2021年绍兴文理学院硕士考研真题862半导体物理.pdf

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第- 1 -页,共- 1 -页 绍兴文理绍兴文理学学院院 20202121 年硕士研究生入学考试初试试题年硕士研究生入学考试初试试题 报考专业:集成电路器件物理与工程 考试科目: 半导体物理 科目代码: 862 注意事项:本试题的答案必须写在规定的答题纸上,写在试题上不给分注意事项:本试题的答案必须写在规定的答题纸上,写在试题上不给分。 一、从能带角度介绍什么是导体、半导体、绝缘体。 (15 分) 二、以一种杂质掺杂为例,描述杂质在硅中所起的施主作用。 (15 分) 三、根据本征半导体的电中性条件,推导本征费米能级的表达式。 (17 分) 四、简述高度补偿半导体材料的特点。 (15 分) 五、简述七种半导体中载流子的散射机构引起的原因。 (14 分) 六、简述能带的形成原理。 (15 分) 七、简述间接复合的四个过程。 (12 分) 八、下图所示,一块 n 型均匀掺杂半导体,左侧有光照,半导体在均匀电场作用下,试描述半导体中的四种电流成份,并在图中画出四种电流的方向。 (16 分) (请在答题卡上画出下图并作答) 九、简述 p-n 结具有单向导电性的原因。 (15 分) 十、画出平衡 p-n 结的能带图,标出 Ec、EF、Ev,并解释什么是耗尽区。 (16 分) E 光照

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