1、整流晶闸管阻容吸收元件的选择电容的选择:C=(2.5-5)10 的负 8 次方If（单位F）If=0.367Id 硅整流件正向平均电流Id-直流电流值如果整流侧采用 500A 的晶闸管可以计算 C=(2.5-5)10 的负 8 次方500=1.25-2.5F电容器耐压：UC=(1.11.5)UrwmUrwm-硅整流件的额定反向峰值电压选用 2.5F，1kv 的电容器电阻的选择：R=(2-4) 535)/If=2.14-8.56选择 10 欧PR=(1.5(pfv2fc)的平方10 的负 12 次方R)/2Pfv=2u(1.5-2.0)u-三相电压的有效值追加的分数是不是太少。算了，还是港告诉你
2、吧！电阻：10 欧姆，电容 0.5 微法电阻功率：P=F*C*Um*10(-6)为什么要在晶闸管两端并联阻容网络一、 在实际晶闸管电路中， 常在其两端并联 RC 串联网络， 该网络常称为 RC 阻容吸收电路。我们知道，晶闸管有一个重要特性参数断态电压临界上升率 dlv/dlt。它表明晶闸管在额定结温和门极断路条件下， 使晶闸管从断态转入通态的最低电压上升率。 若电压上升率过大，超过了晶闸管的电压上升率的值，则会在无门极信号的情况下开通。即使此时加于晶闸管的正向电压低于其阳极峰值电压， 也可能发生这种情况。 因为晶闸管可以看作是由三个PN 结组成。在晶闸管处于阻断状态下，因各层相距很近，其 J2
3、 结结面相当于一个电容 C0。当晶闸管阳极电压变化时，便会有充电电流流过电容 C0，并通过 J3 结，这个电流起了门极触发电流作用。如果晶闸管在关断时，阳极电压上升速度太快，则 C0 的充电电流越大，就有可能造成门极在没有触发信号的情况下，晶闸管误导通现象，即常说的硬开通，这是不允许的。因此，对加到晶闸管上的阳极电压上升率应有一定的限制。为了限制电路电压上升率过大，确保晶闸管安全运行，常在晶闸管两端并联 RC 阻容吸收网络， 利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。 因为电路总是存在电感的(变压器漏感或负载电感)，所以与电容 C 串联电阻 R 可起阻尼作用，它可以防止 R、L、C电路在
4、过渡过程中，因振荡在电容器两端出现的过电压损坏晶闸管。同时，避免电容器通过晶闸管放电电流过大，造成过电流而损坏晶闸管。由于晶闸管过流过压能力很差，如果不采取可靠的保护措施是不能正常工作的。RC阻容吸收网络就是常用的保护方法之一。二、整流晶闸管(可控硅)阻容吸收元件的选择电容的选择C=(2.5-5)10 的负 8 次方IfIf=0.367IdId-直流电流值如果整流侧采用 500A 的晶闸管(可控硅)可以计算 C=(2.5-5)10 的负 8 次方500=1.25-2.5mF选用 2.5mF，1kv 的电容器电阻的选择：R=(2-4) 535)If=2.14-8.56选择 10 欧PR=(1.5
5、(pfv2fc)的平方10 的负 12 次方R)2Pfv=2u(1.5-2.0)u=三相电压的有效值阻容吸收回路在实际应用中，RC 的时间常数一般情况下取 110 毫秒。小功率负载通常取 2 毫秒左右，R=220 欧姆 1W，C=0.01 微法 400630V。大功率负载通常取 10 毫秒，R=10 欧姆 10W，C=1 微法 6301000V。R 的选取：小功率选金属膜或 RX21 线绕或水泥电阻；大功率选 RX21 线绕或水泥电阻。C 的选取：CBB 系列相应耐压的无极性电容器。看保护对象来区分： 接触器线圈的阻尼吸收和小于 10A 电流的可控硅的阻尼吸收列入小功率范畴； 接触器触点和大于 10A 以上的可控硅的阻尼吸收列入大功率范畴。
