1、第4章 光电探测原理及器件光电子技术基础厚德博学 求实创新学习目标学习目标 通过本章学习，掌握光电探测的基本物理效应、光电探测器及其性能参数、各种光电探测器件的基本结构、特性参数的相关知识，掌握直接探测系统和光频外差探测系统的性能，了解各种光电探测器件的实际应用，为光电探测器的选用和设计打下基础。学习要求学习要求 熟悉光电探测的基本物理效应熟悉光电探测的基本物理效应 1掌握光电探测器及其性能参数掌握光电探测器及其性能参数 2熟悉各种光电探测器件结构及特性熟悉各种光电探测器件结构及特性 3掌握直接探测系统和光频外差探测系统的性能掌握直接探测系统和光频外差探测系统的性能 44.1 光电探测的基本物
2、理效应光电探测的基本物理效应v光电探测器的基本物理效应通常分为两类：光子效光电探测器的基本物理效应通常分为两类：光子效应和光热效应。应和光热效应。v光子效应是指单个光子的性质对产生的光电子起直光子效应是指单个光子的性质对产生的光电子起直接作用的一类光电效应，光电探测器吸收光子后，接作用的一类光电效应，光电探测器吸收光子后，直接引起原子或分子的内部电子状态的改变。直接引起原子或分子的内部电子状态的改变。v光热效应指材料受光照射后，光子能量与晶格相互光热效应指材料受光照射后，光子能量与晶格相互作用，振动加剧，温度升高，由于温度的变化而造作用，振动加剧，温度升高，由于温度的变化而造成物质的电学特性变
3、化。成物质的电学特性变化。v光子效应又可以细分为外光电效应和内光电效应；光子效应又可以细分为外光电效应和内光电效应；光热效应又可以细分为温差电效应和热释电效应。光热效应又可以细分为温差电效应和热释电效应。4.1.1 外光电效应外光电效应l在光线的作用下，物体内的电子逸出物体表面向外发射的现象称为外光电效应，也称为光电发射效应。l光电发射效应多发生于金属和金属氧化物，向外发射的电子称为光电子。l基于光电发射效应的光电器件有光电管、光电倍增管等。l最重要的公式是爱因斯坦光电效应方程。外光电效应外光电效应爱因斯坦光电效应方程 式中：hv为单个光子的能量；m为电子质量；v0为电子逸出速度；A0为物体表
4、面电子逸出功。可知，光电子能否产生，取决于光子的能量是否大于该物体的表面电子逸出功A0。20012hmvA 不同的物质具有不同的逸出功，即每一种物质都有一个对应的光频阈值，称为红限频率（或截止频率。光电子发射的红限频率为 对应的波长限为 式中：c为真空中的光速，为产生光电子发射的入射光波的截止频率，为产生光电子发射的入射光波的截止波长。0cAh0chcAcc外光电效应外光电效应讨论讨论l若入射光线频率低于红限频率（截止频率），光子能量不足以使物体内的电子逸出，即使光强再大也不会产生光电子发射；反之，入射光频率高于红限频率，即使光线微弱，也会有光电子射出。l当入射光的频谱成分不变时，产生的光电流
5、与光强成正比，即光强愈大，意味着入射光子数目越多，逸出的电子数也就越多。4.1.2 内光电效应内光电效应l当光照射在物体上，使物体的电阻率发生变化，或产生光生电动势的现象称为内光电效应，它多发生于半导体内。l根据工作原理的不同，内光电效应分为光电导效应和光生伏特效应两类。1）光电导效应）光电导效应 l在光线作用下，电子吸收光子能量从键合状态过渡到自由状态，从而引起材料电导率的变化，这种现象被称为光电导效应。l基于这种效应的光电器件有光敏电阻。当光照射到半导体材料上时，价带中的电子受到能量大于或等于禁带宽度的光子轰击，使其由价带越过禁带跃入导带，材料中导带内的电子和价带内的空穴浓度增加，从而使电
6、导率变大。为了实现能级的跃迁，入射光的能量必须大于光电导材料的禁带宽度Eg，即g1.24 hchvE1）光电导效应）光电导效应l材料的光导性能决定于禁带宽度Eg；l对于一种光电导材料，同样存在一个照射光波长限 ，只有波长小于的光照射在光电导体上，才能产生电子能级间的跃迁，从而使光电导体的电导率增加。c在热平衡下，多数载流子的扩散作用与少数载流子的 漂移作用相抵消，没有净电流通过pn结。2）光生伏特效应）光生伏特效应 在入射光照射下，当光子能量hv大于光电导材料的禁带宽度Eg时，会在材料中激发出光生电子-空穴对，破坏结的平衡状态。在结区的光生电子和空穴以及新扩散进结区的电子和空穴，在结电场的作用
7、下，电子向N区移动，空穴向P区移动，从而形成光生电流。基于光生伏特效应的光电器件有光电池、光电二极管和光敏晶体管等。4.1.3光热效应的一般规律光热效应的一般规律 l光热效应指材料受光照射后，光子能量与晶格相互作用，振动加剧，温度升高，由于温度的变化而造成物质的电学特性变化。l利用光热效应的探测器有热敏电阻、热电偶、热电堆和热释电探测器等。1）温度变化方程）温度变化方程 热电器件在没有受到辐射作用的情况下，器件与环境温度处于平衡状态，其温度为 。当辐射功率为 的热辐射入射到器件表面时，令表面的吸收系数为 ，则器件吸收的热辐射功率为 ；其中一部分使器件的温度升高，另一部分补偿器件与环境的热交换所
8、损失的能量。设单位时间器件的内能增量为 ，则有式中，称为热容，是表明内能的增量为温度变化的函数。0TeeiidTCdtCl热传导方程为l当时间 时，第一项衰减到可以忽略的程度，温度的变化为正弦变化的函数。可见，热敏器件吸收交变辐射能所引起的温升与吸收系数成正比。l减小热导是增高温升、提高灵敏度的好方法，但是热导与热时间常数成反比，提高温升将使器件的惯性增大，时间响应变坏。l l 称为器件的热时间常数。Tt 00GtCj t e eT tGj CGj C T2）温差电效应）温差电效应 l当两种不同的配偶材料（可以是金属或半导体）两端并联熔接时，如果两个接头的温度不同，并联回路中就产生电动势，称为
9、温差电动势。l如果将热电偶的冷端分开，并与一个电表相连接，则当光照射电偶接头时，电偶接头吸收光能，温度升高，电表就有一个相应的电流读数，其数值的大小间接反应光照的能量大小。这就是利用热电偶来探测光能的基本原理。3）热电导效应）热电导效应 l某些半导体材料吸收光辐射后温度升高，随着温度的升高电导率增大，即电阻下降。而有些金属材料，随着温度升高电阻升高，即电导率减小。把这些现象称为热电导效应。l半导体材料具能带结构，吸收光后引起晶格振动加剧，即温度升高，使更多的电子被激发到导带，电导率增大。l利用热电导效应的探测器有热敏电阻等。3）热电导效应）热电导效应a)半导体能带结构 b)金属导体能带结构图4
10、-5 半导体和金属导体能带结构一般金属的能带结构外层无禁带，由于自由电子密度很大，以致外界光作用引起的自由电子密度的相对变化可以忽略不计。相反，吸收光以后，使晶格振动加剧，妨碍了自由电子做定向运动。因此，当光作用于金属材料使其温度升高的同时，其电阻还略有增加。即金属材料有正温度系数，而半导体材料有负温度持性。4）热释电效应）热释电效应 l热释电效应通过热释电材料来实现。l热释电材料是一种电介质，本身是绝缘体，它是一种结晶对称性很差的压电晶体，在常态下具有自发电极化(即固有电偶极矩)。l热电体的 决定了面电荷密度 的大小，当 发生变化时，面电荷密度 也跟着变化。值是温度的函数，温度升高，减小。热
11、电体表面附近的自由电荷对面电荷的中和作用比较缓慢，在来不及中和前，热电体表面就会呈现出相应于温度变化的面电荷变化，即热释电现象。sPssPssPsP热释电系数热释电系数l若将热电体放入一个电容器的极板之间，并连接电流表，就会有电流流过电流表，称为短路热释电电流，若电容器极板面积为A，则短路热释电电流i为l式中，称为热释电系数。ssdPdP dTdTiAAAdtdT dtdtsdPdT热释电效应居里温度热释电效应居里温度l当温度T升高到某一数值Tc时,热释电效应自发极化突然消失,Tc值称为居里温度。4.1.4 光电转换定律光电转换定律 l光辐射量转换为光电流量的过程称为光电转换。l光通量 即光功
12、率，可以理解为光子流，光子能量hv是光能量E的函数。光电流是光生电荷Q的时变量，电荷e是光生电荷的基本单元，则l式中，和 分别为光子数和电子数，为统计平均量。l基于基本物理学观点，一般认为i正比于P，则引入一个比例系数D，有 lD称为探测器的光电转换因子，定义 ，且称为探测器的量子效率，是探测器基本物理性质所决定的。P t dndEP thvdtdt光 dndQi tedtdt电n光n电 i tDP teDhvdndndtdt光电光电转换定律光电转换定律l将D的定义式代回 ，有l上式称为基本的光电转换定律，它表明：(1)光电探测器对入射功率有响应，响应量是光电流。因此，一个光子探测器可视为一个
13、电流源。(2)因为光功率P正比于光电场的平方,故常常把光电探测器称为平方律探测器，或者说，光电探测器本质上是一个非线性器件。i tDP t()()ei tP thv4.2 光电探测器的性能参数光电探测器的性能参数l对应光电探测器按照探测原理也可以分为两大类，即光子探测型和热探测型。l光子探测型光电探测器基于光电效应原理，即利用光子本身能量激发载流子。这类探测器有一定的截止波长，只能探测短于这一波长范围的光线，但它们响应速度快，灵敏度高，使用非常广泛。热探测型光电探测器热探测型光电探测器l基于光热效应的热探测型光电探测器吸收光辐射能量后，并不直接引起内部电子状态的改变，而是首先将光信号的能量变化
14、转变为自身的温度变化，然后再依赖于器件的某种温度敏感特性将温度变化转变为相应的电信号。l基于光热效应的热探测型探测器对波长没有选择性，只与接收到的光辐射总量有关。热探测型探测器在一些特殊场合具有非常重要的应用价值，尤其是远红外区。l温度的上升是热积累的作用，所以光热效应的响应速度相对较慢，而且容易受到环境温度变化的影响。4.2.1 光电探测器的响应特性光电探测器的响应特性响应度（R）l响应度（R）也称灵敏度，是光电探测器输出信号与输入光功率之间关系的度量，用以描述光电探测器件的光电转换效率。l响应度（R）随入射光波长变化而变化的，分为电压响应率和电流响应率。l电压响应率指光电探测器件输出电压与
15、入射光功率之比。l电流响应率指光电探测器件输出电流与入射光功率之比。ouiuRPoiiIRP光谱响应度光谱响应度是指探测器在波长为的单色光照射下，输出电压或电流与入射的单色光功率之比，也称为光谱灵敏度。l若光谱响应度为常数，则相应的探测器称为无选择性探测器，如光热探测器。而光子探测器的光谱响应度则不是常数，属于选择性探测器。l光谱响应度的定义式在实际测量中是很困难的，通常使用相对光谱响应度来描述。积分响应度l积分响应度是指检测器对各种波长光连续辐射量的反应程度，它是响应度对波长的连续积分。()()()oViVSP()()()oIiISP响应时间响应时间 l响应时间参数描述光电探测器对入射光响应
16、快慢。l上升时间是指入射光照射到光电探测器后，光电探测器输出上升到稳定值所需要的时间。l下降时间是指入射光遮断后，光电探测器输出下降到稳定值所需要的时间。频率响应频率响应 l光电探测器的响应随入射光的调制频率而变化的特性称为频率响应l由于光电探测器信号产生和消失，存在着一个滞后过程，所以入射光的调制频率对光电探测器的响应会有较大的影响。l光电探测器响应率与入射调制频率的关系为l其中，为调制频率为f 时的响应率；为调制频率为零时的响应率；为时间常数（），时间常数决定了光电探测器频率响应的带宽。l其中，为上限截止频率。02 1/2()1(2)SS ff()S f0SRC1122fRCc0002 1
17、/2()0.7071(1)2SSS fSfc4.2.2 光电探测器的噪声特性光电探测器的噪声特性l光电探测器常见的噪声有：热噪声，散粒噪声，产生-复合噪声，噪声。l噪声在实际的光电探测系统中是极其有害的。l由于噪声总是与有用信号混在一起，因而影响对信号特别是微弱信号的正确探测。l一个光电探测系统的极限探测能力往往受探测系统的噪声所限制。l在精密测量、通信、自动控制等领域，减小和消除噪声是十分重要的问题。1f1.热噪声热噪声l热噪声也称为约翰逊噪声，即载流子无规则的热运动造成的噪声。l导体或半导体中每一电子都携带着电子电量作随机运动(相当于微电脉冲)，尽管其平均值为零，但瞬时电流扰动在导体两端会
18、产生一个均方根电压，称为热噪声电压。l热噪声存在于任何电阻中，热噪声与温度成正比，与频率无关，因此热噪声又称为白噪声。2.散粒噪声散粒噪声l入射到光探测器表面的光子是随机的，光电子从光电阴极表面逸出是随机的，PN结中通过结区的载流子数也是随机的，由此造成散粒噪声。l散粒噪声也是白噪声，与频率无关。l散粒噪声是光电探测器的固有特性，例如光伏器件的PN结势垒是产生散粒噪声的主要原因。l对大多数光电探测器的研究表明：散粒噪声具有支配地位。3.产生产生-复合噪声复合噪声l半导体受光照，载流子不断产生-复合。l在平衡状态时，在载流子产生和复合的平均数是一定的，但在某一瞬间载流子的产生数和复合数是有起伏的
19、，载流子浓度的起伏引起半导体电导率的起伏，由此造成产生-复合噪声。4.1/f 噪声噪声l1/f噪声也称为闪烁噪声或低频噪声，噪声的功率近似与频率成反比。l多数器件的1/f噪声在200300Hz以上已衰减到可忽略不计。5.信噪比信噪比 l信噪比是判定噪声大小的参数。l信噪比是负载电阻上信号功率与噪声功率之比l若用分贝（dB）表示，为2222SSLSNNLNPI RISNPI RI2210lg20lgSSNNIISNII6.通量阈通量阈Pth和噪声等效功率和噪声等效功率(NEP)l通量阈是指探测器所能探测的最小光信号功率，以Pth表示。l噪声等效功率(NEP)是指，信号功率与噪声功率比为1（SNR
20、=1）时，入射到探测器件上的辐射通量(单位为瓦)。l一般一个良好的探测器件的NEP约为10-11W。lNEP越小，噪声越小，器件的性能越好。()eNEPWSNR7.探测率与归一化探测率探测率与归一化探测率l探测率D定义为噪声等效功率NEP的倒数l经过分析，发现NEP与检测元件的面积Ad和放大器带宽f 乘积的平方根成正比。l归一化探测率D*，即lD*与探测器的敏感面积、放大器的带宽无关。1DNEP*1/2*1()dDDAfNEP4.2.3 光电探测器的量子效率光电探测器的量子效率 l量子效率是指在某一特定波长上，每秒钟内产生的光电子数与入射光量子数之比。l量子效率是一个微观参数，量子效率愈高愈好
21、。l对理想的探测器，入射一个光量子发射一个电子，=1；实际上，1。l量子效率与响应度的关系为 l其中，为每秒产生的光子数，为每秒入射的光子数。l设c为材料中的光速，则光谱量子效率为 /()()/I qShP hq/I q/P hiRehc4.2.4 光电探测器的其他参数光电探测器的其他参数 l光电探测器还有其他一些特性，如线性度、工作温度、光敏面积、探测器电阻、电容等等。它们限制了探测器的工作条件，使用时应该特别注意。1.线性度l线性度是描述光电探测器输出信号与输入信号保持线性关系的程度。2.工作温度l工作温度就是指光电探测器最佳工作状态时的温度。光电探测器在不同温度下，性能有变化。4.3 光
22、敏电阻光敏电阻l光敏电阻又称光导管，或光电导探测器，为纯电阻元件，其工作原理基于光电导效应，其阻值随光照增强而减小。l光敏电阻具有很高的灵敏度，很好的光谱特性，光谱响应范围从紫外区到红外区。而且其体积小、重量轻、性能稳定、价格便宜，因此应用比较广泛。4.3.1光敏电阻的结构与原理光敏电阻的结构与原理 l光敏电阻管心是一块安装在绝缘衬底上带有两个欧姆接触电极的光电导体。1光导层；2玻璃窗口；3金属外壳；4电极；5陶瓷基座；6黑色绝缘玻璃；7电阻引线 (a)结构 (b)梳状电极 (c)电路符号 (d)光敏电阻实物2.光敏电阻的主要参数和基本特性光敏电阻的主要参数和基本特性 (1)暗电阻、亮电阻、光
23、电流。l光敏电阻在室温、全暗(无光照射)环境下经过一定时间测量的电阻值，称为暗电阻。此时在给定电压下流过的电流，称为暗电流。l光敏电阻在某一光照下的阻值，称为该光照下的亮电阻。此时流过的电流，称为亮电流。l亮电流与暗电流之差，称为光电流。l光敏电阻的暗电阻越大，亮电阻越小则性能越好。也就是说，暗电流越小，光电流越大，这样的光敏电阻灵敏度高。l实用的光敏电阻的暗电阻往往超过1 M，甚至高达100 M，而亮电阻则在几千欧以下，暗电阻与亮电阻之比在 之间，可见光敏电阻的灵敏度很高。261010光敏电阻的主要参数光敏电阻的主要参数(2)光照特性 是在一定外加电压下，光敏电阻的光电流和光通量之间的关系。
24、光敏电阻的光照特性曲线均呈非线性，因此它不宜作定量检测元件，一般在自动控制系统中用作光电开关。(3)光谱特性光谱特性与光敏电阻的材料有关。硫化铅光敏电阻在较宽的光谱范围内均有较高的灵敏度，峰值在红外区域；硫化镉、硒化镉的峰值在可见光区域。图4.4 硫化隔光敏电阻的光照特性 图4.5 光敏电阻的光谱特性(4)伏安特性在一定的光照度下，所加的电压越大，光电流越大，而且无饱和现象。但是电压不能无限地增大，因为任何光敏电阻都受额定功率、最高工作电压和额定电流的限制。超过最高工作电压和最大额定电流，可能导致光敏电阻永久性损坏。在一定照度下，加在光敏电阻两端的电压与电流之间的关系称为光敏电阻的伏安特性。在
25、给定偏压下，光照度越大，光电流也越大。(5)频率特性频率特性l当光敏电阻受到脉冲光照射时，光电流要经过一段时间才能达到稳定值，而在停止光照后，光电流也不立刻为零，这称为光敏电阻的惰性或时延特性。(6)稳定性稳定性 l初制成的光敏电阻，由于体内机构工作不稳定，以及电阻体与其介质的作用还没有达到平衡，所以性能是不够稳定的。l但在人为地加温、光照及加负载情况下，经一至二周的老化，性能可达稳定。l光敏电阻在开始一段时间的老化过程中，有些样品阻值上升，有些样品阻值下降，但最后达到一个稳定值后就不再变了。这就是光敏电阻的主要优点。l光敏电阻的使用寿命在密封良好、使用合理的情况下，几乎是无限长的。(7)温度
26、特性温度特性 l光敏电阻性能(灵敏度、暗电阻)受温度的影响较大。l随着温度的升高，暗电阻和灵敏度下降；光谱特性曲线的峰值向波长短的方向移动。l有时为了提高灵敏度，或为了能够接收远红外光等较长波段的辐射，将元件降温使用。l例如，可利用制冷器使光敏电阻的温度降低。4.3.2光敏电阻的应用光敏电阻的应用 l如果把光敏电阻连接到外电路中，在外加电压的作用下，用光照射就能改变电路中电流的大小，其测量电路如图4.10所示。图4.10 光敏电阻的基本测量电路【例例4-1】照明灯的光电控制电路照明灯的光电控制电路 l图4.11所示为一种最简单的由光敏电阻作光电敏感器件的照明灯光电自动控制电路。l它由3部分构成
27、：半波整流滤波电路，测光与控制的电路，执行电路。l设使照明灯点亮的光照度为EV，继电器绕组的直流电阻为RJ，使继电器吸合的最小电流为Imin，光敏电阻的光电导灵敏度为Sg，暗电导go=0，则 JminvgURRIES4.4光电池光电池l光电池是利用光生伏特效应把光直接转变成电能的器件，是发电式有源元件。l由于光电池可把太阳能直接变为电能，因此又称为太阳能电池。它有较大面积的PN结，当光照射在PN结上时，在结的两端出现电动势。l光电池的命名方式是把光电池的半导体材料的名称冠于光电池之前。如，硒光电池、砷化镓光电池、硅光电池等。l目前，应用最广、最有发展前途的是硅光电池。光电池光电池l硅光电池有两
28、种类型：一种是以P型硅为衬底的N掺杂PN结，称为2DR系列；另一种是以N型硅为衬底的P掺杂PN结，称为2CR系列。l一般硅光电池的开路电压约为0.55 V，短路电流为3540 mAcm-2，转换效率一般在10%左右，光谱响应峰值在0.70.9，响应范围为0.41.1，响应时间为10-310-9 s。l硒光电池光电转换效率低(约0.02%)、寿命短，但适于接收可见光(响应峰值波长560 nm)。l砷化镓光电池转换效率比硅光电池稍高，光谱响应特性与太阳光谱最吻合，且工作温度最高，更耐受宇宙射线的辐射。因此，它在宇宙飞船、卫星、太空探测器等电源方面的应用很有发展前途。1.光电池的结构和工作原理光电池
29、的结构和工作原理l硅光电池的结构是在一块N型硅片上用扩散的办法掺入一些P型杂质(如硼)形成PN结。l当光照到PN结区时，如果光子能量足够大，将在结区附近激发出电子-空穴对，在N区聚积负电荷，P区聚积正电荷，这样N区和P区之间出现电位差。l若将PN结两端用导线连起来，电路中即有电流流过，电流的方向由P区流经外电路至N区。l若将外电路断开，就可测出光生电动势。图4.12 光电池的结构和工作原理 图4.13 光电池符号、基本电路及等效电路 2.基本特性基本特性(1)伏安特性PN结获得的偏置电压U与光电池输出电流与负载电阻有关，即光电池输出电流应包括光生电流、扩散电流与暗电流等三部分，即LLUI RL
30、LqRKTLPd(e1)IIII(2)输出功率输出功率 l负载电阻 所获得的功率与负载电阻 的阻值有关。l当 （电路为短路）时，U=0，输出功率 ；l当 （电路为开路）时，输出功率 ；l当 时，输出功率 。l显然，存在着最佳负载电阻 ，在最佳负载电阻情况下负载可以获得最大的输出功率 。可以通过求关于 的1阶倒数，当时 ，求得最佳负载电阻 的阻值。LRLR0LR LR 0LI 0LP 0LP 0LR 0LP optRmaxPLRLoptRRoptR(3)转换效率转换效率 l光电池的输出功率与入射辐射通量之比，定义为光电池的光电转换效率，记为 。当负载电阻为最佳负载电阻 时，光电池输出最大功率 与
31、入射辐射通量之比定义为光电池的最大光电转换效率，记为 。l显然，光电池的最大光电转换效率为 l式中，是于材料有关的光谱光电转换效率，表明光电池的最大光电转换效率与入射光的波长及材料的性质有关。optRmPm-doce,0mmee,0(0.60.7)q(1-e)dhcdUP(3)转换效率转换效率l常温下，砷化镓光电池转换效率最高，约为22%28%。l在实际工程应用中，因为时间器件的光敏面总存在一定的反射损失、漏电导和串联电阻影响等，实际使用效率只能达到10%15%。L/klx L/klx 5432100.10.20.30.40.5246810开路电压Uoc/V0.10.20.30.4 0.50.
32、30.1012345Uoc/VIsc/mAIsc/mA(a)硅光电池(b)硒光电池（4 4）光照特性）光照特性开路电压曲线：光生电动势与照度之间的特性曲线，当照度为2000lx时趋向饱和。短路电流曲线：光电流与照度之间的特性曲线开路电压短路电流短路电流短路电流，短路电流指外接负载相对于光电池内阻很小的条件下的输出电流。光电池在不同照度下，其内阻也不同，因而应选取适当的外接负载近似地满足“短路”条件。下图表示硒光电池在不同负载电阻时的光照特性。从图中可以看出负载对光电池输出性能的影响，负载电阻RL越小，光电流与强度的线性关系越好，且线性范围越宽。02468100.10.20.30.40.5I/m
33、AL/klx 50 10010005000RL=0（4）光照特性）光照特性204060801000.40.60.81.01.20.2I /%12/m(5)(5)光谱特性光谱特性 光电池的光谱特性决定于材料。从曲线可看出，硒光电池在可见光谱范围内有较高的灵敏度，峰值波长在540nm附近，适宜测可见光。硅光电池应用的范围400nm1100nm，峰值波长在850nm附近，因此硅光电池可以在很宽的范围内应用。1硒光电池2硅光电池(6)(6)频率特性频率特性 光电池作为测量、计数、接收元件时常用调制光输入。光电池的频率响应就是指输出电流随调制光频率变化的关系。由于光电池PN结面积较大，极间电容大，故频率
34、特性较差。图示为光电池的频率响应曲线。由图可知，硅光电池具有较高的频率响应，如曲线2，而硒光电池则较差，如曲线1。204060801000I /%1234512f/kHz1硒光电池2硅光电池（7 7）温度特性）温度特性 光电池的温度特性是指开路电压和短路电流随温度变化的关系。由图可见，开路电压与短路电流均随温度而变化，它将关系到应用光电池的仪器设备的温度漂移，影响到测量或控制精度等主要指标，因此，当光电池作为测量元件时，最好能保持温度恒定，或采取温度补偿措施。2004060904060UOC/mVT/CISCUOCISC/A600400200UOC开路电压ISC 短路电流硅光电池在1000lx
35、照度下的温度特性曲线4.4.2光电池的应用光电池的应用 l光电池主要有两大类型的应用：1）将光电池作光伏器件使用，利用光伏作用直接将大阳能转换成电能，即太阳能电池。这是全世界范围内人们所追求、探索新能源的一个重要研究课题。太阳能电池已在宇宙开发、航空、通信设施、太阳电池地面发电站、日常生活和交通事业中得到广泛应用。目前太阳电池发电成本尚不能与常规能源竞争，但是随着太阳电池技术不断发展，成本会逐渐下降，太阳电池定将获得更广泛的应用。2）将光电池作光电转换器件应用，需要光电池具有灵敏度高、响应时间短等特性，但不必需要像太阳电池那样的光电转换效率。这一类光电池需要特殊的制造工艺，主要用于光电检测和自
36、动控制系统中。光电池应用举例光电池应用举例 l1太阳能电池电源 太阳能电池电源系统主要由太阳电池方阵、蓄电池组、调节控制和阻塞二极管组成。如果还需要向交流负载供电，则加一个直流交流变换器，太阳能电池电源系统框图如图4.20。1太阳能电池电源太阳能电池电源l太阳能电池方阵是将太阳辐射直接转换为电能的发电装置，根据输出功率和电压的要求，可以选用若干片性能相近的单体太阳能电池，经串联、并联后封装成一个可以单独使用的太阳能电池组件。然后，由多个这样的组件经串联、并联后构成一个阵列。在有阳光照射时，太阳能电池方阵发电并对负载供电，同时，也可以对蓄电池组供电，储存电能，以便在无阳光照射时使用。1太阳能电池
37、电源太阳能电池电源l现代光伏技术可直接将太阳的光能转换为电能，用此技术制作的光电池使用方便，特别是近年来微小型半导体逆变器迅速发展，促使其应用更加快捷。l美、日、欧和发展中国家都制定出庞大的光伏技术发展计划，开发方向是大幅度提高光电池转换效率和稳定性，降低成本，不断扩大产业。l目前已有80多个国家和地区形成商业化、半商业化生产能力，年均增长达16%，市场开拓从空间转向地面系统应用，甚至用于驱动交通工具。l据报道，全球发展、建造太阳能住宅（光电池 作屋顶、外墙、窗户等建材用）投资规模日益扩大，光伏技术制作的光电池有望成为21世纪的新能源。2光电池在光电检测和自动控制方面的应用光电池在光电检测和自
38、动控制方面的应用l光电池作为光电探测使用时，其基本原理与光电二极管相同，但它们的基本结构和制造工艺不完全相同。l由于光电池工作时不需要外加电压；光电转换效率高，光谱范围宽，频率特性好，噪声低等，它已广泛地用于光电读出、光电耦合、光栅测距、激光准直、电影还音、紫外光监视器和燃气轮机的熄火保护装置等。例：光电跟踪电路例：光电跟踪电路 l用两只性能相似的同类光电池作为光电接收器件。当入射光通量相同时，执行机构按预定的方式工作或进行跟踪。当系统略有偏差时，电路输出差动信号带动执行机构进行纠正，以此达到跟踪的目的。例：光电开关例：光电开关 l多用于自动控制系统中。无光照时，系统处于某一工作状态，如通态或
39、断态。当光电池受光照射时，产生较高的电动势，只要光强大于某一设定的阈值，系统就改变工作状态，达到开关目的。例：光电池触发电路例：光电池触发电路 l当光电池受光照射时，使单稳态或双稳态电路的状态翻转，改变其工作状态或触发器件(如可控硅)导通。例：光电池放大电路例：光电池放大电路 l在测量溶液浓度、物体色度、纸张的灰度等场合，可用该电路作前置级，把微弱光电信号进行线性放大，然后带动指示机构或二次仪表进行读数或记录。4.5 光电二极管（光电二极管（PD）l光电二极管和光电池一样，其基本结构也是一个PN结。l光电二极管和光电池相比，重要的不同点是结面积小，因此它的频率特性特别好。普通光电二极管的频率响
40、应时间优于光敏电阻和光电池。l光电二极管的光生电势与光电池相同，但输出电流普遍比光电池小，一般为几到几十 。l按材料分，光电二极管有硅、砷化镓、锑化铟光电二极管等许多种。按结构分，有同质结与异质结之分。其中最典型的是同质结硅光电二极管。l国产硅光电二极管按衬底材料的导电类型不同，分为2CU和2DU两种系列。2CU系列以N-Si为衬底，2DU系列以P-Si为衬底。2CU系列的光电二极管只有两条引线，而2DU系列光电二极管有三条引线。A光电二极管（光电二极管（PD）图4.25 光电二极管结构原理、工作原理及电路符号 如图4.25（a）所示为2DU型光电二极管的原理结构图。如图4.25（b）所示为光
41、电二极管的工作原理图 如图4.25（c）所示为光电二极管的电路符号，其中的小箭头表示正向电流的方向（普通整流二极管中规定的正方向），光电流的方向与之相反。图中的前极为光照面，后极为背光面。光电二极管的结构与一般二极管相似、它装在透明玻璃外壳中，其PN结装在管顶，可直接受到光照射。光电二极管在电路中一般是处于反向工作状态反向工作状态，如图图4.26所示。当没有光照射时，光电二极管处于截止状态，反向电阻很大。这时只有少数载流子在反向偏压的作用下，渡越阻挡层形成微小的反向电流即暗电流。受光照射时，PN结附近受光子轰击，吸收其能量而产生电子-空穴对，从而使P区和N区的少数载流子浓度大大增加，因此在外加
42、反向偏压和内电场的作用下，P区的少数载流子渡越阻挡层进入N区，N区的少数载流子渡越阻挡层进入P区，从而使通过PN结的反向电流大为增加，这就形成了光电流。光电二极管（光电二极管（PD）2、光电二极管的电流方程、光电二极管的电流方程 在无辐射作用的情况下（暗室中），PN结硅光电二极管的正、反向特性与普通PN结二极管的特性一样，如图4.27示。其电流方程为 1qUkTDIIe 为U为负值（反向偏置时）且 时(室温下，很容易满足这个条件)的电流，称为反向电流或暗电流。DIkTUq当光辐射作用到光电二极管上时，光电二极管的全电流方程为 e,(1 exp()(1 exp(/)dqId IqU kThc 式
43、中，为光电材料的光电转换效率，为材料对光的吸收系数。3.基本特性基本特性 普通二极管工作在正向电压大于0.7V的情况下，而光电二极管则必须工作在这个电压以下，否则，不会产生光电效应。光电二极管的基本特性有：(1)灵敏度。(2)光谱响应。(3)伏安特性。(4)光照特性。(5)时间响应。(6)噪声。(1)灵敏度灵敏度 l定义光电二极管的电流灵敏度为入射到光敏面上辐射量的变化（例如通量变化 ）引起电流变化 与辐射量变化之比。idS(1)ddIqehc ddId显然，当某波长的辐射作用于光电二极管时，其电流灵敏度为与材料有关的常数，表征光电二极管的光电转换特性的线性关系。必须指出，电流灵敏度与入射辐射
44、波长的关系是复杂的，定义光电二极管的电流灵敏度时通常定义其峰值响应波长的电流灵敏度为光电二极管的电流灵敏度。(2)光谱响应光谱响应 l光电二极管的光谱响应定义为以等功率的不同单色辐射波长的光作用于光电二极管时，其响应程度或电流灵敏度与波长的关系称为其光谱响应。l图4.29所示为几种典型材料的光电二极管光谱响应曲线。典型硅光电二极管光谱响应长波限为1.1m左右，短波限接近0.4m，峰值响应波长为0.9m左右。(3)伏安特性伏安特性 l图4.30所示为硅光电二极管的伏安特性曲线，横坐标表示所施加的反向电压。当光照时，反向电流随着光照强度的增大而增大，在不同的照度下，伏安特性曲线几乎平行，所以只要光
45、电流没达到饱和值，它输出实际上不受电压大小的影响。(4)光照特性光照特性 l光电二极管的光电流I与照度之间呈线性关系，如图4.31所示，所以光电二极管特别适合检测等方面的应用。(5)时间响应时间响应 l以f频率调制的辐射作用于PN结硅光电二极管光敏面时，PN结硅光电二极管的电流产生要经过下面3个过程：1)在PN结区内产生的光生载流子渡越结区的时间，称为漂移时间，记为 ；2)在PN结区外产生的光生载流子扩散到PN结区内所需要的时间，称为扩散时间，记为 ；3)由PN结电容 和管芯电阻 及负载电阻 构成的RC延迟时间 。影响PN结硅光电二极管时间响应的主要因素是PN结区外载流子的扩散时间 ，如何扩展
46、PN结区是提高硅光电二极管时间响应重要措施。增高反向偏置电压会提高内建电场的强度，扩展PN结的耗尽区，但是反向偏置电压的提高也会加大结电容，使RC时间常数 增大。因此，必须从PN结的结构设计方面考虑如何在不使偏压增大的情况下使耗尽区扩展到整个PN结器件，才能消除扩散时间。drpjCiRLRRCpRC(6)噪声噪声 l光电二极管的噪声包含低频噪声 、散粒噪声 和热噪声 等3种噪声。l其中，散粒噪声是光电二极管的主要噪声，低频噪声和热噪声为其次要因素。l散粒噪声是由于电流在半导体内的散粒效应引起的，它与电流的关系l光电二极管的电流应包括暗电流Id、信号电流Is和背景辐射引起的背景光电流Ib，因此散
47、粒噪声应为l根据电流方程，并考虑反向偏置情况，光电二极管电流与入射辐射的关系，得到 nfInsInTI2ns2IqI f2nsdSb2()Iq IIIf22sbnsd2()2hcqIfqIf 4.5.2光电二极管的应用光电二极管的应用 l图4.32(a)是在待测转速轴上固定一带孔的转速调制盘，光源发出的光，透过盘上小孔到达光电二极管上，光电二极管输出电信号经过放大整形电路后，输出相应数量的电脉冲信号。l图4.32(b)所示为反射式光电转速传感器原理图，它是在待测转速的轴上固定一个圆周面涂上黑白相间条纹的圆盘。当转轴转动时，由于条纹不同的反射率，反光与不反光交替出现，光电敏感器件间断地接收光的反
48、射信号，转换为电脉冲信号。l如果调制盘转动一周产生Z个脉冲，测量电路计数时间为T(s)，被测转速为N(r/min)，则计数值C为l l一般取ZT=6010n(n=1,2,)。60ZTNC【例4-2】光电数字式转速表的使用。4.6其他光敏管其他光敏管-1-光电管光电管 l外光电效应器件一般都是真空的或充气的光电器件，代表性器件有光电管和光电倍增管。1.光电管结构与工作原理l光电管有真空光电管和充气光电管两类。两者基本结构相似，由一个阴极和一个阳极构成，并且密封在一只玻璃管内。基本结构如图4.33所示。光电管的阴极装在玻璃管内壁上，其上涂有光电发射材料。阳极通常用金属丝弯曲成矩形或圆形，置于玻璃管
49、的中央。在阳极与阴极间施加电压，当有满足波长条件的光照射阴极时，就会有电子发射，在两极间及外电路中形成电流。1-光电管光电管l为了获得高灵敏度的光电管，可在真空光电管中充入低压惰性气体，这便是充气光电管。充气光电管中的光电子向阳极加速运动过程中，撞击惰性气体，使其电离成正、负离子，正离子向阴极运动，负离子向阳极运动，运动过程中再度加速，并撞击其他惰性气体分子电离，因而在同样的光通量照射下，充气光电管的光电流比真空光电管大，灵敏度得到改善。特别提示l充气光电管的灵敏度虽较真空光电管高，但稳定性差，线性不好，暗电流也大，噪声高，响应时间长，因此已逐渐被性能更优良的光电倍增管代替。2.基本特性基本特
50、性 l光电管的主要性能包括伏安特性、光照特性、光谱特性、响应时间、峰值探测率和温度特性。(1)光电管的伏安特性。在一定的光照射下，光电管阴极和阳极间所加电压与产生的光电流之间的关系，称为光电管的伏安特性。光电管的伏安特性如图4.34所示。由图可见，当入射光通量一定时，电流先是随外加偏压升高而增大；当电压增加到一定值后，电流基本维持恒定，此恒定值即饱和电流值，相应的偏压称为饱和工作电压。这说明只有当偏置电压增加到一定值时，阴极发射的光电子才能全部为阳极所收集。因此，光电管在使用时，应使其工作在饱和状态下。伏安特性曲线还表明，工作偏压一定时，饱和电流随入射到阴极的光通量增大而增大，但在加有工作电压
