1、半导体中的氢(崔树范著)演讲人202x-11-1101.02.03.04.目录前言第一篇半导体中氢的鉴别及氢致缺陷第二篇半导体中氢的基本性质第三篇半导体中氢的重要效应及相关应用前言01前言 第一篇半导体中氢的鉴别及氢致缺陷02第一篇半导体中氢的鉴别及氢致缺陷第1章氢气区溶硅单晶中硅氢键的红外吸收光谱1.3氢气区溶硅单晶红外吸收谱的鉴别031.42210cm-1和1949（1946）cm-1峰的微观模型041.1fzcsi：h样品红外吸收谱的首次实验测定011.2fzcsi：h红外吸收谱全谱段的测量02第2章氢气区溶硅单晶中的氢致缺陷 012.1氢致“雪花”缺陷032.3.1硅晶格中sih键单元
2、的轨道2.3.2sih振动与红外辐射之间的耦合2.3.3硅中氢的某些电子性质及与实验比较2.3.2SiH振动与红外辐射之间的耦合2.3.3硅中氢的某些电子性质及与实验比较2.3硅中氢的电子结构的分子轨道方法处理02 2.2硅单晶中氢致缺陷的形成机制第3章硅单晶中氢沉淀物的x射线衍射动力学理论和实验研究3.1硅中氢沉淀物的x射线截面形貌3.2硅中球状应变中心的衍射动力学理论模拟3.3衍射图的形态与缺陷的关系3.4与实验的比较3.5关于晶体中球状应变中心形貌理论模拟的经验与结论3.2硅中球状应变中心的衍射动力学理论模拟3.3衍射图的形态与缺陷的关系3.4与实验的比较3.5关于晶体中球状应变中心形貌
3、理论模拟的经验与结论3.1硅中氢沉淀物的x射线截面形貌第3章硅单晶中氢沉淀物的x射线衍射动力学理论和实验研究u 3.1.1中等温度热处理的氢气区溶硅单晶的x射线截面形貌3.1.2球状应变中心x射线形貌衬度的特征u 3.1.2球状应变中心X射线形貌衬度的特征3.2硅中球状应变中心的衍射动力学理论模拟第3章硅单晶中氢沉淀物的x射线衍射动力学理论和实验研究u 3.2.1球状应变中心的应变场的模型u 3.2.2拍摄氢沉淀物截面形貌图像的衍射几何3.3衍射图的形态与缺陷的关系第3章硅单晶中氢沉淀物的x射线衍射动力学理论和实验研究u 3.3.1图像随晶体厚度的变化u 3.3.2图像随缺陷应变场大小的变化u
4、 3.3.3图像随形变符号的变化u 3.3.4图像随缺陷在常数深度下横贯鲍曼扇不同位置的变化u 3.3.5图像随缺陷深度的变化4.1低温热处理的氢气区溶硅单晶的高能同步辐射截面形貌4.3单晶硅的高能同步辐射截面形貌图及其强度分布的模拟4.2x射线统计动力学衍射理论和模型4.4同步辐射形貌结合静态德拜沃勒因子分析导出的结论成功第一篇半导体中氢的鉴别及氢致缺陷第 4 章 硅 单 晶 中 早 期 氢 致 缺 陷 的 x 射 线 统 计 动 力 学 衍 射 理 论 和 实 验 研 究第一篇半导体中氢的鉴别及氢致缺陷第5章半导体中的分子氢及相关缺陷015.1晶体硅中氢分子振动的raman谱观察035.3
5、经历氢化后硅的raman谱的一般特征055.5硅单晶中四面体间隙位的氢分子025.2晶体硅中氢分子的形成045.4硅单晶中被捕捉在空洞中的氢分子第一篇半导体中氢的鉴别及氢致缺陷第一篇参考文献第二篇半导体中氢的基本性质03第二篇半导体中氢的基本性质第6章结晶半导体中的孤立间隙氢6.2点阵中氢和子素的位置6.3电子结构6.1半导体中杂质的理论技术第二篇半导体中氢的基本性质第7章半导体中的含氢复合物7.2硅中氢深级缺陷复合物7.3硅中氢浅级缺陷复合物7.1氢与硅悬键的相互作用第二篇半导体中氢的基本性质第8章和族半导体中氢的性质18.1gaas中的ch复合物28.2gan中的mgh复合物第9章半导体中
6、氢的电子性质和能级9.1氢的形成能与电子跃迁能级 9.2氢能级排队 9.3氢的光电化学性质 9.4普适能级9.4.1“通常”半导体和显著阳离子阴离子失配半导体9.4.2氢的行为由其能级与母体能带结构的关系所决定9.5晶体硅中氢分子的能带结构和能级 第二篇半导体中氢的基本性质第10章半导体中氢的化学键及其对材料性质的影响10.1氢多中心键10.3inn中非故意导电性的起源10.4sno2中电导率的起源10.5分子间氢键有机半导体10.2zno和tio2中的氢相关缺陷0102030405第二篇半导体中氢的基本性质第二篇参考文献第三篇半导体中氢的重要效应及相关应用04第三篇半导体中氢的重要效应及相关
7、应用第11章氢与半导体中其他杂质和缺陷的相互关系11.2硅中氢与位错的相互作用11.4氢离子注入硅中平面缺陷的成核和生长11.1氢与点缺陷的相互作用11.3单晶硅中因氢化产生的缺陷第三篇半导体中氢的重要效应及相关应用第12章半导体中电活性杂质和缺陷的中性化12.2硅中浅级杂质的中性化020412.4氢中性化与材料的缺陷类型和微结构的相关性12.1硅中深能级缺陷的中性化0312.3半导体中缺陷和掺杂的中性化01第13章氢致半导体性质改变及其应用 13.1采用调制氢化效应的面内带隙工程13.3氢致磁性半导体的磁性改变13.3.1磁性半导体mn1-xgaxas13.3.2磁性半导体mnxsi1-x13.3.2磁性半导体Mn<sub>x</sub>Si<sub>1-x</sub>13.2氢致半导体表面金属化 321第14章半导体表面的氢14.1氢与表面结构14.2半导体碳化硅亚表面氢致纳米隧道开辟 14.2.1abinitio模拟建立的原子结构和电子性质14.2.2关于纳米隧道的性质及其应用的讨论第三篇半导体中氢的重要效应及相关应用第15章氢致半导体和复合氧化物层改性ab15.2化合物半导体和氧化物材料的层劈裂15.1hhe注入致层改性过程的基本性质第三篇半导体中氢的重要效应及相关应用第三篇参考文献感谢聆听
