1、Exp#3 基于基于Cadence的电路版图绘的电路版图绘制及验证制及验证 中国科学技术大学软件学院中国科学技术大学软件学院中国科学技术大学软件学院中国科学技术大学软件学院Contents版图设计流程与工艺1CMOS反相器版图设计2CMOS反相器后端仿真验证3中国科学技术大学软件学院中国科学技术大学软件学院 芯片设计流程电路设计电路设计 前端仿真前端仿真 版图设计版图设计后端仿真后端仿真 其它其它中国科学技术大学软件学院中国科学技术大学软件学院版图设计v完成集成电路加工所需的各个掩模版上的图形完成集成电路加工所需的各个掩模版上的图形 中国科学技术大学软件学院中国科学技术大学软件学院设计规则：设
2、计者和工艺工程师之间的接口中国科学技术大学软件学院中国科学技术大学软件学院基于Cadence的版图设计v工具：Virtuoso Layout Editorv设计规则检查 DRCv版图原理图一致性检查LVS 从版图中提取电路网表，然后将这个网表同电路原理图进行比较v版图寄生参数提取LPE 提取出包含寄生参数的spice网表，用于带有寄生参数的后仿真中国科学技术大学软件学院中国科学技术大学软件学院CSMC双硅三铝混合信号工艺v TB：tub，n阱，作为pmos器件衬底v TO：Thin Oxide，有源区，作为mos的源漏区v GT：gate，多晶硅1，作为mos栅极v SP：P注入区v SN：N
3、注入区v W1：接触孔，金属1到多晶硅和有源区的接触孔v A1：铝1，第一层金属v W2：通孔1，金属1和金属2的接触孔v A2：铝2，第二层金属v W3：通孔2，金属2和金属3的接触孔v CP：bond pad，pad开孔v IM：第二层多晶硅电阻阻挡层v PC：poly Cap，用作多晶硅电容上极板和多晶硅电阻的第二层多晶硅v PT：p tub，p阱，作为nmos器件衬底中国科学技术大学软件学院中国科学技术大学软件学院CSMC05MS工艺库文件中国科学技术大学软件学院中国科学技术大学软件学院CMOS反相器版图设计与验证中国科学技术大学软件学院中国科学技术大学软件学院中国科学技术大学软件学院
4、中国科学技术大学软件学院版图绘制中国科学技术大学软件学院中国科学技术大学软件学院设计规则验证DRC中国科学技术大学软件学院中国科学技术大学软件学院指定输入输出文件中国科学技术大学软件学院中国科学技术大学软件学院查看DRC结果并调整Layout中国科学技术大学软件学院中国科学技术大学软件学院一致性验证LVSDRCProject下创建DRC、LVS、PEX用于版图设计不同环节，文件归类存储中国科学技术大学软件学院中国科学技术大学软件学院一致性比对文件指定中国科学技术大学软件学院中国科学技术大学软件学院等待并查看LVS验证结果Net描述中国科学技术大学软件学院中国科学技术大学软件学院参数提取PEX中
5、国科学技术大学软件学院中国科学技术大学软件学院指定输出文件格式中国科学技术大学软件学院中国科学技术大学软件学院Map与输出布局设定中国科学技术大学软件学院中国科学技术大学软件学院指定提取参数与原理图中模型映射关系中国科学技术大学软件学院中国科学技术大学软件学院生成后仿电路config图源文件源文件目标文件目标文件中国科学技术大学软件学院中国科学技术大学软件学院(1)指定新文件类型中国科学技术大学软件学院中国科学技术大学软件学院(2)获取源文件中国科学技术大学软件学院中国科学技术大学软件学院(3)生成config图中国科学技术大学软件学院中国科学技术大学软件学院运行后端仿真中国科学技术大学软件学院中国科学技术大学软件学院实验报告v完成完成CMOS版图设计，版图设计，DRC检查无误检查无误v完成完成LVS检查，获得正确结果检查，获得正确结果v完成完成PEX，生成寄生参数图，生成寄生参数图v完成后仿电路中完成后仿电路中CMOS反相器的反相器的DC、Trans仿仿真，记录结果，并与实验一比对，提交至教辅系真，记录结果，并与实验一比对，提交至教辅系统，截止时间统，截止时间 4月月15日日 24:
