1、下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录GSDBECGEC下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录 P1P2N1N2下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录P1P2N1N2K GAPPNNNPAGKKA T2T1_P2N1N2IGIAP1N1P2IKG下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录 在极短时间内使两个在极短时间内使两个三极管均饱和导
2、通，此三极管均饱和导通，此过程称触发导通。过程称触发导通。G2Bii 1BG22Ciii 2C11Cii 2BG21ii EA+_R T1T2EG_+G21iG2iGi2Bi下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录EA+_R T1T2EG2BiG2iGiG21i_+G2Bii 1BG22Ciii 2C11Cii 2BG21ii G下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录 必须使可控硅阳极电流减小，直到必须使可控硅阳极电流减小，直到正反馈正反馈效效应不能维持。应不能维持。将阳极电源断开或者在晶闸管的将阳极电源断开或者在晶闸管的下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录
3、章目录URRMUFRMIG2 IG1 IG0 UBRIFUBOIHOUIIG0IG1IG2正向平均电流正向平均电流曲曲线线)(UfI 下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录UDRM 晶闸管晶闸管控制极开路且正向阻断情况下控制极开路且正向阻断情况下,可以重复可以重复加在加在晶闸管晶闸管两端的正向峰值电压。两端的正向峰值电压。一般一般UDRM 比正向转折电压比正向转折电压UBO低低100V。URRM 晶闸管晶闸管控制极开路时控制极开路时,可以重复加在可以重复加在晶闸管晶闸管两端两端的反向峰值电压。的反向峰值电压。一般一般URRM 比反向转折电压比反向转折电压|UBO|低低100V。环
4、境温度为环境温度为40C及及标准散热条件下，标准散热条件下，晶闸管处晶闸管处于于全导通时全导通时可以连续通过的工频正弦半波电流的平可以连续通过的工频正弦半波电流的平均值。均值。下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录)(sin21m0FIttdIIm IFt 2 i如果正弦半波电流的最大值为如果正弦半波电流的最大值为Im,则则普通晶闸管普通晶闸管IF为为1A 1000A。下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录额定电压额定电压,用百位或千位数表用百位或千位数表示示取取UFRM或或URRM较小者较小者额定正向平均电流额定正向平均电流(IF)晶闸管晶闸管K P普通型普通型如
5、如KP5-7表示表示额定正向平均电流为额定正向平均电流为5A,额定电压为额定电压为700V。下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录(1)。uuu T,0O。0,TO uuu+T下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录 tguO t1 2。uuu T ,0O:1t。0T,O uuu tuO晶晶闸闸管管不不导导通通。,00g1 ut t。uuu T,0O下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录 tguO tOuO 控制角控制角 t1 tuO t22 tTuO导通角导通角下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录 d21OtuU )d(sin221tt
6、U 2cos145.0LLOO RURUI2cos145.0 U下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录 O+TLeL下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录 tguO tOuO t1 tuO t22 tTuO 下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录O+LTD+下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录 tguOiL tOu tuO tTuO 2 下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录aRLD2T1b+T1T2RLuOD1D2+下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录bRLD1T2a+T1T2RLuOD1D2+下一页下一
7、页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录 tguO tOu tuO tTuO2 下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录 d1OtuU )d(sin21ttUU 2cos19.0LO RURUI2cos19.0 U下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录 ，一旦发生过电，一旦发生过电流时，温度急剧上升，可能将流时，温度急剧上升，可能将PN结烧坏，造成元件结烧坏，造成元件内部断炉或开路。例如一只内部断炉或开路。例如一只100A的的晶闸管晶闸管过电流为过电流为400A时，仅允许持续时，仅允许持续0.02秒，否则将因过热而损坏；秒，否则将因过热而损坏；电压超过其反向击电压超
8、过其反向击穿电压时，即使时间极短，也容易损坏。若正向电穿电压时，即使时间极短，也容易损坏。若正向电压超过转折电压时，则晶闸管误导通，导通后的电压超过转折电压时，则晶闸管误导通，导通后的电流较大，使器件受损。流较大，使器件受损。下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录与晶闸与晶闸管串联管串联接在接在输入输入端端接在接在输出输出端端下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录 硒碓保护硒碓保护(硒整流片硒整流片)RCRC晶闸管元件晶闸管元件的阻容保护的阻容保护下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录NPPN结结N型
9、硅片型硅片下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录2B1B1BBB1BRRRUU BBBB2B1BUURR 分压比分压比(0.5 0.9)UBB+_+_RP+_+_RERB1RB2AUBB+_RP+_+_RE下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录(3)维持单结管导通的最小维持单结管导通的最小 电压、电流。电压、电流。单结管由截止变导通单结管由截止变导通 所需发射极电压所需发射极电压。IpIVV截止区截止区P下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录 (3)不同单结晶体管的谷点电压不同单结晶体管的谷点电压谷点电流谷点电流都都 比一样。谷点电压大约在比一样。谷点
10、电压大约在2 5V之间。常选用之间。常选用 稍大一些，稍大一些，稍小的单结晶体管，以增大输稍小的单结晶体管，以增大输 出脉冲幅度和移相范围。出脉冲幅度和移相范围。下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录UVugg下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录。uV下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录RLR1R2RPCRuZT1D1D2T2u2+C+R下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录U2MU2MuOuuRu2+uO+uZ下一页下一页返回返回上一页上一页退出退出章目录章目录UZUP-UDR1R2RPCCRuZuLuguCuVUpRLT1D1D2T2
