1、13半导体二极管半导体二极管(1)点接触型二极管点接触型二极管 PN结面积小，结面积小，结电容小，用于检波结电容小，用于检波和变频等高频电路。和变频等高频电路。点接触型点接触型正极正极引线引线触丝触丝N型锗片型锗片外壳外壳负极负极引线引线3）硅、锗）硅、锗二极管的伏安特性曲线二极管的伏安特性曲线)1(/SDD TVveIi0 D/V0.2 0.4 0.6 0.8 10 20 30 405101520 10 20 30 40iD/AiD/mA死区死区VthVBR硅二极管硅二极管2CP102CP10的的V V-I I 特性特性0 D/V0.2 0.4 0.6 20 40 605101520 10
2、20 30 40iD/AiD/mAVthVBR锗二极管锗二极管2AP152AP15的的V V-I I 特性特性+iDvD-R正向特性正向特性反向特性反向特性反向击穿特性反向击穿特性 二极管的特性二极管的特性对温度很敏感对温度很敏感,温度温度升高升高,正正向特性曲线向向特性曲线向左移左移,反向特性曲线反向特性曲线向下移向下移。其其规律规律是：在室温附近是：在室温附近,在同一电流下在同一电流下,温温度每升高度每升高,正向压降减小正向压降减小.V；温；温度每升高度每升高,反向电流约增大反向电流约增大 1 倍。倍。4)二极管的温度特性：二极管的温度特性：(1)最大整流电流最大整流电流。它是二极管允许通
3、过它是二极管允许通过的最大正向平均电流。工作时应使平均工作电的最大正向平均电流。工作时应使平均工作电流小于流小于,如超过如超过,二极管将过热而烧毁。二极管将过热而烧毁。此值取决于结的面积、材料和散热情况。此值取决于结的面积、材料和散热情况。(2)最大反向工作电压最大反向工作电压。这是二极管允许这是二极管允许的最大工作电压。当反向电压超过此值时的最大工作电压。当反向电压超过此值时,二极二极管可能被击穿。为了留有余地管可能被击穿。为了留有余地,通常取击穿电压通常取击穿电压的一半作为的一半作为。1.3.3 1.3.3 二极管的参数二极管的参数 (3)反向电流反向电流。指二极管未击穿时的反指二极管未击
4、穿时的反向电流值。此值越小向电流值。此值越小,二极管的单向导电性越二极管的单向导电性越好。由于反向电流是由少数载流子形成好。由于反向电流是由少数载流子形成,所以所以值受温度的影响很大。值受温度的影响很大。(4)最高工作频率最高工作频率。的值主要取决的值主要取决于结结电容的大小于结结电容的大小,结电容越大结电容越大,则二极管则二极管允许的最高工作频率越低。允许的最高工作频率越低。(5)二极管的直流电阻二极管的直流电阻。加到二极管两加到二极管两端的直流电压与流过二极管的电流之比端的直流电压与流过二极管的电流之比,称为二称为二极管的直流电阻极管的直流电阻,即即此值可由二极管特性曲线求出此值可由二极管
5、特性曲线求出,如图示。工作点如图示。工作点电压为电压为.V,电流电流,则则FFDIUR 3010505.13FFDIUR0UFU/VIFI/mAQ1220406080图 求直流电阻 (6)二极管的交流电阻二极管的交流电阻。在二极管工作在二极管工作点附近点附近,电压的微变值电压的微变值与相应的微变电流值与相应的微变电流值之比之比,称为该点的交流电阻称为该点的交流电阻,即即 IUrd从其几何意义上讲从其几何意义上讲,当当U时时 dIdUrd就是工作点就是工作点处的切线处的切线斜率倒数斜率倒数。显然。显然,d也是非线性的也是非线性的,即工作电流越大即工作电流越大,越小。越小。交流电阻交流电阻也可从特
6、性曲线上求出也可从特性曲线上求出,如图如图-所示。过所示。过点作切线点作切线,在切线上任取两点在切线上任取两点、,查出这两点间的查出这两点间的和和,则得则得 5.1210)080(123,DQDQIdIUr图1-15 求交流电阻4.微变电阻微变电阻 rDiDuDIDUDQ iD uDrD 是二极管特性曲线上工是二极管特性曲线上工作点作点Q 附近电压的变化与附近电压的变化与电流的变化之比：电流的变化之比：DDDiur显然，显然，rD是对是对Q附近的微小附近的微小变化区域内的电阻。变化区域内的电阻。交流电阻rd也可利用PN结的电流方程求出。DQDTDTDUUTSUUSImVIUrdUUIdUeUI
7、eIddITT)(26)1(即式中,IDQ为二极管工作点的电流,单位取mA。式(1-5)的近似等式在室温条件下(T=300 K)成立。对同一工作点而言,直流电阻RD大于交流电阻rd；对不同工作点而言,工作点愈高,RD和rd愈低。取I的微分可得:部分国产半导体高频二极管参数表部分国产半导体高频二极管参数表最高反向工作电压（峰值）V反向击穿电压 V正向电流 mA反向电流A最高工作频率MHZ极间电容 Pf最大整流电流mA2AP120402.52501501162AP71001505.0250150112参参数数型号部分国产半导体整流二极管参数表部分国产半导体整流二极管参数表最大整流 电流 A最高反向
8、工作电压（峰值）V最高工作电压下的反向电流（125度）A正向压降（平均值）V最高工作频率 MHZ2CZ52A 0.12510000.832CZ54D0.5140010000.832CZ57F5300010000.83参参数数型号特性特性uDiD符号及符号及等效模型等效模型SS正偏导通，正偏导通，uD=0；反偏截止，；反偏截止，iD=0 U(BR)=1.3.4 1.3.4 半导体二极管的等效模型半导体二极管的等效模型 线性化：用线性电路的方法来处理，将非线性线性化：用线性电路的方法来处理，将非线性器件用恰当的元件进行等效，建立相应的模型。器件用恰当的元件进行等效，建立相应的模型。（1 1）理想二
9、极管模型：）理想二极管模型：相当于一个理想开关，正偏时二极管导通管压降为0V，反偏时电阻无穷大，电流为零。uDiDUD(on)uD=UD(on)0.7 V(Si)0.2 V(Ge)（2）理想二极管串联恒压降模型：）理想二极管串联恒压降模型：二极管导通后，其管压降认为是恒定的，且不随电流而变，典型值为0.7V。该模型提供了合理的近似，用途广泛。注意：二极管电流近似等于或大于1mA正确。uDiDUD(on)UIIUr D斜率斜率1/rDrD1UD(on)（3）折线模型：）折线模型：修正恒压降模型，认为二极管的管修正恒压降模型，认为二极管的管压降不是恒定的，而随二极管的电流增加而增加，压降不是恒定的
10、，而随二极管的电流增加而增加，模型中用一个电池和电阻模型中用一个电池和电阻 rD来作进一步的近似。来作进一步的近似。电池的电压选定为二极管的门坎电池的电压选定为二极管的门坎电压电压Vth，约为，约为0.5V；至于至于rD的值，可以这样来确定，的值，可以这样来确定，即当二极管的导通电流为即当二极管的导通电流为1mA时，时，管压降为管压降为0.7V，于是，于是rD的值可计的值可计算如下：算如下：由于二极管的分散性，由于二极管的分散性，Vth、rD的值不是固定的。的值不是固定的。1.理想模型理想模型3.折线模型折线模型 2.恒压降模型恒压降模型(4)小信号模型小信号模型 二极管工作在正向特性的某一小
11、范围内时，二极管工作在正向特性的某一小范围内时，其正向特性可以等效成一个微变电阻。其正向特性可以等效成一个微变电阻。DDdivr 即即)1(/SDD TVveIi根据根据得得Q点处的微变电导点处的微变电导QdvdigDDd QVvTTeVI/SD TVID dd1gr 则则DIVT 常温下（常温下（T=300K）)mA()mV(26DDdIIVrT 应用举例应用举例 1.二极管的静态工作情况分析二极管的静态工作情况分析V 0D VmA 1/DDD RVI理想模型理想模型（R=10k）（1）VDD=10V 时时mA 93.0/)(DDDD RVVI恒压模型恒压模型V 7.0D V（硅二极管典型值
12、）（硅二极管典型值）折线模型折线模型V 5.0th V（硅二极管典型值）（硅二极管典型值）mA 931.0DthDDD rRVVI k 2.0Dr设设V 69.0DDthD rIVV+DiDVDD+DiDVDDVD+DiDVDDrDVth（2）VDD=1V 时时（自看）（自看）2.试求电路中电流试求电路中电流 I1、I2、IO和输出电压和输出电压UO的值的值。解：解：假设二极管断开假设二极管断开UP=15V(V)9 12 31 3N UUP UN二极管导通二极管导通等效为等效为0.7 V 的恒压源的恒压源 UO=VDD1 UD(on)=15 0.7=14.3(V)IO=UO/RL=14.3/3
13、 =4.8(mA)I2=(UO VDD2)/R=(14.3 12)/1 =2.3(mA)I1=IO+I2=4.8+2.3=7.1(mA)VDD1VDD2UORLR1k 3k IOI1I215V12VPN3.二极管构成二极管构成“门门”电路，设电路，设V1、V2均为理想均为理想二极管，当输入电压二极管，当输入电压UA、UB为低电压为低电压0V和高电压和高电压5V的不同组合时，求输出电压的不同组合时，求输出电压UO的值。的值。UAUBUOR3k 12VVDDV1V2BAY输入电压输入电压理想二极管理想二极管输出输出电压电压UAUBV1V20V0V正偏正偏导通导通正偏正偏导通导通0V0V5V正偏正偏
14、导通导通反偏反偏截止截止0V5V0V反偏反偏截止截止正偏正偏导通导通0V5V5V正偏正偏导通导通正偏正偏导通导通5V4.画出硅二极管构成的桥式整流电路在画出硅二极管构成的桥式整流电路在ui=15 sin t(V)作用下输出作用下输出 uO的波形。的波形。(按理想模型按理想模型)RLV1V2V3V4uiBAuOOtuO/V15Otui/V15uiBAuOS1S2S3S4uiBAuOS1S2S3S45.ui=2 sin t(V),分析二极管的限幅作用。分析二极管的限幅作用。ui 较小，宜采用恒压降模型较小，宜采用恒压降模型V1V2uiuORui 0.7VV1、V2均截止均截止uO uiuO 0.7
15、Vui 0.7VV2导通导通V截止截止ui 0.7VV1导通导通V2截止截止uO 0.7V思考题思考题:V1、V2支路各串联恒压源，支路各串联恒压源，输出波形如何？输出波形如何？OtuO/V0.7Otui/V2 0.7VDDuDRuD=VDD iDRiD=f(uD)1.2V100 iD/mA128400.30.6uD/V1.20.9MN直流负载线直流负载线斜率斜率 1/R静态工作点静态工作点也可取也可取 UQ=0.7VIQ=(VDD UQ)/R=5(mA)二极管直流电阻二极管直流电阻 RD 140)k(14.05/7.0QQDIUR斜率斜率1/RDiDQIQUQ1.3.5 1.3.5 二极管电
16、路的分析方法二极管电路的分析方法1）二极管电路的直流图解分析）二极管电路的直流图解分析 电路中含直流和小信号交流电源时电路中含直流和小信号交流电源时,二极管中二极管中含交、直流含交、直流成分成分VDDuiuDRCiDC 隔直流隔直流 通交流通交流当当 ui=0 时时iD=IQUQ=0.7V(硅硅)，0.2V(锗锗)RUVIQDDQ 设设 ui=sin tiD/mAuD/VOVDDVDD/RQIQ tOuiUQiD/mA tOdQDiIi dQDuUu id斜率斜率1/rDQdudirDDd1)1(/SDD TUueIiTUUTUIeUIrTQSdQ1 rd=UT/IQ=26 mV/IQ当当 u
17、i 幅度较小时，幅度较小时，二极管伏安特性在二极管伏安特性在Q点附近近似为直线点附近近似为直线2）交流图解法）交流图解法对于交流信号对于交流信号电路可等效为电路可等效为例例1.3.6 ui=5sin t(mV)，VDD=4 V，R=1 k，求求 iD和和uD解解1.静态分析静态分析 令令 ui=0,取取 UQ 0.7 VIQ=(VDD UQ)/R=3.3 mA2.动态分析动态分析rd=26/IQ=26/3.3 8()Idm=Udm/rd=5/8 0.625(mA),id=0.625 sin t3.总电压、电流总电压、电流dQDuUu dQDiIi =(0.7+0.005 sin t)V=(3.
18、3+0.625 sin t)mAVDDuiuDRCiDuiudRidrd3）微变等效电路分析法）微变等效电路分析法1.3.6 稳压二极管 稳压二极管是应用在反向击穿区的特殊硅二极管。伏安特性伏安特性iZ/mAuZ/VO UZ IZmin IZmax UZ IZ IZ应用电路应用电路+UZ电路符号电路符号1 1）原理）原理利用利用PN结的反向击穿特性结的反向击穿特性（雪崩击穿（雪崩击穿和和齐纳击穿）齐纳击穿）从稳压二极管的伏安特性曲线上可以确定稳压二极管的参数。(1)稳定电压VZ(2)动态电阻rZ 在规定的稳压管反向工作电流IZ下，所对应的反向工作电压。其概念与一般二极管的动态电阻相同，只不过稳
19、压二极管的动态电阻是从它的反向特性上求取的。rZ愈小，反映稳压管的击穿特性愈陡。rZ=VZ/IZ2 2）稳压二极管的参数）稳压二极管的参数(3)最大耗散功率 PZM 稳压管的最大功率损耗取决于PN结的面积和散热等条件。反向工作时PN结的功率损耗为 PZ=VZ IZ，由 PZM和VZ可以决定IZmax。(4)最大稳定工作电流 IZmax 和最小稳定工作 电流IZmin 稳压管的最大稳定工作电流取决于最大耗散功率，即PZmax=VZIZmax。而Izmin对应VZmin。若IZIZmin则不能稳压。%100ZZTV TUUC(5)稳定电压温度系数温度的变化将使温度的变化将使VZ改变改变温度的变化将
20、使温度的变化将使V VZ Z改变，在稳压管中：改变，在稳压管中：当当 V VZ Z 7 V7 V时，时，V VZ Z具有具有正温度系数正温度系数，反向击，反向击穿是穿是雪崩击穿雪崩击穿。当当 V VZ Z 4 V4 V时，时，V VZ Z具有具有负温度系数负温度系数，反向击，反向击穿是穿是齐纳击穿齐纳击穿。当当4 V4 V V VZ Z 7 V7 V时，稳压管可以获得接近时，稳压管可以获得接近零零的温度系数的温度系数。这样的稳压二极管可以作为。这样的稳压二极管可以作为标准稳标准稳压管压管使用。使用。稳压二极管在工作时应反接，并串入一只电阻。电阻的作用一是起限流作用，以保护稳压管；其次是当输入电
21、压或负载电流变化时，通过该电阻上电压降的变化，取出误差信号以调节稳压管的工作电流，从而起到稳压作用。3 3）几种稳压管的参数）几种稳压管的参数 参数型号稳定电压稳定电压 V稳定电流 mA温度系数温度系数%/度度动态电阻动态电阻 最大稳定最大稳定电流电流 mA耗散功率耗散功率 W2CW146 75100.0615330.252CW2013.5 1750.09550150.252CW7C6.1-6.5100.00510300.25 由表可以看出2CW7C的性能比较好。温度系数小。其结构如下：正向二极管正向二极管 稳压管稳压管温度补尝温度补尝4 4）简单稳压电路的工作原理，）简单稳压电路的工作原理，
22、R R为限流电阻。为限流电阻。IR=IZ+ILUO=UI IR R当当UI 波动时波动时(RL不变不变)ORZOL UIIUR IU OU ZI RI OU反之亦然反之亦然当当 RL 变化时（变化时（UI 不变）不变）反之亦然反之亦然UIUORRLILIRIZ负载电阻负载电阻 。要求要求当输入电压由正常值发当输入电压由正常值发生生 20%波动时，负载电压基本不变。波动时，负载电压基本不变。5 5）稳压二极管的应用举例）稳压二极管的应用举例uoiZDZRiLiuiRL5mA 20mA,V,10minmaxzzzWIIU稳压管的技术参数稳压管的技术参数:k2LR解：令输入电压达到上限时，流过稳压管
23、的电解：令输入电压达到上限时，流过稳压管的电流为流为Izmax。求：求：电阻电阻R和输入电压和输入电压 ui 的正常值。的正常值。mA25maxLZWzRUIi102521RUiRu.zWi方程方程1令输入电压降到下限令输入电压降到下限时，流过稳压管的电时，流过稳压管的电流为流为Izmin。mA10minLZWzRUIi101080RUiRu.zWi方程方程2uoiZDZRiLiuiRL联立方程联立方程1、2，可解得：，可解得：k50V7518.R,.ui国家标准对半导体器件型号的命名举例如下：1)1)半导体器件型号命名方法半导体器件型号命名方法2)2)半导体二极管的识别与检测半导体二极管的识
24、别与检测(1)目测判别极性目测判别极性触丝触丝半导体片半导体片(2)用万用表检测二极管用万用表检测二极管在在 R 1k 挡进行测量，挡进行测量，红红表笔是表笔是(表内表内)负极负极,黑黑表笔是表笔是(表内表内)正极正极测量时手不要接触引脚测量时手不要接触引脚1.用万用表指针式检测用万用表指针式检测 1k 0 0 0一般硅管正向电阻为几千欧一般硅管正向电阻为几千欧锗管正向电阻为几百欧锗管正向电阻为几百欧正反电阻相差不大为劣质管正反电阻相差不大为劣质管正反电阻都是无穷大或零正反电阻都是无穷大或零则二极管内部断路或短路则二极管内部断路或短路 二极管的运用基础运用基础,就是二极管的单向单向导电特性导电
25、特性。在应用电路中,关键是判断二极关键是判断二极管的导通或截止管的导通或截止。u二极管导通时一般用电压源.V(硅管,如是锗管用.V)代替,或近似用短路线代替。u截止时,一般将二极管断开,即认为二极管反向电阻为无穷大。ER+U1-+UO-UI UI E+0.7vE+0.7v UI E+0.7vUO=E0tUiE0tUO把输出幅度限在电平E+0.7v内输出电压小于E+0.7V 当输入信号电压在一定范围内变化时当输入信号电压在一定范围内变化时,输出电压随输出电压随输入电压相应变化；输入电压相应变化；而而当输入电压超出该范围时当输入电压超出该范围时,输出输出电压保持不变电压保持不变,这就是限幅电路。这
26、就是限幅电路。1)1)限幅电路限幅电路限幅电路的作用是限幅电路的作用是限制输入限制输入/输出信号幅度的大小输出信号幅度的大小。电路如下：电路如下：ER+U1-+UO-UI UI E+0.7vE+0.7v UI E+0.7vUO=E0tUiE0tUO把输出幅度限在电平把输出幅度限在电平E+0.7v内内输出电压小于E+0.7V 通常将输出电压通常将输出电压Uo开始不变的电压值称为开始不变的电压值称为限幅电平限幅电平,改变改变值就可改变限幅电平。值就可改变限幅电平。当输入电压高于限幅电平时当输入电压高于限幅电平时,输出电压保持不变的限幅输出电压保持不变的限幅称为称为上限幅上限幅；当输入电压低于限幅电
27、平时当输入电压低于限幅电平时,输出电压保持不变的限幅输出电压保持不变的限幅称为称为下限幅下限幅。VDuiuoRE(1).并联二极管上限幅电路并联二极管上限幅电路V,限幅电平为限幅电平为V。图（。图（a）u时二极管导通时二极管导通,uoV；uiV,二极管截止二极管截止,uou。VDuiuoRE并联二极管上限幅电路并联二极管上限幅电路Um,则限幅电平为则限幅电平为。图（。图（b）u,二极管截止二极管截止,uou；u,二极管导通二极管导通,uo。并联二极管上限幅电路并联二极管上限幅电路m,则限幅电平为则限幅电平为-E,。图（图（c）u,二极管导通二极管导通,uo；u,二极管截止二极管截止,uou。V
28、DuiuoRE tuiO(b)Euo tOE tui(a)UmuoO tUmO tuiO(c)EuoEO tV,限幅电平为限幅电平为V。u时二极管导通时二极管导通,uoV；uiV,二极管截止二极管截止,uou。图（。图（a）Um,则限幅电平为则限幅电平为。u,二极管截止二极管截止,uou；u,二极管导通二极管导通,uo。图（图（b）m,则限幅电平为则限幅电平为-E,。图（图（c）VDuiuoER（2）并联下限幅电路并联下限幅电路 将并联上限幅电路中的二极管将并联上限幅电路中的二极管反接反接，将构成，将构成并联并联下限幅下限幅电路电路 VDuiuoRE并联下限幅电路并联下限幅电路 并联上限幅电路
29、并联上限幅电路（3）串联下限幅电路串联下限幅电路电路如图所示。因为二极管电路如图所示。因为二极管VD与负载电阻与负载电阻RL串联，故称串联，故称为串联限幅电路。为串联限幅电路。a）电路图）电路图 b）波形图）波形图图图 二极管串联下限幅电路二极管串联下限幅电路时当时，当onioonionioUuuUuUuu0uo的波形如图（的波形如图（b）所示。）所示。设输入信号设输入信号ui为正弦波。则为正弦波。则VDuiuoR(a)上限幅EVDuiuoR(b)下限幅E（4）串联限幅电路串联限幅电路将两个二极管VD1和VD2反向并联在电路的输出端，即可构成双向限幅电路，如图所示。（5）双向限幅电路双向限幅电
30、路 a）电路图）电路图 b）波形图）波形图图图 二极管双向限幅电路二极管双向限幅电路设输入信号设输入信号ui为为正弦波。则正弦波。则时当时，当时，当onionioonionoonionoUuUuuUuUuUuUuuo的波形如图（的波形如图（b）所示。）所示。2 2）二极管门电路）二极管门电路 UAUoVD1RUCCVD2VD3UBUC图 1 -23 二极管“与”门电路 1 1）发光二极管）发光二极管 LED(Light Emitting Diode)LED(Light Emitting Diode)1.符号和特性符号和特性工作条件：工作条件：正偏正偏一般工作电流几十一般工作电流几十mA，导通电
31、压导通电压1 2V2.主要参数主要参数电学参数：电学参数：I FM ,U（BR）,IR光学参数：光学参数：峰值波长峰值波长 P，亮度亮度 L，光通量光通量 发光类型：发光类型：可见光：可见光：红、黄、绿红、黄、绿显示类型：显示类型：普通普通LED，不可见光：不可见光：红外光红外光，点阵，点阵LED符号符号u/Vi /mAO2特性特性七段七段LED 材料和结构材料和结构：发光二极管由砷化镓、磷化镓等：发光二极管由砷化镓、磷化镓等半导体材料组成。由于半导体材料组成。由于电子空穴的复合电子空穴的复合产生发产生发光能量。是一种光能量。是一种电变成光电变成光的能量转换器件。的能量转换器件。电路中常用做指
32、示或显示及光信息传送。电路中常用做指示或显示及光信息传送。单个发光单个发光二极管二极管七段显示发光二极管七段显示发光二极管发光二极管的主要特性颜色波长（nm）基本材料正向电压（10mA时）V光强（10mA时，时，张角张角4545）（mcd）光功率（WW）红外900砷化镓1.31.5100500红655磷砷化镓1.61.80.4112鲜红635磷砷化镓2.02.224510黄583磷砷化镓2.02.21338绿565磷化镓2.22.40.511.58补充：补充：选择二极管限流电阻选择二极管限流电阻步骤：步骤：1.设定工作电压（如设定工作电压（如0.7 V;2 V(LED);UZ）2.确定工作电流
33、（如确定工作电流（如1 mA;10 mA;5 mA）3.根据欧姆定律求电阻根据欧姆定律求电阻 R=（UI UV）/IV（R要选择标称值）要选择标称值）RUIUVIV2 2）光敏二极管）光敏二极管1符号和特性符号和特性符号符号特性特性uiO暗电流暗电流E=200 lxE=400 lx工作条件：工作条件：反反偏偏 半导体半导体PN结结共价键中的电子共价键中的电子在光子的轰击下，在光子的轰击下，很容易很容易脱离共价键脱离共价键而成为而成为自由电子（本征激发）自由电子（本征激发）。因此可以用因此可以用PN结构成光敏二极管。结构成光敏二极管。光敏二极管的光敏二极管的反向电流与光照度成正比反向电流与光照度
34、成正比。用感。用感光灵敏度来衡量。典型值为：光灵敏度来衡量。典型值为：0.1A/LxUOR+-2.主要参数主要参数电学参数：电学参数：光学参数：光学参数：光谱范围，灵敏度，峰值波长光谱范围，灵敏度，峰值波长暗电流，光电流，最高工作范围暗电流，光电流，最高工作范围3.应用电路应用电路发射发射相干单色光相干单色光的特殊发光二极管。的特殊发光二极管。主要用于小功率光电设备，如光驱、激光打印头等。主要用于小功率光电设备，如光驱、激光打印头等。3）激光二极管触敏屏发射发射红外线红外线的特殊发光二极管。的特殊发光二极管。主要用于光电开关、红外遥控、红外通讯等。主要用于光电开关、红外遥控、红外通讯等。4）红外二极管发光二极管的应用示例：发光二极管的应用示例：5 5）光电耦合器件光电耦合器件 输入输出图 1 -26 光电耦合器件 6 6）变容二极管变容二极管 图 1 -27 变容二极管符号68 结束语结束语
