1、第二章第二章 薄膜制备技术薄膜制备技术2.42.4 迪通恒业科技开发的外延制膜技术2.32.3 富森钛金设备开发的溶液镀膜技术2.2 2.2 薄膜的化学气相沉积2.12.1 薄膜的物理气相沉积第一节第一节 薄膜的物理气相沉积薄膜的物理气相沉积2.1.1 引言v 薄膜生长方法是获得薄膜的关键。薄膜材料的质量和性能不仅依赖于薄膜材料的化学组成，而且与薄膜材料的制备技术具有一定的关系。v 随着科学技术的发展和各学科之间的相互交叉,相继出现了一些新的薄膜制备技术。这些薄膜制备方法的出现,不仅使薄膜的质量在很大程度上得以改善,而且为发展一些新型的薄膜材料提供了必要的制备技术。第二节第二节 薄膜的物理气相
2、沉积薄膜的物理气相沉积2.1.1 引言薄膜的制备方法可分为：薄膜的制备方法可分为：1、气相法、气相法 PVD：Physical Vapor Deposition，不伴随化学反应发生，不伴随化学反应发生 CVD：Chemical Vapor Deposition，发生化学反应，发生化学反应 2、非气相法（主要是液相）、非气相法（主要是液相）第一节第一节 薄膜的物理气相沉积薄膜的物理气相沉积2.1.1 引言真空蒸发溅射沉积离子镀物理气相沉积（PVD）化学气相沉积（CVD）气相沉积 电阻加热、弧光放电加电阻加热、弧光放电加热、感应加热、电子束加热、感应加热、电子束加热、激光加热热、激光加热 化学反应
3、法 热分解法 直流溅射、射频溅射、磁直流溅射、射频溅射、磁控溅射、离子束溅射控溅射、离子束溅射直流二极型离子镀、射频直流二极型离子镀、射频放电离子镀、等离子体离放电离子镀、等离子体离子镀子镀氢还原法、卤素输运法氢还原法、卤素输运法含氢化合物分解法、有机含氢化合物分解法、有机金属热分解法金属热分解法分子束外延分子束外延固相外延固相外延离子外延离子外延第一节第一节 薄膜的物理气相沉积薄膜的物理气相沉积2.1.1 引言非气相沉积 氧化法离子注入法扩散法电化学法涂覆法液相生长法Sol-gel 法 高温氧化、低温氧化、阳极氧化高温氧化、低温氧化、阳极氧化 气相扩散、固相扩散气相扩散、固相扩散 电解电镀、
4、非电解电镀电解电镀、非电解电镀 溶液输运法、溶液温度减少法溶液输运法、溶液温度减少法第一节第一节 薄膜的物理气相沉积薄膜的物理气相沉积2.1.2 PVD法物理气相沉积物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)利用某种物理过程，如利用某种物理过程，如物质的热蒸发或在受到粒物质的热蒸发或在受到粒子轰击时物质表面原子的子轰击时物质表面原子的溅射等现象，实现物质原溅射等现象，实现物质原子从源物质到薄膜的可控子从源物质到薄膜的可控转移的过程。转移的过程。块状材料(靶材)薄膜物质输运能量输运能量衬底衬底第一节第一节 薄膜的物理气相沉积薄膜的物理气相沉积2.1.2 PVD法
5、方法的核心点：薄膜材料通过物理方法产生并输运到基体表面的镀膜方法；通常是固体或熔融源；一般来说，在气相或衬底表面没有化学反应；需要相对较低的气体压力环境：a)其他气体分子对于气相分子的散射作用较小其他气体分子对于气相分子的散射作用较小；b)气相分子的运动路径近似为一条直线；气相分子的运动路径近似为一条直线；c)气相分子在衬底上的沉积几率接近气相分子在衬底上的沉积几率接近100%。代表性技术：蒸发镀膜、溅射镀膜；技术特点：真空度高、沉积温度低、设备相对比较简单。薄膜质量可控度小、表面容易不均匀。第一节第一节 薄膜的物理气相沉积薄膜的物理气相沉积2.1.2 PVD法一、真空蒸发镀膜法一、真空蒸发镀
6、膜法要点：要点：真空蒸发原理真空蒸发原理 蒸发源的蒸发特性及膜厚分布蒸发源的蒸发特性及膜厚分布 蒸发源的类型蒸发源的类型 合金及化合物的蒸发合金及化合物的蒸发 真空蒸发镀膜法真空蒸发镀膜法(简称真空简称真空蒸镀蒸镀)是在真空室中，加热蒸发是在真空室中，加热蒸发容器中待形成薄膜的原材料，容器中待形成薄膜的原材料，使其原子或分子从表面气化逸使其原子或分子从表面气化逸出，形成蒸气流，入射到基片出，形成蒸气流，入射到基片表面，凝结形成固态薄膜的方表面，凝结形成固态薄膜的方法。法。第一节第一节 薄膜的物理气相沉积薄膜的物理气相沉积2.1.2 PVD法一、真空蒸发镀膜法一、真空蒸发镀膜法第一节第一节 薄膜
7、的物理气相沉积薄膜的物理气相沉积2.1.2 PVD法加热丝加热丝加热舟加热舟坩埚坩埚盒状源（盒状源（Knudsen Cell）第一节第一节 薄膜的物理气相沉积薄膜的物理气相沉积2.1.2 PVD法一、真空蒸发镀膜法一、真空蒸发镀膜法(1)优点：优点：成膜速度快：成膜速度快：0.150m/min，设备比较简单，操作容易；设备比较简单，操作容易；制得薄膜纯度高；制得薄膜纯度高；用掩模可以获得清晰的图形；用掩模可以获得清晰的图形；薄膜生长机理较单纯。薄膜生长机理较单纯。(2)缺点：缺点：薄膜附着力较小；薄膜附着力较小；结晶不够完善；结晶不够完善；工艺重复性不够好；工艺重复性不够好；膜厚不易控制；膜厚
8、不易控制；薄膜质量不是很好。薄膜质量不是很好。第一节第一节 薄膜的物理气相沉积薄膜的物理气相沉积2.1.2 PVD法一、真空蒸发镀膜法一、真空蒸发镀膜法基本过程：基本过程：（1）加热）加热蒸发过程蒸发过程，凝聚相，凝聚相气相气相 该阶段的主要作用因素：饱和蒸气压该阶段的主要作用因素：饱和蒸气压（2）输运过程输运过程，气化原子或分子在蒸发源与基片之间的输运，气化原子或分子在蒸发源与基片之间的输运 该阶段的主要作用因素：分子的平均自由程（工作气压），源该阶段的主要作用因素：分子的平均自由程（工作气压），源基距基距（3）基片表面的）基片表面的淀积过程淀积过程，气相，气相固相固相 凝聚凝聚成核成核核生
9、长核生长连续薄膜连续薄膜第一节第一节 薄膜的物理气相沉积薄膜的物理气相沉积2.1.2 PVD法一、真空蒸发镀膜法一、真空蒸发镀膜法气体与蒸气气体与蒸气第一节第一节 薄膜的物理气相沉积薄膜的物理气相沉积2.1.2 PVD法一、真空蒸发镀膜法一、真空蒸发镀膜法 对于每一种气体都有一个特定的温度，高于此温度时，气体不能通对于每一种气体都有一个特定的温度，高于此温度时，气体不能通过过等温压缩等温压缩而液化，这个温度称为该气体的临界温度。而液化，这个温度称为该气体的临界温度。温度高于临界温度的气态物质称为气体，低于临界温度的气态物质温度高于临界温度的气态物质称为气体，低于临界温度的气态物质称为蒸气。称为
10、蒸气。注意：注意：蒸气不是理想气体！只有在很低气压下，近似符合理想气体蒸气不是理想气体！只有在很低气压下，近似符合理想气体方程。方程。气体与蒸气气体与蒸气第一节第一节 薄膜的物理气相沉积薄膜的物理气相沉积2.1.2 PVD法一、真空蒸发镀膜法一、真空蒸发镀膜法临界温度临界温度不是沸点！不是沸点！第一节第一节 薄膜的物理气相沉积薄膜的物理气相沉积2.1.2 PVD法一、真空蒸发镀膜法一、真空蒸发镀膜法 在一定温度下，气、固或气、液两相平衡时，蒸气的压力称为在一定温度下，气、固或气、液两相平衡时，蒸气的压力称为该物质的饱和蒸气压。该物质的饱和蒸气压。饱和蒸气压饱和蒸气压(Saturation va
11、por pressure)：注意：取决于液体注意：取决于液体(或固体或固体)本性和温度，与液体本性和温度，与液体(或固体或固体)存在的量无关。存在的量无关。饱和蒸气压饱和蒸气压一定温度下，蒸发一定温度下，蒸发(或升华或升华)出来的蒸气分子的量出来的蒸气分子的量标志着物质的蒸发标志着物质的蒸发(或升华或升华)能力能力第一节第一节 薄膜的物理气相沉积薄膜的物理气相沉积2.1.2 PVD法一、真空蒸发镀膜法一、真空蒸发镀膜法饱和蒸气压：饱和蒸气压：克拉伯龙克拉伯龙克劳修斯方程：克劳修斯方程：Pv：饱和蒸气压；：饱和蒸气压；vapHm：温度：温度T时纯液体的时纯液体的 摩尔气化热；摩尔气化热；ln2R
12、THdTPdmvapv 假定假定vapHm与温度无关，或因温度范围较小，与温度无关，或因温度范围较小，vapHm可以近似作为常数，积分上式，得：可以近似作为常数，积分上式，得：TBAPCTRHPvmvapvlgln11、应用范围：、应用范围：蒸气压小于蒸气压小于1Torr；2、A、B由实验确定由实验确定3、合理地选择蒸发材、合理地选择蒸发材 料及确定蒸发条件。料及确定蒸发条件。第二节第二节 薄膜的物理气相沉积薄膜的物理气相沉积6.2.2 PVD法一、真空蒸发镀膜法一、真空蒸发镀膜法饱和蒸气压：饱和蒸气压：TBAPvlg第一节第一节 薄膜的物理气相沉积薄膜的物理气相沉积2.1.2 PVD法一、真
13、空蒸发镀膜法一、真空蒸发镀膜法第一节第一节 薄膜的物理气相沉积薄膜的物理气相沉积2.1.2 PVD法一、真空蒸发镀膜法一、真空蒸发镀膜法第一节第一节 薄膜的物理气相沉积薄膜的物理气相沉积2.1.2 PVD法一、真空蒸发镀膜法一、真空蒸发镀膜法饱和蒸气压为饱和蒸气压为10-2Torr时的温度。时的温度。由此，蒸发材料分为两种：由此，蒸发材料分为两种：1）蒸发：蒸发温度大于熔点，大多数金属）蒸发：蒸发温度大于熔点，大多数金属 2）升华：蒸发温度小于熔点）升华：蒸发温度小于熔点 Cr、Ti、Mo、Fe等等蒸发温度蒸发温度第一节第一节 薄膜的物理气相沉积薄膜的物理气相沉积2.1.2 PVD法一、真空蒸
14、发镀膜法一、真空蒸发镀膜法蒸发速率蒸发速率 气相分子的入射频率：气相分子的入射频率：但并非所有气相分子入射到液面时凝结但并非所有气相分子入射到液面时凝结mkTPnVJa241mKTPJCC2C：冷凝系数：冷凝系数n：分子密度，：分子密度，Va：平均速度：平均速度m：分子质量：分子质量根据分子运动论：根据分子运动论：第一节第一节 薄膜的物理气相沉积薄膜的物理气相沉积2.1.2 PVD法一、真空蒸发镀膜法一、真空蒸发镀膜法蒸发速率蒸发速率 若蒸发进入动态平衡：气若蒸发进入动态平衡：气液液 与与 液液气气 分子数相等分子数相等mkTPPdtAdNJkvv2）（N：蒸发分子（原子数），：蒸发分子（原子
15、数），A：蒸发表面积，：蒸发表面积，t：时间，：时间，Pv：饱和蒸气压，：饱和蒸气压，Pk：液体静压：液体静压v：蒸发系数：蒸发系数Hertz-Knudsen-Langmuir公式v是否等于是否等于c没有定论，但没有定论，但1第一节第一节 薄膜的物理气相沉积薄膜的物理气相沉积2.1.2 PVD法一、真空蒸发镀膜法一、真空蒸发镀膜法蒸发速率蒸发速率 最大蒸发速率：最大蒸发速率：HKL公式中令公式中令v=1，Pk=0)1(1064.2224maxTMPmkTPJvvPascm,/2个TMPPkTmJmGvv4max1073.42质量最大蒸发速率：质量最大蒸发速率：Pascmkg,/2第一节第一节
16、薄膜的物理气相沉积薄膜的物理气相沉积2.1.2 PVD法一、真空蒸发镀膜法一、真空蒸发镀膜法蒸发速率蒸发速率 在实际蒸发过程中，影响蒸发速度的因素在实际蒸发过程中，影响蒸发速度的因素 饱和蒸气压饱和蒸气压 温度温度 蒸发物质的分子量蒸发物质的分子量 表面清洁度表面清洁度 蒸发源的形状等蒸发源的形状等第一节第一节 薄膜的物理气相沉积薄膜的物理气相沉积2.1.2 PVD法一、真空蒸发镀膜法一、真空蒸发镀膜法蒸发速率蒸发速率 影响蒸发速度的因素：温度影响蒸发速度的因素：温度 例如Al：温度变化1%，蒸发速度变化19%TBAPvlg将公式：将公式：代入代入HKL公式中，并进行微分，可得到：公式中，并进
17、行微分，可得到：TdTTBGdG)21(1、如需精确控制蒸发速率，就必须精确控制源温。、如需精确控制蒸发速率，就必须精确控制源温。2、在加热过程中应当注意避免过大的温度梯度。、在加热过程中应当注意避免过大的温度梯度。第一节第一节 薄膜的物理气相沉积薄膜的物理气相沉积2.1.2 PVD法一、真空蒸发镀膜法一、真空蒸发镀膜法1、从薄膜纯度考虑：、从薄膜纯度考虑：单位时间内通过单位面积的气体的分子数：单位时间内通过单位面积的气体的分子数：mkTPnVNag24125时，10-5 Torr时，Ng大约为10151016个/cm2s，此时蒸发原子与杂质原子几乎按此时蒸发原子与杂质原子几乎按1：1到达到达
18、基板基板本底真空度的选择本底真空度的选择1.残留气体的污染。残留气体的污染。2.蒸发源物质的纯度；蒸发源物质的纯度；3.加热装置、坩埚的污染；加热装置、坩埚的污染；第一节第一节 薄膜的物理气相沉积薄膜的物理气相沉积2.1.2 PVD法一、真空蒸发镀膜法一、真空蒸发镀膜法 大气的残余物（大气的残余物（O2、N2、CO2、H2O），扩散泵油蒸气，真空室吸气），扩散泵油蒸气，真空室吸气 对对真空蒸发镀膜质量有重要影响真空蒸发镀膜质量有重要影响。在设计优良的系统中，在设计优良的系统中，真空真空泵的回流扩散作用不明显泵的回流扩散作用不明显。当当P10-4Pa时，时，主要为主要为被解吸的真空室吸气被解吸的
19、真空室吸气。水汽水汽影响很大，易与金属膜反应影响很大，易与金属膜反应，或与或与W，Mo等加热器材料反应等加热器材料反应，生生 成氧化物和氢。成氧化物和氢。残留气体的影响残留气体的影响第一节第一节 薄膜的物理气相沉积薄膜的物理气相沉积2.1.2 PVD法一、真空蒸发镀膜法一、真空蒸发镀膜法2、从碰撞几率的角度：、从碰撞几率的角度：本底真空度的选择本底真空度的选择考虑蒸发分子与残留气体分子之间的碰撞问题：考虑蒸发分子与残留气体分子之间的碰撞问题：N0个蒸发分子在飞行个蒸发分子在飞行x距离后，未受到残留气体分子碰撞的数目：距离后，未受到残留气体分子碰撞的数目：xxeNN0则被碰撞的分子的百分数：则被
20、碰撞的分子的百分数：xxeNNf110第一节第一节 薄膜的物理气相沉积薄膜的物理气相沉积2.1.2 PVD法一、真空蒸发镀膜法一、真空蒸发镀膜法Example:若要求若要求f 0.1,源基距为源基距为25cm 则则P 310-3Pa xef1 要有效减少蒸发分子在渡要有效减少蒸发分子在渡越中的碰撞现象，应当使越中的碰撞现象，应当使 源基距源基距第一节第一节 薄膜的物理气相沉积薄膜的物理气相沉积2.1.2 PVD法一、真空蒸发镀膜法一、真空蒸发镀膜法蒸发源的蒸发特性及膜厚分布蒸发源的蒸发特性及膜厚分布 在真空蒸发镀膜过程中，能否在基板上获得均匀膜厚，是制膜的关键问题。膜厚的影响因素膜厚的影响因素
21、 A、蒸发源的特性；蒸发源的特性；B、基板与蒸发源的几何形状，相对位置；、基板与蒸发源的几何形状，相对位置；C、蒸发物质的蒸发量。、蒸发物质的蒸发量。第一节第一节 薄膜的物理气相沉积薄膜的物理气相沉积2.1.2 PVD法一、真空蒸发镀膜法一、真空蒸发镀膜法蒸发源的蒸发特性及膜厚分布蒸发源的蒸发特性及膜厚分布 为了对膜厚进行理论计算，找到其分布的规律，作如下假设：1）在蒸发源附近的蒸发原子间或分子之间不发生碰撞；）在蒸发源附近的蒸发原子间或分子之间不发生碰撞；2）蒸发原子或分子与残余气体分子之间不发生碰撞；）蒸发原子或分子与残余气体分子之间不发生碰撞；3）蒸发原子到达基板上后不发生再蒸发现象。）
22、蒸发原子到达基板上后不发生再蒸发现象。第一节第一节 薄膜的物理气相沉积薄膜的物理气相沉积2.1.2 PVD法一、点蒸发源一、点蒸发源 蒸发源的蒸发特性及膜厚分布蒸发源的蒸发特性及膜厚分布特点：向各个方向等量蒸发特点：向各个方向等量蒸发dmdm4cos221dSdrdS22222coscosxhdSrdSd22cos44dSrmdmdm2dStdm23223)(44xhmhrmht：蒸发膜的密度：蒸发膜的密度 t：蒸发膜的厚度：蒸发膜的厚度第一节第一节 薄膜的物理气相沉积薄膜的物理气相沉积2.1.2 PVD法一、点蒸发源一、点蒸发源 蒸发源的蒸发特性及膜厚分布蒸发源的蒸发特性及膜厚分布23223
23、44)(xhmhrmht 最大厚度：最大厚度：=0时：时：232011hxtt其它情况下：其它情况下：204hmt第一节第一节 薄膜的物理气相沉积薄膜的物理气相沉积2.1.2 PVD法二、小平面蒸发源二、小平面蒸发源 蒸发源的蒸发特性及膜厚分布蒸发源的蒸发特性及膜厚分布特点：发射特性具有方向性特点：发射特性具有方向性 在在角方向蒸发的材料质量与角方向蒸发的材料质量与cos成正比成正比 dmdmcos22222)(coscosxhmhrmt 20hmt最大厚度：正上方：最大厚度：正上方：=0，=0时：时：22011hxtt第一节第一节 薄膜的物理气相沉积薄膜的物理气相沉积2.1.2 PVD法蒸发
24、源的蒸发特性及膜厚分布蒸发源的蒸发特性及膜厚分布点源与小平面蒸发源相点源与小平面蒸发源相比，厚度的均匀性要好比，厚度的均匀性要好一些一些但淀积速率要低得多，但淀积速率要低得多，单位质量的原料所得膜单位质量的原料所得膜厚厚1/4232011hxtt204hmt20hmt22011hxtt第一节第一节 薄膜的物理气相沉积薄膜的物理气相沉积2.1.2 PVD法三、克努曾蒸发源三、克努曾蒸发源 蒸发源的蒸发特性及膜厚分布蒸发源的蒸发特性及膜厚分布2r,l，分子流，分子流第一节第一节 薄膜的物理气相沉积薄膜的物理气相沉积2.1.2 PVD法四、细长平面蒸发源四、细长平面蒸发源蒸发源的蒸发特性及膜厚分布蒸
25、发源的蒸发特性及膜厚分布相当于热丝，由许多小平面蒸发源构成相当于热丝，由许多小平面蒸发源构成由由ds蒸发到蒸发到d上的质量上的质量dSlmrdm22cosdSlmdme第一节第一节 薄膜的物理气相沉积薄膜的物理气相沉积2.1.2 PVD法四、细长平面蒸发源四、细长平面蒸发源蒸发源的蒸发特性及膜厚分布蒸发源的蒸发特性及膜厚分布ddtdm2)(cos2222aSxdSlmhlrdSmdt由：由：可推导出膜厚变化：可推导出膜厚变化：积分后：积分后：41164)()()4(2222142222222222lxalatgallxaxalxalalmht第一节第一节 薄膜的物理气相沉积薄膜的物理气相沉积2
26、.1.2 PVD法五、环状蒸发源五、环状蒸发源蒸发源的蒸发特性及膜厚分布蒸发源的蒸发特性及膜厚分布蒸发特性dS1相当于小平面源第一节第一节 薄膜的物理气相沉积薄膜的物理气相沉积2.1.2 PVD法实际蒸发源的发射特点实际蒸发源的发射特点 1）点源：发针形蒸发源、电子束蒸发源）点源：发针形蒸发源、电子束蒸发源2）小平面蒸发源：蒸发舟）小平面蒸发源：蒸发舟3）平面蒸发源：坩埚、锥形蓝式蒸发源）平面蒸发源：坩埚、锥形蓝式蒸发源4）柱状蒸发源：蒸发料润湿的螺旋丝状蒸发源）柱状蒸发源：蒸发料润湿的螺旋丝状蒸发源5）可视为大面积（平面或柱面）蒸发源：磁控靶源。）可视为大面积（平面或柱面）蒸发源：磁控靶源。
27、第一节第一节 薄膜的物理气相沉积薄膜的物理气相沉积2.1.2 PVD法蒸发源与基板的相对位置配置蒸发源与基板的相对位置配置1.点源点源蒸发源放在球心，基板放在球面蒸发源放在球心，基板放在球面上，可得到均匀薄膜。上，可得到均匀薄膜。2cos4rmht=0时，时，t为常数：为常数：蒸发源、基板放在同一球面上，蒸发源、基板放在同一球面上，可得到均匀薄膜。可得到均匀薄膜。第一节第一节 薄膜的物理气相沉积薄膜的物理气相沉积2.1.2 PVD法蒸发源与基板的相对位置配置蒸发源与基板的相对位置配置2.小平面源小平面源 2coscosrmtcos2Rr 24Rmt 可将蒸发源直接配置于基板可将蒸发源直接配置于
28、基板的中心线上：的中心线上：第一节第一节 薄膜的物理气相沉积薄膜的物理气相沉积2.1.2 PVD法蒸发源与基板的相对位置配置蒸发源与基板的相对位置配置3.小面积基板的情况小面积基板的情况DH).(511 A、基板公转加自转的、基板公转加自转的“行星行星”方式运动方式运动 B、采用多个分离的点源代替单一蒸发源、采用多个分离的点源代替单一蒸发源第一节第一节 薄膜的物理气相沉积薄膜的物理气相沉积2.1.2 PVD法蒸发源与基板的相对位置配置蒸发源与基板的相对位置配置4.大面积基板的情况大面积基板的情况1个点蒸发源个点蒸发源等间隔、等蒸发速率等间隔、等蒸发速率的的4个点蒸发源个点蒸发源不等间隔、等蒸发
29、速率不等间隔、等蒸发速率的的4个点蒸发源个点蒸发源等间隔、不等蒸发速率的等间隔、不等蒸发速率的4个点蒸发源个点蒸发源：膜厚最大相对偏差：膜厚最大相对偏差第一节第一节 薄膜的物理气相沉积薄膜的物理气相沉积2.1.2 PVD法蒸发源的加热方式蒸发源的加热方式u电阻加热法u电子束加热法u高频感应加热u激光加热第一节第一节 薄膜的物理气相沉积薄膜的物理气相沉积2.1.2 PVD法蒸发源的加热方式蒸发源的加热方式1.电阻蒸发源电阻蒸发源 蒸发源材料的要求蒸发源材料的要求 1）熔点要高，熔点要高于被蒸发物质的蒸发温度（多在）熔点要高，熔点要高于被蒸发物质的蒸发温度（多在10002000）；）；2）饱和蒸气
30、压低，减少蒸发源材料蒸气的污染。）饱和蒸气压低，减少蒸发源材料蒸气的污染。要求：蒸发材料的蒸发温度低于蒸发源材料在平衡蒸气压为要求：蒸发材料的蒸发温度低于蒸发源材料在平衡蒸气压为10-8托时的托时的 温度。温度。3）化学性能稳定，不与蒸发材料发生反应。）化学性能稳定，不与蒸发材料发生反应。4）耐热性好，热源变化时，功率密度变化较小。）耐热性好，热源变化时，功率密度变化较小。5）经济耐用。）经济耐用。第一节第一节 薄膜的物理气相沉积薄膜的物理气相沉积2.1.2 PVD法蒸发源的加热方式蒸发源的加热方式1.电阻蒸发源电阻蒸发源 加工性能：加工性能：W最差，室温很脆，需最差，室温很脆，需400高温退
31、火，高温退火，Mo好，好，Ta最好最好第一节第一节 薄膜的物理气相沉积薄膜的物理气相沉积2.1.2 PVD法蒸发源的加热方式蒸发源的加热方式1.电阻蒸发源电阻蒸发源 金属蒸发源与镀料的反应金属蒸发源与镀料的反应 钽与金；钽与金；铝、铁、镍、钴等与钨、钼、钽铝、铁、镍、钴等与钨、钼、钽改进方法：陶瓷坩埚改进方法：陶瓷坩埚第一节第一节 薄膜的物一理气相沉积薄膜的物一理气相沉积2.1.2 PVD法蒸发源的加热方式蒸发源的加热方式1.电阻蒸发源电阻蒸发源 镀料与蒸发源的浸润性镀料与蒸发源的浸润性浸润时，为面蒸发源浸润时，为面蒸发源不浸润时，为点蒸发源，不浸润时，为点蒸发源，若用丝式蒸发源时镀料应浸润，
32、若不浸润易脱落。若用丝式蒸发源时镀料应浸润，若不浸润易脱落。第一节第一节 薄膜的物理气相沉积薄膜的物理气相沉积2.1.2 PVD法蒸发源的加热方式蒸发源的加热方式1.电阻蒸发源电阻蒸发源 各种形状的电阻蒸发源各种形状的电阻蒸发源 1）丝式）丝式ua)、b)要求浸润性，镀料为丝状。但浸要求浸润性，镀料为丝状。但浸 润好意味着有轻微合金化，只能用一次。润好意味着有轻微合金化，只能用一次。uc)不要求浸润性，镀料可丝状、块状不要求浸润性，镀料可丝状、块状 易升华材料易升华材料(Cr)、不润湿材料、不润湿材料(Ag、Cu)u蒸发加热丝的直径：蒸发加热丝的直径：0.5-1mm，特殊，特殊 1.5mm,多
33、股多股第一节第一节 薄膜的物理气相沉积薄膜的物理气相沉积2.1.2 PVD法蒸发源的加热方式蒸发源的加热方式1.电阻蒸发源电阻蒸发源 各种形状的电阻蒸发源各种形状的电阻蒸发源 2）蒸发舟）蒸发舟u用金属箔制成，箔厚用金属箔制成，箔厚0.05-0.15mm，可蒸发块状、丝状、粉状镀料可蒸发块状、丝状、粉状镀料u注意避免局部过热，发生飞溅注意避免局部过热，发生飞溅第一节第一节 薄膜的物理气相沉积薄膜的物理气相沉积2.2.2 PVD法蒸发源的加热方式蒸发源的加热方式1.电阻蒸发源电阻蒸发源 各种形状的电阻蒸发源各种形状的电阻蒸发源 3）外热坩埚外热坩埚第一节第一节 薄膜的物理气相沉积薄膜的物理气相沉
34、积2.1.2 PVD法蒸发源的加热方式蒸发源的加热方式2.电子束蒸发源电子束蒸发源电阻蒸发源的缺点：电阻蒸发源的缺点：1）不能蒸发某些难熔金）不能蒸发某些难熔金 属和氧化物属和氧化物 2）不能制备高纯度薄膜）不能制备高纯度薄膜 将镀料放入水冷铜坩埚中，将镀料放入水冷铜坩埚中，利用高能电子束轰击镀料，使利用高能电子束轰击镀料，使其受热蒸发。其受热蒸发。第一节第一节 薄膜的物理气相沉积薄膜的物理气相沉积2.1.2 PVD法蒸发源的加热方式蒸发源的加热方式2.电子束蒸发源电子束蒸发源1）采用聚焦电子束，功率密度高，可蒸发高熔点镀料（）采用聚焦电子束，功率密度高，可蒸发高熔点镀料（3000以上）如以上
35、）如W，Mo，Ge，SiO2，Al2O3等。等。2）采用水冷坩埚，可避免坩埚材料的蒸发，及坩埚与镀料的反应，制得高纯度）采用水冷坩埚，可避免坩埚材料的蒸发，及坩埚与镀料的反应，制得高纯度 薄膜。薄膜。3）热量直接加在镀料上，热效率高，传导，辐射的热损失少。）热量直接加在镀料上，热效率高，传导，辐射的热损失少。优点：优点：第一节第一节 薄膜的物理气相沉积薄膜的物理气相沉积2.1.2 PVD法蒸发源的加热方式蒸发源的加热方式2.电子束蒸发源电子束蒸发源缺点：缺点：1）电子枪发出的一次电子和蒸发材料发出的二次电子会使蒸发原子和残留）电子枪发出的一次电子和蒸发材料发出的二次电子会使蒸发原子和残留 气体
36、电离，影响膜层质量。气体电离，影响膜层质量。解决办法：设计和选用不同结构的电子枪解决办法：设计和选用不同结构的电子枪2）多数化合物在受到电子轰击时会部分分解。）多数化合物在受到电子轰击时会部分分解。3）设备结构复杂，昂贵。）设备结构复杂，昂贵。4）当加速电压过高时产生软）当加速电压过高时产生软X射线会对人体有伤害。射线会对人体有伤害。第一节第一节 薄膜的物理气相沉积薄膜的物理气相沉积2.1.2 PVD法蒸发源的加热方式蒸发源的加热方式2.电子束蒸发源电子束蒸发源电子束蒸发源的结构：电子束蒸发源的结构：A、环形枪：环状阴极发射电子，结构简单、环形枪：环状阴极发射电子，结构简单缺点：缺点：1、阴极
37、与坩埚近、阴极与坩埚近 导致：阴极材料的蒸发污染；导致：阴极材料的蒸发污染；阴极与坩埚加有高压，阴极与坩埚加有高压，闪火、闪火、辉光放电，并随蒸气压力和电压增加而增辉光放电，并随蒸气压力和电压增加而增加，功率、效率上不去。加，功率、效率上不去。2、功率和效率都不高、功率和效率都不高第一节第一节 薄膜的物理气相沉积薄膜的物理气相沉积2.1.2 PVD法蒸发源的加热方式蒸发源的加热方式2.电子束蒸发源电子束蒸发源电子束蒸发源的结构：电子束蒸发源的结构：缺点：缺点：是体积大，成本高，蒸镀材料会污染枪是体积大，成本高，蒸镀材料会污染枪体，灯丝逸出的体，灯丝逸出的Na+离子污染膜层。离子污染膜层。轴对称
38、的直线加速电子轴对称的直线加速电子枪，阴极发射电子，阳极加速枪，阴极发射电子，阳极加速B、直枪、直枪(皮尔斯枪皮尔斯枪)第一节第一节 薄膜的物理气相沉积薄膜的物理气相沉积2.1.2 PVD法蒸发源的加热方式蒸发源的加热方式2.电子束蒸发源电子束蒸发源电子束蒸发源的结构：电子束蒸发源的结构：C、e型枪型枪偏转偏转270偏转偏转180第一节第一节 薄膜的物理气相沉积薄膜的物理气相沉积2.1.2 PVD法蒸发源的加热方式蒸发源的加热方式2.电子束蒸发源电子束蒸发源e型枪的优点：型枪的优点：1）电子束偏转）电子束偏转180 以上，多为以上，多为270，避免了镀膜材料对枪体，避免了镀膜材料对枪体 的污染
39、，并给镀膜留出了更大的空间。的污染，并给镀膜留出了更大的空间。2）收集极使正离子对膜的影响减少。）收集极使正离子对膜的影响减少。3）吸收极使二次电子对基板的轰击减少。）吸收极使二次电子对基板的轰击减少。4）内藏式阴极结构防止极间放电，又避免了灯丝污染。）内藏式阴极结构防止极间放电，又避免了灯丝污染。5）可通过调节磁场改变电子束的轰击位置。）可通过调节磁场改变电子束的轰击位置。第一节第一节 薄膜的物理气相沉积薄膜的物理气相沉积2.1.2 PVD法蒸发源的加热方式蒸发源的加热方式3.高频感应蒸发源高频感应蒸发源 原理：将镀料放在坩埚中，坩原理：将镀料放在坩埚中，坩埚放在高频螺旋线圈的中央，埚放在高
40、频螺旋线圈的中央，使镀料在高频电磁场的感应下使镀料在高频电磁场的感应下产生产生涡流损失和磁滞损失涡流损失和磁滞损失（对（对铁磁体）而升温蒸发。铁磁体）而升温蒸发。第一节第一节 薄膜的物理气相沉积薄膜的物理气相沉积2.1.2 PVD法蒸发源的加热方式蒸发源的加热方式3.高频感应蒸发源高频感应蒸发源 特点：特点：1）蒸发速率大，可比电阻蒸发源）蒸发速率大，可比电阻蒸发源 大大10倍左右。倍左右。2）蒸发源的温度均匀稳定，不易）蒸发源的温度均匀稳定，不易 产生飞溅现象。产生飞溅现象。3）镀料是金属时可自身产生热）镀料是金属时可自身产生热 量。量。缺点：缺点：1）蒸发装置必须屏蔽，否则会对广播通）蒸发
41、装置必须屏蔽，否则会对广播通 讯产生影响。讯产生影响。2）线圈附近压强超过）线圈附近压强超过10-2Pa时，高频电时，高频电 场会使残余气体电离。场会使残余气体电离。3）高频发生器昂贵。）高频发生器昂贵。第一节第一节 薄膜的物理气相沉积薄膜的物理气相沉积2.1.2 PVD法蒸发源的加热方式蒸发源的加热方式4.激光蒸发源激光蒸发源 利用高能激光作为热源来蒸利用高能激光作为热源来蒸镀薄膜的方法。镀薄膜的方法。优点：优点：1）加热温度高，可蒸发任何吸收激）加热温度高，可蒸发任何吸收激 光光 的材料（如石墨，熔点为的材料（如石墨，熔点为3500）。）。2）采用非接触式加热，避免了蒸发源的污）采用非接触
42、式加热，避免了蒸发源的污 染，非常适宜于制备高纯薄膜。染，非常适宜于制备高纯薄膜。3）蒸发速率可极高（如）蒸发速率可极高（如Si可得到可得到106/s）。）。4）方便于多源顺序蒸发或多源共蒸发。）方便于多源顺序蒸发或多源共蒸发。第一节第一节 薄膜的物理气相沉积薄膜的物理气相沉积2.1.2 PVD法蒸发源的加热方式蒸发源的加热方式4.激光蒸发源激光蒸发源 材料波长脉冲宽度脉冲频率功率连续激光器CO210.6m100W脉冲激光器红宝石红宝石694330ns0.2Hz104W/cm2YAG1.06m200ns10002000Hz105106Nd玻璃玻璃可调可调0.4ms0.1Hz105W/cm2准分
43、子激光器XeF351nmXeCl308nm2030ns120Hz0.11JKrF248nm2530ns5Hz650mJArF193nm10Hz34J第一节第一节 薄膜的物理气相沉积薄膜的物理气相沉积2.1.2 PVD法蒸发源的加热方式蒸发源的加热方式4.激光蒸发源激光蒸发源 特点：闪烁蒸发，有利于控制特点：闪烁蒸发，有利于控制化学成分和防止分解；又由于化学成分和防止分解；又由于材料气化时间短，不足以使周材料气化时间短，不足以使周围材料达到蒸发温度，所以不围材料达到蒸发温度，所以不易出现分馏现象。易出现分馏现象。第一节第一节 薄膜的物理气相沉积薄膜的物理气相沉积2.1.2 PVD法蒸发源的加热方
44、式蒸发源的加热方式脉冲激光烧蚀脉冲激光烧蚀(Pulsed Laser Ablation,PLA Pulsed Laser Deposition,PLD)原理：原理：将准分子激光器所产生的将准分子激光器所产生的高强度脉冲高强度脉冲激光束聚焦激光束聚焦于靶材于靶材表面，使之表面，使之产生高温并熔蚀产生高温并熔蚀，并进一步并进一步产生高温高压等离子产生高温高压等离子体体，等离子体作定向局域膨胀，等离子体作定向局域膨胀发射并在衬底上淀积形成薄膜。发射并在衬底上淀积形成薄膜。第一节第一节 薄膜的物理气相沉积薄膜的物理气相沉积2.1.2 PVD法蒸发源的加热方式蒸发源的加热方式PLD成膜过程成膜过程1.激
45、光表面熔蚀及等离子体产生激光表面熔蚀及等离子体产生2.等离子体的定向局域等温绝热膨胀发射等离子体的定向局域等温绝热膨胀发射3.在基板上沉积形成薄膜在基板上沉积形成薄膜激光脉冲期间靶表面的结构示意图激光脉冲期间靶表面的结构示意图A：固态靶：固态靶B：熔化的液态层：熔化的液态层C：气态和等离子层：气态和等离子层D：膨胀后的等离子体：膨胀后的等离子体第一节第一节 薄膜的物理气相沉积薄膜的物理气相沉积2.1.2 PVD法蒸发源的加热方式蒸发源的加热方式PLD 的主要特点的主要特点1.PLD法可以生长和靶材成份一致的多元化合物薄膜，甚至是含有易挥发元素法可以生长和靶材成份一致的多元化合物薄膜，甚至是含有
46、易挥发元素的多元化合物薄膜。的多元化合物薄膜。主要原因：主要原因：A、由于采用闪烁蒸发，脉冲作用时间短，表面熔蚀区只有、由于采用闪烁蒸发，脉冲作用时间短，表面熔蚀区只有110m，而靶的其，而靶的其他部分（包括夹具、垫板等）处于绝热状态，不受激光加热的影响，从而保他部分（包括夹具、垫板等）处于绝热状态，不受激光加热的影响，从而保证了蒸发原子与靶材的一致性。证了蒸发原子与靶材的一致性。B、由于等离子体的瞬间爆炸式发射，以及等离子体沿轴向空间的约束效应，防、由于等离子体的瞬间爆炸式发射，以及等离子体沿轴向空间的约束效应，防止了在输运过程中可能出现的成份偏析。止了在输运过程中可能出现的成份偏析。C、成
47、膜的的原子、分子和离子具有极快的运动速度，增强了原子间的结合力，、成膜的的原子、分子和离子具有极快的运动速度，增强了原子间的结合力，消除了由于不同种类原子与衬底之间粘接系数不同所引起的成份偏离。消除了由于不同种类原子与衬底之间粘接系数不同所引起的成份偏离。第一节第一节 薄膜的物理气相沉积薄膜的物理气相沉积2.1.2 PVD法蒸发源的加热方式蒸发源的加热方式PLD的主要特点的主要特点2.准分子激光波长短，其辐射频率位于紫外波段，易于被金属、氧化物、陶准分子激光波长短，其辐射频率位于紫外波段，易于被金属、氧化物、陶瓷、玻璃、高分子材料和塑料等多种材料吸收。用其加热可以达到极高的瓷、玻璃、高分子材料
48、和塑料等多种材料吸收。用其加热可以达到极高的温度，可蒸发任何高熔点材料，并且可以获得很高的沉积速率温度，可蒸发任何高熔点材料，并且可以获得很高的沉积速率(1050nm/min)。第一节第一节 薄膜的物理气相沉积薄膜的物理气相沉积2.1.2 PVD法蒸发源的加热方式蒸发源的加热方式PLD的主要特点的主要特点3.由于采用等离子体成膜，能量高，由于采用等离子体成膜，能量高，入射原子在衬底表面的扩散剧烈入射原子在衬底表面的扩散剧烈。并且由。并且由于脉冲频率低于脉冲频率低，使得成膜原子的扩散时间也足够长。因此薄膜的附着力好，使得成膜原子的扩散时间也足够长。因此薄膜的附着力好，易于在低温下实现外延生长，特
49、别适合于制作高温超导、铁电、压电、电光易于在低温下实现外延生长，特别适合于制作高温超导、铁电、压电、电光等功能薄膜等功能薄膜。第一节第一节 薄膜的物理气相沉积薄膜的物理气相沉积2.1.2 PVD法蒸发源的加热方式蒸发源的加热方式PLD 的主要特点的主要特点4.由于等离子体具有极高的前向速度，真空室中残留气体的散射作用相对减由于等离子体具有极高的前向速度，真空室中残留气体的散射作用相对减弱，因此弱，因此PLD往往不要求在高真空下进行（例如，制备往往不要求在高真空下进行（例如，制备YBa2Cu3O7-高温高温超导薄膜的本底真空通常为超导薄膜的本底真空通常为10Pa），简化了设备，缩短了生产周期。）
50、，简化了设备，缩短了生产周期。PLD的缺点：的缺点：(1)薄膜表面存在微米薄膜表面存在微米-亚微米尺度的颗粒物；亚微米尺度的颗粒物；(2)薄膜面积较小；薄膜面积较小；(3)某些靶膜成分不一致。某些靶膜成分不一致。第一节第一节 薄膜的物理气相沉积薄膜的物理气相沉积2.1.2 PVD法合金的蒸发问题合金的蒸发问题主要问题：主要问题：蒸发材料在气化过程中，由于各成分的饱和蒸气压不同，使得其蒸发材料在气化过程中，由于各成分的饱和蒸气压不同，使得其蒸发速率也不同，会发生分解和分馏等问题，从而引起薄膜成分的偏离。蒸发速率也不同，会发生分解和分馏等问题，从而引起薄膜成分的偏离。)/(058.02scmgTM
