1、TVTV电源原理电源原理 品质工程部品质工程部 XXXXXX FEB-22-05 FEB-22-05 LCDLCD TVTV电源介绍电源介绍 因液晶屏本身没有发光功能，这就需要在液晶屏后加一个照明系统，该背光照明系统由发光部件、能使光线均匀照射在液晶表示面的导光板和驱动发光部件的电源构成。现在发光部件的主流为被称作冷阴极管的萤光管。其发光原理与室内照明用的热阴管类似，但不需象热阴管那样先预热灯丝，它在较低温状态就能点亮，因此叫冷阴极管。但要驱动这种冷阴极管需要能输出10001500V交流电压的特殊电源。由于一般市用电网提供的是220V/50Hz或110V/60Hz的交流电压，而显示器（不论是早
2、期的CRT管，还是新兴的LCD显示器，乃至LCDTV）的大部分电路是工作在低压的条件下，所以需要在显示器上专门配有电源电路。其作用就是将市电的交流电压转换成为12V的直流电压输出，从而向显示器供电。由于显示器内部的主板上还有DC-DC电压转换器以获得8V/5V/3.3V/2.5V电压，所以电源输出的12V的直流电压就能满足显示器工作的要求。鉴于此，要实现这一特殊的电源，就要从12V直流电压转换到10001500V交流电压，这就是Inverter。而从交流电压转换到12V直流电压的即为Adapter。早期，冠捷电子采用Adapter和Inverter分开的方式实现对显示器的供电。Adapter采
3、用的PWM IC为UC3842或UC3843、Inverter采用的PWM IC为TL1451。后来，出于Cost down的考虑，采用Adapter和Inverter一体化的方案，Adapter部分采用的PWM IC为SG6841、Inverter部分采用的PWM IC为TL1451。随着灯管的增加及所需的功率不断增加，Inverter部分回路的设计方案得到转变，由原来的Royer回路变为全桥式回路，为此应用到OZ960IC。第一讲、开关电源的基本工作原理第一讲、开关电源的基本工作原理开关电源是利用时间比率控制（Time Ratio Control,缩写为TRC）的方法来控制稳压输出的。按T
4、RC控制原理，有以下三种方式：脉冲宽度调制（Pulse Width Modulation,缩写为PWM）。开关周期恒定，通过改变脉冲宽度来 改变占空比的方式。脉冲频率调制（Pulse Frequency Modulation,缩写为PFM）导通脉冲宽度恒定，通过改变开关工作频率来改变占空比的方式。3）混合调制导通脉冲宽度和开关工作频率均不固定，彼此都能改变的方式，它是以上二种方式的混合。在目前开发和使用的开关电源集成电路中，绝大多数也为脉宽调制型。本设计采用的就是脉宽调制型（PWM）开关稳压电源，其基本原理可参见右图。对于单极性矩形脉冲来说，其直流平均电压Uo取决于矩形脉冲的宽度，脉冲越宽，其
5、直流平均电压值就越高。直流平均电压Uo可由公式计算，即Uo=UmT1/T式中Um 矩形脉冲最大电压值；T 矩形脉冲周期；T1 矩形脉冲宽度。脉宽调制型 从上式可以看出，当Um与T不变时，直流平均电压Uo将与脉冲宽度T1成正比。这样，只要我们设法使脉冲宽度随稳压电源输出电压的增高而变窄，就可以达到稳定电压的目的。此外，为因应各种不同的输出功率，开关电源按DC/DC变换器的工作方式分又可分为反激式（Flyback）、顺向式（Forward）、全桥式（Full Bridge）、半桥式（Half Bridge）和推挽式（Push-Pull）等电路拓扑（Topology）结构。其中单端反激式开关电源是一
6、种成本最低的电源电路，输出功率为20100，可以同时输出不同的电压，且有较好的电压调整率，应用较为广泛其典型的电路如图所示。图1-1 反激式开关电源典型电路结构藉由PWM IC控制开关管的导通与否，配合次级侧的二极管和电容，即可得到稳定DC电压的输出。Ui为含有一定交流成份的直流电压，由开关功率管斩波和高频变压器降压，将储存于在变压器的能量传递给次级侧，转换成所需电压值的方波，最后再将这个方波电压经整流滤波变为所需要的直流电压。此外改变变压器初、次级的圈数，就可以得到想要的DC电源。PWM控制电路是这类开关电源的核心，它通过取样反馈闭环回路，调整高频开关元件的开关时间比例即占空比，以达到稳定输
7、出电压的目的。由于高频变压器的磁芯只有一个输出端，而MOS开关功率管导通时，次级整流二极管截止，电能就储存在高频变压器的初级电感线圈中；当MOS功率管关断时整流二极管导通，初级线圈上的电能传输给次极绕组，并经过次级整流二极管输出，故称之为单端反激式。开关电源虽然具有许多优点并得到广泛的应用，但由于它具有严重的射频干扰,在线性电路中的应用一直受到很大的限制。开关电源是把工频交流整流为直流后，再通过开关变为高频交流，其后再整流为稳定直流的一种电源，这样就有工频电源的整流波形畸变产生的噪声与开关波形产生的噪声。在输入侧泄露出去就表现为传导噪声和辐射噪声，在输出侧泄露出去就表现为纹波。同时外部噪声会进
8、到电子设备中，而供给负载的电源噪声也会泄露到外部。若电源线中有噪声电流通过，电源线就相当于天线向空中辐射噪声。而这些噪声都会影响设备的正常工作。要想使其得到更广泛的应用，满足电磁兼容性的有关指标，就需要有效地抑制开关电源的干扰。杂讯干扰的途径有两种：传导干扰与辐射干扰。以下分别对两种干扰的特性与抑制方法做一介绍。1.1 传导干扰及其抑制措施传导干扰及其抑制措施 从导线传入的干扰称为传导干扰，其干扰能量通过导电体进行传播，开关电源的输入、输出引线都是传导干扰的媒介。开关电源产生的干扰会沿电源引线进入电网，污染电网，使同一电网的电子设备受到干扰。同时电源的输出线还将把干扰噪声传递给负载，使作为电源
9、负载的电子设备直接受到干扰，当这种干扰幅度若大到一定程度，会影响线性电路和一些小信号电路的正常工作。由于传导干扰主要是通过输入输出引线进行传播，因而相对来说传导干扰的抑制要容易些，主要方法是加接输入输出滤波器。在开关电源的输入侧要介入电容与电感构成的滤波器，用于抑制交流电源产生的EMI，而该滤波器也称为电磁兼容（EMI）滤波器。其电路如图2-1所示。图2-1输入端抑制传导干扰电路（EMI）第一节第一节 开关电源的干扰特性及其抑制措施开关电源的干扰特性及其抑制措施该滤波器是一典型的低通滤波器，使开关电源产生的一些高频脉冲干扰经过它后得到极大的衰减，能较好的滤除来源于电网或者传入电网的干扰，使其符
10、合FCC、CE、VDE等标准。图中L901、L902为共模扼流圈，它是绕在同一磁环上的两只独立的线圈，圈数相同，绕向相反，在磁环中产生的磁通相互抵消，磁芯不会饱和，主要抑制共模干扰，感值愈大对低频干扰抑制效果愈佳。这样绕制的滤波电感抑制共模干扰的性能大大提高。L901、L902分别选择感值为2.0mH和15mH的共模扼流圈。C901、C902为共模电容，主要抑制差模干扰，即火线和零线分别与地之间的干扰。电容值愈大对低频干扰抑制效果愈好，在这里选用102PF/250V。C903、C904为差模电容，主要抑制共模干扰，即抑制火线和零线之间的干扰。电容值愈大对低频干扰抑制效果愈佳，在这里选用0.47
11、uF/300V。有时为了降低成本也可将C904省去。图中CN901为插座，接电网电压。F901为保险丝，电路中采用了规格为2A/250V的保险丝，它在高压时熔断，可防止设备在突发的高压时引起的破坏。NR901为负温度系数热敏电阻，开机瞬间温度低，阻抗大，防止电流对回路的浪涌冲击。常温下其规格为5A/5。R901、R902对抗干扰电容起泄放作用，可于关机后迅速消耗掉C903储存的电能，防止带电损耗元件。它们的规格都为1M，一般采用金属釉材料。图1-2输出端抑制传导干扰电路输出端的干扰抑制，主要也是靠高频滤波器，电路图如下所示：滤波电感由于工作在直流大电流状态下，磁芯在较大的磁场强度下工作，容易包
12、含，一旦饱和，电感即失去滤波作用。因此必须采用饱和磁场强度很大的恒磁心，如铁鎳钼磁粉芯等金属磁芯。2 由于输出干扰的频谱相当丰富，从几十赫兹到几十兆赫兹均含分量。由于在高频的情况下，滤波电容等效由纯电容（C）、等效串联电阻（RES）和等效串联电感（LES）构成的串联电路。在工作频率f超过电容器的自谐振频率fr时，电容器就起到电感的作用。+C924470UF/16VL90373A-253-91L12+C9231000UF/16V1.2 辐射干扰及其抑制措施辐射干扰及其抑制措施从空间传入的干扰称为辐射干扰，一般是指耦合干扰，即干扰能量通过空间介质进行近场感应。由于开关电源一般工作在低压大电流情况下
13、，因而磁场干扰大于电场干扰。主要由开关变压器的漏感、开关功率管在开关转换时的大电流脉冲、开关二极管反向恢复的硬特性等引起。辐射干扰的抑制主要靠屏蔽。对电场可采用导电良好的材料，而磁场屏蔽则应采用导磁率较高的材料。在本文中就不作详细论述。抑制干扰最有效的方法，是尽量减少干扰源的干扰能量。对开关电源变压器要减少其漏感，并选择开关参数优良的晶体管和软恢复的开关二极管。值大的滤波电容对低频干扰比较敏感，相反，值小的滤波电容吸收高频干扰的效果比较好。因此不能光采用大电解电容滤波C923，还必须加接自谐振频率很高的电容器C924。此外，输出干扰的幅度还与PCB板的布线有很大关系，不合理的布线往往会使干扰幅
14、度大几倍，尤其是接地点的安排特别重要。2.1 PWM控制器控制器SG6841简介简介目前，开关电源的集成化与小型化已成为现实，早期的PWM IC大多采用UC384X系列（如UC3842、UC3843），但由于新产品越来越积体化及环保和安规要求越来越严苛的趋势下，出现了384XG及684X等具有Green Function的IC。Green Function为环保功能的意思，亦称之为Blue Angel，其要求是在满载70W以下的电源产品，当负载没有输出功率的情况下，输入电源仍照常供应时，电路消耗功率必需小于1W以下。SG6841是由System General崇贸科技开发的一款高性能固定频率电
15、流模式控制器，专为离线和DCDC变换器应用而设计。它属于电流型单端PWM调制器，具有管脚数量少、外围电路简单、安装调试简便、性能优良、价格低廉等优点，可精确地控制占空比，实现稳压输出，还拥有低待机功耗和众多保护功能，所以，为设计人员提供只需最少的外部元件就能获得成本效益高的解决方案，在实际中得到广泛的应用。SG6841有下列性能特点：第二节第二节 脉宽调制控制器脉宽调制控制器SG6841SG6841 在无负载和低负载时时，PWM的频率会线性降低进入待机模式以实现低功耗，同时提供稳定的输出电压。由于采用BiCMOS，启动电流和正常工作电流减少到30A和3mA，因此可大大提高电源的转换效率。SG6
16、841是固定频率的PWM控制器，它的工作频率通过一个外接电阻来决定，改变电阻值可轻易改变频率。内建同步斜率补偿电路，可保证连续工作模式下电流回路的稳定性。内建电压补偿电路可在一个较大的AC输入范围内实现功率限制控制，并提供过载、短路保护功能。此外，还设有低电压锁定（UVLO）功能，使工作更稳定、可靠。可通过外接一个负温度系数热敏电阻（NTCR）来传感环境温度以实现过温保护，也可利用该功能实现过压保护。具有图腾柱（即推拉输出电路）输出极，可实现良好的EMI。其最大输出电压钳位在18V。常见的SG6841有8脚DIP和SO两种封装，其各引脚功能分别如下所示：GND：接地。FB：反馈电压输入端。用于
17、提供PWM调节信息，PWM占空比就是由它控制。Vin：启动电流输入端。SG6841开始工作必须在该端要提供一个启动电压。RI：参考设置端。通过连接一个电阻接地来为SG6841提供一个恒定的电流，改变电阻阻值将改变PWM的频率。RT：温度保护端。该端输出一个恒定的电流。在该端接一NTCR接地来传感温度，当该端电压下降到一定值时会启动过温保护。在本设计中，该功能被用于高压保护。Sense：电流传感端。当该端电压达到一个阈值时芯片会停止输出,从而实现过流保护。VDD：电源供电端。Gate：PWM脉冲输出端。图腾柱（即推拉输出电路）输出极驱动功率开关管。振荡器SG6841的PWM频率范围为50KHz1
18、00KHz。RI端通过连接一个电阻Ri接地来为SG6841提供一个恒定的电流，改变电阻阻值将改变PWM的频率。2.2 SG6841内部结构与工作原理内部结构与工作原理图2-1 SG6841内部框图在本设计中，取Ri24k，SG6841的PWM频率为70.42kHz。2）欠压锁定欠压锁定 SG6841采用了欠压锁定比较器来保证输出级被驱动之前，集成电路已完全可用。欠压锁定回路其实质是一个滞回比较器，以防止在通过它们各自的门限时产生错误的输出动作。它的开启电压为16V，关闭电压为10V。在启动过程中，比较器反向输入端为16V，当VDD16V时，比较器输出为低电平，SG6841无法工作。当VDD升到
19、16V时，欠压锁定器输出为高电平，SG6841正常工作，同时MOS管导通，使比较器反向输入端为10V。当VDD下降至10V时，欠压锁定器的输出回到低电平，整个电路停止工作。SG6841的7脚端设置了一个32V的齐纳二极管，保证内部电路绝对工作在32V以下，以防电压过高损坏芯片。3）输出部分输出部分 SG6841的8脚为输出脚，它是一个单图滕柱输出级，专门设计用来直接驱动功率MOSFET的，具有降低热损耗、提高效率和增强可靠性的作用。在芯片内部有一18V的稳压管与Gate端相连使输出电压钳位在18V，可保护MOSFET免被击穿。通过控制PWM脉冲的上升与下降时间，可有效减少开关噪声，提高电源的E
20、MI，并提供稳定的MOSFET管Gate极驱动。在1.0nF负载时，它能提供高达1.0A的峰值驱动电流和典型值为250ns的上升时间和50ns的下降时间。还附加了一个内部电路，使得任何时候只要欠压锁定有效，输出就进入灌模式，这个特性使外部下拉电阻不再需要。4）电流取样比较器和脉冲调制锁存器）电流取样比较器和脉冲调制锁存器 SG6841作为电流模式控制器工作，输出开关导通由振荡器开始振荡起始，当峰值电感电流到达FB反馈端电平时终止。这样在逐周基础上误差信号控制峰值电感电流。所用的电流取样比较器-脉宽调制锁存配置确保在任何一定的振荡周期内，仅有一个单脉冲出现在输出端。电感电流通过插入一个与输出开关
21、Q901的源极串联的以地为参考的取样电阻Rs转换成电压。此电压由电流取样输入端Pin6 Sense监视，并与来自Pin2 FB端电平相比较。通常取样电阻Rs为一小电阻。在正常的工作条件下，峰值电感电流由管脚1上的电压控制，其中：Ipk=（VFB 1.0V）/3RS 其中，VFB为FB端电压，1.0V为在两个二极管上的压降，1/3为经两个电阻后的分压比。当电源输出过载或者如果输出电压取样丢失时，异常的工作条件将出现。在这些条件下，电流取样比较器门限将被内部箝位至0.85V。因此最大峰值开关电流为：Ipk（max）=0.85V/Rs当输入电压很大时，取样电流将非常小，这时可通过高压补偿回路来调节。
22、在电路中，通过R904与R905（均为1M来提高Sense端电平，实现高压补偿。当负载短路或其它原因引起功率管电流增加，并使取样电阻Rs上的电压升高。当Sense端的电压达到0.85V时，RS触发器的R端输入为低电平，从而Q非输出低电平，SG6841即停止脉冲输出，可以有效的保护功率管不受损坏，从而实现过流保护。由此可得Ipk（max）0.85V/Rs，改变Rs值即可改变其最大的输出功率。在本设计中取Rs0.3，可得Ipk（max）2.83A。在SG6841的Sense端产生的噪声会引起PWM输出脉冲的不稳定。在芯片内部Sense端经过一个斜率补偿电路后，才接至比较器同相输入端，这能有效地降低
23、噪声的影响。良好的PCB布线和避免元件管脚太长也有利于减少噪声。而在UC3841的应用电路中则需要在Sense端增加一个RC滤波器来解决同样的问题，可见SG6841的功能更强，外围电路更简单。当SG6841正常工作时，其内部振荡器产生振荡信号，此信号一路直接加到图腾柱电路的输入端，另一路加到PWM脉宽调制RS触发器的S端，RS型PWM脉宽调制器的R端接电流检测比较器输出端。当峰值电感电流未达到FB反馈端电平时，比较器输出低电平，此时R端为低电平，Q非端输出低电平；当峰值电感电流达到FB反馈端电平时，比较器输出高电平，此时R端为高电平，Q非端输出高电平。可见，FB端电压越高，Q非端脉冲越宽，同时
24、Gate端输出脉宽也越宽（占空比增大）；FB端电压越低，Q非端脉冲越窄，同时Gate端输出脉宽也越窄（占空比变小），从而实现PWM控制，使输出电压稳定。2.3 SG6841的启动与供电的启动与供电 SG6841需要在启动时给Pin3 Vin 提供一30A的启动电流以使芯片进行有效的自举。在电路中，将Pin3 通过两个1M的电阻接至PFC级的DC输出端，便可在AC输入90V264V的范围内实现SG6841的有效启动。在SG6841正常工作后，其Pin7 VDD端必须提供10V30V电压为芯片供电。2.4高压保护电路 SG6841的Pin5 RT端恒定输出一电流IRT：IRT2（1.3V/Ri）R
25、T端可串联一负温度系数的热敏电阻（NTCR）接地，RNTC随温度上升而降低，这时当IRTRNTC2.5V,则TL431内部比较器的输出高电平从而使NPN管导通。IC902即光电耦合器的2脚电位随着降低，显然这种变化势必会使得流过光电耦合器的发光二极管的电流有所增大。由于光电耦合器PC123Y24P的CTR（电流传感系数即流过发光二极管的电流与流过光敏三极管的电流的比值）1，使得从PC123Y24P中的光敏三极管的4脚流过的电流也有所增大，这导致SG6841 PIN2 FB端电压降低，于是PIN6 Gate端的输出脉冲占空比变小，使次级输出电压降低，所以达到降压的目的。输出端电压下降；同理，当输
26、出端电压降低时，TL431内部比较器的输出低电平从而使NPN管截止，从而使得流过光电耦合器的发光二极管的电流减小，可使SG6841 PIN2 FB端电压升高，于是PIN6 Gate端的输出脉冲占空比变大，输出电压上升。此外，由R936、C929组成阻抗匹配电路，起到高频补偿作用。电压输出端12V电压由R925和R926分压后输入TL431的REF端，其中R925的阻值为4.3K，R926的阻值为2.4K。当电源正常工作时，输出5V的电压经分压后刚好为2.5V输入TL431。C9120.1uF/50VL90473L 174-26-LS1423R9184.7K 1/10WtNR901NTCR 5A
27、5D902PS102RIC903H431BAQ903PMBS3906321R902680K 1/8WR91124K 1/10WZD90120VR9041M 1/8WON/OFF+C9224.7uFD911MOSPEC20100V12AR92820K 1/10WVAR901Varistor/470V/10AOOOT901PQ26/22.54126732811CN901SOCKET123+C9141000uF/16VL90273L174-29-LS1423F9012.5A/250VR903100K 2WR92047 1/8WR9061M 1/8W+C90722uF/50VR91320K 1/10W
28、Q902PMBS390432112VC9101000pFC9110.1uF/50VFB901BEADR900680K 1/8WC9040.22uF/250VR9221K 1/10WD901FR107C9210.0047uF/250VR9241K 1/10W+5VD9041N4148C9180.1uF/50VSG6841BiCOMS23571468FBVinRTVDDGNDRISENSEGATER9140.27 2WC9080.1uF/50VZD90212V/SMD2INTERNAL POWER FOR PWTV1742 FJM1B13Monday,December 08,2003SizeDoc
29、ument NumberRevDate:Sheetof+C9151000uF/16VR9051M 1/8WL90373L-253-91LC9061500pF/1KVD9031N4148R9083.3 1/8W+C916470uF/16VC9170.1uF/50V-+BD901GBU4J1432C909N.CF9025A/24V/1206IC902PC123FY2 4P1243C9130.001uF80LL17T-5C9020.001uF/250VR9269.31K 1/10WR915 30K 1/4WR910 0 1/8WQ9012SK2996C9030.47uF/250VR9071M 1/8
30、WR921470 1/8W+C905150uF/400VR91947 1/8WFG12VD9051N4148R9272.43K 1/10WD910MOSPEC20100+C9201000uF/16VR9164.7K 1/10WR909 10 1/4WCN902CONN11ANC22AC9010.001uF/250VR917100 1/10WR901680K 1/8WR91220K 1/10WC9190.01uFCN90312345678910R9251K 1/10WR9230 1/10WDIM（Mitsubishi TV 电源电路图）电源电路图）VCCTrQ4123CQ1213Q2231Q32
31、13C1第二章第二章 Inverter原理原理 以前，我们公司的INVERTER设计大部分还是采用传统的Royer回路，而Mitsubishi TV则采用一种全桥式的电路。下面我来简单地介绍一下Royer回路与全桥式回路的不同工作原理：R o y e r 回 路 是 根 据 通 过 启 动 电 阻R224/R225提供开关晶体管的基极电流使其通、断工作，并利用变压器的饱和特性，要求采用矩形磁滞回线的铁芯，这种变换器的电路结构简单，使用时铁芯饱和，不仅铁芯损耗大，而且晶体管在截止前出现较大IC峰值电流，开关管损耗大。适用于几十W输出功率的电源，目前我们采用Royer电路的转化效率大约为7585。
32、(1)全桥式电路是采用4个开关晶体管Q1/Q2和Q3/Q4接成桥路，采用Q1/Q4和Q2/Q3交替通/断工作，变压器初级绕组上施加交流电压的方式，适用从几十W到几千W的输出功率，由于它采用了零电压切换方式，因此开关管的功率损耗很小，其转化效率大约在80以上。第一节第一节 全桥式回路工作原理全桥式回路工作原理 传统开关管与采用零电压切换开关晶体管的差异，如下图：VCCTrQ4123CQ1213Q2231Q3213C1IVCCTrQ4123CQ1213Q2231Q3213C1Q2晶 体 管 Gate和 Drain的 波 形 图Q2-GateQ2-DrainIVCCQ2123TrQ4123CQ121
33、3Q3213C1Q2晶 体 管 Gate和 Drain的 波 形 图Q2-GateQ2-DrainIVCCQ2123TrQ4123CQ1213Q3213C1Q3晶 体 管 Gate和 Drain的 波 形 图Q3-GateQ3-DrainIVCCQ2123TrQ4123CQ1213Q3213C1Q3晶 体 管 Gate和 Drain的 波 形 图Q3-GateQ3-DrainIVCCQ2123TrQ4123CQ1213Q3213C1Q1晶 体 管 Gate和 Drain的 波 形 图Q1-GateQ1-DrainIVCCQ2123TrQ4123CQ1213Q3213C1Q1晶 体 管 Gate
34、和 Drain的 波 形 图Q1-GateQ1-DrainIVCCQ2123TrQ4123CQ1213Q3213C1Q4晶体管Gate和Drain的波形图Q4-GateQ4-DrainIVCCQ2123TrQ4123CQ1213Q3213C1Q4晶体管Gate和Drain的波形图Q4-GateQ4-Drain第二节第二节 OZ960应用分析应用分析 1.PIN1为CTIMR:此PIN外接一个大约为1uF电容到地，当OVP脚PIN的电压达到2.0V时，第一PIN的IC内部开关被打开，一个为3.0uA电流对电容C239进行充电，当CTIMR电压达到3V时，IC启动内部的保护功能，这时IC就被关闭，
35、通过选择C239电容的值应可以确定IC被保护的一个时间点，下面就来说说如何计算IC的保护时间点：因为Q=I*t=V*C=t=(V*C)/I当C239电压被冲到3v,C239=1uF时,t=(3v*1uF)/3.0uA=1秒 C2391uF/0805OZ960GIC2011234561817161514138719910121120CTIMROVPENASSTVDDAGNDACTRTPWRGNDLCTDIMLPWMRT1REFPDRV_AFBCMPPDRV_CNDRV_DNDRV_B2.PIN2为OVP:此PIN为过电压保护PIN，输出电压被反馈到这一PIN上，当灯管被OPEN或是灯管坏掉时，O
36、VP的电压就会升到2V，此时CTIMR电容被充电，当CTIMR被充到3V时，IC就会启动内部的保护功能，IC停止工作。下面就来计算如下图2所示电图V0到底多大才能使OVP脚到达2V。V1C4/(C4+C6)*V0V1=VOVP+VD=2.0+0.7=2.7VV0=(C4+C6)/C4*V1=(12p+18n)/12p*2.7=4100VP-P也就是说只有输出电压的峰峰值达到大于4100以上时，OVP电压才能到达2V。图2中R207/C204为峰值检测电路，其C204有对电压起到平滑的作用。R2071M 0805C618nFD213BAV99312PT20280LL17T-16-LC67110O
37、Z960GIC2011234561817161514138719910121120CTIMROVPENASSTVDDAGNDACTRTPWRGNDLCTDIMLPWMRT1REFPDRV_AFBCMPPDRV_CNDRV_DNDRV_BC412pFC2040.1uF/0805V1V0图23.PIN3为ENA：IC启动电路，当ENA1.5V=IC=On 当ENAIC=Off如下图3所示，其中C8的作用是让ENA脚慢慢地升到1.5V,电容C8充电从0V到1.5V大约需要0.6mS R8100KOZ960GIC2011234561817161514138719910121120CTIMROVPENA
38、SSTVDDAGNDACTRTPW RGNDLCTDIMLPW MRT1REFPDRV_AFBCMPPDRV_CNDRV_DNDRV_BOn/OffC810uF图 3Q201N.C/RK7002图4OZ960IC2011234561817161514138719910121120CTIMROVPENASSTVDDAGNDACTRTPWRGNDLCTDIMLPWMRT1REFPDRV_AFBCMPPDRV_CNDRV_DNDRV_BR21010kR210N.C/47K 0805ZD204N.C/15VVDDQ202N.C/RK700212VC2210.47uF/08054.PIN4为SST:该P
39、IN做为软启动，接联一个电容C221到地提供一个软启动功能，当INVERTER启动时，它提供一个6uA的电流对C221进行充电，SST的电压不断的上升，变压器一次测的Duty也慢慢的增大，即输出电压随着SST电压的上升而上升，当输出电压增加到启动电压时，灯管被打开，这就减少了在启动时的冲击电流，避免了对INVERTER零件和CCFL灯管在Turn-On时不必要的损坏。如下图4所示，另外Q201和Q202的作用是在输入低压时能够重新进行软启动，其原理是：当输入电压VIN变小时，IC停止工作，且Q201基极电压变得很低，此时Q201工作在截止区，这时Q202基极电压升高为VDD，Q202导通，SS
40、T电位被拉低约为0V，当INVERTER输入电压又恢复到较高如12V时，ZD904电流增大，Q201的基极电位被升高一定值时，Q201导通，接着Q202基极电位被拉低较低时，Q202又截止，此时，IC内部一个6uA的电流对C221进行充电，当充到一定值时，随着变压器二次侧电压不断升高，升到启动电压时，灯管又被点亮，故此电路是一个重新软启动的回路。在正常启动或是在灯管开路和坏掉等不正常情况来分析SST/OUT/FB/CMP的波形。VOUT如 果 CMP2.75V,IC关 闭启 动 保 护 功 能VSST=4.7V1.25V3VFB2.75VVOUTCMPCTIMR图4.2为不正常时 SST/OU
41、T/OVP/CMP/CTIMR的波形3VVSST=2 3V2.0V3VOVP 5.PIN7为REF:此PIN输出2.5V的基准时压，因电压不太稳定，故通常不连到任何电路中，只在此PIN串一个电容。6.PIN8为RT1:此PIN串一电阻为INVERTER启动时提供一个更高频率的输出频率以便让启动电压更高。在启动时该PIN与RT和CT共同决定输出电压的频率。在启动时，RT1在IC内部被连接到地，此时RT=R217/R245IC输出频率FS=(70*104)/(RTK*C220pF)当正常工作后RT1与IC内部地断开，此时IC输出频率FP=(70*104)/(R217K*C220pF)又因为RTFP
42、即启动频率大于工作频率。7.PIN9为FB;此PIN接受一个半波整流平均电压，这个电压可以决定灯管输出电流通过一个Sense电阻R258,FB的反馈电压与IC内部一个1.25V的基准电压进行比较，内部误差放大器输出脚CMP用来控制Power mosfet drive脉冲方波的移位来调整变压器一次侧的Duty,就这样灯管电流不断地被调整。以便当DIM为定值时，能够输出一个较稳定的电流。图5OZ960IC2011234561817161514138719910121120CTIMROVPENASSTVDDAGNDACTRTPWRGNDLCTDIMLPWMRT1REFPDRV_AFBCMPPDRV_
43、CNDRV_DNDRV_BC2261uF/0805R21762K 0805OZ960IC2011234561817161514138719910121120CTIMROVPENASSTVDDAGNDACTRTPWRGNDLCTDIMLPWMRT1REFPDRV_AFBCMPPDRV_CNDRV_DNDRV_BJP20212R2161M 0805C218NC 0805图6C220220PF/0805R245 PIN10为频率补尝脚，它是IC内部误差放大器的输出端通过一个电容C11（大约为560pF）与FB脚进行连接作为反馈回路的补尝（该频率补尝电路实际是一个积分电路，详见清华大学编写的模拟电子技
44、术基础P332页），COM脚控制Power mosfet drive脉冲方波的移位来调整灯管电流。在灯管启动时，此PIN的电压是个高电位（大于2.75V），因为在启动时没有灯管电流被检测到，这样FB是个低电位，当灯管点燃后，FB脚电位上升且CMP电位下降到正常的工作电位，在正常工作时，CMP也提供一个触发信号为灯管开路保护，如：在INVERTER工作时灯管被突然移开或是灯管坏掉，FB电位下降，且CMP上升，当CMP上升到大于2.75V时，IC被关闭。V1CMPVOUTR22133KVFBR258R222 51KD208图7为INVERTER输出电流的计算C236LPWM1.25VC236C11
45、下面我们再来计算一下INVERTER灯管电流：设u0为整流二极管在整流之前的瞬时表达式，Vrms=U2为整流二极管在整流之前的有效值;如果灯管电流最大值Irms为7mA,那么RsenseR258应该取多大值呢？我们从图7可以看出该误差放大器具有深度负反馈，故工作在线性区域，根据运入工作在线性区具有虚断的特点可知 U 0=VFB=V-=V+=1.2 5 V u o=1.4 1 4*V r m s*S i n(w t)d(t)S i n(w t)d(t)=-C o s(w t)所以：Irms*R258=U2 1.25v=0.45*7mA*R258 故R258396，通常我们会选择一个400的电阻
46、202245.0221UUtduUoo 8.如图8所示，PIN14为DIM,该PIN为控制低频PWM信号产生低频Burst-Mode方波;PIN15为LCT，该PIN外接一个电容C224到地，产生一个最低为1V，最高为3V的三角波,该PIN的电位和DIM电位进行比较来控制LPWM的占空因子且所产生的频率F=1490/C224;PIN13为LPWM，当DIM3V时，LPWM=LOW;当DIM1V时，LPWM=HIGH;当1VDIM3V时，LPWM输出脉冲波,如8.1图所示。下面如图8所示，我们来讨论一下当VDIM的范围确定时，怎样来选择电阻R1/R2/R3的阻值大小。当灯管电流I=3.5mA-8
47、.0mADuty-cycle=43%-100%VDIM=0.9V-2.1V如果Vadj=0v时，则有：0.9/R1+0.9/R3=(5-0.9)/R2如果Vadj=5v时，则有：（52.1）/R1+(5-2.1)/R2=2.1/R3当 我 们 选 定 R 1=2 7 0 K 时，就 可 以 算 出R2=360K,R3=111.7K,通常会选择R3=100K.LCTDIMLPWMV图8.1 1VDIMI=V(H)/RsV(LPWM)=V(H)RsLPWM1.25V图 8.2为 INVERTER调 光 原 理1.25VV(DIM)9.PIN11和PIN20为N沟道MOSFET驱动输出;PIN12和
48、PIN19为P沟道MOSFET驱动输出;图9是由C214/R204/ZD201和C215/R205/ZD202组成了水平移位电路，因为PDRV_A和PDRV_C的输出高电位是5V，而P-MOS做开关切换时需大于5V,故PDR的电位必须被移位 R205 10K 0805 C215 0.047uF/0805 Vin P-mosfetgate Vin R204 10K 0805 图9为level-shift电路 ZD201 5.6V P-mosfetgate ZD202 5.6V OZ960 IC201 1 2 3 4 5 6 18 17 16 15 14 13 8 7 19 9 10 12 11
49、20 CTIMR OVP ENA SST VDDA GNDA CT RT PWRGND LCT DIM LPWM RT1 REF PDRV_A FB CMP PDRV_C NDRV_D NDRV_B C214 0.047uF/0805 移 位 后 波 形5V12V移 位 前 波 形图 9.1 level-shift电 路 波 形第三节第三节 输出端谐振电路输出端谐振电路(一)图12为LC串联谐振电路，此部分电路是将变压器一次侧的方波都过LC谐振，使转化成正弦波，此电路的实质是将方波分解出来的一次谐波以后的谐振波通过漏感与电容C(电容在频率很高时，相当于短路，故方波分解出来的高次谐波直接通过电容
50、C流到地)给吸收了（任何一个方波都可用傅里叶公式F(t)=(4Am/3.14)*(Sinwt+1/3Sin3wt+.+1/kSinkwt)展开,其式中Am为方波的振幅，k为奇数，其第一项（4Am/3.14）*Sinwt为基波，第二项(4Am/3.14)*1/3Sin3wt为一次谐波）C图 12PT20480LL17T1645V1VOLeleakage inductanceROZ960在Mitsubishi TV中的应用如下图 Q211RK7002R2400 0805JP20312PT20380LL17T1645C2062.2uF/1206JP20712D212BAV99312R222 51K
