1、1第2章 射频元器件及电路模型教学教学重点重点本章重点介绍了电感器、电容器、电阻器等无源集总元件本章重点介绍了电感器、电容器、电阻器等无源集总元件的物理结构、射频特性及等效电路模型；射频二极管、双的物理结构、射频特性及等效电路模型；射频二极管、双极型晶体管、场效应晶体管的等效电路模型、模型与应用极型晶体管、场效应晶体管的等效电路模型、模型与应用；并对比分析了双极型和场效应两类晶体管的频率、功率；并对比分析了双极型和场效应两类晶体管的频率、功率和噪声性能。和噪声性能。教学教学重点重点教学教学重点重点掌握：双极型晶体管、场效应晶体管的物理结构、射频特掌握：双极型晶体管、场效应晶体管的物理结构、射频
2、特 性等效电路模型。性等效电路模型。了解：电感器、电容器、电阻器等无源集总元件的物理结了解：电感器、电容器、电阻器等无源集总元件的物理结 构、射频特性及等效电路模型。构、射频特性及等效电路模型。熟悉：各类射频二极管的等效电路模型、功能与应用。熟悉：各类射频二极管的等效电路模型、功能与应用。能力能力要求要求2本章目录v第一节 无源集总元件v第二节 射频二极管v第三节 双极型晶体管v第四节 场效应晶体管v第五节 双极型器件和场效应器件的比较3知识结构射射频频元元器器件件及及电电路路模模型型双极型器件和场双极型器件和场效应器件的比较效应器件的比较双极型器件和场效应器件的功率与线性度性能双极型器件和场
3、效应器件的功率与线性度性能无源集总元件无源集总元件射频二极管射频二极管双极型晶体管双极型晶体管场效应晶体管场效应晶体管无源元件的射频特性无源元件的射频特性异质结双极型晶体管异质结双极型晶体管电阻器电阻器电感器电感器电容器电容器肖特基二极管肖特基二极管PIN二极管二极管变容二极管变容二极管IMPATT二极管二极管耿氏二极管耿氏二极管其它二极管其它二极管MESFET工作特性工作特性高电子迁移率晶体管高电子迁移率晶体管PHEMT技术技术金属氧化物场效应管金属氧化物场效应管CMOS技术技术BiCMOS技术技术双极型晶体管工作特性双极型晶体管工作特性双极型器件和场效应器件的双极型器件和场效应器件的ft和
4、和fmax双极型器件和场效应器件的噪声性能双极型器件和场效应器件的噪声性能42.1 无源集总元件 2.1.1 电阻器1、MMIC中的电阻器 单片射频/微波集成电路中，电阻器主要通过在半导体基片的掺杂区域沉积一层阻性材料如NiCr、TaN金属膜或多层多晶硅等进行生产，其结构及RF等效电路如下图所示：电阻器的结构图电阻器的结构图电阻器的简化电阻器的简化RF等效电路等效电路52.1 无源集总元件2、HMIC中的电阻器 混合集成电路中，常见的电阻器有线绕电阻、碳质电阻、金属膜电阻和薄膜片状电阻等类型。其中，由于薄膜片状电阻具有体积小、可以作为贴片器件等优点，使得它广泛应用于现今的RF和MW电路中。贴片
5、电阻的结构示意图贴片电阻的结构示意图表贴电阻器的等效电阻表贴电阻器的等效电阻62.1 无源集总元件2.1.2 电容器 电容器是射频/微波电路设计必备的元器件，广泛应用于隔直、匹配、耦合、旁路、滤波、调谐等电路。1、MMIC中的电容器（1）金属-绝缘层-金属（MIM)电容器 通常在两个金属板间填充一层电介质材料夹层便可形成金属-绝缘层-金属电容器。金属金属-绝缘层绝缘层-金属电容器的结构图金属电容器的结构图电容器的集总元件式等效电路电容器的集总元件式等效电路72.1 无源集总元件（2）交指型电容器 交指型电容器由一组平行的交错排列的薄导带构成。交指型电容器的电容量随着交指长度呈近似线性关系。其结
6、构如下图所示：图图2.7 结构版式布局结构版式布局图图2.8 电容器与交指长度的函数关系电容器与交指长度的函数关系82.1 无源集总元件2、HMIC中的电容器 在混合集成电路中，片状电容得到了广泛的应用。陶瓷电容是一种常见的贴片电容器，它由其间交叠着的若干金属电极矩形陶瓷介质和金属接触片组成，其结构如下图所示：陶瓷电容器的结构陶瓷电容器的结构92.1 无源集总元件2.1.3 电感器 电感器在射频/微波电路设计中常用于偏置、反馈和匹配等电路，是一种重要的元器件。1、MMIC中的电感器 在单片微波集成电路中，最常见的是螺旋电感器，它具有结构紧凑、面积相对较小、电感量较大、自谐振频率高、品质因素高等
7、特点。图图2.10 螺旋电感器示意图螺旋电感器示意图图图2.11 螺旋电感器的螺旋电感器的RF等效电路等效电路102.1 无源集总元件2、HMIC中的电感器 在混合集成电路设计中，电感器常用于晶体管的偏置电路。最常用的电感器是用漆包线在圆柱体上绕制而成。考虑线绕电感器的寄生参数效应，线圈的导线不是理想的，需要考虑其损耗，并且相邻绕线间存在的分离移动电荷会产生寄生电容效应。图图2.12 电感器一种简化等效电路电感器一种简化等效电路图图2.13 空心螺旋管电感器空心螺旋管电感器112.1 无源集总元件2.1.4 无源元件的射频特性 电阻、电容和电感是最为常见的三种无源元件，广泛应用于射频/微波电路
8、设计中。在频率较低的情况下，这些元件可近似为理想元件，而在射频/微波频段，必须考虑这些元件的寄生参数效应。500欧金属膜电阻的阻抗绝对值随频率的变化关系欧金属膜电阻的阻抗绝对值随频率的变化关系122.1 无源集总元件 47pF电容的阻抗绝对值与频率的关系电容的阻抗绝对值与频率的关系RFC阻抗绝对值随频率的变化关系阻抗绝对值随频率的变化关系132.2 射频二极管2.2.1 肖特基二极管 肖特基二极管是以贵金属为正极，以N型半导体为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。Si基肖特基二极管的截面图基肖特基二极管的截面图电流-电压特性方程为：反向饱和电流为：AS-s(1
9、)VIRII e*2bS(exp)qVIA R TkT142.2 射频二极管附加有绝缘环的肖特基二极管附加有绝缘环的肖特基二极管典型肖特基二极管的电路模型典型肖特基二极管的电路模型152.2 射频二极管2.2.2 PIN二极管 PIN二极管的I-V特性的数学表达与电流的大小和方向有关。对轻掺杂N型本征层在PIN二极管两端的电压为正向电压时，流过PIN二极管的电流为：经台面处理技术加工成的经台面处理技术加工成的PIN二极管结构二极管结构 PIN二极管的简化结构二极管的简化结构AT2/(2)iD P()(1)VVqn WIAeN162.2 射频二极管 PIN二极管在衰减器电路中既用于串联又用于并联
10、的情况PIN二极管工作时需DC回路提供偏置电压，而DC回路必须与射频信号通路分开，因此可用一射频线圈RFC，RFC在DC电路中短路而在高频下开路。与此相反，电容在DC电路中开路而在高频下短路。串联设置下偏置串联设置下偏置PIN二极管的衰减器电路二极管的衰减器电路并联设置下的偏置二极管的衰减器电路并联设置下的偏置二极管的衰减器电路172.2 射频二极管2.2.3 变容二极管 变容二极管是利用PN结电容与其反向偏置电压依赖关系及原理制成的二极管。它是一种非线性元件，它通常用做可变电抗电路元件，主要产生三种基本不同的电路功能：谐波产生、微波信号调谐和调制、参量放大和上变频。变容二极管的简化电路模型及
11、其电容特性变容二极管的简化电路模型及其电容特性182.2 射频二极管2.2.4 IMPATT二极管 IMPATT是仅有的实用固态器件，其典型的工作频率为10-300GHz，且具有比较高的功率，其效率可达15%。IMPATT二极管的特性二极管的特性IMPATT二极管的电路表示二极管的电路表示192.2 射频二极管2.2.5 耿氏二极管 耿氏二极管广泛用于低成本的电路中，这种二极管具有转移电子效应。耿氏二极管能产生几百毫瓦的连续波功率，频率从1GHz到100GHz,效率从5%到15%。2.2.6 其他二极管（1）TRAPATT二极管中位于能带隙内的能级具有俘获电子的能力，利用这种势阱可获得更高的效
12、率，直到75%。（2）BARRITT二极管主要应用在雷达的混频器和检波电路中。它本质上是一个渡越二极管，其二极管的效率较低，只有5%或更小。202.3 双极型晶体管2.3.1 双极型晶体管工作特性 双极型晶体管是一个具有基极、发射极和集电极三端钮的器件，其结构如下图所示。其中的基极、发射极和集电极区域构成一个NPN（或者PNP）半导体，器件含有两个背靠背的PN结。双极型晶体管的结构图双极型晶体管的结构图双极型晶体管的横截面结构图双极型晶体管的横截面结构图212.3 双极型晶体管1、直流工作特性 在直流偏压条件下，双极型晶体管可用作放大器。根据需要的不同，可对双极型晶体管进行不同的配置。共基双极
13、型晶体管放大器共基双极型晶体管放大器双极型晶体管的共发射极配置双极型晶体管的共发射极配置 在绝大多数半导体材料中，电子的迁移率远高于空穴的迁移率，而在实际应用中，通常需要获得高水平的电流增益，因此NPN双极型器件是首选。222.3 双极型晶体管 要获得高的电流增益，可通过增大电子迁移率、最大化发射极中的掺杂物浓度、最小化基极中的掺杂物浓度或减小基极宽度。在硅材料中，能量带隙减小量如式（1）所示，能量带隙减小将导致注入到发射极的空穴浓度增加。因此，能量带隙变窄按式（2）所述的指数规律降低。（1）（2）1222dgssB316q NqEk TgB-ndeepabEk TD N xeD N W232
14、.3 双极型晶体管 双极型晶体管共基极配置的特性双极型晶体管共基极配置的特性双极型晶体管共发射极配置的特性双极型晶体管共发射极配置的特性2.RF工作特性双极型晶体管的简化集总元件式等效电路双极型晶体管的简化集总元件式等效电路242.3 双极型晶体管 上图所示的集总元件式等效电路表示的双极型器件，其MAG（最大可用增益，即为一个器件输入和输出二端口都满足最佳匹配条件时的前向功率增益）为：最高工作频率fmax是MAG降低到单位1时的频率，其表达式为：因此，要得到较大的fmax,器件必须满足ft高、电容小和基极电阻小的特点。反之，要求器件的垂直结构具有基极掺杂浓度高、基极宽度小和电流增益大的特点。T
15、2c b8ffMAGC r12Tmaxc b8ffC r252.3 双极型晶体管3.噪声系数分析双极型晶体管的最小噪声系数为：2boptmin2e0b1(1)rRfFrf其中：2221/2ebeoptbopt20b(2)(1)rrrfRrXf 22TE eopt20b2(1)fCrfXf 220220bb1(1)(1)ffaff262.3 双极型晶体管2.3.2 异质结双极型晶体管（HBT）异质结双极型晶体管（HBT）的制造采用发射极比基极有更宽禁带的半导体，因而发射极比基极有更宽的能量带隙。绝大多数HBT结构是通过诸如CVD或者MBE等晶体外延生长技术实现的，下图是这类器件的能带图。异质结双
16、极型晶体管的能带结构图异质结双极型晶体管的能带结构图bgcvEEE 这些能量带隙不连续，它们在价带和导带之间分离开。共发射极电流增益：gBndeePabEk TD N xeD N W272.4 场效应晶体管2.4.1 MESFET工作特性 MESFET由外延生长在一块半绝缘衬底上的优质半导体高导电层组成，其横截面结构如下图所示。这种晶体管含有两个欧姆接触极（源极和漏极），第三个电极（栅极）由放在这两个欧姆接触之间的一个整流（肖特基）基础构成。MESFET器件的横截面结构图器件的横截面结构图282.4 场效应晶体管1.MESFET的直流工作特性mgDSVGSVDSImg FET的增益机构都包含在
17、了跨导 之中，在给定漏极电压下，栅极电压 对沟道电流 的调制即为FET的跨导 ，它包含了FET的所有增益，其表达式为：DSDSmGSVIgV常量MESFET示意图示意图MESFET的输出特性的输出特性292.4 场效应晶体管2.MESFET的射频工作特性 在电路设计中，设计师所关心的是从RF测量值所推演出的MESFET的等效电路。集总元件式集总元件式MESFET的横截面结构图的横截面结构图302.4 场效应晶体管2TsisTgdgisds442ffMAGRRRf CRRRRTmax12gisTggdds22ffRRRf R CR最大可用增益：最大振荡频率：MESFET的集总元件式等效电路的集总
18、元件式等效电路312.4 场效应晶体管3.噪声系数分析 下图是GaAs MESFET的噪声等效电路，它可用来计算GaAs MESFET的噪声系数性能。最小噪声系数：GaAs MESFET的噪声等效电路的噪声等效电路22minmiTT2(1)2(1)()1fPfFPRCg PRCfRf其中：2nd0m4ikTfg P1dsm()PR g22gs2ng0m4W C RikTfg*ndnd22ngndi giCi gi322.4 场效应晶体管2.4.2 高电子迁移率晶体管 高电子迁移率晶体管（HEMT）具有很高的频率特性和很低的噪声性能，这主要是因为其产生的二维电子气（2DEG）有很高的迁移率。这种
19、器件能用于微波和毫米波功率应用中，且在高于X波段时其性能要优于MESFET。AlGaAs/GaAs HEMT的横截面结构及其导带外形结构的横截面结构及其导带外形结构 332.4 场效应晶体管1.HEMT的直流工作特性 HEMT的输出特性与GaAs MESFET的输出特性非常相似，如图所示其输出特性可分为线性区域和饱和区域两部分。HEMT的输出特性的输出特性 在线性区域内：DSDS2DVIq n Ws在饱和区域内：DS2D effIqnv W342.4 场效应晶体管2.HEMT模型DSI右图是等效电路元件值与栅极-源电压函数关系图，其中 为沟道电流，从图中可看出它及沟道2DEG密度在正向偏置的作
20、用下从夹断点变化到最大值。HEMT的函数关系的函数关系3.HEMT的噪声特性HEMT具有优秀的噪声特性和晶体管中最低的噪声系数。几种几种HEMT器件在特定频率下的噪声系数值器件在特定频率下的噪声系数值 352.4 场效应晶体管2.4.3 PHEMT模型 “赝同晶”（PHEMT）：器件的沟道由铟浓度在20-30之内的InGaAs构成，如下图所示。这样一来，沟道的晶格常数比GaAs基片、缓冲层、帽层、AlGaAs施主材料层和隔离层的晶格常数都大，从而形成了一个具有应变的沟道。生长在生长在GaAs 基片上的基片上的GaAs PHEMT的横截面结构图及其导带图的横截面结构图及其导带图 362.4 场效
21、应晶体管2.4.4 金属氧化物场效应管（MOSFET）1.MOS晶体管基本结构下图给出了一个典型的N沟道MOS晶体管（NMOS）具有代表性的结构示意图。图中，在轻度掺杂的P型衬底上方，形成出重度掺杂的N型源极和漏极区。在该区域上方，源极、漏极和一种导电物质三者之间生长出一层很薄的二氧化硅薄膜层，多数情况下是由多晶硅沉积而成，而导电物质则用来产生该晶体管的栅极。典型典型NMOS晶体管结构的横截面示意图晶体管结构的横截面示意图 372.4 场效应晶体管2.MOS晶体管的直流工作特性 MOSFET的直流工作特性与MESFET相类似。下图给出了NMOS晶体管的输出特性曲线。需要注意，在三极管区中晶体管
22、的功能类似于一个受电压控制的可变电阻。而在饱和区中，它的作用又相当于一个受电压控制的电流源（这时忽略了沟道长度效应的影响）。NMOS晶体管输出特性晶体管输出特性382.4 场效应晶体管3.MOS晶体管的频率特性TfTf MOS晶体管的频率特性通常由其特征频率 来规定。对于MOS晶体管，的定义为简化放大电路中共源电流增益降到单位值时的频率。当mTgsgbgd=+gCCC 时，mTTgsgbgd1122gfCCC假设器件固有电容 ，当 时：gs()gbgdCCCDS1VmGSTDS()2WWgkVVkILL，在饱和区或放大区有：gsox23CWLC从而可得：nTGST21.5()2fVVLNMOS
23、晶体的电路图晶体的电路图392.4 场效应晶体管4.MOSFET噪声分析（1）漏极电流噪声 FET（结型和MOS）在本质上是电压控制的电阻，因此它们都会产生热噪声，特别是在三极管（线性）工作区。FET漏极电流噪声的表达式：2ndd04iKTrgf（2）栅噪声感应的栅噪声感应的栅噪声栅噪声：2ngg4iKT gf参数22gsgd05Cgg402.4 场效应晶体管2.4.5 CMOS技术 CMOS技术（互补MOS技术）是采用两种极性的MOS晶体管。NMOS晶体管直接在P型衬底上实现，而PMOS晶体管制造在专门制作的称为N阱的N区内。这两种器件之间通过一层厚的氧化物区域互相隔离。CMOS集成电路的截
24、面集成电路的截面412.4 场效应晶体管2.4.6 BiCMOS技术三种不同的三种不同的BiCMOS横截面图横截面图 BiCMOS技术在同一个称衬底上结合了CMOS晶体管和双极型（BJT）晶体管，从而兼具了两种技术的优点。CMOS晶体管的优点是功耗低，而且具有较高的数字IC密度。双极型晶体管具有传送大驱动电流的能力，并且能够迅速传递大负载。422.5 双极型器件和场效应器件的比较Tfmaxf2.5.1 双极型器件和场效应器件的 和Tfmaxf 各种晶体管技术的各种晶体管技术的 和和 比较比较 族中的InP基HBT和短栅长度的HEMT工艺提供了最高工作频率的射频有源器件，但HEMT技术的特征尺寸
25、要求同时也影响了工艺成本和成品率。短栅极长HEMT工艺的产量低，很难实现大批量的、低成本的元器件，但使用双极型技术能很好地生产此类元器件。432.5 双极型器件和场效应器件的比较2.5.2 双极型和场效应器件的噪声性能双极型晶体管和场效应晶体管技术的噪声性能比较双极型晶体管和场效应晶体管技术的噪声性能比较 1/f 从表中可看出，低频段双极型器件的 噪声性能明显优于其它器件。而在高频段，由于器件较低的内电阻和具有小电容量、低电阻量、短栅长的T栅极技术使得HEMT器件具有最佳的噪声性能。442.5 双极型器件和场效应器件的比较2.5.3 双极型器件和场效应器件的功率和线性度性能 功率处理能力和线性
26、度性能在功率放大器设计中是非常重要的性能指标。一个器件的功率处理容量由晶体管能承载的最大和最小的电压和电流值决定。在工作电压一定的条件下，双极型器件中的峰值电场强度低于场效应器件中的峰值电场强度，而击穿电压受器件中峰值电场强度控制。因此，双极型器件的击穿电压通常较高，因而双极型器件在高功率的应用中受到更多的关注。但是在HEMT中，可以通过使用双栅极凹槽区工艺在源极-漏极之间不对称地放置栅极等措施来提高击穿电压，这两种方法联合降低了在栅极的漏极端处的峰值电场强度。45本章小结 本章首先介绍无源集总元件的物理结构、射频特性及等效电路模型。其次在介绍半导体的物理特性、PN结和金属-半导体结的成形机理及单向导通性能的基础上，分别介绍了各种射频二极管、双极型晶体管和场效应晶体管的结构、工作特性等。最后对比分析了双极型和场效应型两类晶体管的性能。在本章中，综述了射频微波电路中的各种有源和无源器件技术，比较了这些技术提供的增益、噪声、功率处理容量和线性度等关键RF性能参数。从中发现对于关键的RF性能指标时，单一技术已不能提供最佳的总体性能。因此，必须根据所需要的性能指标、成本、成品率和可靠性来综合考虑所需要的技术。
