1、1开关电源中电容器的选择2一、电容器的基本原理电容器的基本原理 结构结构 ：电容器的基本结构是由两块导体极板，中间隔离有不同的电介质（绝缘体）组成。其符号如图（b)所示。充电：充电：当两个端子接到电源时，电源正极将相连极板电子吸走，留下正电荷；而负极向另一极板同时送人相等电子。在外电路形成电流。直到极板电压等于极板两端电压。3定义定义：601085836dA.dAdAdACrrrCUQ 或UQC 电容量与结构和介质有关：F 0 r0 =8.8510-12F/m(110-9/36) A极板面积（m2); d极板间距离（m)通常电容器名称是以介质材料来命名的4表1 一些材料的相对介电常数 材料 r
2、 材料 r空气 1.0 橡胶 2.7蒸馏水8.0 云母 67.5腊纸 4.3 玻璃 5.58矿物油2.2 陶瓷 5.8尼龙 3.55 氧化铝 7.510聚酯薄膜 3.1 导热硅脂3.94.3人造云母 5.2 聚四氟乙烯1.82.25电容电路中电流电容电路中电流电容存储的能量200021CUCududtdtduuCuidtWUtttUCtQidddd(J)电容电压不能突变正弦交流(u=Umsint)电路中的电容)/t(ItXUtC/UtUCtuCimc2sincos2cos12cos2ddCXC1式中6二、电容器的主要参数1. 容量：容量：单位F，（mF），F，nF，pF 标称值和电阻相同。按照
3、公差等级决定序列。如公差10%：1.0，1.2，1.5，1.8，2.2，2.7，3.3，4.7和6.8等，像4.7F，0.047F，47pF等等误差等级1%（00）级，2%(0)级，5%（）级，10%（）级和20%（）级容量标注在外壳上容量标注在外壳上，测试条件为25C，1F 测试频率为120Hz， 1F C1nF 测试频率为1kHz72.电压定额 电容器介质中的电场强度大于它的允许电场强度，这是绝缘介质中的电子被拉出来，产生雪崩效应，引起介质击穿。额定电压一般比击穿电压低。高电压定额的电容需要更厚的介质，比低电压体积大。额定直流电压额定直流电压：电容两极能施加的最高直流电压。额定交流电压额定
4、交流电压：受损耗限制，一般比直流电压低得多。并随频率增加允许交流电压降低。例如例如：某电容直流额额定电压为600V，而50Hz交流额定电压为30V。某电容50Hz交流额定电压为400V，而在400HZ应用，额定电压降低为240V等。通常选择电容额定电压不得小于电容所承受电路最高电压的125%。83. ESRESR、ESLESL和损耗系数和损耗系数电容等效电路：电容等效电路：C，ESR，ESL和RSESR：引线、焊接和介质极化损耗。介质损耗与温度和频率有关。ESL：引线、电容极板结构有关。RS：泄漏电阻，一般很大损耗系数：容量1F，用120Hz；5mm, 1835应3mm，616应2mm；2.
5、电容安装时尽量不要靠近功率器件和发热源；3. 不要用有机洗涤剂清洗；4. 电路电压最高电压不超过耐压值的1.2倍；5. 不能反极性；6. 已安装在PCB上的电容不得强迫拉压或歪扭；7.在电压允许的情况下，电容的端尽可能靠近，减少引线电感。162、钽电容钽电容比铝电容具有好得多的高频特性，但价格贵，而且电压限制在100V和容量数百F以下，失效为常为短路极易着火。中功率电源输入最好选择铝电解电容，而输出低压采用贴片钽电容。当然贴片比插件的容量小而电压低。比铝电解电容更好的低温性能。 钽电解电容选择与铝电解电容相似。仍以输出纹波电压和ESR选择电容量。 173.2 无极性电容无极性电容1.有机薄膜电
6、容有机薄膜电容介质介质：薄膜电容有聚乙烯、聚酯（CL）、聚丙烯(CB)、聚四氟乙烯(CF)、聚碳酸脂（CLS ）等薄膜电容。精密、温度特性好、低漏电流。类型：类型：1.1.金属箔金属箔/ /膜电容膜电容金属箔作为电极。极低的ESR，可以承受很高的dV/dt和交流电流。体积大，价格高。容量小（低于0.01F ) 2.2.金属化电容金属化电容 喷涂在介质铝层作为电极。ESR大，较低的dV/dt和交流电流能力。体积小，价格低，有自愈能力。容量大。18使用：使用：相同容量金属箔常用于脉冲、交流高压、缓冲电路（snubber）和谐振电路。金属化电容在局部击穿时产生高温，金属箔蒸发不会短路，电容量减少极小
7、，这种现象就是所谓自愈能力，体积小，价格低。这类电容除了一般应用以外，常用于电磁兼容的X电容和Y电容。金属化聚碳酸酯膜介质CLS体积小，耐高温、温度系数小、绝缘电阻高、自愈性。常应用于逻辑控制电路、延时、积分、滤波、耦合和移相电路。*金属化电容不使用在低电容，小于0.01F,谐振电路 ,吸收电路 ,低噪声 。壳温升不超过15C，高温环境壳温不超过最高允许温度。192. 无机介质电容无机介质电容云母电容：云母电容：云母片为介质，浸银后形成电极。 电容量在数pF到1F； 电压定额在50Vdc到2500V -55150内电容量漂移不超过0.5% 比有机介质箔电容更高的dV/dt能力 体积较大，成本较
8、高。适合于定时、缓冲电路和高频交流电路使用。 20陶瓷介质电容陶瓷介质电容 ：介质成分介质成分是钛酸盐、铌镁酸铅等 分类：分类：3类1类：类：高精度，1pF到几个mF；1类：高精度，1pF到几个mF； 2类类 ：独石电容，和1类相同的壳体，容量是以上电容2070倍，但在温度55125范围内变化大约10%，最大变化为15%25%； 3类类：电容容量是2类大约5倍，电容量随电压和温度变化较大。温度范围2585，电容变化大约20%65% 21使用1类用于定时、谐振电路和需要补偿温度效应的电路，也适合要求低损耗和高绝缘电阻的一般电路中使用。在收音机、电视机、收录机等电子产品种要求容量稳定的交直流的脉冲
9、电路中使用。在收音机、电视机、收录机等电子产品种要求容量稳定的交直流的脉冲电路中使用。2类电容量大，外形尺寸小。电路中用于隔直流、旁路耦合、滤波和对损耗和容量稳定性要求不高的场合。 3类 容量大，但要求不高的地方，价格低廉。 22四、开关电源中电容器1、 输入EMC滤波、整流和PFCC1C2C3C4C5C6C7UiUoHVC8220V50HzAB23C1, C4EMC差模（常模）滤波：一般采用有机介质金属化交流电容。通常称为X电容。C2, C3EMC共模滤波：一般称为Y电容。通常采用高压一类陶瓷电容，或高压金属化电容。要求较低的ESR。数值受安全泄漏电流(3mA)限制。C5PFC输入电容：通常
10、采用金属化电容，如CBB。保证PFC工作，输入整流电压为零附近有1V左右电压。减少输入电流过零失真,一般在14 F 。C6, C7缓冲（Snubber）电容：一般采用金属箔/膜电容，具有很高的dV/dt能力，以及非常小的ESR和ESL。通常称为snubber 电容。C8输出滤波电容：铝电解电容，按纹波电压要求，根据峰值电流和电容的ESR选择容量，检查电容的纹波电流定额是否满足电路要求。242. 功率电路C11C9C9, C10 Snubber电容，要求极低ESR，一般按dV/dt能力选择电容。C10C11输出滤波电容，电解电容，按纹波电压要求，根据纹波电流和电容的ESR选择电容量。UoHVUo辅助线圈253. 辅助电路辅助电路C12C13C14CTC15控制 IC驱动C16AC12工频滤波，电解电容电容，按RC(35)T/2选择电容量；C13电解电容。按控制芯片欠压保护回差UUNIT/C选择电容量。I控制电路输入电流；T功率电路启动时间。C14定时电容。薄膜电容或云母电容等精密电容。C15 C16去耦电容。一般用途，3类陶瓷及任何电容。B来自辅助线圈
