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2、202311011CVD成膜温度远低于体材料的熔点或软点.成膜温度远低于体材料的熔点或软点.因此减轻了衬底片的热形变,减少了玷污,抑制因此减轻了衬底片的热形变,减少了玷污,抑制了缺陷生成了缺陷生成;设备简单,重复性好;设备简单,重复性好;2。
3、1薄膜气相淀积工艺薄膜气相淀积工艺23q半导体薄膜,半导体薄膜,Si,GaAsq介质薄膜介质薄膜,SiO2,BPSG,Si3N4,q金属薄膜金属薄膜,Al,Cu在集成电路制备在集成电路制备中,许多材料由中,许多材料由淀积工艺淀积工艺形成形成。
4、哈工大微电子工艺哈工大微电子工艺,3,物理气相淀积物理气相淀积幽默来自智慧,恶语来自无能谢谢,21,要知道对好事的称颂过于夸大,也会招来人们的反感轻蔑和嫉妒,培根22,业精于勤,荒于嬉,行成于思,毁于随,韩愈23,一切节省,归根到底都归结为。
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6、天津工业大学天津工业大学集成电路工艺原理集成电路工艺原理Chap,6化学气相淀积,CVD,CVDCVD的基本概念,特点及应用的基本概念,特点及应用1CVDCVD的基本模型及控制因素的基本模型及控制因素23CVDCVD多晶硅和氮化硅的方法多晶。
7、2023,8,61,1,CVD成膜温度远低于体材料的熔点或成膜温度远低于体材料的熔点或软点,因此减轻了衬底片的热形变,减少了软点,因此减轻了衬底片的热形变,减少了玷污,抑制了缺陷生成玷污,抑制了缺陷生成,设备简单,重复性设备简单,重复性好。
8、2023,8,1336,1CVD模型模型6,1,1CVD的基本过程的基本过程图图6,11,主要步骤主要步骤反应剂气体反应剂气体反应室内,主气流区,反应室内,主气流区,通过边界层通过边界层到达衬底表面,扩散方式,到达衬底表面,扩散方式,成为吸。
9、9122023119122023291220233912202349122023591220236912202379122023891220239912202310CVD技术912202311912202312912202313032547。
