1、模拟电子基础第四版康华光第二章（优选）模拟电子基础第四版康华光第二章2.1 半导体的基本知识半导体的基本知识 半导体材料半导体材料 半导体的共价键结构半导体的共价键结构 本征半导体本征半导体 杂质半导体杂质半导体 半导体材料半导体材料 一、物体的导电特性一、物体的导电特性 根据物体导电能力根据物体导电能力(电阻率电阻率)的不同，来划分的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。导体、绝缘体和半导体。半导体：介于导体与绝缘体之间，如：半导体：介于导体与绝缘体之间，如：典型的半导体有硅典型的半导体有硅Si和锗和锗Ge以及砷化镓以及砷化镓GaAs等。等。二、半导体的特点1、光敏性和热敏性:2、掺杂性：本征半
2、导体本征半导体一、本征半导体的结构特点一、本征半导体的结构特点GeSi通过一定的工艺过程，可以将半导体制成晶体。通过一定的工艺过程，可以将半导体制成晶体。现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们的最外层电子（价电子）都是四个。的最外层电子（价电子）都是四个。本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体晶体。本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体晶体。在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成晶体点阵，每个原子都处在正四面体的中心，晶体点阵，每个原子都处在正四面体的中心，而四个其它原子位于四面体的顶点，每个原子而四个其它
3、原子位于四面体的顶点，每个原子与其相临的原子之间形成共价键，共用一对价与其相临的原子之间形成共价键，共用一对价电子。电子。硅和锗的晶硅和锗的晶体结构：体结构：PN结的单向导电性此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程:此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程:IS 反向饱和电流PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。(1)PN结加正向电压时阳极电位高于阴极电位，D接入时正向导通。P型半导体掺入三价杂质元素（如硼）的半导体。半导体二极管的结构当PN结的反向电压增加到一定数值时，反向电流突然快速增加，此现象称为PN结的反向击穿。(2)面接触型二极管(2)面
4、接触型二极管VT 温度的电压当量PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流；导通后，D的压降等于零，即A点的电位就是D阳极的电位。在其它力的作用下，空穴吸引附近的电子来填补，这样的结果相当于空穴的迁移，而空穴的迁移相当于正电荷的移动，因此可以认为空穴是载流子。本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。当PN结加反向电压时，PN结截止，呈现高阻特性。根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。硅和锗的共价键结构硅和锗的共价键结构共价键共共价键共用电子对用电子对+4+4+4+4+4+4表示除表示除去价电子去价电子后的原子后的原子共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称
5、为共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。本征半导体的导电能力很弱。形成共价键后，每个原子的最外层电子是形成共价键后，每个原子的最外层电子是八个，构成稳定结构。八个，构成稳定结构。共价键有很强的结合力，使原子规共价键有很强的结合力，使原子规则排列，形成晶体。则排列，形成晶体。+4+4+4+4二、本征半导体的导电机理二、本征半导体的导电机理在绝对在绝对0度度（T=0K）和没有外界激发时和没有外
6、界激发时,价价电子完全被共价键束缚着，本征半导体中没有电子完全被共价键束缚着，本征半导体中没有可以运动的带电粒子（即载流子），它的导电可以运动的带电粒子（即载流子），它的导电能力为能力为 0，相当于绝缘体。，相当于绝缘体。在常温下，由于热激发，使一些价电子获在常温下，由于热激发，使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子，同时共价键上留下一个空位，称为空穴。电子，同时共价键上留下一个空位，称为空穴。1.1.载流子、自由电子和空穴载流子、自由电子和空穴温度越高，载流子的浓度越高。P型半导体掺入三价杂质元素（如硼）的半导体。空穴是少数载流子,
7、由热激发形成。在规定的稳压管反向工作电流IZ下，所对应的反向工作电压。PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。VT 温度的电压当量PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流；利用二极管反向击穿特性实现稳压。自由电子移动产生的电流。(2)面接触型二极管因五价杂质原子中只有四个价电子能与周围四个半导体原子中的价电子形成共价键，而多余的一个价电子因无共价键束缚而很容易形成自由电子。在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。(1)点接触型二极管因此本征半导体的导电能力越强，温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素，这是半导
8、体的一大特点。半导体：介于导体与绝缘体之间，如：当PN结加正向电压时，PN结导通，呈现低阻特性。当外加电压使PN结中P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏；形成共价键后，每个原子的最外层电子是八个，构成稳定结构。典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。先断开D，以O为基准电位，既O点为0V。(1)最大整流电流IF+4+4+4+4自由电子自由电子空穴空穴束缚电子束缚电子2.本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理+4+4+4+4在其它力的作用下，在其它力的作用下，空穴吸引附近的电子空穴吸引附近的电子来填补，这样的结果来填补，这样的结果相当于空穴的迁移，相当于空穴的迁移，而空
9、穴的迁移相当于而空穴的迁移相当于正电荷的移动，因此正电荷的移动，因此可以认为空穴是载流可以认为空穴是载流子。子。本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即自由电子和空穴。自由电子和空穴。本征半导体本征半导体本征半导体本征半导体化学成分纯净的半导体。它在物理结构化学成分纯净的半导体。它在物理结构上呈单晶体形态。上呈单晶体形态。空穴空穴共价键中的空位共价键中的空位。电子空穴对电子空穴对由热激发而由热激发而产生的自由电子和空穴对产生的自由电子和空穴对。空穴的移动空穴的移动空穴的运动空穴的运动是靠相邻共价键中的价电子是靠相邻共价键中的价电子依次填充空穴来实现的。依
10、次填充空穴来实现的。温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强，温度是影响半导体性导体的导电能力越强，温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素，这是半导体的一能的一个重要的外部因素，这是半导体的一大特点。大特点。本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。本征半导体中电流由两部分组成：本征半导体中电流由两部分组成：1.自由电子移动产生的电流。自由电子移动产生的电流。2.空穴移动产生的电流。空穴移动产生的电流。杂质半导体杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质
11、，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体主要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。称为杂质半导体。N型半导体型半导体掺入五价杂质元素（如磷）掺入五价杂质元素（如磷）的半导体。的半导体。P型半导体型半导体掺入三价杂质元素（如硼）掺入三价杂质元素（如硼）的半导体。的半导体。1.N型半导体型半导体 因五价杂质原子中因五价杂质原子中只有四个价电子能与周只有四个价电子能与周围四个半导体原子中的围四个半导体原子中的价电子形成共价键，而价电子形成共价键，而多余的一个价电子因无多余的一个价电子因无共价键束缚
12、而很容易形共价键束缚而很容易形成自由电子。成自由电子。在在N型半导体中自由电子是多数载流子，它主要由杂质原型半导体中自由电子是多数载流子，它主要由杂质原子提供子提供；空穴是少数载流子空穴是少数载流子,由热激发形成。由热激发形成。提供自由电子的五价杂质原子因带正电荷而成为正离子，提供自由电子的五价杂质原子因带正电荷而成为正离子，因此五价杂质原子也称为施主杂质。因此五价杂质原子也称为施主杂质。2.P型半导体型半导体 因三价杂质原子因三价杂质原子在与硅原子形成共价在与硅原子形成共价键时，缺少一个价电键时，缺少一个价电子而在共价键中留下子而在共价键中留下一个空穴。一个空穴。在在P型半导体中空穴是多数载
13、流子，它主要由掺型半导体中空穴是多数载流子，它主要由掺杂形成杂形成；自由电子是少数载流子，自由电子是少数载流子，由热激发形成。由热激发形成。空穴很容易俘获电子，使杂质原子成为负离子。空穴很容易俘获电子，使杂质原子成为负离子。三价杂质三价杂质 因而也称为受主杂质。因而也称为受主杂质。本征半导体、杂质半导体本征半导体、杂质半导体 本节中的有关概念本节中的有关概念 自由电子、空穴自由电子、空穴 N型半导体、型半导体、P型半导体型半导体 多数载流子、少数载流子多数载流子、少数载流子 施主杂质、受主杂质施主杂质、受主杂质2.2 PN 结的形成及特性结的形成及特性 PN结的形成结的形成 PN结的单向导电性
14、结的单向导电性 PN结的反向击穿结的反向击穿 结的形成结的形成图结的形成图结的形成3V时，二极管导通，导通后，UD=0.锗二极管2AP15的V-I 特性阳极电位高于阴极电位，D接入时正向导通。半导体：介于导体与绝缘体之间，如：空穴很容易俘获电子，使杂质原子成为负离子。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。在P型半导体中空穴是多数载流子，它主要由掺杂形成；在P型半导体中空穴是多数载流子，它主要由掺杂形成；内电场阻碍多子向对方的扩散当外加电压使PN结中P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏；晶体二极管基本用途是整流稳压和限幅。先断开D，以O为基准电
15、位，既O点为0V。利用这些性能可制作成具有各种特性的半导体器件。当PN结加正向电压时，PN结导通，呈现低阻特性。因五价杂质原子中只有四个价电子能与周围四个半导体原子中的价电子形成共价键，而多余的一个价电子因无共价键束缚而很容易形成自由电子。在N型半导体中自由电子是多数载流子，它主要由杂质原子提供；形成共价键后，每个原子的最外层电子是八个，构成稳定结构。半导体光电器件分光敏器件和发光器件，可实现光电、电光转换。PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。当PN结的反向电压增加到一定数值时，反向电流突然快速增加，此现象称为PN结的反向击穿。PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向
16、扩散电流；P区区N区区扩散运动扩散运动载流子从浓度大向浓度小载流子从浓度大向浓度小的区域扩散的区域扩散,称扩散运动称扩散运动形成的电流成为扩散电流形成的电流成为扩散电流内电场内电场内电场阻碍多子向对方的扩散内电场阻碍多子向对方的扩散即阻碍扩散运动即阻碍扩散运动同时促进少子向对方漂移同时促进少子向对方漂移即促进了漂移运动即促进了漂移运动扩散运动扩散运动=漂移运动时漂移运动时达到动态平衡达到动态平衡3 在一块本征半导体在两侧通过扩散不同的杂在一块本征半导体在两侧通过扩散不同的杂质质,分别形成分别形成N型半导体和型半导体和P型半导体。此时将在型半导体。此时将在N型半导体和型半导体和P型半导体的结合面
17、上形成如下物型半导体的结合面上形成如下物理过程理过程:因浓度差因浓度差 空间电荷区形成内电场空间电荷区形成内电场 内电场促使少子漂移内电场促使少子漂移 多子的扩散运动多子的扩散运动 由由杂质离子形成空间电荷区杂质离子形成空间电荷区 对于对于P型半导体和型半导体和N型半导体结合面，离型半导体结合面，离子薄层形成的空间电荷区称为子薄层形成的空间电荷区称为PN结。结。在空间电荷区，由于缺少多子，所以也在空间电荷区，由于缺少多子，所以也称耗尽层。称耗尽层。PN结的单向导电性结的单向导电性 当外加电压使当外加电压使PN结中结中P区的电位高于区的电位高于N区的电位，称为区的电位，称为加正向电压，简称正偏；
18、反之加正向电压，简称正偏；反之称为加反向电压，称为加反向电压，简称反偏。简称反偏。(1)PN结加正向电压时结加正向电压时 低电阻低电阻 大的正向扩散电流大的正向扩散电流 iD/mA 1.0 0.5 0.5 1.0 0.5 0 1.0 D/V PN结的伏安特性结的伏安特性 PN结的单向导电性结的单向导电性 当外加电压使当外加电压使PN结中结中P区的电位高于区的电位高于N区的电位，称为区的电位，称为加正向电压，简称正偏；反之加正向电压，简称正偏；反之称为加反向电压，称为加反向电压，简称反偏。简称反偏。(2)PN结加反向电压时结加反向电压时 高电阻高电阻 很小的反向漂移电流很小的反向漂移电流 在一定
19、的温度条件下，由本征激发决定的在一定的温度条件下，由本征激发决定的少子浓度是一定的，故少子形成的漂移电流是少子浓度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向电压的大小无关，恒定的，基本上与所加反向电压的大小无关，这个电流也称为反向饱和电流。这个电流也称为反向饱和电流。iD/mA 1.0 0.5 0.5 1.0 0.5 0 1.0 D/V PN结的伏安特性结的伏安特性 iD/mA 1.0 0.5 0.5 1.0 0.5 0 1.0 D/V 小结：小结：PN结加正向电压时，呈现低电阻，具结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流；有较大的正向扩散电流；PN结加反向电压时，呈现
20、高电阻，结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。具有很小的反向漂移电流。由此可以得出结论：由此可以得出结论：PN结具有单结具有单向导电性。向导电性。PN结的单向导电性结的单向导电性(3)PN结结V-I 特性表达式特性表达式其中其中iD/mA1.00.50.51.00.501.0 D/VPN结的伏安特性结的伏安特性iD/mA1.00.5iD=IS0.51.00.501.0 D/V)1(/SDD TVveIiIS 反向饱和电流反向饱和电流VT 温度的电压当量温度的电压当量且在常温下（且在常温下（T=300K）V026.0 qkTVTmV 26 PN结的反向击穿结的反向击穿 当当PN结的
21、反向电压结的反向电压增加到一定数值时，反增加到一定数值时，反向电流突然快速增加，向电流突然快速增加，此现象称为此现象称为PN结的反向结的反向击穿。击穿。iDOVBR D热击穿热击穿不可逆不可逆 雪崩击穿雪崩击穿 齐纳击穿齐纳击穿 电击穿电击穿可逆可逆2.3 半导体二极管半导体二极管 半导体二极管的结构半导体二极管的结构 二极管的伏安特性二极管的伏安特性 二极管的参数二极管的参数 半导体二极管的结构半导体二极管的结构 在在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型和平管。二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型三大类。面型三大
22、类。(1)点接触型二极管点接触型二极管 PN结面积小，结电结面积小，结电容小，用于检波和变频等容小，用于检波和变频等高频电路。高频电路。(a)(a)点接触型点接触型 二极管的结构示意图二极管的结构示意图(3)平面型二极管平面型二极管 往往用于集成电路制造往往用于集成电路制造艺中。艺中。PN 结面积可大可小，结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。用于高频整流和开关电路中。(2)面接触型二极管面接触型二极管 PN结面积大，用结面积大，用于工频大电流整流电路。于工频大电流整流电路。(b)(b)面接触型面接触型(c)(c)平面型平面型阴极阴极引线引线阳极阳极引线引线PNP 型支持衬底型支持衬底(4
23、)二极管的代表符号二极管的代表符号(d)代表符号代表符号k 阴极阴极阳极阳极 a半导体二极管图片半导体二极管图片半导体二极管图片半导体二极管图片稳压二极管稳压时工作在反向电击穿状态。利用这些性能可制作成具有各种特性的半导体器件。PN结的单向导电性2.(1)最大整流电流IF在P型半导体中空穴是多数载流子，它主要由掺杂形成；空穴是少数载流子,由热激发形成。1 半导体的基本知识温度越高，载流子的浓度越高。PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。在P型半导体中空穴是多数载流子，它主要由掺杂形成；光电二极管应在反压下工作，而发光二极管应在正偏电压下工作。PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等
24、高频电路。先断开D，以O为基准电位，既O点为0V。共价键有很强的结合力，使原子规则排列，形成晶体。导通后，D的压降等于零，即A点的电位就是D阳极的电位。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。2 PN 结的形成及特性PN结的单向导电性3V时，二极管导通，导通后，UD=0.当PN结加正向电压时，PN结导通，呈现低阻特性。在绝对0度（T=0K）和没有外界激发时,价电子完全被共价键束缚着，本征半导体中没有可以运动的带电粒子（即载流子），它的导电能力为 0，相当于绝缘体。半导体二极管图片半导体二极管图片 二极管的伏安特性二极管的伏安特性二极管的伏安特性曲线可用下式表示二极管的伏安特性曲线可用下式表示)1(
25、/SDD TVveIi0 D/V0.2 0.4 0.6 0.8 10 20 30 405101520 10 20 30 40iD/AiD/mA死区死区VthVBR硅二极管硅二极管2CP102CP10的的V V-I I 特性特性0 D/V0.2 0.4 0.6 20 40 605101520 10 20 30 40iD/AiD/mAVthVBR锗二极管锗二极管2AP152AP15的的V V-I I 特性特性+iDvD-R正向特性正向特性反向特性反向特性反向击穿特性反向击穿特性 二极管的参数二极管的参数(1)最大整流电流最大整流电流IF(2)反向击穿电压反向击穿电压VBR和最大反向工作电压和最大反
26、向工作电压VRM(3)反向电流反向电流I IR R(4)正向压降正向压降VF(5)极间电容极间电容CB 应用举例应用举例开关电路开关电路 D 3k(a)V V A O 电路如图所示，求电路如图所示，求AO的电压值的电压值解：解：先断开先断开D，以，以O为基准电位，既为基准电位，既O点为点为0V。则接则接D阳极的电位为阳极的电位为-6V，接阴，接阴极的电位为极的电位为-12V。阳极电位高于阴极电位，阳极电位高于阴极电位，D接入时正向导通。接入时正向导通。导通后，导通后，D的压降等于零，即的压降等于零，即A点的电位就是点的电位就是D阳极的电位。阳极的电位。所以，所以，AO的电压值为的电压值为-6V
27、。练习：小小 结结 半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的一种物半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的一种物体。具有一系列特殊的性能，如掺杂、光照和温度都体。具有一系列特殊的性能，如掺杂、光照和温度都可以改变半导体的导电性能。利用这些性能可制作成可以改变半导体的导电性能。利用这些性能可制作成具有各种特性的半导体器件。具有各种特性的半导体器件。PN结是构成半导体器件的基础，具有单向导电性、结是构成半导体器件的基础，具有单向导电性、非线性电阻特性、电容效应、击穿稳压特性。非线性电阻特性、电容效应、击穿稳压特性。当当PN结加正向电压时，结加正向电压时，PN结导通，呈现低阻特性。结导通，呈现低阻特性。
28、当当PN结加反向电压时，结加反向电压时，PN结截止，呈现高阻特性。结截止，呈现高阻特性。晶体二极管实际上就是一个晶体二极管实际上就是一个PN结，描述二极管的性能结，描述二极管的性能 常用二极管的伏安特性，可用二极管的电流方程来描述常用二极管的伏安特性，可用二极管的电流方程来描述即二极管两端的电压和流过的电流满足即二极管两端的电压和流过的电流满足I=Is(e U/UT-1).硅管：当硅管：当UD0.7V时，二极管导通，导通后，时，二极管导通，导通后，UD=0.7V锗管：当锗管：当UD0.3V时，二极管导通，导通后，时，二极管导通，导通后，UD=0.3V 稳压管是一种应用很广的特殊类型的二极管，工
29、作区在稳压管是一种应用很广的特殊类型的二极管，工作区在反向击穿区。可以提供一个稳定的电压。使用时注意加限反向击穿区。可以提供一个稳定的电压。使用时注意加限流电阻。流电阻。晶体二极管基本用途是整流稳压和限幅。晶体二极管基本用途是整流稳压和限幅。半导体光电器件分光敏器件和发光器件，可实现光半导体光电器件分光敏器件和发光器件，可实现光电、电、电电光转换。光电二极管应在反压下工作，而发光二极管光转换。光电二极管应在反压下工作，而发光二极管应在正偏电压下工作。应在正偏电压下工作。小小 结结2.5 特殊体二极管特殊体二极管 稳压二极管稳压二极管 变容二极管变容二极管 光电子器件光电子器件1.光电二极管光电
30、二极管2.发光二极管发光二极管3.激光二极管激光二极管1 半导体的基本知识阳极电位高于阴极电位，D接入时正向导通。(3)PN结V-I 特性表达式在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。PN结的单向导电性共价键有很强的结合力，使原子规则排列，形成晶体。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程:在P型半导体中空穴是多数载流子，它主要由掺杂形成；在绝对0度（T=0K）和没有外界激发时,价电子完全被共价键束缚着，本征半导体中没有可以运动的带电粒子（即载流子），它的导电能力为 0，相当于绝缘体。锗二极管2AP15的V-I 特性空穴移动产生的电流。先断开D，
31、以O为基准电位，既O点为0V。1 半导体的基本知识锗二极管2AP15的V-I 特性阳极电位高于阴极电位，D接入时正向导通。当外加电压使PN结中P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏；(3)PN结V-I 特性表达式反之称为加反向电压，简称反偏。在P型半导体中空穴是多数载流子，它主要由掺杂形成；PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。(1)PN结加正向电压时同时促进少子向对方漂移稳压二极管稳压二极管1.符号及稳压特性符号及稳压特性(a)符号符号(b)伏安特性伏安特性 利用二极管反向击穿特性实现稳压。稳压二极管稳利用二极管反向击穿特性实现稳压。稳压二极管稳压时工作在反向电击穿状
32、态。压时工作在反向电击穿状态。锗二极管2AP15的V-I 特性当PN结的反向电压增加到一定数值时，反向电流突然快速增加，此现象称为PN结的反向击穿。在P型半导体中空穴是多数载流子，它主要由掺杂形成；(4)二极管的代表符号由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。阳极电位高于阴极电位，D接入时正向导通。PN结的单向导电性共价键有很强的结合力，使原子规则排列，形成晶体。载流子、自由电子和空穴此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程:共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很
33、弱。一、本征半导体的结构特点本征半导体中电流由两部分组成：载流子、自由电子和空穴电子空穴对由热激发而产生的自由电子和空穴对。2 PN 结的形成及特性模拟电子基础第四版康华光第二章内电场阻碍多子向对方的扩散在其它力的作用下，空穴吸引附近的电子来填补，这样的结果相当于空穴的迁移，而空穴的迁移相当于正电荷的移动，因此可以认为空穴是载流子。N型半导体、P型半导体在绝对0度（T=0K）和没有外界激发时,价电子完全被共价键束缚着，本征半导体中没有可以运动的带电粒子（即载流子），它的导电能力为 0，相当于绝缘体。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程:阳极电位高于阴极电位，D接入时正向导通
34、。(2)面接触型二极管此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程:共价键有很强的结合力，使原子规则排列，形成晶体。(2)面接触型二极管温度越高，载流子的浓度越高。PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流；在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。当PN结加反向电压时，PN结截止，呈现高阻特性。由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。利用这些性能可制作成具有各种特性的半导体器件。光电二极管应在反压下工作，而发光二极管应在正偏电压下工作。PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。(1)最大整流电流IF在硅和锗晶
35、体中，原子按四角形系统组成晶体点阵，每个原子都处在正四面体的中心，而四个其它原子位于四面体的顶点，每个原子与其相临的原子之间形成共价键，共用一对价电子。3V时，二极管导通，导通后，UD=0.三价杂质 因而也称为受主杂质。当PN结加正向电压时，PN结导通，呈现低阻特性。(1)PN结加正向电压时在P型半导体中空穴是多数载流子，它主要由掺杂形成；半导体：介于导体与绝缘体之间，如：因三价杂质原子在与硅原子形成共价键时，缺少一个价电子而在共价键中留下一个空穴。VT 温度的电压当量1 半导体的基本知识内电场阻碍多子向对方的扩散半导体二极管的结构掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。在空间电荷区，由于缺少多子
36、，所以也称耗尽层。的区域扩散,称扩散运动因五价杂质原子中只有四个价电子能与周围四个半导体原子中的价电子形成共价键，而多余的一个价电子因无共价键束缚而很容易形成自由电子。的区域扩散,称扩散运动半导体二极管的结构二、本征半导体的导电机理PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。当PN结的反向电压增加到一定数值时，反向电流突然快速增加，此现象称为PN结的反向击穿。PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。对于P型半导体和N型半导体结合面，离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。当外加电压使PN结中P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏；晶体二极管实际上就是一个PN结，描述二极
37、管的性能 常用二极管的伏安特性，可用二极管的电流方程来描述自由电子移动产生的电流。同时促进少子向对方漂移根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。当PN结的反向电压增加到一定数值时，反向电流突然快速增加，此现象称为PN结的反向击穿。阳极电位高于阴极电位，D接入时正向导通。内电场阻碍多子向对方的扩散形成共价键后，每个原子的最外层电子是八个，构成稳定结构。具有一系列特殊的性能，如掺杂、光照和温度都可以改变半导体的导电性能。形成共价键后，每个原子的最外层电子是八个，构成稳定结构。硅二极管2CP10的V-I 特性因三价杂质原子在与硅原子形成共价键时，缺少一个价电子而在共价键中留下一
38、个空穴。在P型半导体中空穴是多数载流子，它主要由掺杂形成；半导体二极管的结构(3)平面型二极管IS 反向饱和电流在一定的温度条件下，由本征激发决定的少子浓度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向电压的大小无关，这个电流也称为反向饱和电流。PN 结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。晶体二极管基本用途是整流稳压和限幅。多数载流子、少数载流子P型半导体掺入三价杂质元素（如硼）的半导体。导通后，D的压降等于零，即A点的电位就是D阳极的电位。当PN结的反向电压增加到一定数值时，反向电流突然快速增加，此现象称为PN结的反向击穿。(1)稳定电压稳定电压VZ 在规定的稳压管反向在规定的稳压管反向工作电流工作电流IZ下，所对应的下，所对应的反向工作电压。反向工作电压。(2)(2)最大稳定工作电流最大稳定工作电流 IZmax 和最小稳定工作电流和最小稳定工作电流 IZmin2.稳压二极管主要参数稳压二极管主要参数稳压二极管稳压二极管
