1、第五章第五章 微机的存储器微机的存储器1.存储器按其与存储器按其与CPU的连接方式的连接方式进行分类进行分类 两大类：内存（主存）和外存（辅存）5.15.1存储器的分类与组成存储器的分类与组成2 2、按存储介质分类、按存储介质分类：半导体存储器；磁泡存储器；磁表面存储器 （如磁带，磁盘，磁鼓，磁卡等）；磁芯存储器；光盘存储器；图图5.15.1为为CPUCPU与存储器的连接结构示意图。图中内存由半与存储器的连接结构示意图。图中内存由半导体存储器芯片组成，外存则有磁带、硬磁盘和软磁盘等。导体存储器芯片组成，外存则有磁带、硬磁盘和软磁盘等。一、半导体存储器的分类一、半导体存储器的分类 按按使用的功能
2、使用的功能可分为两大类：随机存取存储器可分为两大类：随机存取存储器RAM(Random Access memory)RAM(Random Access memory)和只读存储器和只读存储器ROM(Read Only ROM(Read Only Memory)Memory)。二、半导体存储器的组成二、半导体存储器的组成由存储体、地址选择电路、输入输出电路和控制电路组成。由存储体、地址选择电路、输入输出电路和控制电路组成。（一）（一）存储体存储体 存储体是存储存储体是存储1 1或或0 0信息的电路实体，它由许多存储单元组成，信息的电路实体，它由许多存储单元组成，每个存储单元赋予一个编号，称为每个
3、存储单元赋予一个编号，称为地址单元号地址单元号。而每个存储单元。而每个存储单元由若干相同的由若干相同的位位组成，每个位需要一个存储元件。组成，每个位需要一个存储元件。存储器的地址用一组二进制数表示，其地址线的位数存储器的地址用一组二进制数表示，其地址线的位数n n与存与存储单元的数量储单元的数量N N之间的关系为：之间的关系为：2=N2=Nn n（二）地址选择电路（二）地址选择电路 地址选择电路包括地址码缓冲器，地址译码器等。地址选择电路包括地址码缓冲器，地址译码器等。地址译码器用来对地址译码，地址译码器用来对地址译码，n n个输入端的地址译码器可以个输入端的地址译码器可以对应对应2 2n n
4、个地址码，作为对地址单元的选择线。个地址码，作为对地址单元的选择线。地址译码器的地址译码器的输出的选择线输出的选择线又叫又叫字线字线。地址译码方式有两种：地址译码方式有两种：1.1.单译码方式（或称字结构）单译码方式（或称字结构）它的全部地址码只用一个地址译码器电路译码，译码输出它的全部地址码只用一个地址译码器电路译码，译码输出的字选择性直接选中与地址码对应的存储单元。的字选择性直接选中与地址码对应的存储单元。该方式需要的选择线数较多，适用于小容量的存储器。该方式需要的选择线数较多，适用于小容量的存储器。2.2.双译码方式（或称重合译码）双译码方式（或称重合译码）读读/写电路包括读写电路包括读
5、/写放大器、数据缓冲器（三态双写放大器、数据缓冲器（三态双向缓冲器）等。它是数据信息输入和输出的通道。向缓冲器）等。它是数据信息输入和输出的通道。外界对存储器的控制信号有外界对存储器的控制信号有读信号（）读信号（）、写信写信号（）号（）和和片选信号（）片选信号（）等，通过控制电路以控等，通过控制电路以控制存储器的读或写操作以及片选。只有片选信号处于有制存储器的读或写操作以及片选。只有片选信号处于有效状态，存储器才能与外界交换信息。效状态，存储器才能与外界交换信息。（三）读（三）读/写电路与控制电路写电路与控制电路一、静态随机存取存储器一、静态随机存取存储器（一）（一）SRAMSRAM的基本存储
6、电路的基本存储电路 由个管组成的触发器由个管组成的触发器.5.2 5.2 随机存取存储器（随机存取存储器（RAMRAM）（二）静态（二）静态RAMRAM的组成的组成1.1.读出过程读出过程 （1 1）地址码加到）地址码加到RAMRAM芯片的地址输入端，经芯片的地址输入端，经X X与与Y Y地址译码器译码，产生地址译码器译码，产生行选与列选行选与列选信号，选中某一存储单信号，选中某一存储单元，该单元中存储的代码，经一定时间，出现元，该单元中存储的代码，经一定时间，出现在在I IO O电路的电路的输入端输入端。电路对读出的信号进行放大、整形，送至输。电路对读出的信号进行放大、整形，送至输出缓冲寄存
7、器。缓冲寄存器一般具有三态控制功能，没有开出缓冲寄存器。缓冲寄存器一般具有三态控制功能，没有开门信号，所存数据还不能送到门信号，所存数据还不能送到DBDB上。上。（三）静态（三）静态RAMRAM的读的读/写过程写过程（2 2）在送上地址码的同时，还要送上读）在送上地址码的同时，还要送上读/写控制信号写控制信号（R/WR/W或或RDRD、WRWR）和片选信号（）和片选信号（CSCS）。读出时，）。读出时，使使R/WR/W，CSCS，这时，输出缓冲寄存器的三态门将被打开，所存，这时，输出缓冲寄存器的三态门将被打开，所存信息送至信息送至DBDB上。于是，存储单元中的信息被读出。上。于是，存储单元中的
8、信息被读出。（四）静态（四）静态RAMRAM芯片举例芯片举例常用的常用的Intel 6116 Intel 6116 是是CMOSCMOS静态静态RAMRAM芯片，它的存储容量为芯片，它的存储容量为2K2K8 8位：位：动态动态RAMRAM芯片是以芯片是以MOSMOS管栅极电容是否充有电荷来存储信息的管栅极电容是否充有电荷来存储信息的 二、动态随机存储器二、动态随机存储器(一）动态基本存储电路一）动态基本存储电路 三管动态基本存储电路三管动态基本存储电路 写入操作时，写选择线上为高电平，写入操作时，写选择线上为高电平，1 1导通。待写入的导通。待写入的信息由写数据线通过信息由写数据线通过1 1加
9、到加到2 2管的栅极上，对栅极电容管的栅极上，对栅极电容CgCg充电。若写入，则充电。若写入，则CgCg上充有电荷；若写入，则上充有电荷；若写入，则CgCg上无电上无电荷。写操作结束后，荷。写操作结束后，1 1截止，信息被保存在电容截止，信息被保存在电容CgCg上。上。读出操作时，先在读出操作时，先在4 4管栅极加上预充电脉冲，使管栅极加上预充电脉冲，使4 4管管导通，读数据线因有寄生电容导通，读数据线因有寄生电容CDCD而预充到（）。然而预充到（）。然后使读选择线为高电平，后使读选择线为高电平，3 3管导通。若管导通。若2 2管栅极电容管栅极电容CgCg上上已存有已存有“”信息，则信息，则2
10、 2管导通。这时，读数据线上的预管导通。这时，读数据线上的预充电荷将通过充电荷将通过3,3,2 2而泄放，于是，读数据线上为。若而泄放，于是，读数据线上为。若2 2管栅极电容上所存为管栅极电容上所存为“”信息，则信息，则2 2管不导通，则读管不导通，则读数据线上为。因此，经过读操作，在读数据线上可以读出数据线上为。因此，经过读操作，在读数据线上可以读出与原存储相反的信息。若再经过读出放大器反相后，就可以与原存储相反的信息。若再经过读出放大器反相后，就可以得到原存储信息了。得到原存储信息了。刷新刷新单管动态基本存储电路单管动态基本存储电路 写入时，使字选线上为高电平，写入时，使字选线上为高电平，
11、T1T1管导通，待写入的管导通，待写入的信息由位线信息由位线D D（数据线）存入（数据线）存入CsCs。读出时，同样使字选线上为高电平，读出时，同样使字选线上为高电平，T1T1管导通，则存管导通，则存储在储在CsCs上的信息通过上的信息通过T1T1管送到管送到D D线上，再通过放大，即可线上，再通过放大，即可得到存储信息。得到存储信息。Intel 2116 Intel 2116 16K16K1 1（二）动态（二）动态RAMRAM芯片举例芯片举例Intel 2116Intel 2116的内部结构如图的内部结构如图5.115.11所示：所示：动态动态RAMRAM的刷新：的刷新：动态动态RAMRAM
12、的刷新实质式进行一次的刷新实质式进行一次“写入写入”操作，但按行进行，操作，但按行进行，即不管系统中有多少个即不管系统中有多少个DRAMDRAM芯片，也不管存储容量有多大，每芯片，也不管存储容量有多大，每次均对所有芯片的同一行刷新次均对所有芯片的同一行刷新 单片单片DRAMDRAM有多少行，就分多少次进行刷新有多少行，就分多少次进行刷新 一般刷新电路中都有一般刷新电路中都有刷新计数器刷新计数器，每刷新一行计数一次。，每刷新一行计数一次。刷新电路必须保证刷新电路必须保证2ms2ms内对内对DARMDARM刷新一次刷新一次 刷新的方法有刷新的方法有定时集中制、非同步再生制、同步再生制定时集中制、非
13、同步再生制、同步再生制一、只读存储器存储信息的原理和组成一、只读存储器存储信息的原理和组成 .3.3 只读存储器（）只读存储器（）当字线上加有选中信当字线上加有选中信号时，如果电子开关号时，如果电子开关是断开的，位线是断开的，位线上将输出信息；如上将输出信息；如果是接通的，则位果是接通的，则位线经接地，将线经接地，将输出信息输出信息0 0。ROMROM的组成由地址译码电路、存储矩阵、读出电路及控制电的组成由地址译码电路、存储矩阵、读出电路及控制电路等部分组成。路等部分组成。图图5.135.13是有是有1616个存储单元、字长为个存储单元、字长为1 1位的位的ROMROM示示意图。意图。（一）不
14、可编程掩模式（一）不可编程掩模式MOSMOS只读存储器只读存储器由器件制造厂家根据用户事先编好的机器码程序，把由器件制造厂家根据用户事先编好的机器码程序，把0 0、1 1信息存储在掩模图形中而制成的信息存储在掩模图形中而制成的ROMROM芯片。这种芯片制成以芯片。这种芯片制成以后，它的存储矩阵中每个后，它的存储矩阵中每个MOSMOS管所存储的信息管所存储的信息0 0或或1 1被固定下被固定下来，不能再改变，而只能读出。来，不能再改变，而只能读出。二、只读存储器的分类、只读存储器的分类（二）可编程存储器（二）可编程存储器 用户在使用前可以根据自己的用户在使用前可以根据自己的需要编制需要编制ROM
15、ROM中的程序。熔丝中的程序。熔丝式式PROMPROM的存储电路相当于图的存储电路相当于图5.125.12的元件原理图的元件原理图（三）可擦除、可再编程的只读存储器（三）可擦除、可再编程的只读存储器 若若EPROMEPROM中写入的信息有错或不需要时，可用两种方法来擦中写入的信息有错或不需要时，可用两种方法来擦除原存的信息。除原存的信息。一种是利用专用的紫外线灯对准芯片上的石英窗口照射一种是利用专用的紫外线灯对准芯片上的石英窗口照射10102020分钟，即可擦除原写入的信息。这种方法只能把存储分钟，即可擦除原写入的信息。这种方法只能把存储的信息全部擦除后再重新写入的信息全部擦除后再重新写入采用
16、金属氮氧化物硅（采用金属氮氧化物硅（MNOSMNOS）工艺生产的）工艺生产的MNOSMNOS型型PROMPROM，它是一种利用电来改写的可编程只读存储器，它是一种利用电来改写的可编程只读存储器，即即EEPROMEEPROM（四）闪速存储器（四）闪速存储器（Flash MemoryFlash Memory）E E2 2PROMPROM能够在线编程，可以自动写入，在使用方便性能够在线编程，可以自动写入，在使用方便性及写入速度两个方面都较及写入速度两个方面都较EPROMEPROM进了一步。但是，其编程进了一步。但是，其编程时间相对时间相对RAMRAM而言还是较长，特别对大容量的芯片更显得而言还是较长
17、，特别对大容量的芯片更显得突出。人们希望有一种写入速度类似于突出。人们希望有一种写入速度类似于RAMRAM，掉电后内容，掉电后内容又不丢失的存储器。一种称为闪速存储器（又不丢失的存储器。一种称为闪速存储器（Flash MemoryFlash Memory，以下简称为以下简称为FlashFlash，闪存）的新型，闪存）的新型E E2 2PROMPROM由此被研制出来。由此被研制出来。闪速存储器首先由闪速存储器首先由IntelIntel公司开发，它采用非挥发性公司开发，它采用非挥发性存储技术，能够在线擦除和重写，掉电后信息可以保持存储技术，能够在线擦除和重写，掉电后信息可以保持1010年。年。Fl
18、ashFlash具有具有ROMROM非易失性的优点，又有很高的存取速非易失性的优点，又有很高的存取速度，既可读又可写，具有集成度高，价格低，耗电少等优度，既可读又可写，具有集成度高，价格低，耗电少等优点，因此得到广泛的使用。例如点，因此得到广泛的使用。例如Pentium IIPentium II以后的主板都以后的主板都采用了这种存储器存放采用了这种存储器存放BIOSBIOS程序。程序。FlashFlash的可擦可写特性，的可擦可写特性，使使BIOSBIOS程序可以及时升级。程序可以及时升级。5.4 5.4 存储器的连接存储器的连接 要解决两个问题：要解决两个问题：一个是如何用容量较小、字长较短
19、的芯片，组成微一个是如何用容量较小、字长较短的芯片，组成微机系统所需的存储器；机系统所需的存储器；另一个是存储器与的连接方法与应注意的问另一个是存储器与的连接方法与应注意的问题。题。一、存储器芯片的扩充一、存储器芯片的扩充（一）位数的扩充（一）位数的扩充（位扩展）位扩展）微型计算机中，最小的信息存取单位是微型计算机中，最小的信息存取单位是“字节字节”，如，如果一个存储芯片不能同时提供果一个存储芯片不能同时提供8bit8bit数据，就必须把几块芯数据，就必须把几块芯片组合起来使用，这就是存储器芯片的片组合起来使用，这就是存储器芯片的“位扩展位扩展”。位扩。位扩展把多个存储芯片组成一个整体，使数据
20、位数增加，但单展把多个存储芯片组成一个整体，使数据位数增加，但单元个数不变。经位扩展构成的存储器，每个单元的内容被元个数不变。经位扩展构成的存储器，每个单元的内容被存储在不同的存储芯片上。存储在不同的存储芯片上。位扩展电路连接方法是：将每个存储芯片的地址位扩展电路连接方法是：将每个存储芯片的地址线和控制线（包括选片信号线、读写信号线等）并联线和控制线（包括选片信号线、读写信号线等）并联在一起，数据线分别引出连接至数据总线的不同位上。在一起，数据线分别引出连接至数据总线的不同位上。位扩展连接方法归纳如下：位扩展连接方法归纳如下：（1 1）芯片的地址线全部并联且与地址总线相应连接；）芯片的地址线全
21、部并联且与地址总线相应连接；（2 2）片选信号线并联，连接到地址译码器的输出端）片选信号线并联，连接到地址译码器的输出端 （3 3）读写控制信号并联，连接到控制总线的存储器）读写控制信号并联，连接到控制总线的存储器读写控制线上读写控制线上;（4 4）不同芯片的数据线连接到数据总线不同位上。）不同芯片的数据线连接到数据总线不同位上。例如，可以用片例如，可以用片位的芯片组成容量为位的芯片组成容量为位的存储器，如位的存储器，如图图5.155.15所示。这时，各芯片的数据线所示。这时，各芯片的数据线分别接到数据总线的各位，而地址线的相应位及各控制线，分别接到数据总线的各位，而地址线的相应位及各控制线，
22、则并联在一起。则并联在一起。图图5.165.16则是用片则是用片位的芯片，组位的芯片，组成成位的存储器的情况。这时，一片芯片的数据线位的存储器的情况。这时，一片芯片的数据线接数据总线的低接数据总线的低4 4位，另一片芯片的数据线则接数据总线位，另一片芯片的数据线则接数据总线的高的高4 4位。而两片芯片的地址线及控制线则分别并联在一位。而两片芯片的地址线及控制线则分别并联在一起。起。用用4 4片片16K16K8 8位的存储器芯片组成位的存储器芯片组成64K64K8 8位存储器连接线路。位存储器连接线路。2 2、地址的扩充、地址的扩充 各芯片的地址取值范围各芯片的地址取值范围 地址扩充归纳如下：地
23、址扩充归纳如下：（三）（三）字位全扩展字位全扩展 如果存储器的字数和位数都不能满足系统存储器的如果存储器的字数和位数都不能满足系统存储器的要求，就要进行字和位全扩展。这时需要同时使用前面要求，就要进行字和位全扩展。这时需要同时使用前面的位扩展和字扩展方法。的位扩展和字扩展方法。假设一个存储器容量为假设一个存储器容量为M MN N位，所用的芯片规格是位，所用的芯片规格是L LK K位。组成这个存储器模块共需（位。组成这个存储器模块共需（M MN N）/（L LK K）（M/LM/L）（N/KN/K）个存储芯片。例如用）个存储芯片。例如用64K64K4 4位芯片组位芯片组成成512K512K323
24、2位的存储器模块，则需要（位的存储器模块，则需要（512K/64K512K/64K）（3232位位/4/4位）位）=8=88=648=64片。片。微型机中内存的构成就是字位扩展的一个很好的例子。微型机中内存的构成就是字位扩展的一个很好的例子。首先，存储器芯片生产厂制造出一个个单独的存储芯片，如首先，存储器芯片生产厂制造出一个个单独的存储芯片，如64M64M1 1，128M128M1 1等；然后，内存条生产厂将若干个芯片用等；然后，内存条生产厂将若干个芯片用位扩展的方法组装成内存模块（即内存条），如用位扩展的方法组装成内存模块（即内存条），如用8 8片片128M128M1 1的芯片组成的芯片组成
25、128MB128MB的内存条；最后，用户根据实际需的内存条；最后，用户根据实际需要购买若干个内存条插到主板上构成自己的内存储器，即字要购买若干个内存条插到主板上构成自己的内存储器，即字扩展。一般来讲，最终用户做的都是字扩展（即增加内存地扩展。一般来讲，最终用户做的都是字扩展（即增加内存地址单元）的操作。址单元）的操作。内存扩展的次序一般是先进行位扩，构成字长满足要内存扩展的次序一般是先进行位扩，构成字长满足要求的内存模块，然后再用若干个这样的模块进行字扩，完成求的内存模块，然后再用若干个这样的模块进行字扩，完成字位扩展，使总容量满足要求。字位扩展，使总容量满足要求。例：用例：用21642164
26、构成容量为构成容量为128KB128KB的的DRAMDRAM内存组：内存组：21642164是是64K64K1 1的芯片，所以首先要进行位扩展，用的芯片，所以首先要进行位扩展，用8 8片片21642164组成组成64KB64KB的内存模块、然后再用两组这样的模块进行字扩展。所的内存模块、然后再用两组这样的模块进行字扩展。所需的芯片数为（需的芯片数为（128/64128/64）（8/18/1）1616片。片。要寻址要寻址128K128K个内存单元至少需要个内存单元至少需要1717位地址信号线（位地址信号线（2 21717128K128K）。）。而而21642164有有64K64K个单元。需要个单
27、元。需要1616根地址信号线（分为行和列），根地址信号线（分为行和列），余下的余下的1 1根地址线用于区分两个根地址线用于区分两个64KB64KB的存储模块。的存储模块。综上所述，存储器的字位扩展可以分为综上所述，存储器的字位扩展可以分为3 3步。步。（1 1）选择合适的芯片）选择合适的芯片,确定所需芯片个数；确定所需芯片个数；（2 2）根据要求将芯片）根据要求将芯片“多片并联多片并联”进行位扩展，设计出满足字进行位扩展，设计出满足字长要求的长要求的“存储模块存储模块”；（3 3）对）对“存储模块存储模块”进行字扩展，构成符合要求的存储器。进行字扩展，构成符合要求的存储器。例：例：用用2114
28、2114（1K1K4 4）构成）构成4K4K8 8的存储器，与的存储器，与8 8位的一个微处位的一个微处理器相连，求：共需多少芯片？每组芯片有几个？每组芯片的理器相连，求：共需多少芯片？每组芯片有几个？每组芯片的地址范围？连接示意图如下地址范围？连接示意图如下二、存储器与二、存储器与CPUCPU的连接的连接 1.ROM1.ROM与与8086CPU8086CPU的连接的连接 以以1 1字节宽度输出组织的芯片，在连接到字节宽度输出组织的芯片，在连接到80868086系统时，为了系统时，为了存储存储1616位指令字，要使用两片这类芯片并联。位指令字，要使用两片这类芯片并联。当微机系统的存储器容量少于
29、当微机系统的存储器容量少于16K16K字时，宜采用静态字时，宜采用静态RAMRAM芯芯片片 8086 CPU8086 CPU无论是在最小方式或最大方式下，都可以寻址无论是在最小方式或最大方式下，都可以寻址1MB1MB的存储单元，的存储单元，存储器均按字存储器均按字节编址节编址2.2.静态静态RAMRAM与与8086CPU8086CPU芯片的连接芯片的连接3.EPROM3.EPROM、静态、静态RAMRAM与与8086CPU8086CPU连接的实例连接的实例BHE#A0A12M/IO#RD#2732（一）（一）CPU外部总线的负载能力外部总线的负载能力 在小系统中，在小系统中，CPUCPU可以与
30、存储器直接相连。可以与存储器直接相连。较大的存储系统中，连接的存储器芯片片数较多，就会造较大的存储系统中，连接的存储器芯片片数较多，就会造成总线过载，应采用加成总线过载，应采用加缓冲器缓冲器或或总线驱动器总线驱动器等方法来增加总等方法来增加总线的驱动能力。线的驱动能力。三、存储器与三、存储器与CPUCPU连接应该注意的一些问题连接应该注意的一些问题 （二）各种信号线的配合与连接（二）各种信号线的配合与连接数据线：数据线：数据传送一般是双向的。而输入线与输出线分开数据传送一般是双向的。而输入线与输出线分开的芯片，则要外加三态门，才能与的芯片，则要外加三态门，才能与CPUCPU数据总线相连数据总线
31、相连地址线地址线：存储器的地址线一般可以直接接到：存储器的地址线一般可以直接接到CPUCPU的地址总线。的地址总线。而大容量的动态而大容量的动态RAMRAM，为了减少引线的数目，往往采用分时输，为了减少引线的数目，往往采用分时输入的方式，这时，需在入的方式，这时，需在CPUCPU与存储器芯片之间加上与存储器芯片之间加上多路转换开多路转换开关关，用，用CASCAS与与RASRAS分别将地址的高位与低位送入存储器。分别将地址的高位与低位送入存储器。控制线控制线：CPUCPU通过控制线送出命令，以控制存储器的读写操作，通过控制线送出命令，以控制存储器的读写操作，以及送出片选信号、定时信号等以及送出片
32、选信号、定时信号等（三）（三）CPUCPU的时序与存储器的存储速度之间的匹配的时序与存储器的存储速度之间的匹配（四）存储器的地址分配及片选信号的产生（四）存储器的地址分配及片选信号的产生 某计算机有地址线某计算机有地址线1818位，数据线位，数据线8 8位，现选用位，现选用4K4K4 4位的静位的静态态RAMRAM芯片组成该机的内存，问芯片组成该机的内存，问 1 1、该机允许的最大内存空间多大？、该机允许的最大内存空间多大？256KB256KB 2 2、若设定基本的芯片模块容量为、若设定基本的芯片模块容量为32K32K8 8，该机共需几个这样，该机共需几个这样的模块？的模块？8 8 3 3、每
33、个模块内包含多少个、每个模块内包含多少个4K4K4 4位的位的RAMRAM芯片？芯片？1616 4 4、主存共需多少个、主存共需多少个RAMRAM芯片？芯片？CPUCPU如何选择这些模块？如何选择这些模块？128128 CPUCPU选择各模块的方法是：地址线选择各模块的方法是：地址线A14A14A0A0为模块内连接，用地址线为模块内连接，用地址线A17A17，A16A16，A15A15通过一个通过一个3838译码器，其输出端作为译码器，其输出端作为8 8各模块的片选端各模块的片选端n1n1m1m1n1n1M MK=M/m1K=M/m1N NM ML=N/n1L=N/n1J=X/NJ=X/NX
34、XM M 一台一台8 8位微机的地址总线为位微机的地址总线为1616条，其条，其RAMRAM存储器容量为存储器容量为32KB32KB，首地址为首地址为4000H4000H，且地址是连续的。问可用的最高地址是多少？，且地址是连续的。问可用的最高地址是多少？BFFFHBFFFH 5.5 5.5 内存条技术的发展内存条技术的发展 5.6 5.6 硬盘存储器硬盘存储器 5.7 5.7 光盘驱动器光盘驱动器CPUCPU寄存器组寄存器组片内片内CacheCache片外片外CacheCache内部存储器内部存储器（DRAMDRAM、SRAMSRAM）外部存储器外部存储器（软盘、硬盘、光盘）（软盘、硬盘、光盘）CPUCPU芯片中芯片中主机系统中主机系统中外部外部设备设备&
