1、11.1.光电二极管与光电池的比较光电二极管与光电池的比较相同点相同点工作原理相同，都是基于工作原理相同，都是基于pnpn结工作的结工作的不同点不同点1.1.结区面积小结区面积小2.2.通常工作于反偏置状态通常工作于反偏置状态3.3.内建电场强，结区厚，结电容小，频率内建电场强，结区厚，结电容小，频率特性好特性好4.4.光电流小，在微安量级光电流小，在微安量级2.2.光电二极管的基本结构光电二极管的基本结构 光电二极管可分为光电二极管可分为两种结构两种结构形式：以形式：以P型硅为衬底的型硅为衬底的2DU型型 以以N型硅为衬底的型硅为衬底的2CU型型图（图（b）为光电为光电二极管二极管的工作的工
2、作原理图原理图 图（图（c）所示为光电二极管的电路符号）所示为光电二极管的电路符号图（图（a）为）为2DU型光电型光电二极管的二极管的原理结构原理结构图。图。3两种管子的电极数不同。两种管子的电极数不同。2CU2CU型管子只有前后两个电型管子只有前后两个电极，而极，而2DU2DU型管子除有前后极外还有一个环极。型管子除有前后极外还有一个环极。设环极的目的设环极的目的是为了减少表面漏电流，减小噪声，提是为了减少表面漏电流，减小噪声，提高探测极限力。高探测极限力。设环极的原因设环极的原因1.1.反型层反型层：成为成为pnpn结表面漏电流的通道，使通过负载的暗电流增结表面漏电流的通道，使通过负载的暗
3、电流增大，从而会影响器件的探测极限。大，从而会影响器件的探测极限。2.2.环极环极为了减小这种表面漏电流，采用的方法是在受光面的为了减小这种表面漏电流，采用的方法是在受光面的四周加上一个环极把受光面包围起来。在接电源时，四周加上一个环极把受光面包围起来。在接电源时，使环极电势始终保持高于前极电势，给表面漏电流提使环极电势始终保持高于前极电势，给表面漏电流提供一条直接流入电源的通道。供一条直接流入电源的通道。如果不用环极，除了前级暗电流大，噪声大一些外，如果不用环极，除了前级暗电流大，噪声大一些外，对其它性能均无影响。对其它性能均无影响。3.3.光电二极管的电流方程光电二极管的电流方程 在无辐射
4、作用的情况下（暗室中），在无辐射作用的情况下（暗室中），PNPN结硅光电二极结硅光电二极管的正、反向特性管的正、反向特性与普通与普通PNPN结二极管的特性一样结二极管的特性一样。其。其电流方程为：电流方程为：10kTqUeIII0为称为为称为反向电流或暗电流反向电流或暗电流。当光辐射作用到光电二极管上时，当光辐射作用到光电二极管上时，光电二极管的光电二极管的全电流方程全电流方程为为 ：)/exp(1(0kTqUIIIp式中式中I Ip p为光电流：为光电流：Ip=RiP二、二、光电二极管的基本特性光电二极管的基本特性 1.1.伏安特性伏安特性由光电二极管的电流方程可以得到光电二极管在由光电二极
5、管的电流方程可以得到光电二极管在不同偏置电压下的输出特性曲线。不同偏置电压下的输出特性曲线。光电二极管的工作区光电二极管的工作区域应在图的域应在图的第第3 3象限与第象限与第4 4象限象限。在光电技术中常采用重新定义电流与电压正方向的方法在光电技术中常采用重新定义电流与电压正方向的方法把特性曲线旋转成下面右图所示。重新定义的电流与电压把特性曲线旋转成下面右图所示。重新定义的电流与电压的正方向均以的正方向均以PNPN结内建电场的方向相同结内建电场的方向相同的方向的方向为正向为正向。8工作区的选择工作区的选择低反偏压下低反偏压下光电流随光电压变化非常敏感，这是光电流随光电压变化非常敏感，这是由于反
6、偏压增加使耗尽层加宽。结电场增强，这对由于反偏压增加使耗尽层加宽。结电场增强，这对于结区光的吸收率及光生载流子的收集效率影响很于结区光的吸收率及光生载流子的收集效率影响很大。大。当反偏压进一步增加时当反偏压进一步增加时，光生载流子的收集已达，光生载流子的收集已达极限，光电流就趋于饱和，特性曲线近似于乎直，极限，光电流就趋于饱和，特性曲线近似于乎直，而且在低照度部分比较均匀。利用光电二极管作线而且在低照度部分比较均匀。利用光电二极管作线性测量时，主要是用特性曲线平直、均匀的这部分。性测量时，主要是用特性曲线平直、均匀的这部分。通过选取适当的负载电阻，可得较大的线性输出范通过选取适当的负载电阻，可
7、得较大的线性输出范围。围。灵敏度与入射辐射波长灵敏度与入射辐射波长 有关有关。光电二极管的电流灵敏度光电二极管的电流灵敏度(峰值波长下的灵敏度峰值波长下的灵敏度)与波与波长的关系曲线称为长的关系曲线称为光谱响应光谱响应。2.2.光电二极管的灵敏度光电二极管的灵敏度 定义光电二极管的灵敏度为入射到光敏面上辐射量的变定义光电二极管的灵敏度为入射到光敏面上辐射量的变化引起电流变化化引起电流变化d dI I与辐射量变化之比。与辐射量变化之比。EIddSi00/()1.24ppiiIqIhhRPhP qqqRh3.3.光谱响应光谱响应 光电二极管的光谱响应定义：以光电二极管的光谱响应定义：以等功率等功率
8、的不同单色辐的不同单色辐射波长的光作用于光电二极管时，其电流灵敏度与波长射波长的光作用于光电二极管时，其电流灵敏度与波长的关系称为其光谱响应。的关系称为其光谱响应。4.4.噪声噪声 低频噪声低频噪声I Infnf、散粒噪声散粒噪声I Insns和和热噪声热噪声I InTnT散粒噪声是光电二极管的主要噪声散粒噪声是光电二极管的主要噪声 散粒噪声散粒噪声:fqII 22ns光电二极管的电流应包括暗电流光电二极管的电流应包括暗电流I Id d、信号电流、信号电流I Is s和背景辐射引起的背景光电流和背景辐射引起的背景光电流I Ib b，因此散粒噪声为因此散粒噪声为 :f)(2bSd2nsIIIqI
9、5.5.时间响应时间响应 PNPN结硅光电二极管的电流产生要经过三个过程：结硅光电二极管的电流产生要经过三个过程：1)1)在在PNPN结区内产生的光生载流子渡越结区的时间，称结区内产生的光生载流子渡越结区的时间，称为为漂移时间漂移时间记为记为 drdr ；2)2)在在PNPN结区外产生的光生载流子扩散到结区外产生的光生载流子扩散到PNPN结区内所结区内所需要的时间，称为需要的时间，称为扩散时间扩散时间记为记为 p p；3)3)由由PNPN结电容结电容C Cj j和管芯电阻和管芯电阻R Ri i及负载电阻及负载电阻R RL L构成的构成的RCRC延迟时间延迟时间 RCRC 。一般的一般的PNPN
10、结硅光电二极管，漂移时间，为结硅光电二极管，漂移时间，为nsns数量级。数量级。扩散时间扩散时间 p p很长，约为很长，约为100ns100ns，它是，它是限制限制PNPN结结硅光电二极管时间响应的主要因素硅光电二极管时间响应的主要因素。当负载电阻当负载电阻R RL L不大时，时间常数也在不大时，时间常数也在nsns量级。量级。影响影响PNPN结硅光电二极管时间响应的主要因素结硅光电二极管时间响应的主要因素是是PNPN结区外载流子的扩散时间结区外载流子的扩散时间 p p。扩展扩展PNPN结区结区增高反向偏置电压增高反向偏置电压改进改进结构结构：PIN APDPIN APD二、二、PINPIN型
11、光电二极管型光电二极管 PINPIN管管为了提高为了提高PNPN结硅光电二极管的时间响应，消除在结硅光电二极管的时间响应，消除在PNPN结外光生载结外光生载流子的扩散运动时间，流子的扩散运动时间，常采用在常采用在P P区与区与N N区之间生成区之间生成I I型层型层，构成，构成如图（如图（a a）所示的）所示的PINPIN结构光电二极管，结构光电二极管，PINPIN结构的光电二极管与结构的光电二极管与PNPN结型的光电二极管在外形上没有什么区别，如图（结型的光电二极管在外形上没有什么区别，如图（b b）。）。结电容小结电容小渡越时间短渡越时间短灵敏度高灵敏度高特点：特点：10GHz 10-10
12、s161.1.结构与工作原理结构与工作原理1.1.本征半导体近似于介质，这就本征半导体近似于介质，这就相当于增大了相当于增大了pnpn结结电容结结电容两个电极之间的距离两个电极之间的距离，使结电容变得很小。，使结电容变得很小。2.p2.p型半导体和型半导体和n n型半导体中型半导体中耗尽层的宽度是随反向电压增耗尽层的宽度是随反向电压增加而加宽的加而加宽的，随着反偏压的增大，结电容也要变得很小。，随着反偏压的增大，结电容也要变得很小。3.3.由于由于i i层的存在，而层的存在，而p p区一般做得很簿，入射光子只能在区一般做得很簿，入射光子只能在i i层内被吸收，而反向偏压主要集中在层内被吸收，而
13、反向偏压主要集中在i i区，形成高电场区，区，形成高电场区，i i区的区的光生载波子在强电场作用下加速运动，所以载流子光生载波子在强电场作用下加速运动，所以载流子渡越时间非常短渡越时间非常短，即使，即使i i层较厚，对渡越时间影响也不大，层较厚，对渡越时间影响也不大，这样使电路时间常量减小，从而改善了光电二极管的频率这样使电路时间常量减小，从而改善了光电二极管的频率响应。响应。4.i4.i层的引入加大了耗尽区，层的引入加大了耗尽区，展宽了光电转换的有效工作展宽了光电转换的有效工作区域区域，从而使灵敏度得以提高。，从而使灵敏度得以提高。17182.2.时间特性时间特性由于耗尽层宽度小，度越时间小
14、但量子效率将变低，由于耗尽层宽度小，度越时间小但量子效率将变低，决定了决定了频率特性（带宽）与响应度之间的矛盾关系频率特性（带宽）与响应度之间的矛盾关系。耗尽层宽度的选取，在保证响应度的情况下，耗尽层宽度的选取，在保证响应度的情况下，Si Si和和GeGe材料，一般为材料，一般为20-50m20-50m，渡越时间大于，渡越时间大于200ps200ps；InGaAsInGaAs材料，一般为材料，一般为3-5m3-5m，渡越时间，渡越时间30-50ps30-50ps。19几种常见的几种常见的PINPIN比较比较203.应用及常用器件介绍应用及常用器件介绍PINPIN及组件由于及组件由于工作电压较低
15、工作电压较低、性价比好性价比好，在数据通，在数据通信、电信业务以及一般的应用如工业控制等领域有着信、电信业务以及一般的应用如工业控制等领域有着广泛的应用。广泛的应用。国内外著名的光通信公司，如国内外著名的光通信公司，如MitelMitel公司、公司、AMPAMP公司、公司、PrilliPrilli公司、飞通光电有限公司和武汉电信器件公司等公司、飞通光电有限公司和武汉电信器件公司等都有相应的产品。都有相应的产品。21三、三、雪崩光电二极管雪崩光电二极管 APDAPD管管 PINPIN光电二极管：光电二极管：提高了时间响应，提高了时间响应，器件的光电灵敏度仍然较低器件的光电灵敏度仍然较低。雪崩光电
16、二极管：雪崩光电二极管：提高光电二极管的灵敏度提高光电二极管的灵敏度。由于由于PIN型光电二极管在较高的反向偏置电压的作用下耗尽区型光电二极管在较高的反向偏置电压的作用下耗尽区扩展到整个扩展到整个PN结结区，形成自身保护（具结结区，形成自身保护（具有很强的抗击穿功有很强的抗击穿功能），因此，能），因此，PIN型型雪崩光电二极管不必设置保护环。雪崩光电二极管不必设置保护环。1.1.结构结构 242.2.雪崩倍增过程雪崩倍增过程当光电二极管的当光电二极管的pnpn结加相当大的反向偏压时，结加相当大的反向偏压时，在耗尽层内将产生一个很高的电场，它足以使在耗尽层内将产生一个很高的电场，它足以使在强电场
17、区漂移的光生载流子于获得充分的动在强电场区漂移的光生载流子于获得充分的动能能，通过与晶格原子，通过与晶格原子碰撞将产生新的电子空碰撞将产生新的电子空穴对穴对。新的电子空穴对在强电场作用下。分。新的电子空穴对在强电场作用下。分别向相反的方向运动，在运动过程中又可能与别向相反的方向运动，在运动过程中又可能与原子原子碰撞再一次产生新的电子碰撞再一次产生新的电子空穴对空穴对。如此。如此反复，形成雪崩式的载流子倍增。这个过程就反复，形成雪崩式的载流子倍增。这个过程就是是APDAPD的工作基础。的工作基础。252.2.工作原理工作原理 雪崩光电二极管为具有雪崩光电二极管为具有内增益内增益的一种光生伏特器件
18、。它利的一种光生伏特器件。它利用光生载流子在强电场内的定向运动，产生的用光生载流子在强电场内的定向运动，产生的雪崩效应雪崩效应获得光获得光电流的增益。电流的增益。电离产生的载流子数远大于光激发产生的光生载流子数电离产生的载流子数远大于光激发产生的光生载流子数，这时雪崩光电二极管的输出电流迅速增加，其这时雪崩光电二极管的输出电流迅速增加，其电流倍增系数电流倍增系数M定义为定义为：0IIM 式中，式中，I为倍增输出的电流，为倍增输出的电流，I0为倍增前输出的电流。为倍增前输出的电流。273.3.偏压设置偏压设置APDAPD一般在略低于反向击穿电压值的反偏压一般在略低于反向击穿电压值的反偏压下工作。
19、下工作。在在无光照无光照时，时，pnpn结不会发生雪崩倍增效应结不会发生雪崩倍增效应。有光照射有光照射，激发出的光生载流于就被，激发出的光生载流于就被临界强临界强电场加速而导致雪崩倍增电场加速而导致雪崩倍增。若反向偏压大于反向击穿电压时，光电流的若反向偏压大于反向击穿电压时，光电流的增益可达增益可达10106 6，即发生，即发生“自持雪崩倍增自持雪崩倍增”。由。由于这时出现的散粒噪声可增大到放大器的噪于这时出现的散粒噪声可增大到放大器的噪声水平，以致使器件无法使用。声水平，以致使器件无法使用。实验发现，在实验发现，在略低于击穿电压略低于击穿电压时，发生雪崩倍时，发生雪崩倍增现象，增现象，MM随
20、反向偏压随反向偏压U U的变化可用的变化可用经验公式经验公式近似表示：近似表示：nBR)/(11UUM3.3.噪声噪声 由于雪崩光电二极管中载流子的碰撞电离是不规则的，由于雪崩光电二极管中载流子的碰撞电离是不规则的，碰撞后的运动方向更是随机的，所以它的碰撞后的运动方向更是随机的，所以它的噪声比一般光电噪声比一般光电二极管要大些二极管要大些。雪崩光电二极管的噪声可雪崩光电二极管的噪声可近似近似由下式计算：由下式计算：fqIMIn2n2式中指数式中指数n与雪崩光电二极管的材料有关。与雪崩光电二极管的材料有关。对于锗管，对于锗管，n=3；对于硅管为；对于硅管为2.3n2.5。304.4.线性区线性区
21、当入射光功率在当入射光功率在1nw1nw到几个到几个ww时，倍增电时，倍增电流与入射光具有较好的线性。流与入射光具有较好的线性。当入射光功率当入射光功率过大过大时，倍增系数凡反而会时，倍增系数凡反而会降低，从而引起光电流的畸变。降低，从而引起光电流的畸变。当当入射光功率较小时，多采用入射光功率较小时，多采用APDAPD。在入。在入射光功率射光功率较大时，采用较大时，采用PINPIN管管更为恰当。更为恰当。315.5.应用应用雪崩光电二极管在光纤通信、激光测距及光纤雪崩光电二极管在光纤通信、激光测距及光纤传感等光电变换系统中得到了广泛应用。由于传感等光电变换系统中得到了广泛应用。由于具有内增益，
22、大大降低了对前置放大器的要求。具有内增益，大大降低了对前置放大器的要求。但但APDAPD管需要上百伏的工作电压影响了它的管需要上百伏的工作电压影响了它的推广使用。推广使用。32常用的常用的APDAPD特性特性33通信用通信用PINPIN与与APDAPD比较比较34课堂练习课堂练习11.1.有有Si Si基光伏探测器，圆形光敏面直径基光伏探测器，圆形光敏面直径0.4mm0.4mm，有波长有波长700nm700nm光波入射，光敏面辐照度为光波入射，光敏面辐照度为0.1mW/cm0.1mW/cm2 2，此时输出光电流为，此时输出光电流为I Ip p56.6nA56.6nA，求，求该探测器此时的灵敏度
23、和量子效率？该探测器此时的灵敏度和量子效率？35课堂练习课堂练习22.2.有有InGaAs APDInGaAs APD探测器，量子效率为探测器，量子效率为6060，有，有波长波长1550nm 1550nm 光波入射，入射通量为光波入射，入射通量为20nW20nW，求，求1 1）电流倍增系数为）电流倍增系数为1 1时的光电流。时的光电流。2 2）当电流倍增系数为）当电流倍增系数为1212时，该探测器此时的响时，该探测器此时的响应率。应率。363.4.43.4.4 光电三极管光电三极管(Photo triode)一、光敏三极管的结构与工作原理一、光敏三极管的结构与工作原理npn称称3DU型光电三极
24、管型光电三极管pnp称称3CU型光电三极管型光电三极管光电三极管是一种相当于在基极和集电极之间接有光光电三极管是一种相当于在基极和集电极之间接有光电二极管的普通三极管，其结构和普通三极管相似。电二极管的普通三极管，其结构和普通三极管相似。光电三极管有三根引线的也有两根引线的，管型分为光电三极管有三根引线的也有两根引线的，管型分为pnppnp和和npnnpn型两种硅光电三极管。型两种硅光电三极管。37（npn）型结构结构：以：以n n型硅片作为衬底，扩散硼而形成型硅片作为衬底，扩散硼而形成p p型，再扩散型，再扩散磷而形成重掺杂磷而形成重掺杂n n层，并涂层，并涂siosio作为保护层。在重掺杂
25、作为保护层。在重掺杂n+n+引出一个电极称为集电极，由中间的引出一个电极称为集电极，由中间的p p型层引出一个基极型层引出一个基极b b，也可以不引出，而在也可以不引出，而在n n型硅片的衬底上引出发射极型硅片的衬底上引出发射极e e。383DU3DU型光电三极管是以型光电三极管是以p p型硅为基极的三极管。型硅为基极的三极管。结构和普通晶体管类似，只是在材料的掺杂情结构和普通晶体管类似，只是在材料的掺杂情况、结面积的大小和基极引线的设置上和普通况、结面积的大小和基极引线的设置上和普通晶体管不同。因为光电三极管要响应光辐射，晶体管不同。因为光电三极管要响应光辐射，受光面即集电结受光面即集电结(
26、bc(bc结结)面积比一般晶体管大。另面积比一般晶体管大。另外，它是利用光控制集电极电流的，所以在基外，它是利用光控制集电极电流的，所以在基极上既可设置引线进行电控制，也可以不设，极上既可设置引线进行电控制，也可以不设，完全由光来控制。完全由光来控制。光电三极管光电三极管输出电流较大输出电流较大，一般在毫安级，但，一般在毫安级，但光照特性较差光照特性较差，多用于要求输出电流较大的场，多用于要求输出电流较大的场合。合。39工作原理工作原理：工作时，各个电极所加的电压与普通晶体：工作时，各个电极所加的电压与普通晶体管相同，即需要保证集电极反偏置，发射集正偏置。管相同，即需要保证集电极反偏置，发射集
27、正偏置。由于集电极是反偏置，在结区内有很强的内建电场，由于集电极是反偏置，在结区内有很强的内建电场，对对npnnpn来讲，内建电场的方向由来讲，内建电场的方向由c c指向指向b b，与光电二极，与光电二极管相同。有光照射到基极集电极结区上时，产生光管相同。有光照射到基极集电极结区上时，产生光电子空穴对，载流子在内建电场的作用下，电子流电子空穴对，载流子在内建电场的作用下，电子流向集电极，空穴流向基极，相当于外界向基极注入了向集电极，空穴流向基极，相当于外界向基极注入了一个控制电流。集电极电流：一个控制电流。集电极电流：ESIIIEpbc工作原理工作原理分为两个过程分为两个过程：一是：一是光电转
28、换光电转换；二是；二是光电流放光电流放大大。光转换过程和一般光电二极管是相同的，在集基。光转换过程和一般光电二极管是相同的，在集基结区进行。光激发电子空穴对，电子流向集电区被集结区进行。光激发电子空穴对，电子流向集电区被集电极所吸收电极所吸收,而空穴作为基极电流被晶体管放大。而空穴作为基极电流被晶体管放大。4041二、硅光电三极管与硅光电二极管特性比较二、硅光电三极管与硅光电二极管特性比较.光照特性光电流与照度之间的关系曲线2.2.伏安特性伏安特性 光电三极管在光电三极管在偏置电压为零偏置电压为零时时，无论光照度有多强，集电，无论光照度有多强，集电极电流都为零。偏置电压要保极电流都为零。偏置电
29、压要保证光电三极管的发射结处于正证光电三极管的发射结处于正向偏置，而集电结处于反向偏向偏置，而集电结处于反向偏置。随着偏置电压的增高伏安置。随着偏置电压的增高伏安特性曲线趋于平坦。特性曲线趋于平坦。光电三极管的伏安特性曲线向上偏斜，间距增大。这是因为光光电三极管的伏安特性曲线向上偏斜，间距增大。这是因为光电三极管除具有光电灵敏度外，还具有电流增益电三极管除具有光电灵敏度外，还具有电流增益，并且，并且，值值随光电流的增大而增大。随光电流的增大而增大。43与光电二极管的不同与光电二极管的不同 1.1.在相同照度下，由于光电三极管的放大作用，使三极在相同照度下，由于光电三极管的放大作用，使三极管的管
30、的输出电流要比二极管大得多输出电流要比二极管大得多。2.2.在在零偏置下零偏置下，光电三级管，光电三级管没有电流输出没有电流输出，而二极管有，而二极管有电流输出。电流输出。3.3.是在是在照度低时比较均匀照度低时比较均匀，而随照度增加，曲线变密。，而随照度增加，曲线变密。这主要是光照特性的反映，这种现象二极管也有，但不这主要是光照特性的反映，这种现象二极管也有，但不如三极管严重，这是因为三极管的电流增益是信号电流如三极管严重，这是因为三极管的电流增益是信号电流的函数。的函数。4.4.工作电压低工作电压低时，光电三极管的时，光电三极管的集电极电流与照度有非集电极电流与照度有非线性关系线性关系。这
31、是由于电流增益与工作电压有关所造成的。这是由于电流增益与工作电压有关所造成的。为了避免输出的非线性，三极管的工作电压应尽可能地为了避免输出的非线性，三极管的工作电压应尽可能地高些。高些。3.3.时间响应（频率特性）时间响应（频率特性）光电三极管的时间响应常与光电三极管的时间响应常与PNPN结的结构及偏置电路结的结构及偏置电路等参等参数有关。数有关。光电三极管的时间响应由以下四部分组成：光电三极管的时间响应由以下四部分组成：光生载流子对发射结电容光生载流子对发射结电容C Cbebe和集电结电容和集电结电容C Cbcbc的的充放充放电时间电时间；光生载流子光生载流子渡越基区渡越基区所需要的时间；所
32、需要的时间；光生载流子被光生载流子被收集到集电极收集到集电极的时间；的时间；输出电路输出电路的等效负载电阻的等效负载电阻R RL L与等效电容与等效电容C Ccece所构成的所构成的RCRC时间；时间；总时间常数为上述四项和。比光电二极管的时间响应长。总时间常数为上述四项和。比光电二极管的时间响应长。4.4.温度特性温度特性 硅光电二极管和硅光电三极管的硅光电二极管和硅光电三极管的暗电流暗电流I Id d和光电和光电流流I IL L均随温度而变化均随温度而变化，由于硅光电三极管具有电流，由于硅光电三极管具有电流放大功能，所以硅光电三极管的暗电流放大功能，所以硅光电三极管的暗电流I Id d和亮
33、电流和亮电流I IL L受温度的影响要比硅光电二极管大得多。受温度的影响要比硅光电二极管大得多。5.5.光谱响应光谱响应 光电二极管与光电三极管光电二极管与光电三极管具有相同的光谱响应具有相同的光谱响应。它的响应范围为它的响应范围为0.41.1m，峰值波长为，峰值波长为0.85m。47一、碲镉汞、碲锡铅红外光伏探测器一、碲镉汞、碲锡铅红外光伏探测器主要用于红外波段主要用于红外波段通过改变配比改变光谱响应通过改变配比改变光谱响应3.4.5 其它光伏探测器48二、光子牵引探测器二、光子牵引探测器利用光子牵引效应制成的光探测器称为光子牵引探利用光子牵引效应制成的光探测器称为光子牵引探测器，它是一种非
34、势垒光伏探测器。测器，它是一种非势垒光伏探测器。1.1.原理原理该器件通常用重掺杂该器件通常用重掺杂p p型型GeGe材料作成。当强激光功材料作成。当强激光功率辐照时，具有动量率辐照时，具有动量(光压光压)的光子与空穴相互作用，的光子与空穴相互作用，使空穴不仅得到能量而且获得动量，在光传播方向使空穴不仅得到能量而且获得动量，在光传播方向上产生运动，就好像光子在牵引着空穴前进。由于上产生运动，就好像光子在牵引着空穴前进。由于光子的牵引作用，在样品入射表面的空穴数目减少，光子的牵引作用，在样品入射表面的空穴数目减少，而出光端空穴数目增加，这样在样品两端产生出电而出光端空穴数目增加，这样在样品两端产
35、生出电位差，称为位差，称为光子牵引电压光子牵引电压，而光子牵引电压正比于，而光子牵引电压正比于入射光功率。入射光功率。492.2.优点优点1.1.响应速度快响应速度快(10(10-10-10s)s)。2.2.损伤阈值高损伤阈值高3.3.室温下就可以工作室温下就可以工作，不需要偏置电源不需要偏置电源。4.4.其其光电灵敏度可由材料参量直接计算出来光电灵敏度可由材料参量直接计算出来，原，原则上不需用其它探测器校准，因而可用作则上不需用其它探测器校准，因而可用作CO2CO2激激光器的绝对监控，兼作光器的绝对监控，兼作CO2CO2激光器的输出窗口，激光器的输出窗口，一般透过率为一般透过率为7575，吸
36、收率，吸收率2525。503.3.缺点缺点灵敏度低灵敏度低。光电灵敏度与空穴的浓度无关，仅与材料的光电灵敏度与空穴的浓度无关，仅与材料的电阻率、吸收系统和器件尺寸有关。当器件制电阻率、吸收系统和器件尺寸有关。当器件制作后这些参量就固定不变，因此光电灵敏度是作后这些参量就固定不变，因此光电灵敏度是一个常量，从而可测出激光输出的绝对功率。一个常量，从而可测出激光输出的绝对功率。51小结小结1.1.光伏探测器根据内建电场形成的结势垒不同，有光伏探测器根据内建电场形成的结势垒不同，有pnpn结结PINPIN结、金属半导体的肖持基势垒等不同结构。结、金属半导体的肖持基势垒等不同结构。根据工作条件不同，可
37、有根据工作条件不同，可有光电导和光伏两种工作模式光电导和光伏两种工作模式。2.2.APDAPD管具有管具有内增益内增益，它可以大大提高探测器的灵敏，它可以大大提高探测器的灵敏度和响应频率，以度和响应频率，以适合于微弱光信号探测适合于微弱光信号探测。3.3.光伏探测器的噪声主要包括器件中光伏探测器的噪声主要包括器件中光生电流的散粒光生电流的散粒噪声噪声、暗电流噪声暗电流噪声和和器件热噪声器件热噪声。器件的。器件的总噪声与所总噪声与所加的工作偏压有关加的工作偏压有关。在反偏压工作时，热噪声可忽略。在反偏压工作时，热噪声可忽略不计。不计。524.4.光伏探测器可以光伏探测器可以工作于零偏与反偏两种状
38、态工作于零偏与反偏两种状态。零偏。零偏工作时，不会引入偏置电路噪声，还可简化前级电子工作时，不会引入偏置电路噪声，还可简化前级电子电路。反偏工作时，可以降低器件的热噪声及散粒噪电路。反偏工作时，可以降低器件的热噪声及散粒噪声，并可减小器件电容，此外可得到较高的探测率和声，并可减小器件电容，此外可得到较高的探测率和响应频率。响应频率。5.5.光伏探测器的光伏探测器的响应速度比光电导探测器快响应速度比光电导探测器快，它主要，它主要取决于取决于负载电阻负载电阻和和结电容结电容所构成的时间常量。所构成的时间常量。6.6.与光电导探测器一样，光伏探测器的与光电导探测器一样，光伏探测器的灵敏度与频带灵敏度与频带宽度之积为一常量宽度之积为一常量，在使用时要综合考虑。同时，器，在使用时要综合考虑。同时，器件的各种参量基本上都与温度有关。降低探测器工作件的各种参量基本上都与温度有关。降低探测器工作温度会减小暗电流和噪声，提高电路的稳定性。温度会减小暗电流和噪声，提高电路的稳定性。
