1、第四节第四节 晶体三极管晶体三极管 的伏安特性曲线的伏安特性曲线1感谢你的观看2019年5月24 晶体三极管的理论伏安特性曲线，可以根据埃伯尔斯莫尔方程直接画出来。理论伏安特性曲线：是不考虑中性区所固有的体电阻、制造工艺上的离散性以及其它的寄生影响等因素。如果考虑到这些影响，则实际的伏安特性曲线将偏离理论伏安特性曲线。一般都采用实验方法逐点描绘出来或用晶体三极管测试仪直接侧得。2感谢你的观看2019年5月24双口网络V1I2I1V2共基极VEBICIEVCBCEB3感谢你的观看2019年5月24共发射极共集电极VBCIEIBVBCEBCVCEICIBVBEBCE4感谢你的观看2019年5月24
2、 以共发射极为例：根据电路可知：有四个变量 IB 、VBE 、IC 、VCE 输入特性曲线族 CEVBEEBVfI）（1 输出特性曲线族 BICEECVfI）（2或 BEVCEECVfI）（2VCEICIBVBEECB5感谢你的观看2019年5月24 在某些应用场合下，还需要其它形式的特性曲线，这些特性曲线都可以从上述的输入和输出特性曲线转换得到。例如：转移特性曲线族 CEVBECVfI）（电流放大特性曲线族 CEVBCIfI）（6感谢你的观看2019年5月24一、输入特性曲线族：一、输入特性曲线族：实际测量得到的输入特性曲线族。0IEBO+ICBOV(BR)BEOIB/AVCE=10VVCE
3、=0.3VVCE=00.70.60.5VBE/V0.87感谢你的观看2019年5月24基区宽度调制效应：WBVCEWBOIBNPNWBO8感谢你的观看2019年5月24 二、输出特性曲线族：二、输出特性曲线族：实际测量得到的输出特性曲线族。放放大大区区击击穿穿区区饱和区饱和区截止区截止区IC/mAIB=-ICBO(IE=0)V(BR)CBOV(BR)CEOIC=ICBOIC=ICEOVCE/V10AIB=040A30A20A9感谢你的观看2019年5月24 根据外加电压大小的不同，整个曲线族可划分为四个区，即放大区、截止区、饱和区、击穿区。1、放大区：晶体三极管工作在放大模式，即 发射结正偏，
4、集电结反偏。IC 与 IB 之间满足直流传输方程，即 CEOBCIII 特点：（1）、若设 为常数，当 IB 等量增加时，输出特性曲线也将等间隔的平行上移。由于基区宽度调制效应，当VCE 增大时，基区复合减小，导致 和相应的 略有增大。EcnII1110感谢你的观看2019年5月24因此，每一条以 IB 为参变量的曲线都随VCE 增大而略有上翘。（2）、若取VBE 为参变量，作特性曲线 IC VBE4VBE3VBE2VBE1VCE0AVA VA 称为厄尔利电压，其值的大小可用来表示输出特性曲线得上翘程度。VA 越大，上翘程度就越小。11感谢你的观看2019年5月24考虑厄尔利电压的影响，则TB
5、EVVSCeII应该加以修正为）（ACEVVSCVVeIITBE10VCEIC IC IC2IC112感谢你的观看2019年5月24 2、截止区：晶体三极管工作在截止模式，即 发射结反偏，集电结反偏。从输出特性曲线上看，工程上，可规定 IB=0（相应地 IC=ICEO）以下的区域称为截止区。特点：（1）、VCE 很大，其值接近偏置电压。（2）、严格的说，截止区应该是 IE=0 以下的区域。当 IE=0 时 IC=ICBO，IB=-ICBO 13感谢你的观看2019年5月24 3、饱和区：晶体三极管工作在饱和模式，即 发射结正偏，集电结正偏。特点：（1）、VCE 很小，其值小于0.3V。（仅适合小功率管）（2）、IC 与 IB 之间不满足直流传输方程，并且有IC V(BR)CEO 当基极开路，即 IB=0，IC=ICBO 时，击穿电压为V(BR)CEO。当 IE=0，即IC=ICBO，IB=-ICBO 时，击穿电压最大用 V(BR)CBO表示。17感谢你的观看2019年5月24三、极限参数：三、极限参数：PCM VCE0V(BR)CEOICM IC安安全全区区ICM 最大允许集电极电流。V(BR)CEO 集电极反向击穿电压。PCM 最大允许集电极耗散功率。CECCMVIP18感谢你的观看2019年5月24
