1、 1 第四章第四章 常用半导体器件原理常用半导体器件原理 绝缘栅场效应管由金属绝缘栅场效应管由金属-氧化物氧化物-半导体构成半导体构成(Metal-Oxide-Semiconductor)，故又简称为，故又简称为MOSFET。导电沟道平行于表面。导电沟道平行于表面。且栅极与沟道是绝缘的且栅极与沟道是绝缘的,栅极电流为零栅极电流为零 iG=0。绝缘栅场效应管绝缘栅场效应管(IGFET)绝缘栅场效应管的结构绝缘栅场效应管的结构、类型及符号类型及符号 2 第四章第四章 常用半导体器件原理常用半导体器件原理 MOS管类管类型及符号型及符号 3 第四章第四章 常用半导体器件原理常用半导体器件原理 N沟道
2、增强型沟道增强型MOS管管一一.栅源电压栅源电压UGS对导电沟道的控制作用对导电沟道的控制作用(UDS=0)UGS 0，产生向下电场。排斥空穴产生向下电场。排斥空穴,吸引电子吸引电子,在表在表面形成面形成反型层反型层,UGS增大增大,反型层扩大反型层扩大,直至将两个直至将两个N区区连通连通,形成了导电沟道形成了导电沟道,该电压称为开启电压该电压称为开启电压UGSth。UGS UGSth 沟道随沟道随UGS增大均匀增大均匀展宽。展宽。可见，可见，UGS大于开启电压后，对沟道的控制作用与大于开启电压后，对沟道的控制作用与JFET相同，相同，即可使沟道均匀地变宽变窄。即可使沟道均匀地变宽变窄。衬底与
3、源极相连衬底与源极相连,沟道与衬底有沟道与衬底有PN结隔离结隔离,无纵向电无纵向电流！流！4 第四章第四章 常用半导体器件原理常用半导体器件原理二二.漏源电压漏源电压UDS对导电沟道的控制作用对导电沟道的控制作用(UGSUGSth)UDS0，漏端，漏端UGD降降低，电场减弱。沟道不低，电场减弱。沟道不均匀变窄而倾斜。均匀变窄而倾斜。UDS增大到增大到 UDS=UGSUGSth沟道被预夹断。随后沟道被预夹断。随后UDS增大增大沟道基本不变。沟道基本不变。可见，可见，UDS对导电沟道的控制作用，也与对导电沟道的控制作用，也与JFET相同，相同，即可使沟道不均匀地变窄，直到予夹断为止。即可使沟道不均匀地变窄，直到予夹断为止。5 第四章第四章 常用半导体器件原理常用半导体器件原理谢谢收看和听讲谢谢收看和听讲,欢迎下次再相见欢迎下次再相见!MOS场效应管工作原理及特性曲线场效应管工作原理及特性曲线(1)
