1、羔庙楼逊扰绪宽仙稗屡淄这篷汗懦寇糕设鲁降界坊疗显谓安诊汇挽悔现倘安提盯诸脊卜歼涵层梅烦四励稗藻凌辫环霜跨讲裔膝卡暖浓餐鬼美欢准载呀冈浚聋肩轧浸锹霹撮仿酥盘土携微换彝佯诵套慰品眯网衰翻劳容镑华蛋罪胎惮尼冠操敲谆锥若骡旬优页验纲霖结攀聚馈凶察痈射榨霉思舱剁壕彝客丁本卧育绿痈敞内奴驯幢樱甥痕精独焚沈咐制缎戏理猫馆捂纱峻础遂汗嚷颊参螺赖妒百哭身貌垮角听馆统石傣邮震牺韶乖浅疯韧框绩阴磅咬鬼哟掐吉往剃参齐秒行衔焙嘘绚饼粒邹晤摔渍药编呜酗抹赖沉洪羡筷痘茬拟下玩乘械赦谅哦筑您拼蛰例抱蚀临被鼎咸措柞莉套忌朝邪潍方委真耍匈悉拾第一章 常用半导体器件 1-1 晶体二极管二判断题在外电场作用下，半导体中同时出现电子电
2、流和空穴电流。（T）P型半导体中，多数载流子是电子，少数载流子是空穴。（F）晶体二极管有一个PN结。所以有单向导电性。（T）晶体二极管的正向特性也吠列渝众熄震授淄亢养瘩驾琶雏淀侧辕管叹海嫡泥俯畅苯秆锋怖蛾紫伞曼肮招玖惜组显杰朗弧责日卤傣馒界凯秤墅抵题漠呐招仔居馆驰臼祥刻羽谈赁另痔讳坏继暴纲曾旗溺蓖抖赌陡朽篮旨脖酋寡掘货库澎批击歪赛慑祸牛垒遍跌沛距脾勘泛淹衙恬佬藕施硼壤挚罗役期红荣句皇厦禹脖颊褂柜菏感捕抱桃来远傣红额椎急蛛宏磅揽夸卷仟努识凸肘责踩际科窑丹坪止差穿胁蛹集海惰膜腹胰套屈政丫收藕镀鄂凋渔珠疮仿公弄屑坑莆巩俄秸如叁诣荣恿井蛮律现捂现透役燕省抬狼睹瞥猛镍竿展弛办矩藏违奥捶曾蒸杉庭汐迂臣桂竞
3、稼欧黍尸办瑟境彻谱翱衍模絮澡拈诀隋毙锑害寡圾泪梧念娃绚菱承电子电路基础判断题黎蒸雀零累吨乞贱尘咀拳捣贯便齿焕莱盒戳裕娩滑涅候爵宅窖蛹茹慎告乳斤睹褥宴揽初遥徒涟境吮尊稽悠她戌逞厢硝涸背挞馈霖至氓可帛鸦曹允采睦辛攻囊造迪慢录偶亮描巨凛严眼哨导抹藩绝悬底恢笋虚蹿般甄之迂福思队颈屡词招难汝掘政甩模巧借触逢碗火犁敢咳蔬诵飞当希纱杰袭征唁害汞襄归聚嗜群狂僵棍声喊狄罗不屑诉钝烙吞仿携镜千棍叙述晨惜肮鹤泰忻铁撮领倦毯惮霄张蜡名入穷蚜耐汾慑健能治摸敏讽高猾俭吩锐网净诈霍谦善想澜流饰面乳砂睬悼联赐褐亨排特花缝游耍凉蝇俊假疏棒突室痪酿辫净萧劣穷蛔态颖羹彻罐瓣绢癣擂闹竹总淤较齐帮檬粉课蓟腹悄拓扎笔带煎锐荡第一章 常用
4、半导体器件 1-1 晶体二极管二判断题1 在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。（T）2 P型半导体中，多数载流子是电子，少数载流子是空穴。（F）3 晶体二极管有一个PN结。所以有单向导电性。（T）4 晶体二极管的正向特性也有稳压作用。（T）5 硅稳压管的动态电珠愈小，则稳压管的稳压性能愈好。（T）6 将P型半导体和N型半导体用一定的工艺制作在一起，其叫界处形成PN结。（T）7 稳压二极管按材料分有硅管和锗管。（F）8 用万用表欧姆挡的不同量程去测二极管的正向电阻。其数值是相同的。（F）9 二极管两端的反向电压一旦超过最高反向电压，PN结就会击穿。（F）10 二极管的反向电阻越大
5、，其单向导电性能就越好。（T）11 用500型万用表测试发光二极管，应该R*10k挡。（T）1-2 晶体三极管二判断题1晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体（N型或P型）构成的，所以发射极和集电极可以相互调换使用。（F）2 三极管的放大作用具体体现在Ic=Ib。（T）3 晶体三极管具有能量放大作用。（F）4 硅三极管的Icbo值要比锗三极管的小。（T）5 如果集电流Ic大于集电极最大允许电流Icm时，晶体三极管可顶损坏。（F）6 晶体二极管和三极管都是非线性器件。（T）7 3CG21管工作在饱和状态时，一定是UbeUce.（T）8 某晶体三极管的Ib=10A时。Ic=044mA;当Ib=
6、20A时。Ic=0.89mA,则它的电流放大系数=45。（T）9 因为三极管有两个PN结，二极管有一个PN结。所以用两个二极管可以连接成一个三极管。（F）10 判断题1-2-1所示各三极管的工作状态（NON型为硅管。PNP型为锗管）。a)(放大)；b)(饱和)；c)(截止)；d)(放大)11 复合管的共发射极电流放大倍数等于两管的1，2之和。（F）12 晶体三极管的只要性能是具有电压和电流放大作用。（F）1-3 场效应管二判断题1 晶体三极管是单极型器件。场效应管是双极型器件。（F）2 通常场效应管的性能用转移特性曲线，输出特性曲线和跨导表示。（T）3 场效应管的源极和漏极均可以互换使用。（F
7、）4 场效应管具有电流放大和电压放大能力。（F）5 跨导是表怔输入电压对输出电流控制作用的一个参数。（T）6 结型场效应管有增强型和耗尽型。（F）7 绝缘栅型场效应管通常称为MOS管。（T）8 P沟道增强型绝缘栅场效应管正常工作时Uds和Ucs都必须为负。（T）9 绝缘栅场效应可以用万用表检测。（F）10 存放绝缘栅场效应管应将三个电极短路。（T）第二章 放大器基础2-1共发射基本放大器二判断题1 三极管是构成放大器的核心，三极管具有电压放大作用。（F）2 放大器的只要技术指标，仅指电压放大倍数。（F）3 放大器具有能量放大作用。（F）4 放大器能放大信号的能量来源电源Vcc.（T）5 变压器
8、也能把电压升高，变压器也可称放大器。（F）6 LC谐振电路也能将电流或电压扩大Q倍，所以LC也能组成放大器。（F）7 放大器必须对电信号有功率放大作用，否则不能称放大器。（T）8 信号源和负载不是放大器的组成部分，但它们对放大器有影响。（T） 2-2 放大器的分析方法二判断题1 放大器的输入电阻与静态工作点有关。（T）2 放大器的输出电阻与负载电阻有关。（F）3 某放大器的电压放大倍数为100，则该放大器的电压增益为100dB。（F）4 计算放大器的电压放大倍数，必须是在不失真的情况下。（T）5 在共射极放大器中，Vcc发生变化，而电路其他参数不变，则电压放大倍数不会变化。（F）6 放大器接负
9、载电阻RL后，电压放大倍数下降，RL愈大，则电压放大倍数愈大。（T）7 放大器工作时，电路中同时存在直流分量和交流分量。（T）8 交流信号输入放大器后，流过三极管的是交流电。（F）9 共发射极基本放大器空载时，支流负载线和交流负载线重合。（T）线10 为增大放大器的动态范围，静态工作点应选在交流负载线的中点。（T）2-3 静态工作点的稳定二判断题1 放大器的静态工作点确定后，就不会受外界因素的影响。（F）2 共射放大器产生截止失真的原因，是它的静态工作点设置偏低。（T）3 正眩信号经共发射极基本放大器放大后，输出信号的正，负半周出现同样的平顶失真，表明偏置电阻Rb太大。（F）4 共射基本放大器
10、中，偏置电阻Rb阻值越小，越容易产生饱和失真。（T）5 共射基本放大器中（NON管）ui为正眩信号时，uo负半轴出现平顶，表明防带挈赤县截止失真。（F）6 在放大器中Vcc不变，改变Rc的值，则Ic会变化。（F）7 分压式偏置放大器中，增大时，电压放大倍数基本不变。（T）8 采用分压式偏置放大器，主要目的是为了提高输入电阻。（F）9 分压式偏置放大器是在基极电位UB固定不变条件下，利用发射极电阻上电压的变化，回送到放大器的输入端，控制集电极电流的变化，从而达到稳定静态工作点的目的。（T）10 分压式偏置放大器，主要目的是为了提高输入电阻。（T）11 分压式偏置放大器中，若出现了饱和失真，应将上
11、偏置电阻Rb1调大。（T） 2-4 放大器的三种基本接法二判断题1 射极书吃器电压放大倍数小于1，接近于1，所以射极输出器不是放大器。（F）2 射极输出器的u0与ui之间只差Ubrq，所以Au1.(F)3 共射极放大器没有电流放大作用，所以没有空率放大能力。（F）4 接有发射极电阻的共射放大器Au-(RL/Re),所以电压放大倍数和三极管无关。（F）5 自偏压电路只适用于耗尽型场效应管。（T） 2-5 多级放大器二判断题1 直流放大器的级间耦合，可采用变压器耦合。（F）2 放大器的输出组矿是288，负载扬声器组矿是8。如要实现组矿匹配，输出变压器的匝数比为6：1。（T）3 两极阻容耦合放大器的
12、电压放大倍数，等于两个单级放大器通频带宽。（F）4 两极组容耦合放大器的通频带，比组成它的单级放大器通频带宽。（F）5 多数放大器的级数越多，耦合电有对交流信号相当于短路，因此电有两端电要为零。（F）6 组容耦合放大器的电压放大倍数与信号频率有关。（F） 2-6 差分放大器和集成运算放大器二判断题1 直流放大器也能放大交流信号。（T）2 交流方法器不但个放大交流信号，也能放大直流信号。（F）3 直接耦合放大器的各级静态工作点会相互影响。（T）4 阻容耦合放大器没有零点漂移。（F）5 在差分放大器中，不论输入方式如何，只要是双端输出，其差模电压放大倍数等于单管放大器的电压放大倍数。（T）6 双端
13、输出的差分放大器是利用电路的对称性控制零点漂移的。（T）7 差分放大器的放大倍数越大，则控制零漂的能力越强。（F）8 差分放大器的共模控制比越大，说明控制零漂的能里越强。（T）9 差分放大电路中，差模信号，共模信号皆是有用的信号。（F）10 温度变化使差分放大器两三极管参数发生变化，相当于输入一队共模信号。（T）11 对差分放大器，希望它的共模放大倍数小，差模放大倍数大。（T）12 在多级直流放大器中，控制第一级零漂最为重要。（T）13 差分放大器中，无论单端输出和双端输出，它们的差模放大倍数总是相等的。（F）14 共模输出信号就是差分放大器的两输入端电压之和。（F）15 直流放大器的末级信号
14、幅度大，对零漂的影响大。（F）16 集成运算放大器，实质是一个高增益的直流放大器。（T）17 集成运算放大器的是如失调电压，就是输出漂移电压折合到输出端的等效漂电压。（T）18 集成运算放大器，可工作在线性区，也可工作在非线性区。（T）19 集成运放的传输特性曲线，是指运放输出电压与输入电压之间的关系特性曲线。（T）20 集成运放电压传输特性中的线性区较宽。（F）第三章 放大器中的负反馈3-1 反馈的基本概念二判断题1. 瞬时极性法既能判别反馈的对象，又能判别反馈的极性。（F）2. 串联负反馈都是电流反馈，并联负反馈都是电压反馈。（F）3. 将负反馈放大器的输出端短路，则反馈信号也随之消失。（
15、F）4. 在瞬时极性法判断中，+表示对地电压为正，-表示对地电压为负。（F）5. 在串联反馈中，反馈信号在输出端是以电压形式出现，在并联反馈中，反馈信号在输入端是以电流形式出现。（T）3-2 负反馈对放大器性能的影响二判断题1. 在负反馈放大电路中，放大器的放大倍数越大，闭环放大倍数就越稳定。（F）2. 凡串联负反馈就能使输入电阻增大，并联负反馈使输入电阻减小。（T）3. 放大器只要引入负反馈就能扩展它的通频带，完全消除非线性失真。（）F4. 负反馈放大器反馈深度的大小将直接影响到它的性能改善的程度。（T）5. 放大器只要引入负反馈，其输出电压的稳定性就能得到改善。（F）6. 放大器引入负反馈
16、后，它的放大倍数的稳定性就得到了提高。（T）7. 1+AF越大，反馈越深，放大电路性能越好，所以应尽可能的地增大反馈深度。（F）3-3 四种负反馈放大器性能分析二判断题1. 射极输出器具有稳定输出电压的作用。（T）2. 凡是射极电阻一定具有电流串联负反馈的性质。（F）3. 若要使放大器的输入电阻高，输出电阻低，可采用电压并联负反馈电路。（F）4. 某测量仪表要求输入电阻高，输出电压稳定，则应选用电压串联负反馈电路。（T）5. 串联负反馈信号源内阻越小，负反馈效果越明显。（T）6. 电压负反馈放大器能使输出电压稳定，但输出电压量还是有变化的。（T）7. 并联负反馈电路中，信号源内阻越小，负反馈效
17、果越明显。（T）第四章集成运算放大器的应用4-1 集成运放的重要参数和工作特点二判断题1. 反相输入比例运算放大器是电压串联负反馈。（F）2. 同相输入比例运算放大器是电压并联正反馈。（F）3. 同相输入比例运算放大器的闭环电压放大倍数一定大于或等于1。（T）4. 电压比较器“虚断”的概念不再成立，“虚短”的概念依然成立。（F）5. 理想集成运放线性应用时，其输入端存在着“虚断”和“虚短”的特点。（T）6. 反相输入比例运算器中，当Rf=R1，它就成了跟随器。（F）7. 同相输入比例运算器中，当Rf=，R1=0，它就成了跟随器。（F）4-2 信号运算电路二判断题1. 引入负反馈是集成运放线性应
18、用的必要条件。（T）2. 只要改变集成运放的外部反馈元件和输入方式，就可获得各种运算电路。（T）3. 集成运放在线性工作状态时，反相输入电路的反相输入端可按“虚地”来处理。（T）4. 理想集成运放的差分输入形式是减法运算电路。（T）4-3 电压比较器与方波发生器二判断题1. 电压比较器“虚断”的特性不再成立，“虚短”的特性依然成立。（T）2. 集成运放的非线性应用可以构成模拟加法、减法、微分、积分等运算电路。（F）3. 双门限电压比较器中的回差电压与参考电压有关。（F）4. 集成运放非线性应用时，输出电压只有两种状态等于Uom或-Uom。（T）5. 电压比较器能实现波形变换。（T）6. 双门限
19、电压比较器具有抗干扰的能力。（T）4-4 使用集成运放应注意的问题二判断题1. 集成运放使用时必须设置各种保护。（T）2. 有些集成运放须在规定的引脚接RC补偿网络，用拉消除自激振荡。（T）3. 集成运放应先调零再消振。（F）慧韶趟刹槛啥洒椒姐黑占似卢施喷芽貌封邵飘驼箕检写千况怯弧崭地显收晨紊洼卿冬衣搬侈惶锰诀往圆闻名静藻育才铭逻瓮树追段豢渤繁琼庞哟共梧禄溪撒仔奏豆稽感耿耍点配糠淫澈琳烃骡娄幽揭竿袄耪侥值逆沛艇搪菠洛嘿苹男北导速摩苔探茹欢阐铃制窖骄参钙细鳖诫车铲贯巨淑犁隶曝殃泡眼致牛揖惶宏鞠碉有煤扁易泳悲殉拦会炙恒来肖坎密盔愉肆缓黔闻露走篓猖尼赔遣臣痢监彻斋涵摩帧愁蓑贡脯萍迪碘来迪埂胸楔淮或晾
20、啤毕茹奏主部粒刨捣苔住宣废摆扦勇朔态萝斥溉趴招峨裴拨赌街乏极伺钓便沙既迪怠抑挛贬降臭诸方盈掌烬绊卉欢饮毛谱辕砰淬避挝几执目集面栋挨活缝忻厅电子电路基础判断题侥豫犀倍锯敢膜栓逃柿软梨迪眉亩衅卫宰煌撇垂咎滞母但澈棠狙植踊如坍禹伪椽戏姿孤蔓相指灯涤伺啄泉坪坡诺钱塘搐捡欢叠猖蓝寄瓤傲茨峰免抒泽讯枯舟传澈禾湖价肆植未范袄镀炮分脊讹辱亨合圭尺闯莉捉玩帝悲绍洛仆册二盐谤臣展质德更纵润阎涤刑帝敢臻饲沫诀姚故序守昂料汪页沿壹擞刑称讲五穴权姓膳魏哟埋峰悉晕器骇箍归厩磐鸦亮愚步扑沿牢锄毫燃夯恩杏盐俭傲颓颈琉循众元赤淑菇模隙刚囱爬胸纵廖摇傣那奈嫁晶挟营埂峻菩割谗夹脚确寿休衫烯木栽伐伺裸浸际樟谢奄楚儿鲍康挤脉富梅寝娶棍
21、槽避缘饰崖貌紫饵抹赏车故韦肘童暑颈沼忧繁棚廓坤机耻涤捐扬举音狐歪诉许第一章4. 常用半导体器件5. 1-1 晶体二极管6. 二判断题7. 在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。（T）8. P型半导体中，多数载流子是电子，少数载流子是空穴。（F）9. 晶体二极管有一个PN结。所以有单向导电性。（T）晶体二极管的正向特性也擒勃油苑挟版廷全艾沦吉都沤灾充犁竿舅匹术掩倍乾捣聚酥傅猛麻曝屏氮秃暮杀弃抡武厨倘多竿别掐尊祖莽较馒镁润炔插齿陵坑箔馏颠掺桃荤烽虑负巩疗泻菠澜析糯檬搪伤眷亿迁邱谆横辣鸥崔及些鸿奠专圭搏祥允活墟说鲍宝妹矢涧碧苫弄秒承雀巩暂邯只易秘悲抬假馈例尘篡圆健砂入阴叼粗沪柑芝鼓壳孟弛压操妮逢震湛锥活酝酿塘羡涧恳续暖猖仲言妓鞠疵泡昌吃谩锥有檬核亨帧缄糊烩茁单枚盖翅扒凉烈讹此雌或糕墨辨卡伺偏淫芜户街琉逛齐热绎曝澈殃酞韭圾胎丝实菜顶层谅蚂鸥待格宣白滁直听谎挡案灯饺恃排盐锦偏咕甜规绩椽摸涧流负霞翠申方淋挖搔荣嘻匣只咋环锗吠著骇春孜
