1、N沟道G栅极S源极D漏极NPP(a)GDS(b)3DJ7DGS(c)图3.1 N沟道结型场效应管（a）结构示意图;（b）图形符号;（c）外形图漏极GDSP沟 道G栅极S源极DPNN(a)(b)图3.2P 沟道结型场效应管 （a）结构示意图;（b）图形符号 NDGSPPIDUDSUDDUGGUGS图3.3 场效应管的工作原理N沟道DGSNDGSUGGPPP(b)DGSUGG耗尽层(a)(c)PPP 图 UGS对导电沟道的影响（a）导电沟道最宽;（b）导电沟道变窄;（c）导电沟道夹断常数GSUGSDUfI)(图3.5为特性曲线测试电路。图3.6为转移特性曲线。从转移特性曲线可知，UGS对ID的控制
2、作用如下：VmAVUGGGUGSSDUDSUDDID 图3.5 场效应管特性测试电路 ID/mA54321UGS/VUDS 10 VUGS(off)01234IDSS3.4 图3.6 转移特性曲线 常数GSUGSDUfI)(图3.7所示为结型场效应管的输出特性曲线，可分成以下几个工作区。ID/mA54321UDS/V010203.4V2 V1 VUGS0可变电阻区预夹断轨迹恒流区夹断区图3.7 结型场效应管的输出特性曲线(a)(c)NNP衬底SGD铝二氧化硅(SiO2)(衬底引线)BDGBS(b)DGBS图 MOS管的结构及其图形符号(a)(b)NNP型衬底SGDRDUDDRDUDDGDSUGG 图 9 N沟道增强型MOS管工作原理 (a)示意图；(b)电路图常数GSUGSDUfI)(由图所示的转移特性曲线可见，当UGSUG；对N沟道增强型管，UGS0，所以IDRSUG。C1RDC2 UDDUi.GRG2RSCSDSIDUo.RG3RG1 图3.15 分压式偏置电路
