1、 双极型晶体管双极型晶体管BJT：输入电阻输入电阻rbe小，电流控制器件小，电流控制器件 BCii NPNPNP场效应管场效应管输入电阻高、内输入电阻高、内部噪声小、耗电部噪声小、耗电省、热稳定性好、省、热稳定性好、抗辐射能力强、抗辐射能力强、制造工艺简单、制造工艺简单、易于实现集成化、易于实现集成化、工作频率高工作频率高电压控制器件电压控制器件4-1 结结型型场效应管（场效应管（JFET）4-2 金属金属-氧化物氧化物-半导体场效应管半导体场效应管（MOSFET）4-3 场效应管放大电路场效应管放大电路4-4 MOS模拟集成电路基础模拟集成电路基础场效应管（场效应管（FET）：）：是一种具有
2、是一种具有PN结的有源半导体器件，结的有源半导体器件，利用电场效应来控制输出电流的大小。利用电场效应来控制输出电流的大小。场效应管的特点场效应管的特点：输入电阻高；输入电阻高；内部噪声小；内部噪声小；功耗低；功耗低；热稳定性及抗辐射能力强；热稳定性及抗辐射能力强；工艺简单、易于集成化。工艺简单、易于集成化。输入端输入端PNPN结一般工作反偏或绝缘状态。结一般工作反偏或绝缘状态。场效应管的分类场效应管的分类：结型结型FET（JFET）：）：MOSFET（IGFET）：）：N沟道、沟道、P沟道沟道增强型：增强型：耗尽型：耗尽型：N沟道、沟道、P沟道沟道N沟道、沟道、P沟道沟道4.1 结型场效应管（
3、结型场效应管（JFET）4.1 结型结型场效应管场效应管一、一、JFET的结构和符号的结构和符号 DGSNPNIBDGSPNPIB二、二、JFET的工作原理的工作原理N沟道沟道JFET工作时，必须在栅极和源极之间加一个工作时，必须在栅极和源极之间加一个负电压负电压uGS0,N沟道中的多子（电子）沟道中的多子（电子）由由S向向D运动，形成漏运动，形成漏极电流极电流iD。iDiG主要讨论主要讨论uGS对对iD的的控制控制作用以及作用以及uDS对对iD的影响。的影响。电子电子iDuGSuDS输入电阻很高输入电阻很高只有一种类型的多数载只有一种类型的多数载流子参与导电流子参与导电1、UGS对对iD对控
4、制作用对控制作用 UDS=0，uGS 对对导电沟道的影响导电沟道的影响uGS=0导电沟道较宽导电沟道较宽|uGS|=|UGS(off)|uGS|UGS(off)|导电沟道由于耗尽导电沟道由于耗尽层的加宽而变窄。层的加宽而变窄。导电沟道由于耗尽导电沟道由于耗尽层的合拢而被夹断。层的合拢而被夹断。UGS(off)夹断电压。夹断电压。当当uGS由零向负由零向负值增大时值增大时 沟道电阻沟道电阻rDS|uGS|当当|uGS|=UGS（off）时，沟道夹断，时，沟道夹断，iD=0。沟道电阻沟道电阻rDS iD夹断电压夹断电压 耗尽层合拢的电压条件耗尽层合拢的电压条件PN结两端电压结两端电压=夹断电压夹断
5、电压UGS(off)uDSuGSAA点点电压电压=uDG =UGS(off)=uDS-uGSuDS=uGS-UGS(off)uDS uGS-UGS(off)耗尽层合拢的电压条件耗尽层合拢的电压条件耗尽层耗尽层不不合拢的电压条件合拢的电压条件uGS 夹断电压夹断电压UGS(off)uDS对对iD的的影响影响uGS=0；导电沟道较宽；导电沟道较宽；当当uDS较小时较小时(uDS uGS-UGS(off)，iD随随uDS的的增大成正比增大；增大成正比增大；uDSiD0uDS导电沟道由于导电沟道由于DS间的电位梯度呈契形；间的电位梯度呈契形；uDSuDS uGS-UGS(off)uDS 夹断区长度夹断
6、区长度 外电压的增量主要降落在夹断区上。外电压的增量主要降落在夹断区上。uDS=uGS-UGS(off)沟道预夹断时，沟道预夹断时，uGS=0uDS=-UGS(off)饱和漏饱和漏电流电流uDSiD0|UGS(off)|IDSSuGS=0rDS大大1k1Vi=1mA4V3ki=1mA1V4VV uDS对对iD的的影响影响uDS=uGS-UGS(off)沟道预夹断时，沟道预夹断时，uGS=0uDS=-UGS(off)沟道预夹断后，沟道预夹断后，uDS uGS-UGS(off)uDS 夹断区长度夹断区长度 外电压的增量主要降落在夹断区上。外电压的增量主要降落在夹断区上。iD基本不随基本不随uDS的
7、增加而上升，的增加而上升，iD趋于饱和。趋于饱和。在强电场作用下在强电场作用下PN结结雪崩击穿，雪崩击穿，iD急剧增大。急剧增大。饱和漏饱和漏电流电流uDSiD0|UGS(off)|IDSSuGS=0若若uDS BUDS，。uDS uDSuDS uGS-UGS(off)夹断区长度夹断区长度 iD基本不随基本不随uDS的增加而上升，的增加而上升，iD趋于饱和。趋于饱和。uDS在强电场作用下在强电场作用下PN结结雪崩击穿，雪崩击穿，iD急剧增大。急剧增大。uGS=0VuGS=-4VuGS=-8VuGD=uGS-uDS=UGS(off)综上分析可知：综上分析可知：4.1 结型结型场效应管场效应管1.
8、1.沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电，所沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电，所以场效应管也称为单极型三极管。以场效应管也称为单极型三极管。|UGS(off)|IDSSuDSiD0uGS=-4VuGS=-8V2.JFET栅极与沟道间的栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，因此结是反向偏置的，因此iG 0，输入电阻很高。输入电阻很高。3.JFET是电压控制电流器件，是电压控制电流器件，iD受受uGS控制。控制。4.预夹断前预夹断前iD与与uDS呈近似线性关系；预夹断后，呈近似线性关系；预夹断后，iD趋于饱和。趋于饱和。uGSiDiG电子电子iDuDSNiDiG空穴空穴iDuGSuDSP|uG
9、S|UGS(off)|UGS(off)夹断电压。夹断电压。|uGS|当当|uGS|=UGS（off）时，沟道夹断，时，沟道夹断，iD=0。沟道电阻沟道电阻rDS iD复习uDSuDS uGS-UGS(off)夹断区长度夹断区长度 iD基本不随基本不随uDS的增加而上升，的增加而上升，iD趋于饱和。趋于饱和。uDS在强电场作用下在强电场作用下PN结结雪崩击穿，雪崩击穿，iD急剧增大。急剧增大。uGS=0VuGS=-4VuGS=-8VuGD=uGS-uDS=UGS(off)4.1 结型结型场效应管场效应管三、三、JFET的特性曲线及参数的特性曲线及参数1.输出特性输出特性 )(DSDufi 常常数
10、数 GSuIDSS可变电可变电 阻区阻区恒恒流流区区击击穿穿区区 截止区截止区 uGSrds恒流区（饱和区）恒流区（饱和区）击穿区击穿区 截止区截止区（全夹断区）（全夹断区）uDS=uGS-UGS(off)uGS可变电阻区可变电阻区线性放大区线性放大区 BUDSP140 表表41 N沟沟道道JFET各工作区的各工作区的条件条件 uGS UGS(off)uDS uGS-UGS(off)2.转移特性转移特性 )(GSDufi 常常数数 DSu02GS(off)GSDSSD)1(UuIi (当当UGS(off)uGS|UGS(off)|（10V）时的漏极电流。时的漏极电流。IDSS是是JFET能输出
11、的能输出的最大电流。最大电流。饱和漏饱和漏电流电流IDSS|UGS(off)|uDSiD0uGS=0VuGS=-4VuGS=-8VuGD=uGS-uDS=UGS(off)uDS=uGS-UGS(off)（3）直流输入电阻）直流输入电阻RGS：在漏源间在漏源间短路的情况下，栅源间加一定的反偏电压时的短路的情况下，栅源间加一定的反偏电压时的栅源直流电阻。栅源直流电阻。（4）输出电阻）输出电阻rd：DDSddiur GSu反映了漏源电压对漏极电流的影响。反映了漏源电压对漏极电流的影响。在在恒流区，恒流区，iD随随uDS改变很改变很小，所以小，所以rd的的数值很大，在数值很大，在几十千欧到几百千欧之间
12、。几十千欧到几百千欧之间。uGSiDuDS|UGS(off)|uDSiD0uGS=0VuGS=-4VuGS=-8V恒恒流流区区（5）低频跨导）低频跨导gm：uDS为常数时，漏极电流的微变量与引起这个变化的栅为常数时，漏极电流的微变量与引起这个变化的栅源电压的微变量的比。源电压的微变量的比。GSDmdudig 常常数数 DSu反映了栅源电压对漏极电流的控制能力，反映了栅源电压对漏极电流的控制能力，gm可以在转移特性曲线上求得，单位是可以在转移特性曲线上求得，单位是mS(毫西门子毫西门子)。GSoffGSGSDSSmduUuIdg12)()()(12offGSoffGSGSDSSUUuI （7）最
13、大栅源电压）最大栅源电压BUGS：输入栅源间输入栅源间PN结的结的反向电流开始急剧增加的反向电流开始急剧增加的uGS值。值。（8）最大耗散功率）最大耗散功率PDM：JFET的瞬时耗散功率等于的瞬时耗散功率等于uDS和和iD的乘的乘积，即积，即pDuDSiD（6）最大漏源电压）最大漏源电压BUDS：发生雪崩击穿，发生雪崩击穿，iD开始急剧上升时的开始急剧上升时的uDS值。值。IDSS越负，越负，BUDS越小。越小。1、转移特性曲线：、转移特性曲线：ID=f（UGS）|UDS=常数常数2)()1(offGSGSDSSDUuIi ID=f（UDS）|UGS=常数常数恒恒流流区区击击穿穿区区 截止区截
14、止区线性放大区线性放大区 IDSSuGS BUDS可可变变电电阻阻区区放放大大区区击击穿穿区区线性放大区线性放大区 iB饱饱和和区区 截止区截止区恒恒流流区区击击穿穿区区 截止区截止区线性放大区线性放大区 IDSSuGS BUDS可可变变电电阻阻区区uGS当当uDSuDS=uGS-UGS(off)uDS uGS-UGS(off)uGSUGS(off)截止区截止区uGS UGS(off)可变电阻区可变电阻区预夹断预夹断恒流区恒流区uDS BUDS击穿区击穿区DGSDGSDGS作业：作业：P165 4.1(UGS(off)=-4V)场效应管的分类场效应管的分类：结型结型FET（JFET）：）：MO
15、SFET（IGFET）：）：N沟道、沟道、P沟道沟道增强型：增强型：耗尽型：耗尽型：N沟道、沟道、P沟道沟道N沟道、沟道、P沟道沟道106109 1015（一）结构和符号（一）结构和符号 P 型衬底型衬底GB衬底引线衬底引线 S Si iO O2 2 N+N+SD栅极与其他两个电极是相互绝缘的栅极与其他两个电极是相互绝缘的 箭头方向箭头方向表示由表示由P(衬底衬底)指指向向N(沟道沟道)iGiG=0间断线表示栅源电压间断线表示栅源电压u uGSGS=0=0时，时，FETFET内部不存在导电沟道内部不存在导电沟道 1、UGS=0 P 型衬底型衬底GB衬底引线衬底引线 N+N+SD漏源间没有导电的
16、沟道，漏源间没有导电的沟道，iD=0 P 型衬底型衬底GBN+N+SD(1)导电沟道的形成导电沟道的形成 uGS 0uGSuGS增大到某一个值时增大到某一个值时 反型层反型层 反型层是反型层是N N型半导体层型半导体层 开启电压开启电压UGS（th）uGS uGS(th)uGS 导电沟道导电沟道 uGB rDS(2)iD和导电沟道随和导电沟道随uGS和和uDS的变化的变化 N+P 型衬底型衬底GBN+SDuGSuDSuGS=常数常数 UGS（th）电位电位 S D低低高高宽宽 窄窄 S D有有导电沟道的条件导电沟道的条件uGD UGS（th）uGD=uGS-uDS UGS（th）uDS uGS
17、-UGS（th）uDS预夹断后预夹断后uDS几乎都降落几乎都降落在夹断区上，而未夹断沟道在夹断区上，而未夹断沟道中的电压基本维持不变。中的电压基本维持不变。iD几乎不变略有增大几乎不变略有增大uDS 反向击穿反向击穿SDuDSuGS-uDS uGS(th)N+P 型衬底型衬底GBN+SDuGS导电沟道导电沟道 uGS rDS uDSiD 预夹断曲线预夹断曲线 uDS=uGS-UGS（th）)(DSDufi 常常数数 GSuuDS=uGS-UGS(off)uGSuGS=UGS(off)uGS=UGS(th)4.1 结型结型场效应管场效应管三、三、E型型 N MOSFET的输出特性曲线的输出特性曲
18、线 1.输出特性输出特性 )(DSDufi 常常数数 GSu可变电可变电 阻区阻区恒恒流流区区击击穿穿区区 截止区截止区 uGSrds恒流区（饱和区）恒流区（饱和区）击穿区击穿区截止区截止区（全夹断区）（全夹断区）uDS=uGS-UGS(th)uGS可变电阻区可变电阻区MOSFET线性放大区线性放大区 BUDSuGS UGS(th)uDS uGS-UGS(th)P145 表表42 2.转移特性转移特性 )(GSDufi 常常数数 DSu)()1()(2)(thGSGSthGSGSDODUuUuIi 0IDO转移特性曲线转移特性曲线 E型型 N MOSFET0IDSSUGS(off)2GS(of
19、f)GSDSSD)1(UuIi )()1()(2)(thGSGSthGSGSDODUuUuIi (当当UGS(off)uGS 0)0IDOUGS(th)N JFET例例42 一一N沟道增强型沟道增强型MOSFET的的UGS（th）=2V，当当uDS=05V，uGS=3V时，时，iD=lmA，试问该试问该MOSFET工作在什么区工作在什么区?此时，漏源间的电阻此时，漏源间的电阻RDS=?uGS当当uDS可变电可变电 阻区阻区恒恒流流区区击击穿穿区区 截止区截止区uGS线性放大区线性放大区 BUDSuDS=uGS-UGS(th)uDS uGS-UGS(th)uGSUGS(th)截止区截止区uGS
20、UGS(th)可变电阻区可变电阻区预夹断预夹断恒流区恒流区uDS BUDS击穿区击穿区uGS=3V UGS（th）=2V uDS=05V，uGS-UGS（th）=1V满足满足uDS uGS-UGS（th）N沟道沟道MOSFET工作在可变电阻区工作在可变电阻区 50015.0mAViuRGSuDDSDS作业：作业：P166 4.31、结构和符号、结构和符号N+P 型衬底型衬底GN+SDBuGSuGS 导电沟道导电沟道 UGS(off)夹断电压夹断电压3输出特性曲线输出特性曲线 uDSiD0uGS=0.2VuGS=0.1VuGS=0VuGS=-0.2VuGS=UGS(off)截止区截止区预夹断曲线
21、预夹断曲线 uDS=uGS-UGS（off）)(DSDufi 常常数数 GSuN+P 型衬底型衬底GN+SDBuGSuDS2.转移特性转移特性 )(GSDufi 常常数数 DSuUGS(off)0IDOUGS(th)E型型 N MOSFETD型型 N MOSFET2)()1(offGSGSDSSDUuIi DSSI)()1()(2)(thGSGSthGSGSDODUuUuIi P沟道沟道MOSFET，除了外加电压极性和漏极电流除了外加电压极性和漏极电流方向与方向与N沟道沟道MOSFET相反外工作原理完全相同相反外工作原理完全相同 uGSiDUGS（off）UGS（th）JFET耗尽型耗尽型MOST增强型增强型MOSTuGSiDUGS（off）UGS（th）JFET耗尽型耗尽型MOST增强型增强型MOST(a)N沟道沟道FET(b)P沟道沟道FETuDSuGS复习复习1恒恒流流区区击击穿穿区区 截止区截止区线性放大区线性放大区 IDSSuGS BUDS可可变变电电阻阻区区2)()1(offGSGSDSSDUuIi 复习复习2N+P 型衬底型衬底GBN+SDuGSuDSiD可变电可变电 阻区阻区恒恒流流区区击击穿穿区区uGS线性放大区线性放大区 BUDS0IDOUGS(th)()1()(2)(thGSGSthGSGSDODUuUuIi
