1、半导体传感器内容1 半导体气敏传感器2 湿敏传感器3 色敏传感器4 半导体式传感器的应用 1 半导体气敏传感器 气敏传感器是用来测量气体的类别、浓度和成分的传感器，而半导体气敏传感器是目前实际使用最多的是半导体气敏传感器。由于气体种类繁多，性质也各不相同，不可能用一种传感器检测所有类别的气体，因此半导体气敏传感器的种类非常多。目前半导体气敏传感器常用于工业上天然气、煤气、石油化工等部门的易燃、易爆、有毒、有害气体的监测、预报和自动控制。1 半导体气敏传感器 1.1 气敏电阻的工作原理气敏电阻的材料是金属氧化物，在合成材料时，通过化学计量比的偏离和杂质缺陷制成，金属氧化物半导体分N型半导体，如氧
2、化锡、氧化铁、氧化锌、氧化钨等，P型半导体，如氧化钴、 氧化铅、氧化铜、氧化镍等。为了提高某种气敏元件对某些气体成分的选择性和灵敏度，合成材料有时还渗入了催化剂，如钯（Pd）、铂（Pt）、银（Ag）等。1 半导体气敏传感器金属氧化物在常温下是绝缘的，制成半导体后却显示气敏特性。通常器件工作在空气中，空气中的氧和NO2这样的电子兼容性大的气体，接受来自半导体材料的电子而吸附负电荷，结果使N型半导体材料的表面空间电荷层区域的传导电子减少，使表面电导减小，从而使器件处于高阻状态。一旦元件与被测还原性气体接触，就会与吸附的氧起反应，将被氧束缚的电子释放出来，敏感膜表面电导增加，使元件电阻减小。1 半导
3、体气敏传感器该类气敏元件通常工作在高温状态（200450），目的是为了加速上述的氧化还原反应。 例如，用氧化锡制成的气敏元件，在常温下吸附某种气体后，其电导率变化不大，若保持这种气体浓度不变，该器件的电导率随器件本身温度的升高而增加，尤其在100300范围内电导率变化很大。显然，半导体电导率的增加是由于多数载流子浓度增加的结果。气敏元件的基本测量电路如图10-1（a）所示。氧化锡、氧化锌材料气敏元件输出电压与温度的关系如图10-1（b）所示。 1 半导体气敏传感器 图中EH为加热电源，EC为测量电源，电阻中气敏电阻值的变化引起电路中电流的变化，输出电压（信号电压）由电阻Ro上取出。图10-1
4、输出电压与温度关系1 半导体气敏传感器气敏元件工作时需要本身的温度比环境温度高很多。因此，气敏元件结构上，有电阻丝加热，结构如图10-2所示，1和2是加热电极，3和4是气敏电阻的一对电极。图10-2 气敏元件结构1 半导体气敏传感器1.2 气敏传感器的种类气敏电阻元件种类很多，按制造工艺上分烧结型、薄膜型、厚膜型。 1. 烧结型气敏元件将元件的电极和加热器均埋在金属氧化物气敏材料中，经加热成型后低温烧结而成。目前最常用的是氧化锡（SnO2）烧结型气敏元件，它的加热温度较低，一般在200300，SnO2气敏半导体对许多可燃性气体，如氢、一氧化碳、甲烷、丙烷、乙醇等都有较高的灵敏度。 1 半导体气
5、敏传感器2. 薄膜型气敏元件采用真空镀膜或溅射方法，在石英或陶瓷基片上制成金属氧化物薄膜（厚度0.1m以下），构成薄膜型气敏元件。 氧化锌（ZnO）薄膜型气敏元件以石英玻璃或陶瓷作为绝缘基片，通过真空镀膜在基片上蒸镀锌金属，用铂或钯膜作引出电极，最后将基片上的锌氧化。1 半导体气敏传感器氧化锌（ZnO）薄膜型气敏元件以石英玻璃或陶瓷作为绝缘基片，通过真空镀膜在基片上蒸镀锌金属，用铂或钯膜作引出电极，最后将基片上的锌氧化。氧化锌敏感材料是N型半导体，当添加铂作催化剂时，对丁烷、丙烷、乙烷等烷烃气体有较高的灵敏度，而对H2、CO2等气体灵敏度很低。若用钯作催化剂时，对H2、CO有较高的灵敏度，而对
6、烷烃类气体灵敏度低。因此，这种元件有良好的选择性，工作温度在400500的较高温度。1 半导体气敏传感器3. 厚膜型气敏元件将气敏材料（如SnO2、ZnO）与一定比例的硅凝胶混制成能印刷的厚膜胶。把厚膜胶用丝网印刷到事先安装有铂电极的氧化铝（Al2O3）基片上，在400800的温度下烧结12小时便制成厚膜型气敏元件。用厚膜工艺制成的器件一致性较好，机械强度高，适于批量生产。以上三种气敏器件都附有加热器，在实际应用时，加热器能使附着在测控部分上的油雾、尘埃等烧掉，同时加速气体氧化还原反应，从而提高器件的灵敏度和响应速度。2 湿敏传感器 湿度是指大气中的水蒸气含量，通常采用绝对湿度和相对湿度两种表
7、示方法。绝对湿度是指单位空间中所含水蒸汽的绝对含量或者浓度或者密度，一般用符号AH表示。相对湿度是指被测气体中蒸汽压和该气体在相同温度下饱和水蒸气压的百分比，一般用符号RH表示。相对湿度给出大气的潮湿程度，它是一个无量纲的量，在实际使用中多使用相对湿度这一概念。2 湿敏传感器水的饱和蒸气压随温度的降低而逐渐下降。在同样的空气水蒸气压下，温度越低，则空气的水蒸气压与同温度下水的饱和蒸气压差值越小。当空气温度下降到某一温度时，空气中的水蒸气压与同温度下水的饱和水蒸气压相等。此时，空气中的水蒸气将向液相转化而凝结成露珠，相对湿度为100RH。该温度称为空气的露点温度，简称露点。如果这一温度低于0时，
8、水蒸气将结霜，又称为霜点温度。两者统称为露点。空气中水蒸气压越小，露点越低，因而可用露点表示空气中的湿度。2 湿敏传感器 根据水分子易于吸附在固体表面并渗透到固体内部的这种特性（即水分子亲和力），湿敏传感器可分为水分子亲和力型湿敏传感器和非水分子亲和力型湿敏传感器。下面介绍一些至今发展比较成熟的几类湿敏传感器。2 湿敏传感器 氯化锂湿敏电阻是利用吸湿性盐类潮解，离子导电率发 生变化而制成的测湿元件。该元件的结构如图10-3所示，由引线、基片、感湿层与电极组成。 图10-3 湿敏电阻结构示意图1-引线；2-基片；3-感湿层；4-金属电极2.1 氯化锂湿敏电阻2 湿敏传感器氯化锂通常与聚乙烯醇组成
9、混合体，在氯化锂（LiCl）溶液中，Li和Cl均以正负离子的形式存在，而Li+对水分子的吸引力强，离子水合程度高，其溶液中的离子导电能力与浓度成正比。当溶液置于一定温湿场中，若环境相对湿度高，溶液将吸收水分，使浓度降低，因此，其溶液电阻率增高。反之，环境相对湿度变低时，则溶液浓度升高，其电阻率下降，从而实现对湿度的测量。氯化锂湿敏元件的优点是滞后小，不受测试环境风速影响，检测精度高达5%，但其耐热性差，不能用于露点以下测量，器件性能的重复性不理想，使用寿命短。2 湿敏传感器2.2 半导体陶瓷湿敏电阻半导体陶瓷湿敏电阻通常是用两种以上的金属氧化物半导体材料混合烧结而成的多孔陶瓷。这些材料有ZnO
10、-LiO-V2O5系、 Si-Na2O-V2O5系、 TiO2-MgO-Cr2O3系、Fe3O4等，前三种材料的电阻率随湿度增加而下降，故称为负特性湿敏半导体陶瓷，最后一种的电阻率随湿度增大而增大，故称为正特性湿敏半导体陶瓷（为叙述方便，有时将半导体陶瓷简称为半导瓷）。 2 湿敏传感器1.负特性湿敏半导瓷的导电机理由于水分子中的氢原子具有很强的正电场，当水在半导瓷表面吸附时，就有可能从半导瓷表面俘获电子，使半导瓷表面带负电。如果该半导瓷是型半导体，则由于水分子吸附使表面电势下降，将吸引更多的空穴到达其表面，于是，其表面层的电阻下降。2 湿敏传感器若该半导瓷为型，则由于水分子的附着使表面电势下降
11、，如果表面电势下降较多，不仅使表面层的电子耗尽，同时吸引更多的空穴达到表面层，有可能使到达表面层的空穴浓度大于电子浓度，出现所谓表面反型层，这些空穴称为反型载流子。2 湿敏传感器它们同样可以在表面迁移而对电导做出贡献，由此可见，不论是型还是型半导瓷，其电阻率都随湿度的增加而下降。图10-4表示了几种负特性半导瓷阻值与湿度之关系。 图10-4 几种半导瓷湿敏负特性2 湿敏传感器2.正特性湿敏半导瓷的导电机理正特性湿敏半导瓷的导电机理的解释可以认为这类材料的结构、电子能量状态与负特性材料有所不同。当水分子附着半导瓷的表面使电势变负时，导致其表面层电子浓度下降，但还不足以使表面层的空穴浓度增加到出现
12、反型程度，此时仍以电子导电为主。2 湿敏传感器于是，表面电阻将由于电子浓度下降而加大，这类半导瓷材料的表面电阻将随湿度的增加而加大。如果对某一种半导瓷，它的晶粒间的电阻并不比晶粒内电阻大很多，那么表面层电阻的加大对总电阻并不起多大作用。2 湿敏传感器不过，通常湿敏半导瓷材料都是多孔的，表面电导占的比例很大，故表面层电阻的升高，必将引起总电阻值的明显升高；但是，由于晶体内部低阻支路仍然存在，正特性半导瓷的总电阻值的升高没有负特性材料的阻值下降得那么明显。图10-5给出了Fe3O4正特性半导瓷湿敏电阻阻值与湿度的关系曲线。2 湿敏传感器图10-5 Fe3O4半导瓷湿敏电阻特性2 湿敏传感器3. 典
13、型半导瓷湿敏元件(1) MgCr2O4-TiO2湿敏元件 氧化镁复合氧化物二氧化钛湿敏材料通常制成多孔陶瓷型“湿电”转换器件，它是负特性半导瓷，MgCr2O4为型半导体，它的电阻率低，阻值温度特性好，结构如图10-6所示。 2 湿敏传感器图10-6 MgCr2O4-TiO2陶瓷湿度传感器结构2 湿敏传感器图10-7 MgCr2O4-TiO2陶瓷湿度传感器相对湿度与电阻的关系 MgCr2O4-TiO2陶瓷湿度传感器的相对湿度与电阻值之间的关系，见图10-7所示。传感器的电阻值既随所处环境的相对湿度的增加而减少，又随周围环境温度的变化而有所变化。 2 湿敏传感器（2）ZnO-Cr2O3陶瓷湿敏元件
14、ZnO-Cr2O3湿敏元件的结构是将多孔材料的电极烧结在多孔陶瓷圆片的两表面上，并焊上铂引线，然后将敏感元件装入有网眼过滤的方塑料盒中用树脂固定而做成的，其结构如图10-8。图10-8 ZnO-Cr2O3陶瓷湿敏传感器结构3 色敏传感器 半导体色敏传感器是半导体光敏感器件中的一种。它是基于内光电效应将光信号转换为电信号的光辐射探测器件。但不管是光电导器件还是光生伏特效应器件，它们检测的都是在一定波长范围内光的强度，或者说光子的数目。而半导体色敏器件则可用来直接测量从可见光到近红外波段内单色辐射的波长。这是近年来出现的一种新型光敏器件。3 色敏传感器3.1 半导体色敏传感器的基本原理半导体色敏传
15、感器相当于两只结深不同的光电极二极管的组合，故又称光电双结二极管。其结构原理及等效电路如图10-9所示。为了说明色敏传感器的工作原理，有必要了解光电二极的工作机理。 图10-9 半导体色敏传感器结构3 色敏传感器 1.光电二极管的工作原理对于用半导体硅制造的光电二极管，在受光照射时，若入射光子的能量h大于硅的禁带宽度Eg，则光子就激发价带中的电子跃迁到导带而产生一对电子-空穴。这些由光子激发而产生的电子空穴统称为光生载流子。光电二极管的基本部分是一个-结，产生的光生载流子只要能扩散到势垒区的边界。3 色敏传感器其中少数载流子（专指P区中的电子和N区的空穴）就受势垒区强电场的吸引而被拉向对面区域
16、，这部分少数载流子对电流做出贡献。多数载流子（P区中的空穴或N区中的电子）则受势垒区电场的排斥而留在势垒区的边缘。在势垒区内产生的光生电子和光生空穴，则分别被电场扫向N区和P区，它们对电流也有贡献。3 色敏传感器用能带图来表示上述过程如图10-10（a）所示。图中Ec表示导带底能量；Ev表示价带顶能量。“”表示带正电荷的空穴；“”表示电子。IL表示光电流，它由势垒区两边能运动到势垒边缘的少数载流子和势垒区中产生的电子-空穴对构成，其方向是由N区流向P区，即与无光照射P-N结的反向饱和电流方向相同。 3 色敏传感器图10-10 光照下的P-N结3 色敏传感器当P-N结外电路短路时，这个光电流将全
17、部流过短接回路，即从P区和势垒区流入N区的光生电子将通过外短接回路全部流到P区电极处，与P区流出的光生空穴复合。因此，短接时外回路中的电流是IL，方向由P端经外接回路流向N端 。这时，P-N结中的载流子浓度保持平衡值，势垒高度（图10-10（a）中的q（UD-U）亦无变化。3 色敏传感器当P-N结开路或接有负载时，势垒区电场收集的光生载流子便要在势垒区两边积累，从而使P区电位升高，N区电位降低，造成一个光生电动势，如图10-10（b）所示。该电动势使原P-N结的势垒高度下降为q（UD-U）。其中V即光生电动势，它相当于在P-N结上加了正向偏压。只不过这是光照形成的，而不是电源馈送的，这称为光生
18、电压，这种现象就是光生伏特效应。 3 色敏传感器光在半导体中传播时的衰减是由于价带电子吸收光子而从价带跃迁到导带的结果，这种吸收光子的过程称为本征吸收。硅的本征吸收系数随入射光波长变化的曲线如图10-11所示。由图可见，在红外部分吸收系数小，紫外部分吸收系数大。这就表明，波长短的光子衰减快，穿透深度较浅，而波长长的光子则能进入硅的较深区域。3 色敏传感器图10-11 吸收系数随波长的变化3 色敏传感器对于光电器件而言，还常用量子效率来表征光生电子流与入射光子流的比值大小。其物理意义是指单位时间内每入射一个光子所引起的流动电子数。根据理论计算可以得到，P区在不同结深时量子效率随波长变化的曲线如图
19、10-12所示。图中xj即表示结深。浅的P-N结有较好的蓝紫光灵敏度，深的P-N结则有利于红外灵敏度的提高，半导体色敏器件正是利用了这一特性。3 色敏传感器图10-12 量子效应随波长的变化3 色敏传感器2半导体色敏传感器工作原理在图10-9中所表示的P -N-P不是晶体管，而是结深不同的两个P -N结二极管，浅结的二极管是P -N结；深结的二极管是P-N结。当有入射光照射时，P 、N、P三个区域及其间的势垒区中都有光子吸收，但效果不同。如上所述，紫外光部分吸收系数大，经过很短距离已基本吸收完毕。在此，浅结的即是光电二极管对紫外光的灵敏度高，而红外部分吸收系数较小，这类波长的光子则主要在深结区
20、被吸收。因此，深结的那只光电二极管对红外光的灵敏度较高。 3 色敏传感器这就是说，在半导体中不同的区域对不同的波长分别具有不同的灵敏度。这一特性给我们提供了将这种器件用于颜色识别的可能性，也就是可以用来测量入射光的波长。将两只结深不同的光电二极管组合，图10-13硅色敏管中VD1和VD2的光谱响应曲线就构成了可以测定波长的半导体色敏传感器。在具体应用时，应先对该色敏器件进行标定。 3 色敏传感器 图10-13 硅色敏管中VD1和VD2的光谱响应曲线3 色敏传感器也就是说，测定不同波长的光照射下，该器件中两只光电二极管短路电流的比值ISD2/ISD1，ISD1是浅结二极管的短路电流，它在短波区较
21、大。ISD2是深结二极管的短路电流，它在长波区较大，因而二者的比值与入射单色光波长的关系就可以确定。根据标定的曲线，实测出某一单色光时的短路电流比值，即可确定该单色光的波长。图10-13表示了不同结深二极管的光谱响应曲线。图中VD1代表浅结二极管，VD2代表深结二极管。3 色敏传感器3.2 半导体色敏传感器的基本特征1光谱特性半导体色敏器件的光谱特性是表示它所能检测的波长范围，不同型号之间略有差别。图10-14（a）给出了国产CS型半导体色敏器件的光谱特性，其波长范围是4001000nm。2短路电流比波长特性短路电流比波长特性是表征半导体色敏器件对波长的识别能力，是赖以确定被测波长的基本特性。
22、图10-14（b）表示上述CS型半导体色敏器件的短路电流比波长特性曲线。 3 色敏传感器图10-14 半导体色敏器件特性3 色敏传感器3.温度特性由于半导体色敏器件测定的是两只光电二极管短路电流之比，而这两只光电二极管是做在同一块材料上的，具有相同的温度系数，这种内部补偿作用使半导体色敏器件的短路电流比对温度不十分敏感，所以通常可不考虑温度的影响。4 半导体式传感器的应用 4.1 瓦斯烟雾检测仪 图10-15 瓦斯烟雾传感器电路4 半导体式传感器的应用图10-15为瓦斯烟雾传感器电路，本电路可侦测厨房瓦斯泄漏、浴室一氧化碳毒气、屋内香烟废气警报。U1-d组成一个临界准位电路，当第13脚的电压比
23、第12脚的电压高时（即瓦斯浓度比预定值低）, U1-d的输出为低电位，对R8，C1组成的积分电路没作用，因此U1-c的输出为低电位，故U2，NE555振荡器没动作，输出为零。4 半导体式传感器的应用当瓦斯、烟雾或者一氧化碳的浓度被传感器所接受时，第12脚的正电位逐渐增加，以至于超过第13脚的设定值，故U1-d的输出为正电位电压，此电压对R8，C1充电，此充电电压超过第9脚的电压值时，接到NE555的控制电压为高电位，因此振荡器动作。4 半导体式传感器的应用由R13，R14及C3组成的无稳态电路由第3脚输出一个连续的脉冲波。直到当瓦斯浓度低于设定值时，警报才予以解除。如图10-5所示的传感器检测
24、电路也可用于检测酒精，不同的在于将瓦斯传感器改成酒精传感器而已。4 半导体式传感器的应用4.2 室内湿度检测仪该室内湿度温度测量仪的主要功能是检测室内环境下的湿度，其次还有温度检测功能。它可用于车间、仓库、部分实验室等场合的湿度温度检测与控制。传感器采用的是阻抗式湿度传感器，型号为H104R。在环境温度25，该传感器的供电频率为lkHz的情况下，40%RH时阻抗为68k；60%RH时阻抗为29k；80%RH时阻抗为7k。4 半导体式传感器的应用R21M10K-+A1D2D1100K-+A2-+A3-+A4D3RP110K100KRP4120K2.4K-+A510K100V+10K22RP21K
25、3.6K+V24KRt10u/16VRP350K-+A627K120K50KVot0068K180K16K100KVoh0.01u16K0.01u010K10KR110K10u图10-16 湿度检测仪测量电路如图10-16所示。4 半导体式传感器的应用 由于阻抗式传感器需要交流电压供电，一般都需要有振荡器。本电路由文氏振荡器A1、电压跟随器A2、温度补偿器A5、加法器A3和电压放大器A4等组成。文氏振荡器的振荡频率：其振荡幅度由反馈量确定，调节电位器RP1,使输出电压为4.5V。文氏振荡器的输出电压作为阻抗式湿度传感器的工作电压。3611000216 100.01 10fHz4 半导体式传感器
26、的应用电压跟随器主要起阻抗变换作用，其电路的输入阻抗很高，以减弱对传感器信号的影响。电压跟随器输出的是交流信号，而这里的检测信号需要直流，故在跟随器后加了二极管VD3整流及10uF的电容滤波，再加到加法器A3。4 半导体式传感器的应用传感器有0.7%RH/左右的温度系数，如果不采取温度补偿措施，随着温度的变化，检测将失去意义。为此采用了A5组成的热敏电阻温度补偿电路，该电路以相对湿度60%RH为中心值，在3585%RH的范围内，检测精度可达4%RH，但要达到这样的精度还与传感器性能有关。4 半导体式传感器的应用热敏电阻Rt与24k电阻并联作为反馈电阻，当温度变化后输出与温度成比例的信号。A5的
27、输出信号，一路送到加法器进行温度补偿，另一路输入到A6经放大后输出温度检测信号。 A3输出的经温度补偿的湿度电压信号，再经电压放大器A4。的放大，最后输出与湿度成比例的放大了的电压信号。4 半导体式传感器的应用4.3 CO探测报警器冬季用煤炭取暖燃烧不充分，室内会存在大量一氧化碳，能引起煤气中毒。本CO探测报警器可用于对室内CO含量进行检测报警。本探测器可使用专用一氧化碳传感器UL281或MQ-Y1型半导体气敏传感器。探测报警电路由加热电路、电压输出电路、报警电路，气敏元件损坏指示电路和电源指示电路组成，如图10-17所示。 4 半导体式传感器的应用图10-17 CO探测报警器-+IC1LM3
28、24VT12SC2001VT2-+IC2LM324RP1 10KR647RP23KR768-+IC3LM324R241KVT32SC2001+-LM324IC4VT42SC945R410K555512 6 7483LED红C30.01C2220/25VC10.11S881S88VT5LED绿WBUL281R310KR510KR215KR147KR191.5KR2315KR2210KR81KR20100KR21680K10KR18L010KR11LED黄R10 390R2R1210KR91KR133.9KR1510K12VHR161.8KR14R171K4 半导体式传感器的应用UL281工作时需
29、对其加热丝进行加热，其加热电源要求稳定，故采用稳压电路对其供电。稳压电路由IC1，VT1和R1R4组成。IC1正输入端上的电压为U+=1215(47+15)= 2.9V,IC1为一同相放大器，输出电压约为6伏左右，因此晶体管VT1导通，加在传感器加热丝与地之间的电压约为11伏。如果空气是清新的，通过气敏元件的电流仍很小（其电阻很大）。4 半导体式传感器的应用 IC5是555时基集成电路，它组成单稳延时电路，接通电源后大约经过165秒后555的输出端3脚输出高电平，使VT2、VT5导通。VT2组成初始热清洗电路，VT2导通后，将R6和R7短路，流经传感器加热丝的电流增大，对其吸附表面进行加热清洗
30、，VT5组成初始清洗指示电路，VT5导通后LED（黄）发光。4 半导体式传感器的应用IC2组成电压放大器，其正输入端输入基准电压6V，当空气清洁时，气敏元件的电阻很大，IC2的放大倍数接近1；当一氧化碳浓度增加时，气敏元件阻值下降，IC2的放大倍数增加，输出电压亦增加，调整电位器RP1(10K)可改变放大倍数。 IC3为电压比较器，它和晶体管VT3组成报警电路，调节RP2可调节报警浓度设定值，当CO浓度超过设定值时，IC3输出高电平，VT3导通，蜂鸣器报警。 4 半导体式传感器的应用IC4、VT4组成气敏元件损坏指示电路，IC4接成比较器，其输入端的电位约为4.3V。气体元件正常工作时，R6, R7上的压降大于4.3V，IC4输出为负，VT4截止，LED（红）不亮；当传感器加热丝被烧断时，R6、R7悬空其压降为0，IC4输出高电平，VT4导通，LED（红）亮，红灯显示元件已损坏。此外，LED3（绿）和R24组成电源显示电路。
