半导体制程设备课件.ppt

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1、第三章第三章 氣體吸附與釋出氣體吸附與釋出Outlinel材料表面氣體吸附l釋氣對真空影響l釋氣種類材料表面氣體吸附定義定義dPVSPdt0()()SP tPVtV:容器體積 P:系統壓力系統理想抽氣等式系統理想抽氣等式考慮系統釋氣速率考慮系統釋氣速率dPQVSPdt單位時間,表面是放置真空的氣體分子幫浦抽走分子數系統分子數變化率影響釋氣的因子影響釋氣的因子 漏氣 蒸發 表面釋氣 擴散 幫浦回流氣體:滲透氣體分子在固體的吸附氣體分子在固體的吸附 吸附與脫附 物理吸附:分子間的凡得瓦力 化學吸附:電子之轉移,形成化學鍵結DcAEHE物理與化學吸附熱物理與化學吸附熱吸附平衡吸附平衡ddNNdtt1

2、PPb多層吸附平衡多層吸附平衡加熱過程導致的釋氣加熱過程導致的釋氣表面脫附擴散作用滲透()q tt釋氣的測量法釋氣的測量法12()QCPPdPQVSPdt流量法氣壓增建法0()()QP ttPV釋氣的測量法釋氣的測量法離子激發釋氣離子激發釋氣電子激發釋氣電子激發釋氣MGR:高能電子撞擊材料表面,吸附材料表面之複合體,進行電子躍遷,電子由基態躍遷至較高能量之反鍵結態,進而引發氣體脫附KF:材料芯層電子受激發而造成多重電洞最終態而產生歐傑衰變光子激發釋氣光子激發釋氣光子激發釋氣光子激發釋氣烘烤烘烤表面粗糙度表面粗糙度氣體溶解、擴散與滲透氣體溶解、擴散與滲透1jCSPdCQDdx 滲透:由於氣體分子在材料壁的兩端具有濃度差,使得濃度高的一端會有吸附溶解擴散放出的過程。此種過程影響系統最終壓力。表面的解離與擴散:212d CdCDd xdtFicks 1st lawFicks 2nd law

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