1、-SEPIC电路分析电路分析-主要内容1、理想情况下的电路分析、理想情况下的电路分析2、实际情况下的电路分析、实际情况下的电路分析3、器件的选择、器件的选择4、损耗的计算、损耗的计算5、电路效率的计算、电路效率的计算-1、理想情况下电路分析、理想情况下电路分析图1 理想情况下SEPIC电路-1、理想情况下电路分析、理想情况下电路分析图2 当MOSFET导通时电路回路方程：RViIiVVVVOCCCLgL221121MOSFET开通时电路-1、理想情况下电路分析、理想情况下电路分析图3 MOSFET关断时电路图回路方程：RVIIiIiVVVVVVOCCOLOCgL212112101MOSFET关
2、断时电路-电感伏秒平衡方程0)(1CoggVVVDDV0)(1oCVDDVgCVV1gOVDDV1电容充放电平衡方程012IDDI0)(21RVIIDRVDOORVDDIO11RVIo21、理想情况下电路分析、理想情况下电路分析-2、实际情况下的电路分析、实际情况下的电路分析图4 实际情况下的电路-MOSFET导通时实际电路图5 当MOSFET导通时实际电路 QLgLRIIRIVV)(21111122212)(CLQLVRIRIIV21IiCRViC2 回路方程： 2、实际情况下的电路分析、实际情况下的电路分析-图6 MOSFET关断时电路图ODDLgLVVRIIVRIVV)(21111122
3、212)(LDDLRIRIIVVV11IiCRVIIiC212MOSFET关断时实际电路2、实际情况下的电路分析、实际情况下的电路分析回路方程：-电感伏秒平衡方程电容充放电平衡方程012IDDI0)(21RVIIDRVDOORVDDIO11RVIo22、实际情况下电路分析、实际情况下电路分析111211112()()0gLQgLcDDOD VI RIIRD VI RVIIRVV1222112221()()0LCDDLDIIRI RVD VVIIRI Rc)()()()(2221DDDDRRDRRDRRDDRDDRDDRVVDDDDVVVDMLQDLgDggO-3、器件的选择、器件的选择1） 电
4、感的选择 确定电感的规则是，在最小输入电压时使得纹波电流的大小约为稳定值得30%。电感L1的纹波电流：dtdVLVLg11sgLDTLVi112得 %3011Ii)1 (3 . 021DITVLOSg 同理可得L2的值DITVLLoS3 . 02012-3、器件的选择、器件的选择2） 电容的选择 确定电容的规则是，在最小输入电压时使得纹波电压的大小约为稳定值得5%。211IdtdUCCsCTDCIUmax121电容C1的纹波电压：%511CCUUgSVDTIC1 . 021同理可得C2的值oSoVDTIC1 . 01-3、器件的选择、器件的选择3） 功率MOSFET的选择 流过开关管的最大电流
5、值)(2)(1)(peakpeakpeakQIII11)(1LpeakiII22)(2LpeakiII其中承受到最大反向峰峰值电压为ogRDVVV4） 电力二极管的选择 流过二极管的最大电流值)( peakQI承受到最大反向电压为ogQVVV-4、损耗的算、损耗的算a） MOSFET的关断损耗)(2)(1)(peakpeakpeakQIII0221)(21ttVVIIPogoff3421)(21ttVVIIPogonQRIIP2111PPPPonoffQ1） MOSFET的开关损耗b） MOSFET的开通损耗d） 一个周期内MOSFET总的损耗 图7 MOSFET关断时的波形图c） MOSFET的导通损耗-4、损耗的算、损耗的算2） 电力二极管的损耗rogoffQVVP)(DonRIIP221)(onoffDPPP3） 电感的的损耗1211LLRIP 2222LLRIP-5、效率的计算、效率的计算1211)(IVPPPPIVgLLDg-
