1、S1.1用万用表检测半导体二极管用万用表检测半导体二极管 1、实训目的 （1）熟悉半导体二极管 （2）掌握用万用表判别二极管引脚极性及好坏的技能 2、实训设备与器材 指针式万用表一块、数字式万用表一块；点接触型二极管、面接触型二极管、中功率整流二极管、稳压二极管、发光二极管、LED七段数码管、变容二极管、光电二极管等硅管、锗管若干。3、实训内容 （1）仔细观察，熟悉不同类型半导体二极管的外形特点、熟悉二极管标识符号的含义、熟悉二极管引脚极性的标识符号。（2）分别用指针式万用表和数字式万用表检测、判别待测二极管引脚的极性和二极管的好坏。用指针式万用表检测时，对于小功率普通二极管，由于其工作电流较
2、小，应选用检测电流较小的R1k档位或R100档位进行检测；对于中功率整流二极管和发光二极管，由于其正向导通压降较大，可选择检测电压较高的R10k档位进行检测。检测时注意观察：被测二极管正向电阻和反向电阻的大小。同类型二极管正向电阻和反向电阻大小的数量级。同一二极管检测档位的不同，测量数据大小的不同的差异。硅管和锗管的区别。被测二极管的引脚极性、符号或外形特点的对应关系。光电二极管反向电阻数值的大小在有、无光照情况下明显的变化情况。通常在二极管的管壳上都印有识别的标记，有的为二极管的电路符号，依此电路符号的方向可直接识别二极管的阳极和阴极；有的为色环，塑封用白色环，玻璃封装为黑色（或其它色）环，
3、则标有色环的一端引脚为二极管的阴极；对于直立型一端出脚的二极管，二根引脚中较长的一根为阳极。工程上，常用万用表来简易测试、判别二极管的引脚和好坏。1）用指针式万用表检测普通小功率二极管）用指针式万用表检测普通小功率二极管 用万用表检测二极管，就是检测二极管的单向导电性。将万用表置于R1k档或R100档（不要用R1档或R10k档，因为R1档测量电流太大，容易烧坏二极管，而R10k档测量电压太高，可能击穿二极管），调零后用表笔分别正、反接于二极管的两端引脚，如图1.2.6所示。一般硅材料的普通小功率二极管正向电阻为几k，锗材料的为几百；反向电阻，硅管在几百k以上，锗管在几十k以上。正向电阻越小，反
4、向电阻越大的二极管质量越好。如果正、反两次测得的电阻都很小，说明二极管内部短路；若正、反两次测得的电阻都很大，则说明二极管内部断路；若两次测得的电阻相差不大，则说明二极管性能很差，不能使用。大功率二极管的正、反向电阻数值比小功率二极管的都要小得多。但有一点是相同的，对于一只二极管而言，反向电阻与正向电阻的比值越大，性能越好。测量正向电阻时，黑表笔应连接二极管的阳极，红表笔应连接二极管的阴极；测量反向电阻时，黑表笔应连接二极管的阴极，红表笔应连接二极管的阳极。因为指针式万用表置于欧姆档位时，黑表笔连接的是表内电池的正极，红表笔连接的是表内电池的负极。2）用数字式万用表检测普通小功率二极管）用数字
5、式万用表检测普通小功率二极管 与指针式万用表相比，数字万用表有许多优点，使用越来越普遍，下面以常见的DT-830型数字万用表为例介绍其检测的方法。DT-830型数字型万用表在电阻测量档内，设置了“二极管”档位，将红表笔插入“V”插孔，黑表笔插入“COM”插孔，即可进行测量。两表笔的开路电压为2.8V（典型值），测试电流为10.5mA。与指针式万用表不同的是数字万用表红表笔连接表内电池的正极，黑表笔连接表内电池的负极。测量时，红表笔应连接二极管的阳极，黑表笔应连接二极管的阴极。测量结果应显示三位数字，为二极管正向压降近似值。在正向接入时，锗管应显示0.1500.300V的正向压降数值，硅管应显示
6、0.5500.700V的正向压降数值；若显示高位的超量程符号“1”，则表示二极管内部断路或二极管极性接反；若显示全零，则表示二极管内部短路。S2.1用万用表检测半导体三极管用万用表检测半导体三极管1 1、实训目的、实训目的（1）熟悉半导体三极管的外形及引脚的识别方法。（2）掌握用万用表判别半导体三极管引脚及估测性能好坏的方法。2 2、实训设备与器材、实训设备与器材指针式万用表一块、常用不同规格类型的半导体三极管若干。3 3、实训内容、实训内容（1）仔细观察，熟悉不同类型、不同封装的半导体三极管的外形特点、引脚的识别标志。（2）按2.1.5讲述的方法，用指针式万用表检测、判别半导体三极管的引脚，
7、估测半导体三极管的性能。4、常见的三极管外形和引脚的排列 常用的三极管有金属外壳、塑料、金属散热板加塑料等多种封装形式。常见的三极管外形及引脚排列如图2.1.13所示。5、用万用表检测三极管 因为三极管内部有两个PN结，所以可以用万用表的欧姆档测量两个PN结的正、反向电阻来确定三极管的管脚、极型及大致判断其性能的好坏。（1）判别基极、极型、好坏 判别依据：NPN型三极管的基极到发射极和集电极均为PN结的正向，而PNP型三极管的基极到发射极和集电极均为PN结的反向。检测方法：对于中、小功率的三极管，可用万用表的R1k或R100档检测；对于大功率的三极管，可用万用表的R10或R1档检测。用黑表笔搭
8、接三极管的某一管脚，红表笔分别搭接三极管的另外两个管脚，如果表头读数都很小；交换表笔，重复 上述检测，如果表头读数都很大，则可确定，第一次黑表笔（第二次红表笔）所搭接的那一管脚是基极，此管的极型是NPN型，管子大体上是好的。若所有检测结果均与上述情况相反，则所检测三极管的极型应是PNP型。如图2.1.14所示。硅管、锗管的判别方法同二极管，即小功率硅管PN结的正向电阻约为几k，小功率锗管PN结的正向电阻约为几百；小功率硅管PN结的反向电阻约在几百k以上，小功率锗管PN结的反向电阻约在几十k以上。（2）判别集电极和发射极 以NPN型三极管为例，确定基极后，假定其余的两个管脚中的一个是集电极，将黑
9、表笔搭接到此管脚上，红表笔则搭接到另一个假定的发射极上。用手指把假定的集电极和已确定的基极捏起来（但不要相碰，通过手指形成回路）。看好表针指示，并记下此测量读数。然后，再作相反的假设，即把原来假定为集电极的管脚假定为发射极，重复上述动作，作同样的测量并记下表针的读数。比较两次测量的结果，读数小（表针偏转角度大）的那一次测量所假定的管脚，即是正确的判别。如图2.1.15所示。若要判的三极管是PNP型，仍采用上述方法，但必须把表笔的极性对调。（3）用万用表估测ICEO的大小 ICEO大小的估测是在对集电极和发射极的判别过程中完成的。当万用表的黑、红表笔分 别正确地搭接在三极管的集电极、发射极上（N
10、PN型，黑表笔搭接集电极、红表笔搭接发射极；PNP型，红表笔搭接集电极、黑表笔搭接发射极）时，万用表的读数越大（表针偏转角度越小），表明三极管的ICEO越小。（4）用万用表估测的大小 大小的估测也是在对集电极和发射极的判别过程中完成的。当万用表的黑、红表笔分别正确地搭接在三极管的集电极、发射极上，用手指捏接基极和集电极形成回路时，如图2.1.15所示，万用表表针的读数减小的越明显，则表明三极管的越大。（5）三极管质量的估判 普通小功率三极管常见的故障一般是过流开路、击穿短路和温度特性较差等。如果三极管的两个PN结的正向电阻均较小，反向电阻均很大，则三极管正常，且正、反向电阻相差的越大，质量可能
11、越好。若某PN结的正、反向电阻均为零，则表明该PN结已击穿短路。若某PN结的正、反向电阻均为无穷大，则表明该PN结内部断路。若基极开路时，ce极间的电阻不是几百k以上（锗管为几十k以上），则表明该三极管穿透电流ICEO较大。若ce极间的电阻为零，则表明该三极管的ce极间已击穿短路。（6）三极管的在路电位测试 三极管作为放大器件，通常是焊接在电路板上，对连接在电路中的器件进行测量，称为在路测量，通电后的电位测量称为在路电位测量。通电后，用万用表的直流电压档，黑表笔接电路中的公共地线（工作地），用红表笔分别测量三极管三个电极的电位，Vc、Vb和Ve，并记录在案。NPN型三极管作为放大器件正常工作时
12、，应有VcVbVe；PNP型BJT作为放大器件正常工作时，应有VcVbVe。三极管处于放大或饱和状态时，vBE的大小，硅管约为0.60.8V，锗管约为0.20.3V。S3.1 S3.1 晶体三极管基本放大电路的检测晶体三极管基本放大电路的检测1.1.实验与技能操作训练目的实验与技能操作训练目的（1）熟悉基本放大电路。（2）熟悉电子电路安装、布线等基本技能。（3）熟悉放大电路的一般测量方法及常用电子仪器的使用。2.2.仪器设备与元器件材料图仪器设备与元器件材料图S3.1.1S3.1.1实验电路实验电路（1）电子技术综合实验台1台，交流电子毫伏表1台，双踪示波器1台，万用表1只。（2）9014三极
13、管 1只，1/8W电阻、电解电容/25V若干（见图S3.1.1）。图图S3.1.1实验电路实验电路3.3.操作内容及要求操作内容及要求（1）用万用表检测元器件，确认大致性能。（2）按图S3.1.1所示，在实验台工作区，搭建、连接实验电路。（3）检查接线无误后，接通实验电路工作电源。（4）用万用表直流电压档检测三极管三个电极的电位VBQ、VCQ、VEQ，并换算出对应的VBEQ、ICQ、VCEQ（提示：,CCQCCCQRVVI），并将测量的数据记入表S3.1.1中 表表S3.1.1静态工作点测量数据静态工作点测量数据参数VCC/VVBQ/VVCQ/VVEQ/VVBEQ/VVCEQ/VICQ/mA估
14、算值12测量值12（5）调整综合实验台上的信号源，将vs10mV，fs1kHz的正弦波信号接入实验电路。（6）用双踪示波器的A、B通道分别监测放大电路输入、输出信号；在输出电压vo波形不失真的条件下，用交流电子毫伏表测量放大电路的Vs、Vi、Vo和断开负载电阻RL后的输出电压Vo，并把测量数据记入表S3.1.2中。依式：iovVVAsisii/)(RVVVRLooo)1(RVVR,计算Av、Ri和Ro，并将计算数据填入表S3.1.2中。表表S3.1.2动态参数测量数据动态参数测量数据Vs/mVVi/mVVo/mVVo/mVAvRi/kRo/k10（7）逐渐增大信号源输出信号的幅值，并注意监测放
15、大电路的输出电压波形。当输出电压波形开始出现失真时，输出电压波形的幅值即为放大电路的最大不失真输出电压幅值Vom。然后，继续增大Vs的幅值，注意观测输出电压波形的变化。（8）整理测量数据，分析测量值与估算值的差异，总结电路连线安装和使用仪器仪表测量的技能操作体会，完成实验报告。S3.2 S3.2 单管小信号阻容耦合基极分压式共射放大电路设计单管小信号阻容耦合基极分压式共射放大电路设计1 1、实验与技能训练目的、实验与技能训练目的（1）熟悉Multisim仿真设计操作。（2）熟悉基本放大电路设计的一般步骤。（3）熟悉基本放大电路测量、调整的一般方法与技能。（4）熟悉电子电路安装、焊接、调试的基本
16、技能。2 2、设计要求、设计要求已知条件，VCC12V，RL2k，Vi10mV，Rs50。设计性能指标要求，Av30，Ri2k，Ro3k，f L20Hz，f H500kHz，电路稳定性较好。3 3、设计步骤：、设计步骤：（1）选定电路形式选用图S3.2.1所示基极分压式工作点稳定的小信号共射放大电路。图图S3.2.1共射放大电路共射放大电路（2）选用三极管因设计要求f H500kHz，f H的指标要求较高。通过3.7.2的分析可知，一般来说，三极管的fT愈大，Cbe、Cbc愈小，f H愈高。故选定三极管为3DG100C（3GD6C），其ICM20mA，V（BR）CEO20V，PCM100mW，
17、fT250MHz，ICEO0.1A，hFE（）为20200。对于小信号电压放大电路，工程上通常要求的数值应大于Av的数值，故取60。（3）设置静态工作点并计算元件参数由设计要求Ri（Rirbe）1k，取rbb200，有(mA)mV26bbebbbbeCQIrrrrmA95.1)mA20010002660(26mV(mA)bbiCQrRI，取ICQ1.5mA 取VBQ3V，VBEQ0.6V，有5.16.03CQBEQBQeIVVRk1.6 k，取E24系列（5%）标称值，Re1.6 k,由图S3.2.1有1.5)105(360)105(CQBQ1BQb2IVIVR取E24系列标称值，Rb220
18、k k（1224）k，b2b1b2CCBQRRRVV3)312(20BQBQCCb2b1VVVRRk60k，取E24系列标称值，Rb156k)5.12660200()mA(mV26bbbeCQIrr1240 由RLRc/RL，有6024.140|bevLrARk0.827k 827.03827.03LLLLcRRRRRk1.14k，取E24系列标称值，Rc1.2k放大电路的通频带主要受电路中存在的各种电容的影响，f H主要受三极管结电容及电路中分布电容的限制；f L主要受耦合电容Cb1、Cb2及旁路电容Ce的影响。要严格计算Cb1、Cb2及Ce同时作用时对f L的影响，计算较为复杂。通过分析可
19、知，Cb1、Cb2、Ce愈大，f L愈低，因此，在工程设计中，为了简化计算，通常采用以Cb1或Cb2或Ce单独作用时的转折频率作为基本频率，再降低若干倍作为下限频率的方法。电容Cb1、Cb2、Ce单独作用时对应的等效回路分别如图S3.2.2（a）、（b）、（c）所示。如果设计要求中，f L为已知量，则可按下列表达式估算：Cb1)(21)103(besLrRf-（S3.2.1）Cb2)(21)103(LcLRRf-（S3.2.2）Ce)1/(213)-1(beseL rRRf（S3.2.3）一般常取Cb1Cb2，可在式（S3.2.1）与式（S3.2.2）中选用回路电阻较小的一式计算。（a）（b）
20、（c）图图S3.2.2Cb1、Cb2、Ce对应的等效回路对应的等效回路（a）Cb1单独作用的等效回路单独作用的等效回路 （b）Cb2单独作用的等效回路单独作用的等效回路 （c）Ce单独作用的等效回路单独作用的等效回路由于，（Rsrbe）（RcRL），故取Cb1Cb2，有Cb2Cb1)1240600(10021)103()(21)103(besLrRfF（2.68.6）F，取Cb2Cb110F/25V,有Ce)6011240600/1600(10021)31()1/(21)31(beseLrRRfF（53159）F，取Ce100F/25V4 4、MultisimMultisim 8 8仿真分析测
21、试、验证仿真分析测试、验证 在Multisim8实验平台上，按上述设计参数搭建实验电路，依设计要求，验证放大电路的性能指标：Av、Ri、Ro、f L和f H。若不符合要求，则可修改实验电路中相应的元件参数，直至符合设计要求。用Multisim 8仿真分析在电路实验窗口搭建的小信号共射放大电路（如图S3.2.3（a）所示）的静态工作点，电压放大倍数，输入、输出电阻以及频率特性。仿真分析操作步骤：（1）按图S3.2.3（a）所示在电路实验窗口搭建实验电路，放置、连接分析仪器。（2）利用Multisim 8的直流工作点分析功能（DC Operating Point Analysis）分析计算实验电路
22、。图图S3.2.3仿真电路仿真电路（a）实验电路（）实验电路（b）测量参数）测量参数如图S3.2.4（a）所示，点击设计工具栏中的分析按钮，选择直流工作点分析功能，在弹出的直流工作点分析参数设定窗口中，设定节点2（基极）、节点6（集电极）、VCC（直流电源）、节点3（发射极）和VCCVCCbranch（流入直流电源VCC的电流），如图S3.2.4（b）所示。点击Simulate（仿真分析）按钮，即可得到直流工作点的分析结果如图S3.2.5所示。图图S3.2.4选择直流工作点分析功能，设定相关分析参数选择直流工作点分析功能，设定相关分析参数（a）选择直流工作点分析功能（）选择直流工作点分析功能（
23、b）设定分析节点）设定分析节点（a）（b）如图S3.2.5所示，由直流工作点分析结果显示的设定节点对地电位可知：VBEQV2V3（3.2.32.47）V0.76V，VCEQV6V3（4.672.47）V2.2VICQ（VCCV6）/Rc(124.67)/3 mA2.44mA。图图S3.2.5直流工作点分析结果直流工作点分析结果（3）由测量仪器（双通道示波器）仿真测量来分析实验电路的电压放大倍数，输入、输出电阻。由示波器测量的输入、输出信号波形参数如图S3.2.3（b）所示。由示波器游标T1、T2的读数窗口中读得输入信号的正向峰值为0.91011mV，输出信号的负向峰值为41.294mV，则实验
24、电路的电压放大倍数为：37.4591011.0294.41ipopvvvA由图S3.2.6（a）所示的测量电路测得信号源的峰值为1.414mV，实验放大电路的输入端信号峰值为0.8553mV，如图S3.2.6（b）所示，则实验电路的输入电阻为：8553.0414.118553.0sipspipiRVVVRk1.53k 图图S3.2.6测量输入电阻测量输入电阻（a）测量电路（）测量电路（b）测量参数）测量参数（a）（b）由图S3.2.7（a）所示，断开负载电阻RL后，测得输出电压峰值VOLP，如图S3.2.7（b）所示，则实验电路的输出电阻为：3)1294.416.133()1(LOPOLPoR
25、VVRk6.7k 图图S3.2.7测量输出电阻测量输出电阻（a）测量电路（）测量电路（b）测量）测量VOLP（a）（b）（4）利用Multisim 8的交流分析功能（AC Analysis）分析实验电路的频率特性。如图S3.2.8（a）所示，点击设计工具栏中的分析按钮，选择交流分析功能（AC Analysis），在弹出的交流分析参数设定窗口中设定开始频率为10Hz，终止频率为20MHz，扫描方式为十进制，每十倍频10点，纵坐标为对数刻度，在输出参数设定项（Output）中设定为节点6（实验电路输出端），如图S3.2.8（b）所示。图图8选择交流分析功能，设定相关分析参数选择交流分析功能，设定相
26、关分析参数（a）选择交流分析功能（）选择交流分析功能（b）设定分析参数）设定分析参数（b）（a）点击Simulate（仿真分析）按钮，即可得到交流分析的结果，如图S3.2.9所示。由图可见|约为56.077（dB），当 下降3dB时，有 vsmAvsA下限频率 f L1.9055kHz，上限频率 f H806.616kHz，通带宽度 BWf Hf L（806.61.91）kHz804.69kHz。图图S3.2.9实验电路的波特图实验电路的波特图5 5、电路的测试与调试、电路的测试与调试 由于电路元器件参数的离散性、电路连线或印制板形成的分布参数、电子装配工艺等方面的原因，工程上，设计完成的电路
27、必须经过实体安装、调整、测试验证后才能投产，形成产品。为此，需将前面设计的放大电路安装后进行测试、调整。（1）静态工作点的测试与调整 根据设计，组装后的放大电路，通电前应先用万用表的“”档检测电源间有无短路现象、电路连接是否正确，然后才可接通电源，检测静态工作点。为调试方便，Rb1可先用39k固定电阻与由68k电位器构成的可变电阻串联后替代，待调试完成后，根据实测阻值，再用相应的固定电阻取代。测量静态工作点，应使vs=0，即将放大电路的交流输入端（耦合电容Cb1的左端）对地短路，然后用万用表的直流电压档分别测量三极管的b、e、c极对地电压VBQ、VEQ、VCQ。测量的目的，一是查看静态工作点是
28、否合适，是否能保证在Vip-p范围内，三极管都工作在放大状态；二是通过检测，确认电路设计、安装、元器件质量的好坏等情况。如果出现VCQVCC，说明三极管工作在截止状态；如果出现VCEQ0.5V，说明三极管已经饱和。这时，应调整Rb1的大小，即调整电位器（可变电阻）阻值的大小，同时用万用表监测VBQ、VEQ、VCQ的变化。当工作点偏高（靠近饱和区）时，应增加Rb1的阻值，以减小IBQ；当工作点偏低（靠近截止区）时，应减小Rb1的阻值，以增大IBQ。如果测得VCEQ为正几伏，说明三极管已工作在放大状态。此时可依据VBQ、VEQ、VCQ的数值换算出ICQ，也可通过测量已知电阻Rc或Re两端的电压降，
29、换算出对应的ICQ或IEQ。一般在检测电路的在线电流时，多用此法，而不采用断开电路串入电流表的测量方法。虽然测得VCEQ为正几伏的电压，但并不能说明放大电路的静态工作点已设置在合适的位置，还要进行动态测试，以保证在输入信号vi（或vs）的全周期内，三极管都工作在放大状态。按设计要求，在放大电路的输入端接入vi10mV，fi1kHz的正弦波信号，并用双踪示波器分别监测放大电路输入端的输入电压vi的波形和输出端（负载电阻RL两端）的输出电压vo的波形，观测vo正弦波波形是否产生了失真。如果vo的波形顶部产生了削波，如图10（b）所示，说明放大电路的静态工作点偏低，电路产生了截止失真，应调大基极偏流
30、IBQ；如果vo的波形底部被削波，如图10（c）所示，说明放大电路的静态工作点偏高，电路产生了饱和失真，应调小基极偏流IBQ。如果逐渐增大输入信号vi的幅值，输出波形的顶部和底部差不多同时开始产生削波，则说明静态工作点设置得比较合适，这当然是忽略了放大电路静态功耗指标的要求。此时，移去信号源，重新使vi0，测量VBQ、VEQ、VCEQ和ICQ，并去除VCC，断开连线，测量并记录Rb1的大小，即为所求。也可以在vi0的情况下，直接调试，即在忽略三极管饱和压降VCES的情况下，使VCEQ1/2VCC。（a）（b）（c）图图S3.2.10调整静态工作点调整静态工作点（a）输入正弦波形（）输入正弦波形
31、（b）截止失真（）截止失真（c）饱和失真）饱和失真（2）放大电路动态性能指标的检测 电压放大倍数的测量测量电压放大倍数，实际上是测量放大电路的输入电压 iV与输出电压 oV的值。在输入信号的中频段，输出波形不失真 的情况下，测得Vi（有效值）或Vip（峰值）或Vipp（峰峰值）与Vo（有效值）或Vop（峰值）或Vopp（峰峰值），则ippoppipopiov|VVVVVVA 如果是大致估算，用示波器即可完成测量；如果是精确测量，则应使用电子交流毫伏表，示波器只是用来监测输出波形的失真情况，如果输出波形产生了失真，Av的检测是没有意义的。输入电阻的测量工程上常采用如图S3.2.11所示的串接电阻
32、法来测量放大电路的输入电阻。在信号频率的中频段，给定一正弦波信号，在输出波形不失真的情况下，用电子交流毫伏表或示波器，分别测得 sV与 iV的数值，则 RVVVRisii为减小测量误差，一般取串接的辅助测量电阻R为与Ri相近的阻值。图图S3.2.11输入电阻的测量输入电阻的测量 输出电阻的测量如图S3.2.12所示，在输出波形不失真的情况下，测得断开RL时输出电压 oLV的值和接入RL后输出电压 oV的值，则 Looo)1(RVVR为减小测量误差，一般取RL为与Ro相近的阻值，输入信号为一稳定的中频信号。图图S3.2.12输出电阻的测量输出电阻的测量 频率特性的测量 放大电路的频率特性可用波特
33、图示仪测得。放大电路的幅频特性也可以通过测量不同频率信号作用时的电压放大倍数Av来获得。工程上通常采用“逐点法”来测量放大电路的幅频特性。在维持输入信号幅值不变、输出波形不失真的情况下，每改变一次输入信号的频率，即用电子毫伏表或示波器测得一个输出电压值，计算对应的电压放大倍数，然后将测量数据，fi、Av（dB）列表，整理并标于坐标纸上，将逐点测量的结果连接成线，即为所求的幅频特性曲线。如果只需测量放大电路的通频带BW，则只需先测出放大电路中频段（如fo1kHz）的输出电压Vo，然后分别升高、降低输入信号的频率，直至输出电压降到0.707Vo为止（过程中，应维持输入信号的幅值不变），此时所对应的
34、输入信号的频率即为f H和f L，则 BWf Hf L（3）动态性能指标调整对于一个低频放大电路，当然希望电路的稳定性要好，非线性失真要小，电压放大倍数要大、输入阻抗要高、输出阻抗要低、f L要低、f H要高。但这些要求往往很难同时满足。例如，对于图S3.2.1所示的小信号共射放大电路而言，要提高其电压放大倍数依式，beLcv/rRRA，可知有三种途径：RL（RcRo）；rbe（Ri）；（rbe）。显然，增大RL，即增大Rc，会使Ro增大；减小rbe会使Ri减小。如果Ro和Ri离设计指标要求还有充分余地，似乎可以通过调整Rc（负载RL一般为固定值，不容调整）或ICQ来提高电压放大倍数，但改变R
35、c及ICQ又会影响放大电路的静态工作点设计；似乎，只有提高三极管的，才是提高放大电路电压放大倍数的有效措施。同样，在调整放大电路频率特性性能指标时，也应通盘综合考虑。6 6、打印设计报告、打印设计报告 设计报告中应包括：设计要求，设计依据，工作原理说明，电原理图，仿真测试数据、实体测试数据、总结说明、电路元器件清单等电子文件。学生用Multisim 8进行仿真分析、测试、验证设计电路的场景，如图S3.2.13所示。学生用实物进行焊接、制作实体电路的场景，如图S3.2.14所示。学生用仪器、仪表进行测试、检验实体电路的场景，如图S3.2.15所示。图图 S3.2.13图图S3.2.14 学生焊接、制作实体电路的场景学生焊接、制作实体电路的场景图图S3.2.15 学生测试、检验实体电路的场景学生测试、检验实体电路的场景
