1、Ds18b20使用一、ds18b20介绍 温度传感器的种类众多，在应用于高精度、高可靠性的场合时 DALLAS（达拉斯）公司生产的 DS18B20 温度传感器当仁不让。超小的体积，超低的硬件开消，抗干扰能力强，精度高，附加功能强，使得 DS18B20 更受欢迎。二，ds18b20实物与示例图二，ds18b20特点 与主机相互通信，只需要一根导线；出厂时，任何一个ds18b20在其ROM中都有存储自己唯一的一个64位的serial code；Vcc接地时，可以只由信号线，获取能量，电压为3.3v-5v；温度转换范围为-55+125（67F to+257F）；在-10+85之间，转换精确度为0.5
2、；转换分辨率，912位（用户可控）；当转换分辨率为12位时，最大转换时间为750ms；用户可定义的，非易失性（及断电不消失）的高低警报温度设置；可选择的 8-pin SO(150mil),8-pin SOP,和 3-pin TO-92 封装；软件协议与ds1822兼容；在温度控制，工业系统，日常消费品，等领域广泛使用。三，特点详述 Ds18b20提供了912位精度的温度转换功能，以及非易失性的高低温度报警；Ds18b20与主机交换信息时最少只需要一根数据线（当然地线必须接地）；-55+125转换，在-10+85之间精度为0.5 Ds18b20可以仅由数据线获取power（因为ds18b20内部
3、有一个寄生电容在数据线为3.3-5v时存储power，当数据线为低电平时为其供电）而不需要外接电源；任何一个ds18b20，都有仅属于自己的一个64位的识别码，这使得，可以有多个ds18b20通过一条数据线与主机相连并发挥功能，换句话说，也就是一个主机，可以通过一条数据线，同时控制多个ds18b20进行工作（可以在大范围，多地点温度采集控制中使用）；四，ds18b20内部构造综述 Ds18b20内部构造框架图为：64位ROM存储了ds18b20的唯一的序列码：高速暂存寄存器包含了2byte的温度存储器，用来存储ds18b20温度转换得到的数据；非易失性的警报触发存储器，用来存储高低警报温度T_
4、high与T_low;configuration register:用户对其操作，可以控制ds18b20的转换精度；Ds18b20存在一个内部电容Cpp，起到寄生电源的作用；这使得，ds18b20的Vdd接地时，依然可以通过数据线，获取power，当DQ为高电平时，Cpp充电，当DQ为低电平时，Cpp放电，为ds18b20提供能量；五，温度寄存器 Ds18b20内部有一个2byte的高速暂存寄存器，用来存储ds18b20转换得到的温度数据；温度寄存器格式如图；其中高位字节中的bit11-bit15这五位用来表示温度的正负；即s=0时，表示温度为正值；S=1时，表示温度为负值；Ds18b20有用
5、户可控的9-12位转换精度；当转换精度为12位时，如图，由bit0-bit11存储（符号也算一位）。转换精度为11位时，bit0不再使用；转换精度为10位时，bit0，bit1不再使用；转换精度为9位时，bit0-bit2不再使用；12位转换精度时的存储示例图：12位转换精度时，即最小分辨率为0.0625 负数存储时采用补码方式；这里有一点需要主要的是：Ds18b20温度存储器是高速暂存，也就是说，ds18b20掉电时，这个数据将会丢失。Ds18b20上电复位时，温度存储器中内容，默认为+85。所以，使用ds18b20时，如果在温度显示之前，没有来的及进行一次转换完成，那么就会看到一个85的短
6、暂显示。六，警报信号 每当ds18b20完成一次温度转换后，都会将得到的数据与两个警报存储器中的数据进行比较。与TH（或TL）中的bit7-bit0，相对应的是温度存储器中的bit11-bit4，两者进行比较；当温度TH或480us以上，然后释放数据线（即使其变为高电平），1560us等待后，ds18b20将数据线拉低60-240us作为应答，然后释放数据线，等待与应对整个过程应该480us以上.整个初始化完成。初始化时序：所对应的程序：void dsinit()uint i;ds=0;i=60;while(i 0)i-;/延时523us（datasheet要求480us）ds=1;i=4;w
7、hile(i 0)i-;/*ds18b20wait函数void dswait()uint i;/while(ds);/这行无用，反而容易出现错误，可注释掉 while(!ds);/检测到应答脉冲 i=60;while(i 0)i-;/延时，因为ds18b20会拉低dq约240us，切RX时间不小于480us十一，ROM cmd ROM CMD作为step2，是主机对ds18b20的64序列码的操作，保证在数据线上有一个以上ds18b20时，能找到选定其中的一个。这些命令也可以使主机检测有多少或什么样的device在数据线上，以及是否有device处于了警报状态。主机必须确保在进行ds18b20
8、功能命令前，先进行一个rom cmd。所有的rom cmd SEARCH ROM F0h READ ROM 33h MATCH ROM 55h SKIP ROM CCh ALARM SEARCH ECh 具体各命令作用祥看datasheet。因为这里，我们只外接一个ds18b20，不需要进行64位序列码确认。也没有警报功能。所以，只需要进行skip ROMcch命令即可。程序中该语句为 writebyte(0 xcc);/skip rom cmd十二，ds18b20功能命令 这些命令可以使主机对ds18b20的高速暂存寄存器中某些寄存器进行读写、开启一次温度转换以及检测电源供应方式。所有的功能
9、命令：CONVERT T 44h 温度转换命令 WRITE SCRATCHPAD 4Eh READ SCRATCHPAD BEh COPY SCRATCHPAD 48h RECALL E2 B8h READ POWER SUPPLY B4h 这里，我们只需要启动温度转换和读取结果两个命令；程序中：writebyte(0 x44);/convert T cmd writebyte(0 xbe);/read scratchpad cmd 程序：启动一次温度转换的完整程序/向ds18b20发送温度转换指令void sendchangecmd()dsinit();/初始化ds18b20 dswait(
10、);/等待da18b20回应 writebyte(0 xcc);/skip rom cmd writebyte(0 x44);/convert T cmd 读取温度结果的命令顺序：/向ds18b20读取数据命令void sendreadcmd()dsinit();dswait();writebyte(0 xcc);/skip rom cmd writebyte(0 xbe);/read scratchpad cmd 其他操作顺序，可以详看datasheet，图11，讲解很详细。我们这里只是最简单的应用。十三，write time slot 主机在write time slot时对ds18b20
11、进行写操作；很显然，write有两种情况：Write 1 and write 0；无论是write 1 or write 0，write slot 最少持续60us。而且，两次write 之间，间隔必须大于1us，作为recover time；Write 1：首先，主机将数据线拉低，并在15us之内释放数据线；当释放数据先后，主机将数据线拉高保持45us Write 0：很简单，只需要主机，将数据线拉低，并保存60us以上即可；程序：void writebyte(uchar dat)uint i;uchar j;bit b;for(j=0;j=1;if(b)/写“1”,将ds拉低15us后，在
12、15us60us内将ds拉高，即完成写1 ds=0;i+;i+;/拉低约6us,符合 0)i-;/延时约64us，与前6us相加60us else /写“0”,将ds拉低60us-120us ds=0;i=8;while(i 0)i-;/延时约72us ds=1;i+;i+;/整个写“0”过程已经超过60us，这里就不需要延时太长了 这里要注意一下 b=dat&0 x01;dat=1;这使得b依次取到dat的八位（有低位到高位）这是因为，ds18b20读写时，均采取由低位到高位的顺序十四，read time slots 只有主机开始read time slot时，ds18b20才能向主机传送信
13、息；Therefore,the master must generate read time slots immediately after issuing a Read Scratchpad BEh or Read Power Supply B4h command,so that the DS18B20 can provide the requested data；与write 一样，read time slots 最少需要持续60us以上，而且两次read之间最少需要1us的间隔即recover time；一个read time slot 是由主机拉低数据位开始的；主机拉低数据位最少需要1
14、us（即1us；Ds18b20传输出来的数据，在主机拉低数据线后15us时有效，所以，主机必须在拉低数据线后15us以内释放数据线，并在即将到15us时，对数据线上的值进行采集；看15，16图，也就是说，主机采集数据线上数据时，最好尽量靠近15us末尾时；程序：bit readbit()uint i;bit b;ds=0;i+;/延时约8us 符合至少1us ds=1;i+;i+;/延时6us 符合在15us内取样 b=ds;i=8;while(i 0)i-;/延时约64us 符合读时隙不小于60us return b;在readbit基础上得到readbyte的程序：uchar readby
15、te()uint i;uchar j,dat;dat=0;for(i=0;i 8;i+)j=readbit();/最先读出的为低位dat=(j 1);return dat;注意 j=readbit();/最先读出的为低位dat=(j 1);通过移位和或操作，将得到的bit，按照先低位后高位的顺序组成一个byte；附录：程序：/*ds18b20init函数void dsinit()uint i;ds=0;i=60;while(i 0)i-;/延时523us（datasheet要求480us）ds=1;i=4;while(i 0)i-;/*ds18b20wait函数 void dswait()ui
16、nt i;/while(ds);/while(!ds);/检测到应答脉冲 i=60;while(i 0)i-;/延时，因为ds18b20会拉低dq约240us，切RX时间不小于480us/*向DS18B20读取一位数bit readbit()uint i;bit b;ds=0;i+;/延时约8us 符合至少1us ds=1;i+;i+;/延时6us 符合在15us内取样 b=ds;i=8;while(i 0)i-;/延时约64us 符合读时隙不小于60us return b;/*向ds18b20读取一个字节，使用readbit()uchar readbyte()uint i;uchar j,d
17、at;dat=0;for(i=0;i 8;i+)j=readbit();/最先读出的为低位dat=(j 1);return dat;/*向ds18b20写一字节数据void writebyte(uchar dat)uint i;uchar j;bit b;for(j=0;j=1;if(b)/写“1”,将ds拉低15us后，在15us60us内将ds拉高，即完成写1 ds=0;i+;i+;/拉低约6us,符合 0)i-;/延时约64us，与前6us相加60uselse /写“0”,将ds拉低60us-120us ds=0;i=8;while(i 0)i-;/延时约72us ds=1;i+;i+;
18、/整个写“0”过程已经超过60us，这里就不需要延时太长了 /*向ds18b20发送温度转换指令 void sendchangecmd()dsinit();/初始化ds18b20 dswait();/等待da18b20回应 writebyte(0 xcc);/skip rom cmd writebyte(0 x44);/convert T cmd /*向ds18b20读取数据命令 void sendreadcmd()dsinit();dswait();writebyte(0 xcc);/skip rom cmd writebyte(0 xbe);/read scratchpad cmd/*获取当前温度int gettmpvalue()uint tmpvalue;int value;float t;uchar low,high;sendreadcmd();/读取两个字节温度数据 low=readbyte();high=readbyte();/合并为一个整形变量 tmpvalue=high;tmpvalue 0?0.5:-0.5);return value;
