1、多铁异质结中电场多铁异质结中电场对对磁电磁电性质性质的的非易失调控非易失调控内容提要电驱动写入示意图磁电读取示意图多铁异质结电驱动存储器的优势A.K.Biswas,et al.Nano Letters,17,3478(2017)电场调控磁矩转动研究S.Zhang,et al.Sci.Rep.4,3727(2014)Co/PMN-PT(011)CoFeB/PMN-PT(011)初态EPMN-PTLSMOMEAPMN-PTMEAE结论：实现了电场调控LSMO易磁化轴非易失转动90。有助于高密度低能耗存储器件研发。EPMN-PT+5 kV/cmW.B.Zhao et al.,Appl.Phys.Le
2、tt.109,263502(2016)LSMO/PMN-PT异质结构电控磁性-2.5 kV/cmLSMOLSMOMEALSMO/PMN-PT异质结构电控电输运性W.B.Zhao et al.,Appl.Phys.Lett.109,263502(2016)100011结论：实现了电场调控LSMO电阻率3.6%的非易失变化。LSMO电输运电输运测量结构测量结构侧面施加脉冲侧面施加脉冲电场极化电场极化后，后，PMN-PT应变应变与与LSMO电阻率变化。电阻率变化。电场调控自旋阀与隧道结研究Lei Na,et al.Nm.4,1378(2013)Peisen Li,et al.Adv.Mater.26
3、,4320(2014)Co和Ni易磁化轴对应变的不同响应S.W.Yang et al.,Adv.Mater.26,7091(2014)J.S.Xiang et al.,J.Phys.D:Appl.Phys.49,325002(2016)H(Oe)H/x自旋阀/PMN-PT异质结构Ni/PMN-PT(001)表面表面设想：设想：Co与与Ni的易磁化轴随应变的易磁化轴随应变变化趋势相反，所以可用同一个变化趋势相反，所以可用同一个电场产生的非易失应变使电场产生的非易失应变使Co和和Ni易磁化轴发生反向的非易失转动，易磁化轴发生反向的非易失转动，从而实现电控自旋阀从而实现电控自旋阀GMR效应。效应。自
4、旋阀/PMN-PT异质结构电控磁结论：沿垂直于Co和Ni易磁化轴方向施加4 kV/cm的脉冲电场，Co的易磁化轴发生非易失90转动，Ni的易磁化轴保持不动。自旋阀/PMN-PT异质结构电控电输运性结论：实现了电场对自旋阀GMR效应的非易失调控。三、报告总结1.在LSMO/PMN-PT(011)异质结中，沿垂直于LSMO易磁化轴方向施加+5 kV/cm和-2.5 kV/cm的脉冲电场，LSMO易磁化轴发生90 非易失可逆翻转，电阻变化约为3.6%。2.设计了Co/Cu/Ni/PMN-PT(001)异质结构，沿垂直于Co和Ni易磁化轴方向施加4 kV/cm的脉冲电场，可使Co层的易磁化轴转动90，而Ni层的易磁化轴保持不动，从而实现了电场对GMR效应的非易失调控。
