1、1.1.什么是本征半导体？什么是杂质半导体？各有什么特点。什么是本征半导体？什么是杂质半导体？各有什么特点。2.N2.N型半导体是在本征半导体中掺入型半导体是在本征半导体中掺入_价元素，其多数价元素，其多数载流子是载流子是_ ，少数载流子是少数载流子是_。4.4.在室温附近，温度升高，杂志半导体中在室温附近，温度升高，杂志半导体中_的浓度将明的浓度将明显增加。显增加。5. 5. 什么是载流子的扩散运动、漂流运动？他们的大小主什么是载流子的扩散运动、漂流运动？他们的大小主要与什么有关？要与什么有关？3.3.型半导体是在本征半导体中掺入型半导体是在本征半导体中掺入_价元素，其多数价元素，其多数载流
2、子是载流子是_，少数载流子是，少数载流子是_。return. . 在室温下，对于掺入相同数量杂质的在室温下，对于掺入相同数量杂质的型、型、N N型半导体，型半导体，其导电能力其导电能力_。（）二者相同；。（）二者相同； （）（）型导电能力型导电能力强；（）型导电能力强；强；（）型导电能力强；.PN.PN结是如何形成的？在热平衡下，结是如何形成的？在热平衡下，PNPN结中有无净电流流过？结中有无净电流流过？8.PN8.PN结结中扩散电流的方向是中扩散电流的方向是_ ，漂移电流的方向是，漂移电流的方向是_ 。9 9.PN.PN结结未加外部电压时，扩散电流未加外部电压时，扩散电流_漂移电流；加正向漂
3、移电流；加正向电压时，电压时，扩散电流扩散电流_漂移电流，其耗尽层漂移电流，其耗尽层_；加反；加反向电压时，扩散电流向电压时，扩散电流_漂移电流漂移电流, ,其耗尽层其耗尽层_；1010. .什么是什么是PNPN结结的击穿现象？击穿有哪两种？击穿是否意味的击穿现象？击穿有哪两种？击穿是否意味PNPN结坏了？为什么？结坏了？为什么？1111. .什么是什么是PNPN结结的电容效应？何谓势垒电容、扩散电容。的电容效应？何谓势垒电容、扩散电容。PN PN 结正向运用时，主要考虑什么电容？反向运用时，主要考虑结正向运用时，主要考虑什么电容？反向运用时，主要考虑何种电容？何种电容？1212. .二极管的
4、直流电阻二极管的直流电阻R RD D和交流电阻和交流电阻r rd d有何不同？如何在伏安有何不同？如何在伏安特性上表示？特性上表示？return14.稳压二极管是利用二极管的特性进行稳压的。（稳压二极管是利用二极管的特性进行稳压的。（a a）正向导通；（正向导通；（b b）反向截止；（）反向截止；（c c）反向击穿）反向击穿 室温下 ，当正向电流分别为 、 时估算其电阻的值mA2mA1试推导二极管正向导通时的交流电阻试推导二极管正向导通时的交流电阻IUdIdUdTrmVUT261313. .二极管的伏安特性方程为二极管的伏安特性方程为) 1(TUUeIISDVDR+_uiuo5V15.15.二
5、极管电路如图所示二极管电路如图所示, ,已知输入电压已知输入电压 , ,二二极管的正向压降和反向电流均可忽略极管的正向压降和反向电流均可忽略. .试画出输出电压试画出输出电压 的的波形波形. .VDR+_uiuoVDR+_uiuoVDR+_uiuo5V)(sin30Vtuiou(a)(b)(c)(d)return16.电路如图所示, ,试画出输出电压 的波形.)(sin5VtuiouVD1R+_uiuo1VVD2VD1R+_uiuo2V1VVD2(a)(b)17.由理想二极管组成电路如图所示,试确定各电路的输出电压.VD1RVD2VD3+6V0V-6V-18VUo(a)(b)6kVD1RVD2
6、VD3+6V0V-6V+18VUo6kreturn18.为了使三极管能有效地起放大作用,要求三极管的发射区掺杂浓度 ；基区宽度 ；集电结结面积比发射结结面积 ,其理由是什么？如果将三极管的集电极和发射极对调使用(即三极管反接),能否起放大作用?19.三极管工作放大区时,发射接结为 ,集电结为 ；工作在饱和区时，发射结_,集电结_；工作在截止区时，发射结为_，集电结为_。(a)正向偏置,(b)反向偏置,(c)零偏置20.工作在放大区的某三极管，当IB从20A增大40A到时，IC从1mA变成2mA。它的约为 。(50,100,200)21.工作在放大状态的三极管，流过发射结的电流主要是 ,流过集电
7、结的电流主要是 。 (a)扩散电流,(b)漂移电流22.当温度升高时,三极管的 ,反向饱和电流ICBO ,UBE _ 。 return23.某三极管,其=0.98,当发射极电流为2mA时,基极电流是多少?该管的为多大? 另一只三极管,其=100,当发射极电流为5mA时,基极电流是多少?该管的为多大?24.三极管的安全工作区受到哪些极限参数的限制?使用时,如果超过某项极限参数,试分别说明将会产生什么结果.25.放大电路中两个三极管的两个电极电流如图所示.(1)求另一个电极电流,并在图上标出实际方向.(2)判断它们各是NPN还是PNP型管,标出e、b、c极。(3)估算它们 和的值.0.1mA4mA
8、(a)()0.1mA6.1mA(b)return26.放大电路中，测得几个三极管的三个电极电压U1、U2、U3分别为下列各组数值，判断它们是NPN型还是PNP型，是硅管还是锗管，并确定e、b、c。 （1）U1=3.3V U2=2.6V U3=15V （2）U1=3.2V U2=3V U3=15V （3）U1=6.5V U2=14.3V U3=15V （4）U1=8V U2=14.8V U3=15V27.用万用表测量某些三极管的管压降为下列几组值,说明每个管子是NPN型还是PNP型,是硅管还是锗管,并说明它们工作在什么区域.（1）UBE =0.7V, UCE = 0.3V （5） UBE =-0
9、.2V, UCE =-0.3V（2）UBE =0.7V, UCE = 4V （6） UBE =-0.2V, UCE =-4V（3）UBE =0V, UCE =4V （7） UBE =0V, UCE =-4Vreturn28.电路如图所示,已知三极管为硅管,UBE=0.7V，=50，ICBO可不计,若IC=2mA希望,试求(a)图Re和（b）图Rb的值,并将二者进行比较。6V10VRb6V10VRe(a)(b)return29.场效应管又称为单极性管,因为_;半导体三极管又称为双极性管,因为_。30.半导体三极管通过基极电流控制输出电流,所以属于_控制器件，其输入电阻_;场效应管通过控制栅极电极
10、,控制输出电流,所以属于_控制器件,其输入电阻_。31.简述N沟道结型场效应管的工作原理.32.简述绝缘栅N沟道增强型场效应管的工作原理.33.绝缘栅N沟道增强型与耗尽型场效应管有何不同?34.场效应管的转移特性曲线如图所示,试表出管子的类型(N沟道还是P沟道,增强型还是耗尽型,结型还是绝缘型)0(a)0uGSiDUT(c)0uGSiDUT(d)-UpuGSiDIDSS-Up0uGSiD(b)IDSSreturn35.已知N沟道结型场效应管的IDSS=2mA,UP=-4V画出它的转移特性曲线.36.已知某MOS场效应观的输出特性如图所示,分别画出时的转移特性曲线.returniD/mAuDS/
11、V12343690return37.场效应管放大电路及管子转移特性如图所示.(1)计算静态工作点参数IDQ、UGSQ、UDSQ。(2)若静态工作点处跨导gm=2mA/V,计算Au、ri、ro。+_+_UiUoVC1C2+UDD=+18V200k10k10k10k62k2.238.源极跟随器电路如图所示,设场效应管参数UP=-2V， IDSS=1mA(1)用解析法确定静态工作点ID、UGS、UDS及工作点跨导(2)计算Au、ri、ro。12K _+_UiUoVC1C2+RG12RG560kRS12k+UDD=+15VRL39.由场效应管及三极管组成两级放大电路如图所示,场效应管参数为IDSS=2
12、mA，gm=1mA/V;三极管参数rbb=86，=80(1)估算电路的静态工作点(2)计算该两级放大电路的电压放大倍数Au及输入电阻ro和输出电阻ri2.五、电子、空穴3.三、空穴、电子4.少子6.（a）7无89等于、大于、变窄、小于、变宽。TDTTUUTUUSDdUIUSdUedIdUdIreI1)1(113.DDTIIUdr26(常温下UT = 26mV)当ID=1mA时，rd= 26；当ID= 2mA时， rd= 13return14.（c）(c)ttt(a)tt(b)15.t(d)uouot(a)16.uot(b)tuot17.（a）Uo= +6V （b）Uo= -6V18.高、窄、大
13、19.（a）、（b）；（a）、（a）；（b）、（b）。20.50)2040() 12(AmAIIBC21.（a）、（b）22.增大、增大、减小23.491IC =IE=1.96mA IB =IE-IC =0.04mA25.0.1mA4mA(a)0.1mA6.1mA(b)4.1mAb ce=40=0.976PNPbce6mA=60=0.98NPNreturnreturn26.（1）NPN 硅 b、e、c （2）NPN 锗 b、e、c （3）PNP 硅 c、b、e （4）PNP 锗 c、b、e27.（1）NPN 硅 饱和 （2）NPN 硅 放大 （3）NPN 硅 截止 （4）PNP 锗 饱和 （5）PNP 锗 放大 （6）PNP 锗 截止 28.（a）UBE+IERe-6=0 Re=2.65k （b）IBRb+UBE=6 Rb=132.5k
