1、846 华南理工大学 2018 年攻读硕士学位研究生入学考试试卷 （试卷上做答无效，请在答题纸上做答，试后本卷必须与答题纸一同交回） 科目名称：电介质物理学 适用专业：微电子学与固体电子学 共 2 页 第 1 页 一、填空题（50 分，每空 2 分） 1、在外电场作用下，电介质内部沿电场方向感应出偶极矩的现象，称为 。位于电介质表面不能自由移动的极化电荷称为 ； 位于金属极板上能自由移动离开极板的电荷称为 。 2、 点电荷是带电体的理想模型。 在实际情况下， 只有当带电体的 时，才可以把带电体当做点电荷。 3、碱卤晶体是结构最简单的离子晶体，其主要极化形式只有 和 。 4、电介质的电导率可表示
2、为： 。提高电介质绝缘性能的途径有： （1） ； （2） 。 5、气体电介质自持放电的条件为： 。提高气体电介质击穿电压的途径有： （1） ； （2） 。 6、材料的击穿电压值与电场的均匀性有关，在非均匀电场中的击穿电压 （高于或低于）均匀电场中的击穿电压。 7、根据电介质的绝缘性能破坏的原因，电介质的击穿形式有 、 、 。 8、居里外斯定律可表示为： 。 9、离子晶体中，考虑本征电导和弱系离子电导时，电导率 随温度变化的关系式可以写成： 。 10、克劳修斯莫索缔方程可表示为： 。 第 2 页 11、电介质的表面电导不仅与电介质本身的性质有关，而且与 、 等有关。 12、按相转变的微观结构分类
3、可以将铁电晶体分成两大类： 、 。 13、按照固体电击穿理论，当单位时间内电子获得的能量速率与消耗的能量速率相等时，达到平衡状态，此时 A(Ek, E)=B(Ek, T)。如果 升高使上述平衡状态被破坏时， 过程立即发生。 二、简答题（70 分） 1、什么是瞬间极化、缓慢式极化？请举例说明。 （10 分） 2、给出 K-M 方程赖以成立的条件及其应用范围？（8 分） 3、阐述产生电介质损耗的来源，物理过程以及随频率变化的规律？（10 分） 4、气体电介质的电流密度随电场强度的变化曲线，分为哪些阶段？试分析各阶段的特征及原因。 （12 分） 5、固体电介质的热击穿原因是什么？固体电介质的热击穿电
4、压与哪些因素有关？关系如何？如何提高固体电介质的热击穿电压（15 分） 6、为什么静态下无法测量自发极化？什么是晶体的热释电性？热释电晶体和铁电晶体的区别是什么？（15 分） 三、综合题（30 分） 备用参数：真空介电系数0=8.8510-12 F/m；阿伏加德罗常数 N0=6.0231023 1、已知聚苯乙烯的介电常数=2.5，线膨胀系数l=10-4/oC，求金属化聚苯乙烯薄膜电容器的电容温度系数。 （13 分） 2、试求出在标准状态下 He 的相对介电系数。 （已知 He 的极化率为e=0.2210-40法米2） （5 分） 3、分别画出线性无损耗电介质、线性有损耗电介质、非线性无损耗电介质以及非线性有损耗电介质（铁电晶体）的 P-E 关系曲线。 （12 分）
