介质材料有关。电容器可能被击穿。耐压的大小与介质材料有关。3.3 工作温度范围 电容器必须在指定的工作温度范围内才能稳定工作。一般的电解电容都直接标出它的上限工作温度，如85或是105。损耗角正切值损耗角正切值tantan是指当电流流过电容器时是指当电流流过电容器时电容器的损耗功率与存储功率的比值，该值的大电容器的损耗功率与存储功率的比值，该值的大小取决于电容器介质所
34、使用的材料、厚度及制造小取决于电容器介质所使用的材料、厚度及制造工艺，它真实的表征了电容器质量的优劣。工艺，它真实的表征了电容器质量的优劣。TanTan数值一般都在数值一般都在0.00010.00010.010.01之间，其数值越之间，其数值越小，表示电容器质量越好。小，表示电容器质量越好。3.5 温度系数 温度系数是反映电容器稳定性的一个重要参数，该值有正有负，它的绝对值越小，表明电容器的温度稳定性越高。4.4.电容器的误差等级电容器的误差等级:等等级级代代号号BCDFGJKMZ误误差差范范围围+0.100.10pFpF+0.250.25pFpF+0.500.50pFpF+1 1%+2 2%
35、+5 5%+1010%+2020%+80%+80%-20%-20%电解电容器电解电容器,有正负机之有正负机之分分电解电容器在电路板上的丝印电解电容器在电路板上的丝印5.5.片状电容器的选用片状电容器的选用:一类电介质-NPO（COG）电气性能最稳定，基本上不随温度、电压与时间的改变而改变，适用于对稳定性要求高的高频电路。二类电介质-X7R（2X1）电气性能较稳定，在温度，电压与时间改变时性能的变化并不显著，适用于隔直，偶合、旁路与对容量稳定性要求不太高的鉴频电路。由于X7R是一种强电介质，因而能造出容量比NPO介质更大的电容器。三类电介质-Y5V（2F4）具有较高的介电常数，常用于生产比容较大
36、的，标称容量较高的大容量电容器产品，但其容量稳定性较X7R差，容量、损耗对温度，电压等测试条件较敏感。片状电容器的封装:电 感 电感线圈就是由导线一圈一圈地绕在绝缘管上，导线彼此互相绝缘，而绝缘管可以是空心的，也可以包含铁芯或磁粉芯，简称电感，它是储能元件，在电路中用“L”来表示，单位有亨利(H)、毫亨(mH)、微亨(H)。1H=1000mH 1mH=1000 H 1.什么是电感 电感的分类有多种形式，按电感形式分有固定电感的分类有多种形式，按电感形式分有固定电感、可变电感电感、可变电感 ；按导磁体性质分有空芯线圈、；按导磁体性质分有空芯线圈、铁氧体线圈、铁芯线圈、铜芯线圈；按工作性质铁氧体线
37、圈、铁芯线圈、铜芯线圈；按工作性质 分有天线线圈、振荡线圈、扼流线圈、陷波线圈、分有天线线圈、振荡线圈、扼流线圈、陷波线圈、偏转线圈；按绕线结构分有单层线圈、多层线圈、偏转线圈；按绕线结构分有单层线圈、多层线圈、蜂房式线圈；按工作频率分有高频线圈、低频线圈蜂房式线圈；按工作频率分有高频线圈、低频线圈等。等。3.电感线圈的主要特性参数（1）电感量L 电感量L表示线圈本身固有特性，与电流大小无关。（2）感抗感抗XLXL 电感线圈对交流电流阻碍作用的大小称感抗电感线圈对交流电流阻碍作用的大小称感抗XLXL，单位是欧姆。它与电感量，单位是欧姆。它与电感量L L和交流电频率和交流电频率f f的的关系为关
38、系为XL=2fL XL=2fL（3 3）品质因素）品质因素Q Q 品质因素品质因素Q Q是表示线圈质量的一个重要物理是表示线圈质量的一个重要物理量，量，Q Q为感抗为感抗XLXL与其等效的电阻的比值，即：与其等效的电阻的比值，即：Q=XL/RQ=XL/R。线圈的。线圈的Q Q值愈高，回路的损耗愈小。线圈值愈高，回路的损耗愈小。线圈的的Q Q值通常为几十到几百。值通常为几十到几百。（4）分布电容）分布电容 线圈的匝与匝间、线圈与屏蔽罩间、线圈与线圈的匝与匝间、线圈与屏蔽罩间、线圈与底版间存在的电容被称为分布电容。分布电容的底版间存在的电容被称为分布电容。分布电容的存在使线圈的存在使线圈的Q Q值
39、减小，稳定性变差，因而线圈的值减小，稳定性变差，因而线圈的分布电容越小越好。分布电容越小越好。（5 5）标称电流）标称电流 指线圈允许通过的电流大小，通常用字母指线圈允许通过的电流大小，通常用字母A A、B B、C C、D D、E E分别表示，标称电流值为分别表示，标称电流值为50mA 50mA、150mA 150mA、300mA 300mA、700mA 700mA、1600mA 1600mA。（1）绕线电感绕线电感 用金属漆包线与环形磁石自行绕制，一般无标记；也有将金属漆包线绕到工字形铁芯上，作电源滤波用电感。（2）片状电感 外形同贴片电容相似外形同贴片电容相似,其颜色一般较黑其颜色一般较黑
40、,其其电电感量用三位感量用三位数数表示前表示前两两位位为为有效有效数数字第三字第三位位数数字字为为有效有效数数字后的字后的“0”“0”的的个数个数得出的得出的电电感量感量单位为单位为微亨其微亨其误误差等差等级级用英文字母表示用英文字母表示J J、K K、M M分分别别表示表示+5 5%、+1010%、+20%20%。（3）磁珠 磁珠的主要原料为铁氧体。铁氧体是一种立磁珠的主要原料为铁氧体。铁氧体是一种立方晶格结构的亚铁磁性材料。铁氧体材料为铁镁方晶格结构的亚铁磁性材料。铁氧体材料为铁镁合金或铁镍合金，它的制造工艺和机械性能与陶合金或铁镍合金，它的制造工艺和机械性能与陶瓷相似，颜色为灰黑色。瓷相
41、似，颜色为灰黑色。磁珠等效于电阻和电感串联，但电阻值和电感磁珠等效于电阻和电感串联，但电阻值和电感值都随频率变化。值都随频率变化。磁珠与电感的区别：（1 1）单位不同）单位不同 电感的单位是电感的单位是H H，而磁珠的单位是，而磁珠的单位是。因为磁因为磁珠的单位是按照它在某一频率产生的阻抗来标称的，珠的单位是按照它在某一频率产生的阻抗来标称的，而阻抗的单位是欧姆。磁珠的而阻抗的单位是欧姆。磁珠的 DATASHEET上一上一般会提供频率和阻抗的特性曲线图，一般以般会提供频率和阻抗的特性曲线图，一般以100MHz为标准，比如为标准，比如600R100MHz，意思就是，意思就是在在100MHz频率的
42、时候磁珠的阻抗相当于频率的时候磁珠的阻抗相当于600欧姆。欧姆。（2 2）用途不同）用途不同 电感是储能元件，多用于电源滤波回路，侧电感是储能元件，多用于电源滤波回路，侧重于抑止传导性干扰重于抑止传导性干扰 ，如在，如在LCLC振荡电路、中低频振荡电路、中低频的滤波电路等，其应用频率范围很少超过的滤波电路等，其应用频率范围很少超过50MHz50MHz。而磁珠是能量转换（消耗）器件而磁珠是能量转换（消耗）器件 ，多用于信号，多用于信号回路，主要用于回路，主要用于EMIEMI方面方面 ，用来吸收超高频信号，用来吸收超高频信号，如一些如一些RFRF电路、电路、PLLPLL、振荡电路、含超高频存储器、
43、振荡电路、含超高频存储器电路等。电路等。（4 4）变压器）变压器 多绕组磁性器件，有初、次级之分多绕组磁性器件，有初、次级之分,根据用途根据用途不同可分为低频输入、输出变压器，中频变压器不同可分为低频输入、输出变压器，中频变压器,宽频带变压器，脉冲变压器等。宽频带变压器，脉冲变压器等。贴片式磁珠直插式磁珠直插式磁珠绕线电感变压器 二极管1.1.二极管的构成二极管的构成 在半导体材料硅或锗晶体中掺入三价元素杂在半导体材料硅或锗晶体中掺入三价元素杂质可构成缺壳粒的质可构成缺壳粒的P P型半导体，掺入五价元素杂质型半导体，掺入五价元素杂质可构成多余壳粒的可构成多余壳粒的N N形半导体。两种半导体接触
44、在形半导体。两种半导体接触在一起的点或面构成一起的点或面构成PNPN结，由结，由PNPN结构成二极管。结构成二极管。2.2.二极管的符号：二极管的符号：普通二极管发光二极管稳压二极管变容二极管双向击穿二极管双向二极管 二极管种类有很多，按照所用的半导体材料，二极管种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（可分为锗二极管（GeGe管）和硅二极管（管）和硅二极管（SiSi管）。根管）。根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管等。按照管芯结构，又可稳压二极管、开关二极管等。按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二
45、极管及平面型二分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。极管。在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为“门槛电压”，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V）以后，二极管才能真正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变（锗管约为0.3V，硅管约为0.7V），称为二极管的“正向压降”。4.二极管的导电特性（1）正向特性（2）反向特性 在电子电路中，二极管的正极接在低电位端，负极接在高电位端，此时二
46、极管中几乎没有电流流过，此时二极管处于截止状态，这种连接方式，称为反向偏置。二极管处于反向偏置时，仍然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流。当二极管两端的反向电压增大到某一数值，反向电流会急剧增大，二极管将失去单方向导电特性，这种状态称为二极管的击穿。5.5.二极管的主要参数二极管的主要参数 用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标，称为二极管的参数。不同类型的二极管有不同的特性参数。对初学者而言，必须了解以下几个主要参数：（1）额定正向工作电流 是指二极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流值。因为电流通过管子时会使管芯发热，温度上升，温度超过容许限度（硅管为140左右，锗管为90
47、左右）时，就会使管芯过热而损坏。所以，二极管使用中不要超过二极管额定正向工作电流值。例如，常用的IN40014007型锗二极管的额定正向工作电流为1A。（2）最高反向工作电压 加在二极管两端的反向电压高到一定值时，会将管子击穿，失去单向导电能力。为了保证使用安全，规定了最高反向工作电压值。例如，IN4001二极管反向耐压为50V，IN4007反向耐压为1000V。（3）反向电流 指二极管在未击穿时的反向电流。其值越小，管子的单向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10 ，反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管，在25 时反向电流若为250uA，温度升高到35
48、 ，反向电流将上升到500uA，依此类推，在75 时，它的反向电流已达8mA，不仅失去了单方向导电特性，还会使管子过热而损坏。又如，2CP10型硅二极管，25 时反向电流仅为5uA，温度升高到75 时，反向电流也不过160uA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。6.二极管的命名规则 不同国家对二极管的命名规则有所不同，下面我们简单介绍一下中国和美国对二极管的命名规则：（1）中国半导体器件型号命名方法 中国的半导体器件型号由五个部分组成：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2 二极管 3 三极管 第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料 和极性。表示二极管时：A N型锗材
49、料 B P型锗材料 C N型硅材料 D P型硅材料表示三极管时：A PNP型锗材料 B NPN型锗材料 C PNP型硅材料 D NPN型硅材料 第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的类型 P 阻尼管K 开关管X 低频小功率管G 高频小功率管D 低频大功率管A 高频大功率管第四部分：用数字表示序号 第五部分：用汉语拼音字母表示规格号 例如例如:2AP9A:2AP9A 普通普通锗锗二极管二极管（2）美国半导体分立器件型号命名方法 美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：第一部分：用符号表示器件用途的类型。JAN 军级 JANTX 特军级 JANTXV
50、 超特军级 JANS 宇航级 （无）非军用品第二部分：用数字表示PN结数目 1 二极管 2 三极管 3 三个PN结器件 n n个PN结器件 第三部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志 N 该器件已在美国电子工业协会（EIA）注册登记。第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。多位数字 该器件在美国电子工业 协会登记的顺序号。第五部分：用字母表示器件分档。A、B、C、D 同一型号器件的不同档别。例如：1N4001 7.几种常见的二极管 贴片式稳压二极管直插式稳压二极管发光二极管发光二极管二极管的丝印二极管的丝印二极管的安装稳压二极管在线路板上的安装稳压二极管在线路板上的安装 半导体三极管有两大类半
