1、CH7磁电式传感器-PPT课件7.1 磁电感应式传感器磁电感应式传感器 磁电感应式传感器又称磁电式传感器，是磁电感应式传感器又称磁电式传感器，是利利用电磁感应原理将被测量转换成电信号用电磁感应原理将被测量转换成电信号的一种传的一种传感器。可以实现振动、位移、转速等被测量的测感器。可以实现振动、位移、转速等被测量的测量。量。特点：特点：1.不需要辅助电源不需要辅助电源，就能把被测对象的机械量转就能把被测对象的机械量转换成易于测量的电信号，是一种有源传感器。换成易于测量的电信号，是一种有源传感器。2.输出功率大，输出功率大，性能稳定性能稳定。3.具有一定的工作带宽具有一定的工作带宽（101000
2、Hz）。）。2022-11-19 2 7.1.1 磁电感应式传感器工作原理磁电感应式传感器工作原理 根据电磁感应定律，根据电磁感应定律，当当导体在稳定均匀磁场中，沿垂直磁导体在稳定均匀磁场中，沿垂直磁场方向运动时场方向运动时，导体内产生的感应电势为，导体内产生的感应电势为 BlvdtdxBtdtde式中式中:B 稳恒均匀磁场的磁感应强度；稳恒均匀磁场的磁感应强度；l 导体有效长度；导体有效长度；v 导体相对磁场的运动速度。导体相对磁场的运动速度。2022-11-19 3 当一个当一个W匝匝线圈相对静止地处于随时间变化的磁线圈相对静止地处于随时间变化的磁场中时场中时，设穿过线圈的磁通为，设穿过线
3、圈的磁通为，则线圈内的感应电，则线圈内的感应电势势e与磁通变化率与磁通变化率d/dt有如下关系：有如下关系：dtdWe 根据以上原理，设计出两种磁电式传感器结构：根据以上原理，设计出两种磁电式传感器结构：变磁通（磁阻）式和恒磁通式。变磁通（磁阻）式和恒磁通式。2022-11-19 4p开磁路变磁通式开磁路变磁通式：线圈、磁铁静止不动，：线圈、磁铁静止不动，测量齿轮安装在被测量齿轮安装在被测旋转体上，随被测体一起转动。每转动一个齿，测旋转体上，随被测体一起转动。每转动一个齿，齿的凹凸引齿的凹凸引起磁路磁阻变化一次，磁通也就变化一次，起磁路磁阻变化一次，磁通也就变化一次，线圈中产生感应电线圈中产生
4、感应电势，其变化频率等于被测转速与测量齿轮上齿数的乘积。势，其变化频率等于被测转速与测量齿轮上齿数的乘积。p特点：结构简单，但输出信号较小，且因高速轴上加装齿轮特点：结构简单，但输出信号较小，且因高速轴上加装齿轮较危险而不宜测量高转速的场合。较危险而不宜测量高转速的场合。2022-11-19 5p闭磁路变磁通式闭磁路变磁通式：由装在转轴上的内齿轮和外齿轮、永久磁：由装在转轴上的内齿轮和外齿轮、永久磁铁和感应线圈组成，内外齿轮齿数相同。铁和感应线圈组成，内外齿轮齿数相同。当转轴连接到被测转当转轴连接到被测转轴上时，外齿轮不动，内齿轮随被测轴而转动，内、外齿轮的轴上时，外齿轮不动，内齿轮随被测轴而
5、转动，内、外齿轮的相对转动使气隙磁阻产生周期性变化，从而引起磁路中磁通的相对转动使气隙磁阻产生周期性变化，从而引起磁路中磁通的变化，使线圈内产生周期性变化的感应电动势。变化，使线圈内产生周期性变化的感应电动势。p 感应电势的频率与被测转速成正比感应电势的频率与被测转速成正比。2022-11-19 6p恒磁通式恒磁通式：磁路系统产生恒定的直流磁场，磁路中的工作气：磁路系统产生恒定的直流磁场，磁路中的工作气隙固定不变，因而气隙中磁通也恒定不变。隙固定不变，因而气隙中磁通也恒定不变。p运动部件可以是线圈（动圈式），也可以是磁铁（动铁式），运动部件可以是线圈（动圈式），也可以是磁铁（动铁式），动圈式和
6、动铁式的工作原理是完全相同。动圈式和动铁式的工作原理是完全相同。2022-11-19 70eBl W v p当壳体随被测振动体一起振动时，由于弹簧较软，运当壳体随被测振动体一起振动时，由于弹簧较软，运动部件质量相对较大，动部件质量相对较大，当振动频率足够高（远大于传当振动频率足够高（远大于传感器固有频率）时，运动部件惯性很大，来不及随振感器固有频率）时，运动部件惯性很大，来不及随振动体一起振动，动体一起振动，近乎静止不动，振动能量几乎全被弹近乎静止不动，振动能量几乎全被弹簧吸收，永久磁铁与线圈之间的相对运动速度接近于簧吸收，永久磁铁与线圈之间的相对运动速度接近于振动体振动速度，磁铁与线圈的相对
7、运动切割磁力线，振动体振动速度，磁铁与线圈的相对运动切割磁力线，从而产生感应电势为从而产生感应电势为 2022-11-19 8 7.1.2 7.1.2 磁电感应式传感器基本特性磁电感应式传感器基本特性 当测量电路接入磁电传感器电路时，当测量电路接入磁电传感器电路时，如图所示，磁电传感器的输出电流如图所示，磁电传感器的输出电流Io为为 fofoRRlWvBRREI传感器的电流灵敏度为 fooIRRlWBvIS2022-11-19 9而传感器的输出电压和电压灵敏度分别为而传感器的输出电压和电压灵敏度分别为 ffooUffofooRRlWRBvUSRRlWvRBRIU当传感器的工作温度发生变化或受到
8、外界磁场干扰、受到机械当传感器的工作温度发生变化或受到外界磁场干扰、受到机械振动或冲击时，其灵敏度将发生变化，从而产生测量误差，其振动或冲击时，其灵敏度将发生变化，从而产生测量误差，其相对误差为相对误差为 RdRldlBdBSdSII2022-11-19 101.1.非线性误差非线性误差 磁电式传感器磁电式传感器产生非线性误差的主要原因产生非线性误差的主要原因是：由于传感器是：由于传感器线圈内有电流线圈内有电流I流过时，将产生一定的交变磁通流过时，将产生一定的交变磁通I，此交变磁，此交变磁通叠加在永久磁铁所产生的工作磁通上，使恒定的气隙磁通通叠加在永久磁铁所产生的工作磁通上，使恒定的气隙磁通变
9、化。变化。线圈运动速度方向不同时，使恒定磁通或增大，或减小，线圈运动速度方向不同时，使恒定磁通或增大，或减小，传感器的灵敏度具有不同的数值，使传感器传感器的灵敏度具有不同的数值，使传感器输出基波能量降输出基波能量降低，谐波能量增加低，谐波能量增加,即这种非线性特性同时伴随着传感器输出即这种非线性特性同时伴随着传感器输出的谐波失真。的谐波失真。显然，显然，传感器灵敏度越高，线圈中电流越大，传感器灵敏度越高，线圈中电流越大，非线性越严重。非线性越严重。2022-11-19 11 2.2.温度误差温度误差 当温度变化时，上式右边三项都不为零，铜线每摄氏度变当温度变化时，上式右边三项都不为零，铜线每摄
10、氏度变化量为化量为dl/l0.16710-4,dR/R0.4310-2，dB/B每摄氏度的变化每摄氏度的变化量决定于永久磁铁的磁性材料。对铝镍钴永久磁合金，量决定于永久磁铁的磁性材料。对铝镍钴永久磁合金，dB/B-0.0210-2，这样可得近似值如下：，这样可得近似值如下：Ct10%5.4RdRldlBdBSdSII需要进行温度补偿需要进行温度补偿2022-11-19 12温度补偿温度补偿p通常采用通常采用热磁分流器热磁分流器。热磁分流器由。热磁分流器由具有很大负温度系数具有很大负温度系数的特殊磁性材料做成的特殊磁性材料做成。它在正常工作温度下已将空气隙磁通它在正常工作温度下已将空气隙磁通分掉
11、一小部分。分掉一小部分。当温度升高时，当温度升高时，热磁分流器的磁导率显著热磁分流器的磁导率显著下降，经它分流掉的磁通占总磁通的比例较正常工作温度下下降，经它分流掉的磁通占总磁通的比例较正常工作温度下显著降低，从而保持空气隙的工作磁通不随温度变化，维持显著降低，从而保持空气隙的工作磁通不随温度变化，维持传感器灵敏度为常数。传感器灵敏度为常数。2022-11-19 137.1.3 7.1.3 磁电感应式传感器的测量电路磁电感应式传感器的测量电路 传感器测量的是振动速度参数，若在测量电路中传感器测量的是振动速度参数，若在测量电路中接入积分电接入积分电路，则输出电势与位移成正比路，则输出电势与位移成
12、正比；若在测量电路中；若在测量电路中接入微分电接入微分电路，则其输出与加速度成正比路，则其输出与加速度成正比。2022-11-19 147.1.4 7.1.4 磁电感应式传感器的应用磁电感应式传感器的应用 1.动圈式振动速度传感器动圈式振动速度传感器 如图如图7-6，其结构主要特点是，钢制圆形外壳，里面用铝支，其结构主要特点是，钢制圆形外壳，里面用铝支架将圆柱形永久磁铁与外壳固定成一体，永久磁铁中间有一小架将圆柱形永久磁铁与外壳固定成一体，永久磁铁中间有一小孔，穿过小孔的芯轴两端架起线圈和阻尼环，芯轴两端通过圆孔，穿过小孔的芯轴两端架起线圈和阻尼环，芯轴两端通过圆形膜片支撑架空且与外壳相连。工
13、作时，传感器与被测物体刚形膜片支撑架空且与外壳相连。工作时，传感器与被测物体刚性连接，当物体振动时，性连接，当物体振动时，传感器外壳和永久磁铁随之振动，而传感器外壳和永久磁铁随之振动，而架空的芯轴、线圈和阻尼环因惯性而不随之振动。因而，磁路架空的芯轴、线圈和阻尼环因惯性而不随之振动。因而，磁路空气隙中的线圈切割磁力线而产生正比于振动速度的感应电动空气隙中的线圈切割磁力线而产生正比于振动速度的感应电动势，线圈的输出通过引线输出到测量电路。势，线圈的输出通过引线输出到测量电路。2022-11-19 15图图7-6 动圈式振动速度传感器动圈式振动速度传感器 1.心轴心轴 2.外壳外壳 3.圆形膜片圆
14、形膜片 2.4.铝支架铝支架 5.永久磁铁永久磁铁3.6.工作线圈工作线圈 7.阻尼环阻尼环 8.引线引线2022-11-19 162.2.磁电式扭矩传感器磁电式扭矩传感器 如图如图7-7。在驱动源和负载之间的扭转轴的两侧安装有齿。在驱动源和负载之间的扭转轴的两侧安装有齿形圆盘。它们旁边装有相应的两个磁电传感器。传感器的检测形圆盘。它们旁边装有相应的两个磁电传感器。传感器的检测元件部分由永久磁铁、感应线圈和铁芯组成。永久磁铁产生的元件部分由永久磁铁、感应线圈和铁芯组成。永久磁铁产生的磁力线与齿形圆盘交链。当齿形圆盘旋转时，圆盘齿凸凹引起磁力线与齿形圆盘交链。当齿形圆盘旋转时，圆盘齿凸凹引起磁路
15、气隙的变化，于是磁通量也发生变化，在线圈中感应出交磁路气隙的变化，于是磁通量也发生变化，在线圈中感应出交流电压，流电压，其频率在数值上等于圆盘上齿数与转数的乘积。其频率在数值上等于圆盘上齿数与转数的乘积。当扭当扭矩作用在扭转轴上时，两个磁电传感器输出的感应电压矩作用在扭转轴上时，两个磁电传感器输出的感应电压u1和和u2存在相位差。存在相位差。这个这个相位差与扭转轴的扭转角成正比相位差与扭转轴的扭转角成正比。这样，这样，传感器就可以把扭矩引起的扭转角转换成相位差的电信号。传感器就可以把扭矩引起的扭转角转换成相位差的电信号。2022-11-19 17测量仪表21齿形圆盘扭转轴磁电传感器磁电传感器u
16、1u2uu1u2t图7-7 磁电式扭矩传感器工作原理图图7-8 磁电式传感器结构图 2022-11-19 187.2 7.2 霍尔式传感器霍尔式传感器7.2.1 霍尔效应及霍尔元件霍尔效应及霍尔元件 1.霍尔效应霍尔效应：置于磁场中的静止载流导体，当它的：置于磁场中的静止载流导体，当它的电流方电流方向与磁场方向不一致时向与磁场方向不一致时，载流导体上，载流导体上垂直于电流和磁场垂直于电流和磁场方向上的两个面之间产生电动势方向上的两个面之间产生电动势，这种现象称霍尔效这种现象称霍尔效应。该电势称霍尔电势。应。该电势称霍尔电势。这一现象是美国物理学家霍尔这一现象是美国物理学家霍尔（A.H.Hall
17、，18551938）于）于1879年在研究金属的导电机构时发现年在研究金属的导电机构时发现的。霍尔效应此后在测量、自动化、计算机和信息技术等领域得到的。霍尔效应此后在测量、自动化、计算机和信息技术等领域得到了广泛的应用，比如测量磁场的高斯计。了广泛的应用，比如测量磁场的高斯计。2.2022-11-19 19 在霍尔效应发现约在霍尔效应发现约100年后，德国物理学家克利青年后，德国物理学家克利青(Klaus von Klitzing,1943-)等在研究极低温度和强磁场中的等在研究极低温度和强磁场中的半导体半导体时发现了时发现了量子霍耳效应量子霍耳效应这这是当代凝聚态物理学令人惊异的进展之一，克
18、利青为此获得了是当代凝聚态物理学令人惊异的进展之一，克利青为此获得了1985年年的诺贝尔物理学奖。的诺贝尔物理学奖。之后，美籍华裔物理学家崔琦之后，美籍华裔物理学家崔琦(Daniel Chee Tsui,1939-)和美国物理学和美国物理学家劳克林家劳克林(Robert B.Laughlin，1950-)、施特默、施特默(Horst L.St rmer，1949-)在更强磁场下研究量子霍尔效应时发现了分数量子霍尔效应，这个发在更强磁场下研究量子霍尔效应时发现了分数量子霍尔效应，这个发现使人们对量子现象的认识更进一步，他们为此获得了现使人们对量子现象的认识更进一步，他们为此获得了1998年的诺贝
19、年的诺贝尔物理学奖。尔物理学奖。最近，复旦校友、斯坦福教授张首晟与母校合作开展了最近，复旦校友、斯坦福教授张首晟与母校合作开展了“量子自旋霍量子自旋霍尔效应尔效应”的研究。的研究。“量子自旋霍尔效应量子自旋霍尔效应”最先由张首晟教授预言，之最先由张首晟教授预言，之后被实验证实。这一成果是美国科学杂志评出的后被实验证实。这一成果是美国科学杂志评出的2007年十大科学年十大科学进展之一。如果这一效应在室温下工作，它可能导致新的低功率的进展之一。如果这一效应在室温下工作，它可能导致新的低功率的“自旋电子学自旋电子学”计算设备的产生。计算设备的产生。目前工业上应用的高精度的电压和电流型传感器有很多就是
20、根据霍尔目前工业上应用的高精度的电压和电流型传感器有很多就是根据霍尔效应制成的效应制成的,误差精度能达到误差精度能达到0.1%以下以下2022-11-192022-11-19 bBflfElIdEH如图，在垂直于外磁场如图，在垂直于外磁场B的方向上放置一导电板，导电板通的方向上放置一导电板，导电板通以电流以电流I，方向如图所示。导电板中的电流使金属中自由电，方向如图所示。导电板中的电流使金属中自由电子在电场作用下做定向运动。此时，每个电子受洛伦兹力子在电场作用下做定向运动。此时，每个电子受洛伦兹力fl的作用，的作用，fl 的大小为的大小为fl=eBv式中：式中：e电子电荷；电子电荷；v电子运动
21、平均速度；电子运动平均速度；B磁场的磁感应强度。磁场的磁感应强度。2022-11-19 22 fl的方向在图的方向在图7-9中是向内的，此时电子除了沿电流反方向中是向内的，此时电子除了沿电流反方向作定向运动外，还在作定向运动外，还在fl的作用下漂移，结果使金属导电板内侧的作用下漂移，结果使金属导电板内侧面积累电子，而外侧面积累正电荷，从而形成了附加内电场面积累电子，而外侧面积累正电荷，从而形成了附加内电场EH，称霍尔电场称霍尔电场，该电场强度为，该电场强度为 bUEHH（7-10）式中式中,UH为电位差。为电位差。b为导体宽度为导体宽度 2022-11-19 23 霍尔电场的出现，使定向运动的
22、电子除了受洛伦兹力作用霍尔电场的出现，使定向运动的电子除了受洛伦兹力作用外，还受到外，还受到霍尔电场力的作用，其力的大小为霍尔电场力的作用，其力的大小为eEH，此力阻止电，此力阻止电荷继续积累荷继续积累。随着内、外侧面积累电荷的增加，霍尔电场增大，随着内、外侧面积累电荷的增加，霍尔电场增大，电子受到的霍尔电场力也增大，当电子所受洛伦磁力与霍尔电电子受到的霍尔电场力也增大，当电子所受洛伦磁力与霍尔电场作用力大小相等方向相反，即场作用力大小相等方向相反，即 eEH=eBv（7-11）时，则 EH=vB（7-12）此时电荷不再向两侧面积累，达到平衡状态。此时电荷不再向两侧面积累，达到平衡状态。202
23、2-11-19 24 若金属导电板单位体积内电子数为若金属导电板单位体积内电子数为n，电子定向运动平均速，电子定向运动平均速度为度为v，则激励电流，则激励电流I=nevbd，即，即 Ivn e b d （7-13）将式（将式（7-13）代入式（）代入式（7-12）得电场强度）得电场强度HI BEn e b d （7-14）将上式代入式（将上式代入式（7-10）得电位差）得电位差HI BUn e d（7-15）2022-11-19 25 令令RH=1/ne，称之为，称之为霍尔常数霍尔常数，其大小取决于导体载流子密，其大小取决于导体载流子密度度,则则 HHHRI BUKI Bd 式中式中,KH=R
24、H/d称为称为霍尔片的灵敏度霍尔片的灵敏度。2022-11-19 26 2.2.霍尔元件基本结构霍尔元件基本结构 由霍尔片、四根引线和壳体组成的，由霍尔片、四根引线和壳体组成的，如图。如图。霍尔片是一块霍尔片是一块矩形半导体单晶薄片，矩形半导体单晶薄片，引出四根引线：引出四根引线：1、1两根引线加激励两根引线加激励电压或电流，称激励电极（控制电极）；电压或电流，称激励电极（控制电极）；2、2引线为霍尔输出引线为霍尔输出引线，引线，称霍尔电极。称霍尔电极。霍尔元件的壳体是用非导磁金属、霍尔元件的壳体是用非导磁金属、陶瓷或陶瓷或环氧树脂封装的。环氧树脂封装的。电路中，电路中，霍尔元件一般可用两种符
25、号表示。霍尔元件一般可用两种符号表示。2022-11-19 27 3.3.霍尔元件基本特性霍尔元件基本特性 (1)额定激励电流和最大允许激励电流额定激励电流和最大允许激励电流 当霍尔元件自身温升当霍尔元件自身温升10时所流过的激励电流称为额定时所流过的激励电流称为额定激励电流。以元件允许最大温升为限制所对应的激励电流称激励电流。以元件允许最大温升为限制所对应的激励电流称为最大允许激励电流。因为最大允许激励电流。因霍尔电势随激励电流增加而线性增霍尔电势随激励电流增加而线性增加，所以使用中希望选用尽可能大的激励电流加，所以使用中希望选用尽可能大的激励电流，因而需要知，因而需要知道元件的最大允许激励
26、电流。改善霍尔元件的散热条件，可道元件的最大允许激励电流。改善霍尔元件的散热条件，可以使激励电流增加。以使激励电流增加。2022-11-19 28 (2）输入电阻和输出电阻输入电阻和输出电阻 激励电极间的电阻值称为输入电阻。霍尔电极输出电势激励电极间的电阻值称为输入电阻。霍尔电极输出电势对电路外部来说相当于一个电压源，其电源内阻即为输出电对电路外部来说相当于一个电压源，其电源内阻即为输出电阻。阻。以上电阻值是在磁感应强度为零，且环境温度在以上电阻值是在磁感应强度为零，且环境温度在205时确定。时确定。2022-11-19 29 (3）不等位电势和不等位电阻不等位电势和不等位电阻 当霍尔元件的激
27、励电流为当霍尔元件的激励电流为I时，若元件所处位置磁感应强时，若元件所处位置磁感应强度为零，度为零，则它的霍尔电势应该为零，但实际不为零。这时测则它的霍尔电势应该为零，但实际不为零。这时测得的得的空载霍尔电势称为不等位电势空载霍尔电势称为不等位电势。产生这一现象的原因有：产生这一现象的原因有：霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位面上；霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位面上；半导体材料不均匀造成了电阻率不均匀或是几何尺寸半导体材料不均匀造成了电阻率不均匀或是几何尺寸不均匀；不均匀；激励电极接触不良造成激励电流不均匀分布等。激励电极接触不良造成激励电流不均匀分布等。2022-11-19 30
28、不等位电势也可用不等位电势也可用不等位电阻不等位电阻表示，表示，即即 IUr00式中：式中：U0不等位电势；不等位电势；r0不等位电阻；不等位电阻；I激励电流。激励电流。可以看出，不等位电势就是激励电流流经不等位电阻可以看出，不等位电势就是激励电流流经不等位电阻r0所所产生的电压。产生的电压。2022-11-19 31 (4）寄生直流电势寄生直流电势 在在外加磁场为零、霍尔元件用交流激励时，霍尔电极输出外加磁场为零、霍尔元件用交流激励时，霍尔电极输出除了交流不等位电势外，还有一直流电势，称为寄生直流电除了交流不等位电势外，还有一直流电势，称为寄生直流电势。势。其产生的原因有：其产生的原因有：激
29、励电极与霍尔电极接触不良，形成非欧姆接触，激励电极与霍尔电极接触不良，形成非欧姆接触，造造成整流效果；成整流效果；两个霍尔电极大小不对称，则两个电极点的热容不同，两个霍尔电极大小不对称，则两个电极点的热容不同，散热状态不同而形成极间温差电势。散热状态不同而形成极间温差电势。寄生直流电势一般在寄生直流电势一般在1mV以下，它是影响霍尔片温漂的以下，它是影响霍尔片温漂的原因之一。原因之一。2022-11-19 32 (5）霍尔电势温度系数霍尔电势温度系数 在一定磁感应强度和激励电流下，温度每变化在一定磁感应强度和激励电流下，温度每变化1时，时，霍尔电势变化的百分率称为霍尔电势温度系数。它同时也霍尔
30、电势变化的百分率称为霍尔电势温度系数。它同时也是霍尔系数的温度系数。是霍尔系数的温度系数。2022-11-19 33 4.霍尔元件不等位电势补偿霍尔元件不等位电势补偿 不等位电势与霍尔电势具有相同的数量级，有时甚至超不等位电势与霍尔电势具有相同的数量级，有时甚至超过霍尔电势，过霍尔电势，而实用中要消除不等位电势是极其困难的，因而实用中要消除不等位电势是极其困难的，因而必须采用补偿的方法。分析不等位电势时，可以而必须采用补偿的方法。分析不等位电势时，可以把霍尔元把霍尔元件等效为一个电桥件等效为一个电桥，用分析电桥平衡来补偿不等位电势。用分析电桥平衡来补偿不等位电势。2022-11-19 34 图
31、为霍尔元件的等效电路，其中图为霍尔元件的等效电路，其中A、B为霍尔电极，为霍尔电极，C、D为激励电极，电极分布电阻分别用为激励电极，电极分布电阻分别用r1、r2、r3、r4表示，把它们表示，把它们看作电桥的四个桥臂。看作电桥的四个桥臂。Cr1r3r2r4DAB2022-11-19 35 理想情况下，电极理想情况下，电极A、B处于同一等位面上，处于同一等位面上，r1=r2=r3=r4，电桥平衡，不等位电势电桥平衡，不等位电势U0为为0。实际上，由于实际上，由于A、B电极不在同一等位面上，此四个电阻阻值电极不在同一等位面上，此四个电阻阻值不相等，电桥不平衡，不等位电势不等于零。不相等，电桥不平衡，
32、不等位电势不等于零。此时可根据此时可根据A、B两点电位的高低，判断应在某一桥臂上并联一定的电阻，使两点电位的高低，判断应在某一桥臂上并联一定的电阻，使电桥达到平衡，电桥达到平衡，从而使不等位电势为零。从而使不等位电势为零。2022-11-19 36图图7-13 不等位电势补偿电路不等位电势补偿电路 几种补偿线路如图几种补偿线路如图7-13所示。图（所示。图（a）、）、（b）为常见的补偿）为常见的补偿电路，电路，图（图（b）、（）、（c）相当于在等效电桥的两个桥臂上同时）相当于在等效电桥的两个桥臂上同时并联电阻，并联电阻，图（图（d）用于交流供电的情况。）用于交流供电的情况。2022-11-19
33、 37 5.霍尔元件温度补偿霍尔元件温度补偿 霍尔元件是采用半导体材料制成的，因此它们的许多参数霍尔元件是采用半导体材料制成的，因此它们的许多参数都具有较大的温度系数。当温度变化时，霍尔元件的载流子浓都具有较大的温度系数。当温度变化时，霍尔元件的载流子浓度、度、迁移率、电阻率及霍尔系数都将发生变化，从而使霍尔元迁移率、电阻率及霍尔系数都将发生变化，从而使霍尔元件产生温度误差。件产生温度误差。为了减小霍尔元件的温度误差，为了减小霍尔元件的温度误差，除选用温度系数小的元件除选用温度系数小的元件或采用恒温措施外，由或采用恒温措施外，由UH=KHIB可看出：采用恒流源供电是个可看出：采用恒流源供电是个
34、有效措施，可以使霍尔电势稳定。但也只能是减小由于输入电有效措施，可以使霍尔电势稳定。但也只能是减小由于输入电阻随温度变化所引起的激励电流阻随温度变化所引起的激励电流I的变化的影响。的变化的影响。2022-11-19 38 霍尔元件的灵敏系数霍尔元件的灵敏系数KH也是温度的函数，它随温度变化将也是温度的函数，它随温度变化将引起霍尔电势的变化。霍尔元件的灵敏度系数与温度的关系可引起霍尔电势的变化。霍尔元件的灵敏度系数与温度的关系可写成写成 KH=KH0(1+T)（7-20）式中：式中：KH0温度温度T0时的时的KH值；值；T=T-T0温度变化量；温度变化量；霍尔电势温度系数。霍尔电势温度系数。20
35、22-11-19 39 大多数霍尔元件的温度系数大多数霍尔元件的温度系数是正是正值，它们的霍尔电势随温度升高而增加值，它们的霍尔电势随温度升高而增加T倍。倍。但如果同时让激励电流但如果同时让激励电流Is相应地相应地减小，减小，并能保持并能保持KH Is 乘积不变，也就乘积不变，也就抵消了灵敏系数抵消了灵敏系数KH增加的影响。增加的影响。图图7-14就是按此思路设计的一个既简单，就是按此思路设计的一个既简单，补偿效果又较好的补偿电路。电路中补偿效果又较好的补偿电路。电路中Is为为恒流源，分流电阻恒流源，分流电阻Rp与霍尔元件的激励与霍尔元件的激励电极相并联。电极相并联。当霍尔元件的输入电阻随当霍
36、尔元件的输入电阻随温度升高而增加时，旁路分流电阻温度升高而增加时，旁路分流电阻Rp自自动地增大分流，动地增大分流，减小了霍尔元件的激励减小了霍尔元件的激励电流电流IH，从而达到补偿的目的。，从而达到补偿的目的。图图7-14 恒流温度补偿电路恒流温度补偿电路 IsIpRpIHUH2022-11-19 40 7.2.2 7.2.2 霍尔传感器的应用霍尔传感器的应用 1.霍尔式微位移传感器霍尔式微位移传感器 霍尔元件具有结构简单、体积小、动态特性好和寿命长的霍尔元件具有结构简单、体积小、动态特性好和寿命长的优点，它不仅用于磁感应强度、有功功率及电能参数的测量，优点，它不仅用于磁感应强度、有功功率及电
37、能参数的测量，也在位移测量中得到广泛应用。也在位移测量中得到广泛应用。2022-11-19 41图7-15 霍尔式位移传感器的工作原理图(a)磁场强度相同传感器；(b)简单的位移传感器；(c)结构相同的位移传感器 霍尔元件SNNSxxx霍尔元件NSx霍尔元件NSNSxxx(a)(b)(c)2022-11-19 42 2.2.霍尔式转速传感器霍尔式转速传感器 图图7-16是几种不同结构的霍尔式转速传感器。转盘的是几种不同结构的霍尔式转速传感器。转盘的输入轴与被测转轴相连，当被测转轴转动时，转盘随之转输入轴与被测转轴相连，当被测转轴转动时，转盘随之转动，固定在转盘附近的霍尔传感器便可在每一个小磁铁
38、通动，固定在转盘附近的霍尔传感器便可在每一个小磁铁通过时产生一个相应的脉冲，检测出单位时间的脉冲数，便过时产生一个相应的脉冲，检测出单位时间的脉冲数，便可知被测转速。根据磁性转盘上小磁铁数目多少就可确定可知被测转速。根据磁性转盘上小磁铁数目多少就可确定传感器测量转速的分辨率。传感器测量转速的分辨率。2022-11-19 43图图7-16 几种霍尔式转速传感器的结构几种霍尔式转速传感器的结构2022-11-19 44 3.3.霍尔计数装置霍尔计数装置 霍尔集成元件是将霍尔元件和放大器等集成在一块芯片上。霍尔集成元件是将霍尔元件和放大器等集成在一块芯片上。它它由霍尔元件、由霍尔元件、放大器、电压调
39、整电路、电流放大输出电路、放大器、电压调整电路、电流放大输出电路、失调调失调调整及线性度调整电路等几部分组成，有三端整及线性度调整电路等几部分组成，有三端T形单端输出和八脚双列形单端输出和八脚双列直插型双端输出两种结构。它的特点是输出电压在一定范围内与磁直插型双端输出两种结构。它的特点是输出电压在一定范围内与磁感应强度成线性关系。霍尔开关传感器感应强度成线性关系。霍尔开关传感器SL3501具有较高灵敏度的集具有较高灵敏度的集成霍尔元件，能感受到很小的磁场变化，成霍尔元件，能感受到很小的磁场变化，因而可对黑色金属零件进因而可对黑色金属零件进行计数检测。图行计数检测。图7-17是对钢球进行计数的工
40、作示意图和电路图。当是对钢球进行计数的工作示意图和电路图。当钢球通过霍尔开关传感器时，传感器可输出峰值钢球通过霍尔开关传感器时，传感器可输出峰值 20 mV的脉冲电压，的脉冲电压，该电压经运算放大器该电压经运算放大器(A741)放大后，放大后，驱动半导体三极管驱动半导体三极管V(2N5812)工作，工作，V输出端便可接计数器进行计数，并由显示器显示检测数输出端便可接计数器进行计数，并由显示器显示检测数值。值。2022-11-19 45钢球绝缘板NS磁铁霍尔开关传感器(a)AA74112 VSL3051SR110 k22 C1R31 kR4470 kR5470 kVcc计数器V2N5812R211 k(b)图图7-17 霍尔计数装置的工作示意图及电路图霍尔计数装置的工作示意图及电路图2022-11-19 46
