1、 图图6-1 锗硅的能带结构锗硅的能带结构图图6-2 砷化镓的能带结构砷化镓的能带结构表表6-1 各种半导体材料的物理特性各种半导体材料的物理特性表表6-2 GaN各种衬底材料的性质各种衬底材料的性质图图6-3 组分超晶格示意图组分超晶格示意图EcEc2Ec1EvEv2Ev1GaAsGa1-xAlxAsEg1Eg2I型超晶格型超晶格（能隙差（能隙差Eg = Eg2 Eg1 = Ec+Ev）(Eg2 =Ec+Ev+Eg1 Eg2 Eg1 = Ec+Ev)EcEc2Ec1EvEv2Ev1GaAsEg1Eg2EcEc2EvEv2Eg2Ec1Ev1InAsEg1(a)(b)II型超晶格型超晶格 (a)
2、 错开型错开型 (b) 倒转型倒转型（能隙差（能隙差Eg = Eg2 Eg1 = Ec Ev）(Eg2 +Ev =Ec +Eg1 Eg2 Eg1 = EcEv)图图6-4 掺杂超晶格半导体能带结构掺杂超晶格半导体能带结构图图6-5 一维、二维、三维超晶格及状态密度一维、二维、三维超晶格及状态密度图图6-6 GaAs的能带结构的能带结构图图6-7 组分超晶格能带结构组分超晶格能带结构(a)第第I类组分超晶格；类组分超晶格；(b)第第II类组分超晶格类组分超晶格图图6-8 子能带图子能带图),(),(rkuerkrik图图6-9 晶态半导体导带底、价带顶附近的能态密度函数晶态半导体导带底、价带顶附近的能态密度函数图图6-10 非晶态非晶态(a)和晶态和晶态(b) 能态密度函数的比较能态密度函数的比较图图6-10 非晶态非晶态(a)和晶态和晶态(b) 能态密度函数的比较能态密度函数的比较图图6-11 晶态半导体电子跃迁晶态半导体电子跃迁 (a)竖直跃迁；竖直跃迁；(b)非竖直跃迁非竖直跃迁图图6-12 PTC陶瓷的电阻率随温度的变化关系陶瓷的电阻率随温度的变化关系24322OBA24323)(OBAB图图6-13 压敏电阻的电流压敏电阻的电流电压特性曲线电压特性曲线
