1、1 双极型三极管的参数参 数型 号 PCM mW ICM mAVR CBO VVR CEO VVR EBO V IC BO A f T MHz3AX31D 125 125 20 126*83BX31C 125 125 40 246*83CG101C3CG101C 100 30 450.1 1003DG123C3DG123C 500 50 40 300.353DD101D3DD101D 5W 5A 300 25042mA3DK100B3DK100B 100 30 25 150.1 3003DK23G 250W 30A 400 325 8注：*为 f 功率特性功率特性2 双极型三极管的参数参 数型
2、 号 PCM mW ICM mAVR CBO VVR CEO VVR EBO V IC BO A f T MHz3AX31D 125 125 20 126*83BX31C 125 125 40 246*83CG101C3CG101C 100 30 450.1 1003DG123C3DG123C 500 50 40 300.353DD101D3DD101D 5W 5A 300 25042mA3DK100B3DK100B 100 30 25 150.1 3003DK23G 250W 30A 400 325 8注：*为 f 反向特性反向特性3 双极型三极管的参数参 数型 号 PCM mW ICM m
3、AVR CBO VVR CEO VVR EBO V IC BO A f T MHz3AX31D 125 125 20 126*83BX31C 125 125 40 246*83CG101C3CG101C 100 30 450.1 1003DG123C3DG123C 500 50 40 300.353DD101D3DD101D 5W 5A 300 25042mA3DK100B3DK100B 100 30 25 150.1 3003DK23G 250W 30A 400 325 8注：*为 f 频率频率特性特性hfe放大特性放大特性开关管开关特性参数开关管开关特性参数4第三章第三章 双极型晶体管的频
4、率特性双极型晶体管的频率特性3.1 晶体管晶体管交流电流放大系数交流电流放大系数与与频率参数频率参数3.2 晶体管的晶体管的交流特性交流特性分析分析3.3 晶体管的晶体管的高频参数高频参数及及等效电路等效电路3.4 高频下晶体管中高频下晶体管中载流子的输运载流子的输运及及中间参数中间参数3.5 晶体管电流放大系数的频率关系晶体管电流放大系数的频率关系3.6 晶体管的晶体管的高频功率增益高频功率增益3.7 工作条件工作条件对晶体管对晶体管fT、KPm的影响的影响5eciibcii11一、交流短路电流放大系数一、交流短路电流放大系数共基极交流短路电流放大系数：共基极交流短路电流放大系数：共发射极极
5、交流短路电流放大系数：共发射极极交流短路电流放大系数：两者之间的关系：两者之间的关系：3.1 晶体管交流电流放大系数与频率参数晶体管交流电流放大系数与频率参数6二、晶体管的频率参数二、晶体管的频率参数 截止频率截止频率 f：共基极电流放大系数减小到低频值的共基极电流放大系数减小到低频值的 所对应的频率值所对应的频率值21 截止频率截止频率 f ：共发射极电流放大系数减小到低频值的：共发射极电流放大系数减小到低频值的 所对应的频率值所对应的频率值21200 ff200 ff7特征频率特征频率fT：共发射极交流短路电流放大系数为：共发射极交流短路电流放大系数为1时时 对应的工作频率对应的工作频率最
6、高振荡频率最高振荡频率fM：功率增益为：功率增益为1时对应的频率时对应的频率10Tff时，Mff）（输入信号功率输出信号功率功率增益dB01iopppK二、晶体管的频率参数二、晶体管的频率参数8二、晶体管的频率参数二、晶体管的频率参数9 3.2 晶体管的交流特性分析晶体管的交流特性分析 晶体管在实际应用时大多是在直流偏压上叠加晶体管在实际应用时大多是在直流偏压上叠加上交流小信号，即作用在结上的总电压应为交、直上交流小信号，即作用在结上的总电压应为交、直流两部分电压之和，如果所叠加的交流信号为正弦流两部分电压之和，如果所叠加的交流信号为正弦波，则波，则作用在发射结上的总电压为：作用在发射结上的总
7、电压为：作用在集电结上的总电压为：作用在集电结上的总电压为：tjeEeEeeuV(t)uVVtjcCcCceuV(t)uVV 10注意：一维模型中规定的电流方向注意：一维模型中规定的电流方向 与与npn管实际电流方向相反管实际电流方向相反11一、均匀基区晶体管（以一、均匀基区晶体管（以npn管为例）管为例）交流信号作用下交流信号作用下基区电子一维扩散方程基区电子一维扩散方程基区电子密度分布基区电子密度分布（直流、交流叠加）（直流、交流叠加）分解与时间有关项分解与时间有关项和与时间无关项和与时间无关项基区电子电流密度基区电子电流密度交流分量交流分量通过发射结的空穴通过发射结的空穴电流密度交流分量
8、电流密度交流分量交流信号作用下交流信号作用下发射区空穴一维扩散方程发射区空穴一维扩散方程均匀基区晶体管均匀基区晶体管交流电流交流电流-电压方程电压方程高频参数高频参数频率特性频率特性12一、均匀基区晶体管（以一、均匀基区晶体管（以npn管为例）管为例）nnnnnnnxnDtndxdnDxjnxjtn22)(一维扩散方程：扩散定律：一维连续性方程：在交流信号作用下基区电子的一维扩散方程：在交流信号作用下基区电子的一维扩散方程：tjbbnbnbbbbexnxntxnxntxnttxnDLntxnxtxn)()(),()(),(),(1),(),(101020221301)()()()()(0)()
9、(21212121212200202nbnbtjnbnbtjtjnbbLjxndxxndexnDjLexnxexnLnxnxxnnnbnbCLj21令0)()(12212xnCdxxndnxCxCnnBeAexn)(114xCxCnnBeAexn)(1边界条件：边界条件：x=0 0时，时，kTtqukTqVbkTtuVqbbeEeEeenenn/)(0)(0)0(tjeEtjtjekTqVbkTqVbennenneukTqenenEE)0()0(1000边界条件：边界条件：x=WbtjcCbbennWn)(kTqunnenncCckTqVbCC0其中：其中：15tjeEbnbnbEtjebnb
10、nbkTqVbbekTqunWCshxWshCWxnenWCshxWshCWxentxnE)()()1()()()1(),(0tjebnbntjxWCxWCbnecCtjxCbncWCexCbnWCecenWCshxWshCeeeWCshntxnnqkTVeeWCshneneWCshenntxnbnbnnbnnbn)()()(2),(0)(2)(2),()()(1116通过基区的电子电流密度交流分量通过基区的电子电流密度交流分量tjxCbncWCexCbnWCecnnbnbneeWCshneneWCshennCqDxtxnqDtxjnbnnbn)(2)(2),(),(1tjbncCbneEnn
11、btjbnebnWCWCennbneneWChkTqunWCcthkTqunCqDeWCshnWCsheenCqDjtjbnbn)(csc)()()(2(),0(tjbncCbneEnnbncbneWCcthkTqunWChkTqunCqDjtWj)()(csc),(同理，可求出通过发射结的空穴电流密度的交流分量同理，可求出通过发射结的空穴电流密度的交流分量tjeepepEeuWCshxWshCkTqptxp)()(),(1tjeeppEpepepepeeuWCcthCkTqpqDxtxpqDtjj)(),(),0(121pepepLjC17通过发射结的交流电流分量：通过发射结的交流电流分量：
12、集电极电流的交流分量：集电极电流的交流分量：tjeepEppecbnCebnEnnbpenepeneeeuWcthCkTqpCDuWhCkTqnuWcthCkTqnCDAqjjAiii)()csc()()(tjcbnCebnEnnbncncceuWcthCkTqnuWhCkTqnCqDAjAii)()csc(*此二式即为此二式即为均匀基区晶体管交流电流均匀基区晶体管交流电流电压方程电压方程18基区宽变效应：基区宽度随结电压变化而变化，从而引起输出电流的变化cbVW基区宽变因子：计入基区宽变效应：计入基区宽变效应：27)-(3 )()(126)-(3 )(1)(1*tjccbbnnnCebnnb
13、bnbnEctjccbbnnnCenbpEbnnbbnbnEeeuVWWthCCIuWshCLWthjkTqIieuVWWshCCIujkTqIWthCLWthjkTqIi19二、缓变基区晶体管二、缓变基区晶体管基区电子的一维连续性方程基区电子的一维连续性方程tjnbbbnbnbexnxntxnxntxnttxnntxnxtxnExtxnD)()(),()(),(),(),(),(),(101002220 3.3 晶体管的高频参数及等效电路晶体管的高频参数及等效电路一、晶体管高频一、晶体管高频Y参数及其等效电路参数及其等效电路二、晶体管高频二、晶体管高频h参数及其等效电路参数及其等效电路 将晶
14、体管看作四端网络来讨论其高频特性（输入、输将晶体管看作四端网络来讨论其高频特性（输入、输出关系）出关系）描述四端网络的高频参数（方程组）有描述四端网络的高频参数（方程组）有 Y参数参数短路导纳参数短路导纳参数 Z参数参数开路阻抗参数开路阻抗参数 h参数参数混合参数混合参数 S参数参数散射参数散射参数 等等 Y参数的表达形式与晶体管的参数的表达形式与晶体管的I-V方程一致，可直接由方程一致，可直接由I-V方程得到，且物理意义明显方程得到，且物理意义明显 h参数更符合晶体管的实际特点，易于实际测量参数更符合晶体管的实际特点，易于实际测量21 晶体管高频参数是高频特性方程组中的一组参数晶体管高频参数
15、是高频特性方程组中的一组参数 一方面，将晶体管的结构参数与四端网络的特性一方面，将晶体管的结构参数与四端网络的特性参数相联系参数相联系 另一方面，通过等效电路反映晶体管内部结构与另一方面，通过等效电路反映晶体管内部结构与外电路的关系，使晶体管的外电路的关系，使晶体管的CAD及计算机模拟得及计算机模拟得以实现以实现 3.3 晶体管的高频参数及等效电路晶体管的高频参数及等效电路22一、晶体管高频一、晶体管高频Y参数及其等效电路参数及其等效电路由交流由交流I-V方程可以直接得到最基本的方程可以直接得到最基本的Y参数，称为参数，称为本征参数本征参数加上（必要的）非本征参数构成较完整的高频等效电路加上（
16、必要的）非本征参数构成较完整的高频等效电路Ie、Ic的幅值：的幅值：34)-(3 )()(133)-(3 )(1)(1(-)*)()(*)(-)()(ccbbnnnCebnnbbnbnEcccbbnnnCenbpEbnnbbnbnEeuVWWthCCIuWshCLWthjkTqIIuVWWshCCIujkTqIWthCLWthjkTqII27)-(3 )()(126)-(3 )(1)(1*tjccbbnnnCebnnbbnbnEctjccbbnnnCenbpEbnnbbnbnEeeuVWWthCCIuWshCLWthjkTqIieuVWWshCCIujkTqIWthCLWthjkTqIi23c
17、ecceeuuIuuI cccececceceeeeuYuYIuYuYI按四端网络定义方向整理后：按四端网络定义方向整理后：34a)-(3 )()(133a)-(3 )(1)(1*ccbbnnnCebnnbbnbnEcccbbnnnCenbpEbnnbbnbnEeuVWWthCCIuWshCLWthjkTqIIuVWWshCCIujkTqIWthCLWthjkTqII2439)-(3 )(38)-(3 )(137)-(3 )()(36)-(3 1)(1*cbbnnnCiccbnnbbnbnEicecbbnnnCiecnbpEbnnbbnbnEieeVWWthCCIYWshCLWthjkTqIY
18、VWWCshCIYjkTqIWthCLWthjkTqIY由连续性方程所得，称本征由连续性方程所得，称本征Y参数，且没有频率限制参数，且没有频率限制251、共基极本征输入导纳、共基极本征输入导纳Ycei0cueeieeuIY输出端交流短路时，输入端交流电流幅输出端交流短路时，输入端交流电流幅值随输入电压的变化值随输入电压的变化 设设=1，即忽略，即忽略IpE 认为认为 Wb/Lnb为一阶无穷小，展开双曲函数，略去高为一阶无穷小，展开双曲函数，略去高次项，还原次项，还原Cn36)-(3 1)(1nbpEbnnbbnbnEieejkTqIWthCLWthjkTqIY40)-(3 )31(3)1(1)
19、31)(1222nbbnEnbbnbnEbnbnnbbnbnEieeDWjkTqILWjkTqIWCWCLWjkTqIY26DeeieeDenbbenEeCjgYCDWgkTqIg3,2进而令令nbbeDeEepEDWgCkTqIgI2 ,缓变基区时缓变基区时计入计入物理本质是一样的物理本质是一样的形式（区域）不同，其形式（区域）不同，其即系数之差是因为分布即系数之差是因为分布，的区域为的区域为结中积累电荷结中积累电荷，在，在和和取决于取决于，晶体管基区积累电荷，晶体管基区积累电荷说明：相同正向电流下说明：相同正向电流下在发射结中在发射结中）在二极管中（在二极管中（n-p)(2 )211(12
20、91222nbbnbnbbnbbnbenbbeDepDDpFLWDLWLWgDWgCgCCjgjkTqIY272、共基极本征输出导纳、共基极本征输出导纳Ycci0eucciccuIY输入端交流短路时，输出端交流电流幅输入端交流短路时，输出端交流电流幅值随输出电压的变化值随输出电压的变化DccnbbccbbnnnCiccieeCjgDWjgVWWCthCIYY )31()()(12*类似的变换类似的变换，经与，经与设集电区倍增因子设集电区倍增因子nbbcDccbnbbnbnCcDWgCVWLWthLIg3)()(2 其中，其中，283、共基极本征正向转移导纳、共基极本征正向转移导纳Ycei0cu
21、eciceuIY输出端交流短路时，输入端交流电压对输出端交流短路时，输入端交流电压对输出端交流电流的影响输出端交流电流的影响ieeicenbbuecieeueeecuecicenbbieenbbnbbeiceYYDWjIIYuIIIuIYDWjYDWjDWjgYccc于是，于是，由定义由定义211)()(211211)31(2*000222说明：正向转移导纳可看作将输入导纳转移到说明：正向转移导纳可看作将输入导纳转移到 （被（被 放大了的）输出端的等效导纳，或放大了的）输出端的等效导纳，或 者说，是输出端输出的，被放大了的输者说，是输出端输出的，被放大了的输 入导纳入导纳 即：由输入电压即：由
22、输入电压ue输入电流输入电流Ie输出电流输出电流Ic294、共基极本征反向转移导纳、共基极本征反向转移导纳Yeci0euceiecuIY输入端交流短路时，输出端交流电压对输入端交流短路时，输出端交流电压对输入端电流的影响输入端电流的影响ecicecbbnbbeieccbbecbbEcbbnccbnbbnbnccnbbciecYVWqkTWDWjgYVWqkTWgVWqkTkTWqIVWWIVWLWthLIgDWjgY)(1)61()()()()()()61(20002300)(1 eICEcbbecVVVWqkTW 其中，其中，无量纲，称为无量纲，称为电压反馈系数电压反馈系数 当保持发射极交流
23、开路时，即当保持发射极交流开路时，即Ie=0，IE不变，不变，集电极电压变化对发射极电压的影响集电极电压变化对发射极电压的影响 也称也称反向电压放大系数反向电压放大系数 发射极交流开路，意味着发射极电流维持直流发射极交流开路，意味着发射极电流维持直流偏置电流不变（恒流），当偏置电流不变（恒流），当VcVc时，时，Wb产产生生Wb的变化，引起基区少子分布变化，为了的变化，引起基区少子分布变化，为了使使IE不变不变(Ie=0)，应有，应有VE使使nE变化变化nEn(x)nEnb(x)xn(x)bW En 31DcciccnbbeicenbbciecDeeieeCjgYDWjgYDWjgYCjgYY
24、)61()61(22参数表达为：综上，共基极大大正向转移导纳被反向放正向转移导纳被反向放反向转移导纳反向转移导纳输入导纳输入导纳输出的输出的被放大了的被放大了的输出端输出端正向转移导纳正向转移导纳iceeciecieeiceYYYY3233二、晶体管高频二、晶体管高频h参数及其等效电路参数及其等效电路oiooiiuhIhIuhIhu22211211种情况讨论：种情况讨论：分共基极、共发射极两分共基极、共发射极两得相应的参数。得相应的参数。阻输出端短路，就可测阻输出端短路，就可测使低阻输入端开路或高使低阻输入端开路或高配好，易于测量。配好，易于测量。特点是与晶体管特性匹特点是与晶体管特性匹：参数
25、为混合小信号参数参数为混合小信号参数为导纳量纲为阻抗量纲无量纲22112112hh、hhh 34二、晶体管高频二、晶体管高频h参数及其等效电路参数及其等效电路cobefbccrbeibeuhIhIuhIhu1、共基极、共基极h参数及其等效电路参数及其等效电路 输入端电压为两部分电压串联输入端电压为两部分电压串联 输入电流在输入阻抗上的压降输入电流在输入阻抗上的压降 输出电压对输入回路的反作用（电压源）输出电压对输入回路的反作用（电压源）输出电流为两部分电流并联输出电流为两部分电流并联 被放大的输入电流（电流源）被放大的输入电流（电流源）输出电压在输出阻抗上产生的电流输出电压在输出阻抗上产生的电
26、流+-+-iehrbucichibhfbIchobbec35出导纳出导纳输入端交流开路时的输输入端交流开路时的输或正向电流传输系数或正向电流传输系数流放大系数，流放大系数，输出端交流短路时的电输出端交流短路时的电压反馈比压反馈比输入端交流开路时的电输入端交流开路时的电入阻抗入阻抗输出端交流短路时的输输出端交流短路时的输参数分别表示：参数分别表示：四个四个0000ececIccobuecfbIcerbueeibuIhIIhuuhIuhh h参数与参数与Y参数只是从不同角度反映晶体管内部电流、参数只是从不同角度反映晶体管内部电流、电压关系，电压关系，因而其间可以互相转换因而其间可以互相转换 低频时
27、可忽略电容效应低频时可忽略电容效应 高频时可忽略基区宽变效应高频时可忽略基区宽变效应36低频时可忽略电容效应低频时可忽略电容效应高频时可忽略基区宽变效应高频时可忽略基区宽变效应37 h11和h12的意义 h21和h22的意义2、共发射极、共发射极h参数及其等效电路参数及其等效电路 coebfeccrebiebuhihiuhihu oiooiiuhIhIuhIhu22211211 h参数都是小信号参数，即参数都是小信号参数，即微变参数或交流参数。微变参数或交流参数。h参数与工作点有关，在放参数与工作点有关，在放大区基本不变。大区基本不变。h参数都是微变参数，所以参数都是微变参数，所以只适合对交流
28、小信号的分析只适合对交流小信号的分析383940 目的目的：高频下晶体管电流放大系数随工作频率变化的物理实质（关系）方法方法：利用晶体管的等效电路，逐步分析载流子的运动过程（中间参数）实质实质：RC回路对高频信号产生延迟和相移（电容的分流作用）3.4 高频下晶体管中载流子的输运过程高频下晶体管中载流子的输运过程发射结发射发射结发射基区输运基区输运集电结收集集电结收集集电极输出集电极输出41一、发射效率及发射结延迟时间一、发射效率及发射结延迟时间1x2x1x2x1x2xeipeneiiTeCiEerTeC对对CTe进行充、放电的电流对输出没有贡献，导致进行充、放电的电流对输出没有贡献，导致降低降
29、低42因re、CTe并联，具有等电压关系TeCpeneneeneiiiiii由定义：peneTeCiiipeneneiii11TeCepeneCjiriiTe1)(TeeeeCr 1令ej20)(1 e发射效率的幅值：)(earctg相位：000045222，时，当je发射极截止角频率发射结延迟时间TeepeneCCrjiiiTe peneTeCiii 10 ej 10202011)()(eeej CTe的作用的作用：1、对、对 Ie的分流作用使发射效率幅的分流作用使发射效率幅 值随频率升高而下降值随频率升高而下降 2、RC延迟作用使注入电流滞后于延迟作用使注入电流滞后于 输入电流一个相位角输
30、入电流一个相位角43二、基区输运系数及基区渡越时间二、基区输运系数及基区渡越时间基区输运系数随信号频率升高而减小：基区输运系数随信号频率升高而减小：实质是高频信号首先对发射结扩散电容充放电实质是高频信号首先对发射结扩散电容充放电（基区积累电荷的数量改变），这一电流仅形成基（基区积累电荷的数量改变），这一电流仅形成基极电流，对输出电流没有贡献，导致输运系数降低极电流，对输出电流没有贡献，导致输运系数降低及信号延迟及信号延迟44二、基区输运系数及基区渡越时间二、基区输运系数及基区渡越时间tjbncCbneEnnbncbnbtjbncCbneEnnbnenbeWCkTqunWCkTqunCqDjtW
31、jeWCkTqunWCkTqunCqDjtj)(cth)(csch),()(csch)(cth),0()(sech)(ch1)0()(*bnbnnbbnbWCWCjWj注意：以集电极交流短注意：以集电极交流短路为条件，即路为条件，即uc=035)-(2 )(sech*0nbbLW低频下21nbnbnLjC)(sech)(sech*0*nbbbnLWWC67)-(3 )(ch1)(sech212212nbbnbbDWjDWj45进行整理、简化，得bbjejm1*0*称为基区渡越时间角频率称为基区输运系数截止称为超相移因子其中，bbm 22)1(bnbbWDm 对均匀基区对均匀基区m0.22nbb
32、bbDmW2)1(122)1(bnbbWDmnbbbbDmW)1(12对基区杂质按指数分对基区杂质按指数分布的缓变基区晶体管布的缓变基区晶体管098.022.0m46对于均匀基区，如果对于均匀基区，如果(3-67)展开展开双曲函数后取一级近似，则有双曲函数后取一级近似，则有nbbDWj2*0*21DeeCrj1*0*比较上两式，有比较上两式，有nbbDeebbDWCr212因re和CDe并联等电压，则有DeeDeeneCCrjCjriiDe1*10neCCnenenencCnencnenciiiiiiiiiiiiDeDeDe另一方面，由定义47对于均匀基区渡越时间有以下三个表达式：对于均匀基区
33、渡越时间有以下三个表达式：nbbDeebbDWCr3121,即取忽略导纳时，在计算共基极本征输入peinbbDeebbDWCr44.21222.0m取二阶近似，流密度，由连续性方程解得的电nbbDeebbDWCr2120mb最大，近似，展开双曲函数后取一阶 m的实质是基区少子建立准稳态分布的弛豫时间与的实质是基区少子建立准稳态分布的弛豫时间与对扩散电容充放电延迟时间之比对扩散电容充放电延迟时间之比 由于不同的近似或省略造成系数上的差别，其本由于不同的近似或省略造成系数上的差别，其本质都是发射结扩散电容充放电（改变基区积累的电荷质都是发射结扩散电容充放电（改变基区积累的电荷数）引起基区渡越延迟时
34、间，即基区渡越时间。数）引起基区渡越延迟时间，即基区渡越时间。48 发射结上电压的交变同时引起CDe和CTe的充放电，这两部分电容的充放电电流最后均转变成基极电流，使总发射极电流随频率升高而增大，发射效率下降。在等效电路上CTe 和CDe 是并联的，但实质上CTe 反映的电荷变化发生在eb结势垒区，而CDe反映的电荷变化发生在基区中。eiBerTeCncibrDeCE发射结等效电路发射结等效电路49三、集电结势垒输运系数及渡越时间三、集电结势垒输运系数及渡越时间 通过基区输运到集电结通过基区输运到集电结势垒边界的载流子，在反偏势垒边界的载流子，在反偏集电结空间电荷区强电场作集电结空间电荷区强电
35、场作用下漂移通过空间电荷区，用下漂移通过空间电荷区，同时产生同时产生幅值的下降和相移幅值的下降和相移，其实质是交流信号作用其实质是交流信号作用下，集电结空间电荷区边界下，集电结空间电荷区边界平移，载流子对空间电荷区平移，载流子对空间电荷区充放电而引起的充放电而引起的正半周正半周负半周负半周集电结空间电荷区没有交流信号没有交流信号50负半周负半周集电结空间电荷区没有交流信号没有交流信号正半周正半周 电子穿过集电结空间电荷区电子穿过集电结空间电荷区引起其中电荷分布的变化引起其中电荷分布的变化 直流时，这种变化是稳定的，直流时，这种变化是稳定的，小注入下可以忽略（耗尽层小注入下可以忽略（耗尽层近似）
36、近似）交流时，这种变化是交变的交流时，这种变化是交变的 在信号在信号正半周正半周，流入电子（负电荷），流入电子（负电荷）密度增大密度增大，负电荷区电，负电荷区电荷密度荷密度增大增大，正电荷区电荷密度，正电荷区电荷密度减小减小；一定的结电压下，前；一定的结电压下，前者者变窄变窄，后者，后者变宽变宽 在信号在信号负半周负半周，流入电子（负电荷），流入电子（负电荷）密度减小密度减小，负电荷区电，负电荷区电荷密度荷密度减小减小，正电荷区电荷密度，正电荷区电荷密度增大增大；一定的结电压下，前；一定的结电压下，前者者变宽变宽，后者，后者变窄变窄 正负电荷区宽度的变化由载流子的流动实现，相当于电容的正负电荷
37、区宽度的变化由载流子的流动实现，相当于电容的充、放电，电子由穿过集电区的电子流分流，空穴由基极电充、放电，电子由穿过集电区的电子流分流，空穴由基极电流提供流提供51关于集电结势垒渡越时间（空间电荷区延迟时间）有平行板电容器模型晶体管原理张屏英 周佑谟单边突变结模型微电子技术基础曹培栋参考 (P166)Qd=Q/2模型双极型和场效应晶体管自学52附加电场的电力线终止在极板上，使极板上感应出相应的电荷 极板a上感应正电荷，对应基极电流提供的空穴 极板b上感应正电荷，对应集电区侧空间电荷区展宽，电子流出，形成传导电流因此，运动电荷尚未到达b极板，极板上已因感应而产生传导电流集电结空间电荷区是载流子耗
38、尽的高阻区，相当于平行板电容器 空间电荷区边界相当于电容器的极板 空间电荷区宽度相当于电容器极板间距离 集电结电压相当于板间所加电压输出端交流短路时，板间电压为集电结反向偏置电压若有一面密度为Qs的电荷层在板间电场作用下，以速度v由a向b运动 运动电荷产生徙动电流Qv 电荷层前后产生附加电场Ea、EbEaEbQsab基区基区集电区集电区速度速度v0 xx1xmcVCB53)(,)(mcsasmcbsbasmcbaxxQExQxEQEEQxxExE1010011110 可解出：可解出：由高斯定理由高斯定理选一封闭曲面包围选一封闭曲面包围为零为零电场产生的附加电势差电场产生的附加电势差交流短路状态
39、下，附加交流短路状态下，附加vxQtEtEEEQmcsbabas 00 位位移移电电流流，其其密密度度为为随随时时间间变变化化而而产产生生、，使使附附加加电电场场在在空空间间电电荷荷区区内内运运动动时时EaEbQsab基区基区集电区集电区速度速度v0 xx1xmcVCB54的时间。的时间。穿越集电结空间电荷区穿越集电结空间电荷区表示载流子以极限速度表示载流子以极限速度表示薄层中电荷总量，表示薄层中电荷总量，式中式中电极感应电流电极感应电流通过空间电荷区，则集通过空间电荷区，则集度度若载流子以极限漂移速若载流子以极限漂移速板面积上的位移电流板面积上的位移电流应等于应等于板）上传导电流板）上传导电
40、流集电极（集电极（slmcsscsslmcscmncslmcscmncmncvxQAQQvxQAxivvxQAxixi )()(b)(bvxQtEtEmcsba00以上讨论的是一个电荷薄层在集电结空间电荷区运动的情况以上讨论的是一个电荷薄层在集电结空间电荷区运动的情况55sjncsjslcsmcncjslcxvxjvxjvxtjsltjjetijevtqnAQtxitejvtqnAdxetnqAQetnenvxtntxntxentnxsssmcslslsl1),0(1),0(),()1(),0(),0(),0()0(),0(),()0(),0(00c)(导电流时刻引起集电极感生传这些电荷在总量
41、空间电荷区中运动电荷流子浓度分布函数）时刻的载流子浓度（载处，空间电荷区中处的交变载流子空间电荷区边界若由基区输运至集电结56ddsdsjcmcncdsjncsjslcmcncjjjjetitxijetijevtqnAtxisss 1111211 1),0(),(1),0(1),0(),(级近似，则上式变为级近似，则上式变为将式中指数展开，取一将式中指数展开，取一系数系数于是，集电结势垒输运于是，集电结势垒输运211 2 ddddsd 时时，当当止止角角频频率率称称为为集集电电结结势势垒垒渡渡越越截截延延迟迟）时时间间称称为为集集电电结结势势垒垒渡渡越越（式式中中57 集电结势垒延迟时间等于载
42、流子穿越空间电荷区所需延迟时间的一半 集电极电流并不是渡越势垒的载流子到达集电极“极板”才产生的，当载流子还在穿越空间电荷区的过程中，就在集电极产生了感应电流 集电极电流是空间电荷区内运动的载流子在集电极所产生的感应电流的平均表现 当信号波长远大于势垒区宽度时，所得结果才成立sjncsjslcmcncjslcxvxjjetijevtqnAtxitejvtqnAdxetnqsssmcsl1),0(1),0(),()1(),0(),0(AQ 0c导电流时刻引起集电极感生传这些电荷在总量空间电荷区中运动电荷58四、集电区倍增因子与集电极延迟时间四、集电区倍增因子与集电极延迟时间集电极电流在集电极串联
43、电阻上的压降形成电场，该集电极电流在集电极串联电阻上的压降形成电场，该电场促进少子空穴流向集电结，使集电极电流增大。电场促进少子空穴流向集电结，使集电极电流增大。一般情况下可认为一般情况下可认为集电区倍增因子集电区倍增因子等于等于1输出端交流短路时，集电极串联电阻输出端交流短路时，集电极串联电阻rcs上的交流压降上的交流压降引起集电结势垒电容引起集电结势垒电容CTc两端电压交变，导致其充放电两端电压交变，导致其充放电电流对输出电流分流，使输出电流减小电流对输出电流分流，使输出电流减小定义定义集电极衰减因子集电极衰减因子集电极截止角频率集电极截止角频率集电极延迟时间集电极延迟时间集电结势垒输运和
44、集电极延迟同时发生在集电结势垒集电结势垒输运和集电极延迟同时发生在集电结势垒区中，只是从物理概念上分别讨论区中，只是从物理概念上分别讨论TccsccncccCrii159 交变电流流过集电结势垒区引起其中电荷量的变化交变电流流过集电结势垒区引起其中电荷量的变化 交变电流流过集电区在串联电阻上产生压降引起集电交变电流流过集电区在串联电阻上产生压降引起集电结势垒电容上电压交变结势垒电容上电压交变 两者都通过集电结势垒电容的充放电对输出电流分流两者都通过集电结势垒电容的充放电对输出电流分流并产生延迟并产生延迟 两者同时发生在集电结中两者同时发生在集电结中Vbc恒定恒定（交流短路）（交流短路）rcs集
45、集电电极极CinciciCTeTccsCccncccTccscCTcCcscCrjiiiiiCrjiiCjiriTcTcTc11121111ccccTccscjCr时，当，则令60 交变信号作用下交变信号作用下 晶体管各部分电容充放电使晶体管各部分电容充放电使载流子运动产生载流子运动产生延迟延迟；充放电电流的分流作用使充放电电流的分流作用使输出电流幅值下降输出电流幅值下降，电流放大系数下降电流放大系数下降 发射结势垒电容发射结势垒电容充放电引起充放电引起发射效率下降和注入发射效率下降和注入基区的电流延迟基区的电流延迟 发射结扩散电容发射结扩散电容充放电使充放电使基区输运系数下降和基基区输运系数
46、下降和基区渡越延迟区渡越延迟 集电结势垒电容集电结势垒电容因交变电流改变其中电荷量及因交变电流改变其中电荷量及 串联电阻上压降改变其两端电压而分别产生串联电阻上压降改变其两端电压而分别产生集电集电结势垒渡越延迟结势垒渡越延迟和和集电极延迟集电极延迟6162TeeeeCr 1nbbbbDmW )(112bbjejm 10*cjc 11TccsccCr 1djd 11simcddx 21 ej 10发射效率及发射效率及发射结延迟时间发射结延迟时间基区输运系数基区输运系数及基区渡越时间及基区渡越时间集电结势垒输运系数集电结势垒输运系数及渡越时间及渡越时间集电区倍增集电区倍增(衰减衰减)因子因子与集电
47、极延迟时间与集电极延迟时间63 3.5 晶体管电流放大系数与频率的关系晶体管电流放大系数与频率的关系一、共基极运用一、共基极运用cdnccncncnenceneeciiiiiiiiii *jebjm 10时时，略略去去二二次次幂幂得得当当cdbe ,cdbecdbe 111111其中其中201)()(bmarctg64二、共发射极运用二、共发射极运用 1的短路条件不同、（一）（一）随频率的变化随频率的变化是是c、b短路短路是是c c、e e短路短路jeiibcejmecoue1000 1 ceceueceeeubciiii ,)()(*DeTeeeeeeTcedccscCCrjiiriCjii
48、ri 101其中TccssmcnbbTeeTccssmcnbbTcTeeCrxDmWCrCrxDmWCCr 21121122)()()(jebj 1065220)()1(1bm 22200)11()1()11(11bbeemmj 代入、整理、代入、整理、化简化简 110,1用到20时时，当当)11(10bm 1时时，当当TbTm 111 比较上两式有比较上两式有 0TffTT 或高频端高频端放大系数幅值与放大系数幅值与工作频率成反比工作频率成反比满足满足6dB/倍频程倍频程66)1(0m mT 1 122)1()()1(21 TccsslmcnbbTcTeeTCrxDmWCCrmf 1202)
49、1()(1 TccsslmcnbbTcTeeCrxDmWCCr 略略小小于于，而而远远小小于于T以此化简有以此化简有最大，往往最大，往往通常情况下通常情况下中，中，四个中间参数截止频率四个中间参数截止频率、在晶体管在晶体管bbcdbe 67（二）讨论（二）讨论 共发射极截止频率远低于共基极截共发射极截止频率远低于共基极截止频率，特征频率略小于共基极截止频率，特征频率略小于共基极截止频率，随频率增高，止频率，随频率增高，下降的速下降的速度比度比的下降速度快的下降速度快(早早)。略小于，而远小于、T12、时，基极电流的主要成分是充、放电电流，而时，基极电流的主要成分是充、放电电流，而在低频情况下在
50、低频情况下，基极电流主要是复合电流，基极电流主要是复合电流。共基宽带共基宽带共射选频共射选频68三、影响三、影响fT的因素和提高的因素和提高fT的途径的途径1、基区渡越时间、基区渡越时间nbbbbDmW)1(122、发射结延迟时间、发射结延迟时间)0(41TTTeeeeCCCr，一般3、集电结势垒渡越时间、集电结势垒渡越时间 和集电极延迟时间和集电极延迟时间 远小于前两项远小于前两项dc提高提高fT的措施的措施eeFerkTqIg，可缩短，改变工作电流，减小 一般最大，是一般最大，是fT的主要限制因素的主要限制因素 Wb增大一倍，增大一倍，b增大增大4倍倍 提高基区杂质浓度梯度，增大电场提高基
