1、2016.01.29 PAN IGBT分类分类/选择选择IGBT 裸片：IGBT分立元件分立元件IGBT模块模块智能模块 IPM 半导体制造从一个极薄的半导体材料圆盘开始，这个圆盘称作半导体制造从一个极薄的半导体材料圆盘开始，这个圆盘称作“晶圆晶圆”。处理工艺定义为晶体管及其它架构，通过导线相互连接构。处理工艺定义为晶体管及其它架构，通过导线相互连接构成所要求的电路。成所要求的电路。随后，晶圆被制成随后，晶圆被制成“裸片裸片”，裸片经过封装后制成，裸片经过封装后制成icic。裸片即是晶圆经过切割测试后没有经过封装的芯片。裸片即是晶圆经过切割测试后没有经过封装的芯片。1.不带反向并联二极管2 带
2、反向并联二极管带反向并联二极管：逆导型IGBT reverse conduction IGBT 逆导型逆导型IGBTIGBT等效于一个等效于一个IGBTIGBT与一个与一个PINPIN二极管反并联，只不过在同一芯片上二极管反并联，只不过在同一芯片上实现了。实现了。当当IGBTIGBT在承受反压时，这个在承受反压时，这个PINPIN二极二极管导通，称其为逆导型管导通，称其为逆导型IGBTIGBT。在关断期。在关断期间，逆导型间，逆导型IGBTIGBT为漂移区过剩载流子提为漂移区过剩载流子提供了一条有效的抽走通道，大大缩短了供了一条有效的抽走通道，大大缩短了逆导型逆导型IGBTIGBT的关断时间。
3、的关断时间。1、用在逆变回路中主要用于续流，同时由于负、用在逆变回路中主要用于续流，同时由于负载存在感性，载存在感性，IGBT关断瞬间会在关断瞬间会在IGBT两端产生两端产生极高的自感反相电压，此电压可能击穿极高的自感反相电压，此电压可能击穿IGBT。并联的二极管将这个并联的二极管将这个“自感反相电压自感反相电压”短路掉短路掉了，起到保护了，起到保护IGBT的作用。的作用。2、用在整流回路中（例如西门子的、用在整流回路中（例如西门子的SLM模块），二极管主要用于整流，模块），二极管主要用于整流，将交流电整流为直流电（进线电压的将交流电整流为直流电（进线电压的1.35倍）。而此回路中的倍）。而此
4、回路中的IGBT主要主要用于回馈。用于回馈。逆阻型IGBT逆阻型IGBT：Reverse blocking IGBT(RB-IGBT),具有反向耐压能力。内部结构经过改进，可使IGBT承受相同水平的正向和反向阻断电压；相比之下，标准的IGBT能承受的反向阻断电压仅为正向阻断电压的几分之一。逆阻型的作用可以等同于一个串联一个二极管,优点是可以替代普通和二极管串联作为单向开关,并且器件导通压降较小从而可以减小导通损耗。RB-IGBT普通IGBT+二极管IGBT Selection GuideIGBT Selection TreeCommon IGBT Applications and Topolo
5、giesIGBT模块赛米控赛米控连接触点技术应用 非常广泛，如开关，AC逆变驱动，DC伺服驱动以及机器人驱动，UPS，电焊机，开关磁阻电机，DC/DC,DC斩波，刹车斩波“模块电流范围是35-900A，电压等级有600V/1200V/1700V。”优势：低电感封装设计，高绝缘耐压值以及广泛的客户订制化的解决方案和封装类型。优点：在热设计方面要求高，可靠性高，集成度高，费用低。在SEMITOP和PCB的连接方面，它有一些固定的引脚可以焊接在PCB上。SEMITOP的压接技术和单螺丝固定方式保证了器件有更低的热阻Rth(j-s)，并且它良好的机械压接保证了SEMITOP有更好的功率循环能力和更高的
6、可靠性。IGBT模块可用于变频器，开关，开关电源，UPS，双PFC和DC伺服驱动。所有的逆变单元都是紧凑的扁平化设计，且高度都统一为17mm，它采用了弹簧技术，控制单元全是无焊接接触，且每一基本单元都类似，可快速生产。IGBT模块可以用在AC/DC电机控制的输入整流桥中，且适用于开关电源，电流变频，UPS，电焊机装置中。经过可靠的测试证明有极高的性价比。运用了弹簧压接技术。压接技术有良好的功率循环能力.Miniskiip系列中集成度很高，包括整流，逆变和刹车结构，这些结构可用于驱动37KW的电机。MiniSKiiP还包括了三相的逆变结构，这种结构有四种封装结构，其电流范围从8A-200A，其电压等级有600V/1200V.世界上共有超过1500万MiniSKiiP模块正用在驱动以及变频器中IGBT模块拓扑结构分类模块拓扑结构分类按IGBT拓扑结构分类3-Level NPC（Neutral Point Clamped）每个器件只承受母线电压的一半相应减小输出波形与两电平相比更接近正弦波,可以减小滤波电感或者降低开关频率。
