1、kThvjkTEjkTEEjjePPePPePPNNj00000ckN0cLKIIAt4343.0log0)exp(0cLkIIvtkcA 燃气燃气 助燃气助燃气 燃烧速度燃烧速度/cm.s-1 温度温度/oC 特特 点点 C2H2 Air 158-266 2100-2500 温度较高，最常用（稳定、噪声小、温度较高，最常用（稳定、噪声小、重现性好，可测定重现性好，可测定 30 多种元素）多种元素） C2H2 O2 1100-2480 3050-3160 高温火焰，可作上述火焰的补充，高温火焰，可作上述火焰的补充，用于其它更难原子化的元素用于其它更难原子化的元素 C2H2 N2O 160-28
2、5 2600-2990 高温火焰，具强还原性（可使难分高温火焰，具强还原性（可使难分解的氧化物原子化） ， 可用于多达解的氧化物原子化） ， 可用于多达 70多种元素的测定。多种元素的测定。 H2 Air 300-440 2000-2318 较低温氧化性火焰较低温氧化性火焰，适于共振线位，适于共振线位于短波区的元素（于短波区的元素（As-Se-Sn-Zn） H2 O2 900-1400 2550-2933 高燃烧速度，高温，但不易控制高燃烧速度，高温，但不易控制 H2 N2O 390 2880 高温，适于难分解氧化物的原子化高温，适于难分解氧化物的原子化 丙烷丙烷 Air 82 2198 低温
3、，适于易解离的元素，如碱金低温，适于易解离的元素，如碱金属和碱土金属。属和碱土金属。 来源：来源：试样粘度、表面张力等物理性质的差异使其进入火焰试样粘度、表面张力等物理性质的差异使其进入火焰 的速度或喷雾效率改变引起的干扰。的速度或喷雾效率改变引起的干扰。消除：消除：可通过配制与试样具有相似组成的标准溶液或标准加可通过配制与试样具有相似组成的标准溶液或标准加 入法来克服。入法来克服。 （二）化学干扰（二）化学干扰来源：来源：被测元素与共存元素发生化学反应生成难挥发的化合被测元素与共存元素发生化学反应生成难挥发的化合 物所引起的干扰，主要影响原子化效率，使待测元素物所引起的干扰，主要影响原子化效
4、率，使待测元素 的吸光度降低。的吸光度降低。消除：消除： 1. 加入加入释放剂释放剂：SO42-、PO43-对对Ca2+的干扰的干扰-加入加入La(III)、 Sr(II)-释放释放Ca2+； 2. 加入加入保护剂保护剂（配合剂）（配合剂）: PO43-对对Ca2+的干扰的干扰-加入加入EDTA-CaY(稳定但易破坏稳定但易破坏) 。3. 加入加入缓冲剂缓冲剂：在被测试样和标准样品中均加入过量的干扰元：在被测试样和标准样品中均加入过量的干扰元素，使干扰效应达到饱和。素，使干扰效应达到饱和。4. 化学分离化学分离：溶剂萃取、离子交换、沉淀分离等。：溶剂萃取、离子交换、沉淀分离等。（三）电离干扰（
5、三）电离干扰来源：高温导致原子电离，从而使基态原子数减少，吸光度来源：高温导致原子电离，从而使基态原子数减少，吸光度 下降。下降。消除：加入消电离剂（主要为碱金属元素），产生大电子，消除：加入消电离剂（主要为碱金属元素），产生大电子， 从而抑制待测原子的电离。如大量从而抑制待测原子的电离。如大量KCl 的加入可抑制的加入可抑制 Ca的电离，的电离， K K + e Ca+ e Ca参比谱线选择：参比线与测量线很近；参比谱线选择：参比线与测量线很近； 待测物基态原子不吸收参比线；待测物基态原子不吸收参比线； 因为共振线（此时为分析线）的总吸光度因为共振线（此时为分析线）的总吸光度AT包括基态原子
6、包括基态原子的吸收的吸收A和背景吸收和背景吸收AB，即，即A总总=A+AB 通过测量共振线旁的通过测量共振线旁的“邻近线邻近线”的吸收，得到的吸收，得到AB 此时得到净吸收度此时得到净吸收度A=A总总-ABZeeman背景校正的特点背景校正的特点 波长范围宽波长范围宽（190900nm）； 校正准确度较高，可用于强背景校正（校正准确度较高，可用于强背景校正（AB可高达可高达3.0）；）； 与非与非Zeeman效应扣背景相比，灵敏度略有下降（因为入效应扣背景相比，灵敏度略有下降（因为入射线分裂，使其光强下降）射线分裂，使其光强下降）; 仪器价格昂贵。仪器价格昂贵。 取若干份体积相同的试液（取若干
7、份体积相同的试液（cX），依次按比例加入不同量），依次按比例加入不同量的待测物的标准溶液（的待测物的标准溶液（cO），定容后浓度依次为：），定容后浓度依次为： cX ， cX+cO ， cX+2cO ， cX+3cO ， cX+4cO 分别测得吸光度为：分别测得吸光度为：AX，A1，A2，A3，A4。以以A对浓度对浓度c 做图得一直线，图中做图得一直线，图中cX点即待测溶液浓度点即待测溶液浓度。Acs0044. 0AcVs0044. 0AcD359写在最后写在最后成功的基础在于好的学习习惯成功的基础在于好的学习习惯The foundation of success lies in good habits 结束语当你尽了自己的最大努力时，失败也是伟大的，所以不要放弃，坚持就是正确的。When You Do Your Best, Failure Is Great, So DonT Give Up, Stick To The End演讲人：XXXXXX 时 间：XX年XX月XX日
