1、学习目标了解了解1、湿度对二极管伏安特性的影响1、二极管的伏安特性掌握掌握一、二极管的伏安特性曲线一、二极管的伏安特性曲线二极管的伏安特性方程二极管的伏安特性方程当当 T=300(27T=300(27C)C)：二极管的伏安特性)1e(/SDD TUuIiqkTUT 温度的电温度的电压当量压当量反向饱和反向饱和电流电流UT =26 mV玻尔兹曼玻尔兹曼常数常数电子电量电子电量1.1.正向特性正向特性二极管的伏安特性i iD D =0=0U Uth th=0.5 V0.5 V 0.1 V0.1 V(硅管硅管)(锗管锗管)u uD D U Uththi iD D 急剧上升急剧上升0 0 u uD D
2、 U Uthth U UD(on)D(on)=(0.6(0.6 0.8)V0.8)V 硅管硅管 0.7 V0.7 V2.2.反向特性反向特性-U-U(BR)(BR)u uD D 0 0 i iD D=I IS S 0.1 0.1 A A(硅硅)几十几十 A A(锗锗)3.3.反向击穿特性反向击穿特性u uD D -U U(BR)(BR)反向电流急剧增大反向电流急剧增大(反向击穿反向击穿)O OuD/ViD/mA正向特性正向特性Uth反向特性反向特性I IS S-U(BR)反向击反向击穿穿死区电压死区电压二极管的伏安特性l反向击穿类型：电击穿PN结未损坏，断电即恢复 热击穿PN结烧毁l反向击穿原
3、因：齐纳击穿：反向电场太强，将电子强行拉出共价键。(击穿电压 6 V，正温度系数)l击穿电压在 6 V 左右时，温度系数趋近零。4、硅管与锗管特性比较：二极管的伏安特性死区电压和导通电压大，死区电压和导通电压大，反向电流小，单向导电性反向电流小，单向导电性和温度稳定性好和温度稳定性好硅管的伏安特性硅管的伏安特性锗管的伏安特性锗管的伏安特性604020 0.02 0.040 0.4 0.82550iD/mAuD/VUthIsiD/mAuD/V0.20.4 25 50510150.010.020UthIs死区电压和导通电压小，死区电压和导通电压小，反向电流大，单向导电性反向电流大，单向导电性和温度稳定性较差。和温度稳定性较差。二、温度对二极管伏安特性的影响二、温度对二极管伏安特性的影响当环境温度升高时，二极管的正向特当环境温度升高时，二极管的正向特性将左移，反向特性将下移。性将左移，反向特性将下移。二极管的伏安特性 50I/mAU/V0.20.4 25510150.010.020温度增加温度增加二极管的伏安特性二极管的伏安特性小结小结感谢您的观看感谢您的观看江苏信息职业技术学院模拟电子技术与应用模拟电子技术与应用 Thank youThank you
