2016年宁波大学博士专业课试题3823半导体物理.pdf

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1、宁波大学宁波大学 2016 年攻读博士学位研究生年攻读博士学位研究生入入 学学 考考 试试 试试 题题(B 卷卷)(答案必须写在答题纸上)考试科目考试科目:半导体物理半导体物理科目代码科目代码:3823适用专业适用专业:微纳信息系统微纳信息系统第 1 页 共 2 页一一、填空题(每空填空题(每空2 2分,共分,共5050分)分)1、 (10分) GaAs是一种重要的化合物半导体, 其晶格结构是 () ,有()个最近邻原子,其带隙结构为(*请在相应的答案下打勾:直接带隙、间接带隙),其导带底附近等能面的形状为(),因此它的许多物理性质呈(*请打勾:各向同性、各向异性)。2、(10分)半导体的电导

2、率主要取决于两个因素:()和迁移率;载流子的迁移率是指单位电场下载流子的(),迁移率是与载流子所受的()作用有关的一个量,随杂质浓度增加而(),在杂质浓度较低的条件下随温度升高而()。3、(8分) 就复合过程的微观机制,复合过程分为两种:()和间接复合,间接复合是通过()进行复合。在间接复合过程中,复合中心能级位于带隙的(*请打勾:上半部、中央、下半部)是最有效的复合中心;最有利于陷阱作用的杂质能级位于(*请打勾:平衡时费米能级以下、与平衡时费米能级重合、平衡时费米能级以上)。4、(14分) 直接带隙半导体,其光的本征吸收是()跃迁;间接带隙半导体,其光的本征吸收是 () 跃迁; 光的吸收过程

3、包括: () 、()、()、()和()。宁波大学宁波大学 2016 年攻读博士学位研究生年攻读博士学位研究生入入 学学 考考 试试 试试 题题(B 卷卷)(答案必须写在答题纸上)考试科目考试科目:半导体物理半导体物理科目代码科目代码:3823适用专业适用专业:微纳信息系统微纳信息系统第 2 页 共 2 页5、(8分)对于非简并半导体,在光注入或电注入等外界作用下,材料中的电子浓度和空穴浓度都是偏离平衡值的,多出来的这部分载流子叫做(),其重要特点是:当外界作用停止后它们会因()而消失,其()称为寿命,常用(*请打勾:少数载流子、多数载流子)的寿命来描述。二、简答题二、简答题 (共(共5050分)分)1、(8分)简述p-n结的空间电荷区形成过程。2、(12分)试定性分析Si的电阻率与温度的变化关系。3、(12分) 能带极值在k=0处,等能面为球面的情况,写出导带底和价带顶附近E(k)与k的函数关系,并画出示意图。4、(10 分) 画出非平衡态时 n 型半导体的准费米能级偏离平衡时费米能级的示意图。5、(8分) 两性杂质和其它杂质有何异同?

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