1、1.41.4场效应晶体管场效应晶体管Field-Effect Transistors(FETs)Shanghai Jiao Tong University内容提要1.4.1结型场效应管,原理、输出特性与转移特性1.4.2绝缘栅型场效应管,原理、输出特性与转移特性1.4.3场效应管的主要参数1.4.5场效应管与晶体管的比较Shanghai Jiao Tong University1.4.1结型场效应管的结构和符号Shanghai Jiao Tong University图1.4.2 N沟道结型场效应管的结构示意图Shanghai Jiao Tong University 图1.4.3 uDS 0
2、时uGS对导电沟道的控制作用?.0DSu沟道变窄沟道消失Shanghai Jiao Tong University图1.4.4 UGS(off)uGS 0的情况预夹断恒流DS间为电阻特性GSDmuigShanghai Jiao Tong University图1.4.5 场效应管的输出特性1 2 3Shanghai Jiao Tong University图1.4.6 场效应管的转移特性曲线2)()1(offGSGSDSSDUuIiShanghai Jiao Tong University 图1.4.7 N沟道增强型MOS管结构示意图 及增强型MOS的符号Shanghai Jiao Tong
3、University图1.4.8 uDS 0时uGS对导电沟道的影响Shanghai Jiao Tong University图1.4.9 uGS为大于UGS(th)的某一值时 uDS对iD的影响Shanghai Jiao Tong University图1.4.10 N沟道增强型MOS管的特性曲线Shanghai Jiao Tong University 图1.4.11 N沟道耗尽型MOS管结构 示意图、符号及转移特性Shanghai Jiao Tong University图1.4.13 场效应管的符号及特性Shanghai Jiao Tong University1.4.3场效应管的主要
4、参数直流参数交流参数极限参数)(offGSU夹断电压开启电压)(thGSU饱和漏极电流DSSI直流输入电阻)(DCGSR低频跨导极间电容constUGSDmDSuigdsgdgsCCC,最大漏极电流DMI击穿电压GSBRDSBRUU)()(,最大耗散功率DMPShanghai Jiao Tong University例 1.4.2 试分析 为0V,8V和10V情况下 分别为多少？IuIuOuShanghai Jiao Tong University如图所示电路,场效应管的夹断电压UGS(off)=-4V，饱和漏电流IDSS=4mA。试问，为保证负载电阻RL上的电流为恒流，RL的取值范围为多少？Shanghai Jiao Tong University1.4.5场效应管与晶体管的比较流控？压控？温度稳定性噪声管脚互换性偏置的多样性工艺性放大倍数Shanghai Jiao Tong University今日作业1.15，1.16
