1、ESD模型及有关测试1、ESD模型分类2、HBM和MM测试方法标准3、CDM模型和测试方法标准4、拴锁测试5、I-V测试6、标准介绍1、ESD模型分类因ESD产生的原因及其对集成电路放电的方式不同，经过统计，ESD放电模型分下列四类:(1)人体放电模式(Human-Body Model,HBM)(2)机器放电模式(Machine Model,MM)(3)组件充电模式(Charged-Device Model,CDM)(4)电场感应模式(Field-Induced Model,FIM)另外还有两个测试模型：(5)对于系统级产品测试的IEC电子枪空气放电模式(6)对于研究设计用的TLP模型人体放电
2、模式(Human-Body Model,HBM)l 人体放电模式(HBM)的ESD是指因人体在地上走动磨擦或其它因素在人体上已累积了静电，当此人去碰触到IC时，人体上的静电便会经由IC的脚(pin)而进入IC内，再经由IC放电到地去，如图2.1-1(a)所示。此放电的过程会在短到几百毫微秒(ns)的时 间内产生数安培的瞬间放电电流，此电流会把IC内的组件 给烧毁。不同HBM静电电压相对产生的瞬间放电电流与时间的关系 显示于图2.1-1(b)。对一般商用IC的2-KV ESD放电电压而言，其瞬间放电电流的尖峰值大约是1.33 安培。机器放电模式(Machine Model,MM)l 有关于HBM
3、的ESD已有工业测试的标准：l 图显示工业标准(MIL-STD-883C method 3015.7)的等效电路图，其中人体的 等效电容定为100pF，人体的等效放电电阻定为1.5K。l 表是国际电子工业标准(EIA/JEDEC STANDARD)对人体放电模式订定测试规范(EIA/JESD22-A114-A)机器放电模式(Machine Model,MM)l 机器放电模式的ESD是指机器(例如机械手臂)本身累积了静电，当此机器去碰触到IC时，该静电便经由IC的pin放电。因为机器是金属，其等效电阻为0，其等效电容为200pF。由于机器放电模式的等效电阻为0，故其放电的过程更短，在几毫微秒到几
4、十毫微秒之内会有数安培的瞬间放电电流产生。l 此机器放电模式工业测试标准为 EIAJ-IC-121 method20，其等效电路图和等级如下：机器放电模式(Machine Model,MM)l 2-KV HBM与200-V MM的放电比较如图，虽然HBM的电压2 KV比MM的电压200V来得大，但是200-V MM的放电电流却比2-KV HBM的放电电流来得大很多，放电电流波形有上下振动(Ring)的情形，是因为测试机台导线的杂散等效电感与电容互相耦合而引起的。因此机器放电模式对IC的破坏力更大。l 国际电子工业标准(EIA/JEDEC STANDARD)亦对此机器放电模式订定测试规范(EIA
5、/JESD22-A115-A)组件充电模式组件充电模式(Charged-Device Model,CDM)CDM模式ESD可能发生的情形显示：(1)IC自IC管中滑出后，带电的IC脚接触接到地面而形成放电现象。(2)IC自IC管中滑出后，IC脚朝上，但经由接地的金属工具 而放电。(1)(2)电场感应模式电场感应模式(Field-Induced Model,FIM)FIM模式的静电放电发生是因电场感应而起的。当IC因输送带或其它因素而经过一电场时，其相对极性的电荷可能会自一些IC脚而排放掉，等IC通过电场之后，IC本身便累积了静电荷，此静电荷会以类似CDM的模式放电出来。有关FIM的放电模式早在
6、双载子(bipolar)晶体管时代就已被发现，现今已有工业测试标准。国际电子工业标准(EIA/JEDEC STANDARD)中亦有此电场感应模式订定测试规范(JESD22-C101)。HBM,MM与CDM模型参数比较2KV HBM,200V MM,与1KV CDM的放电电流比较，其中1KV CDM的放电电流在不到1ns的时间内，便已冲到约15安培的尖峰值，但其放电的总时段约在10ns的时间内便结束。此种放电现象更易造成集成电路的损伤。HBM,MM与CDM比较2、HBM和和MM测试方法标准测试方法标准HBM测试方法及标准1.ANSI-STM5.1-2001 JESD22-A114D-2005 A
7、EC-Q100-002D-20032.该标准用于明确HBM模式下的ESD电压敏感度的测试、评价以及分级过程3.整个测试过程繁琐，尤其对仪器及脉冲波形的校验工作，但非常必要4.ESD测试中，器件不在工作状态2、HBM和和MM测试方法标准测试方法标准HBM测试方法及标准1.ANSI-STM5.1-2001 JESD22-A114D-2005 AEC-Q100-002D-20032.该标准用于明确HBM模式下的ESD电压敏感度的测试、评价以及分级过程3.整个测试过程繁琐，尤其对仪器及脉冲波形的校验工作，但非常必要4.ESD测试中，器件不在工作状态2、HBM和和MM测试方法标准测试方法标准2、HBM和
8、和MM测试方法标准测试方法标准2、HBM和和MM测试方法标准测试方法标准HBM和和MM测试方法测试方法所有管脚（一次一根）对（第X组）接地管脚（接地）所有管脚（一次一根）对（第y组）电源管脚（接地）所有I/O管脚（一次一根）对所有其他I/O管脚（接地）NC管脚依美军标MIL-883不测试依民标ESDA/JEDEC/AEC均要求测试 在每一测试模式下，IC的该测试脚先被打上(Zap)某一ESD电压，而且在同一ESD电压下，IC的该测试脚必须要被Zap三次，每次Zap之间的时间间隔约一秒钟，Zap三次之后再观看该测试脚是否己被ESD所损坏，若IC尚未被损坏则调升ESD的电压，再Zap三次。此ESD
9、电压由小而逐渐增大，如此重复下去，直到该IC脚己被ESD所损坏，此时造成IC该测试脚损坏的ESD测试电压称为静电放电故障临界电压(ESD failure threshold)。HBM/MM测试内容测试内容 如果每次调升的ESD测试电压调幅太小，则测试到IC脚损坏要经过多次的ESD放电，增长测试时间;若每次调升的ESD测试电压太大，则难以较精确测出该IC脚的ESD耐压能力。规定：n正负极性均要测试n从低压测到高压，起始电压为70%的平均ESD failure threshold(VESD)n步进当小于1000V时步进50V(100V)，大于1000V时步进100V(250V,500V)n可以是一
10、个管脚步进测量或者所有管脚扫描测量HBM/MM测量方法测量方法最短间隔时间和测试次数上述测试的方法在MM/CDM中都是相同的l 每一脚都有ESD failure threshold。此颗IC的ESD failure threshold定义为所有IC脚中ESD failure threshold最小的那个电压值，因此，该颗IC的ESD failure threshold仅达500V。l IC制程特性有时会有小幅的(10%)漂移，所以在相同批次IC中随机取样至少大于5颗。lHMB ESD failure photo3、CDM模型和测试方法标准模型和测试方法标准3、CDM模型和测试方法标准模型和测试
11、方法标准6、拴锁测试、拴锁测试6、拴锁测试、拴锁测试6、拴锁测试、拴锁测试6、拴锁测试、拴锁测试使用使用curve tracter测试拴锁测试拴锁6、拴锁测试、拴锁测试8、ESD测试标准和分类根据根据ESD模式分类模式分类l HBM测试标准测试标准l MM测试标准测试标准l CDM测试标准测试标准根据提出标准的组织分类根据提出标准的组织分类l JESD22系列，系列，JEDEC Solid State Technology Association(Joint Electron Device Engineering Council)提出提出l ANSI-ESDSTM5.X系列，系列，ESDA协会
12、提出协会提出l AEC-Q100系列，汽车电子委员会系列，汽车电子委员会Automotive Electronics Council提出提出l MIL-STD-883E系列，美国军方国防部提出系列，美国军方国防部提出HBM测试特点测试特点l HBM测试标准基本上是依据美国军方测试标准测试标准基本上是依据美国军方测试标准MIL-STD-883E改进而成改进而成l HBM和和MM测试方法差不多测试方法差不多l CDM测试方法和测试仪器与前两者差别大测试方法和测试仪器与前两者差别大我公司ESD与Latch up的测试规范l15-1002 集成电路集成电路ESD评估规范评估规范 l15-1003 CMOS集成电路集成电路Latch-Up的评估的评估规范规范
