1、芯片生产工艺流程（课件）单晶拉制（1）单晶拉制（2）单晶拉制（3）单晶拉制（4）单晶拉制（5）环境和着装单项工艺-扩散(1)卧式4炉管扩散/氧化炉扩散/氧化进炉实景图单项工艺-扩散(2)立式扩散/氧化炉扩散/氧化进炉实景图单项工艺-扩散(3)扩散工序作业现场单项工艺-光刻(1)先进光刻曝光设备单项工艺-光刻(2)现场用光刻曝光设备单项工艺-光刻(3)检查用显微镜单项工艺-光刻(4)清 洗淀积/生长隔离层匀 胶（SiOSiO2 2 Si Si3 3N N4 4 金属金属）-HMDS喷淋（增加Si的粘性）-匀光刻胶单项工艺-光刻(5)前 烘对 版匀 胶-对每个圆片必须按要求对版-用弧光灯将光刻版上
2、的图案转 移到光刻胶上。-增加黏附作用 -促进有机溶剂挥发单项工艺-光刻(6)显影/漂洗坚 膜腐 蚀-硬化光刻胶。-增加与硅片的附着性。-将圆片进行显影/漂洗，不需要的的光刻胶溶解到有机溶剂。去 胶-干法腐蚀/湿法腐蚀单项工艺-光刻(7)光刻工艺过程单项工艺-CVD（1）单项工艺-CVD（2）初级离子气体被吸收到硅片表面单项工艺-CVD（3）初级离子气体在硅片表面分解单项工艺-CVD（4）玻 璃 的 解 吸单项工艺-CVD（5）单相工艺-离子注入（1）单相工艺-离子注入（2）单相工艺-离子注入（3）单相工艺-蒸发（1）蒸发原理示意图单相工艺-蒸发（2）溅射原理示意图单相工艺-蒸发（3）单相工艺-清洗基础认知衬底材料扩散层外延层一次氧化基区光刻干氧氧化离子注入基区扩散发射区光刻发射区预淀积发射区扩散（*）发射区低温氧化（*）氢气处理N+光刻（适用于P型片）N+淀积扩散（适用P型片）N+低温氧化（适用P型片）氢气处理（适用P型片）3B光刻铝蒸发四次光刻氮氢合金AL上CVD2氮气烘焙（适用N型片）2五次光刻2中测抽测2测试系统减薄、抛光2减薄和抛光部分蒸金/银2背金合金2芯片测试2测试系统N型片制造（一般）工艺流程P型片制造（一般）工艺流程
