1、PECVD工艺培训工艺培训彭文磊2019.01.12目目 录录总述总述PECVDPECVD设备简介设备简介3 PECVD3 PECVD的基本原理与工艺的基本原理与工艺4 4 PECVDPECVD检测介绍检测介绍5 5 注意事项注意事项1、PECVD工序在太阳电池制造中的位置清洗制绒磷扩散形成p-n结腐蚀，去磷硅玻璃PECVD 沉积SiNx印刷烧结测试分选包装2、二厂PECVD设备介绍设备厂家：上下料设备台达 PE设备ROTH&RAUPECVD设备有三个腔体，分别是上料腔，工艺腔（包括预热、沉积和冷却三部分）和下料腔。各腔体直接有闸门阀隔开。gate1gate2gate3gate4石墨载板载板外
2、观图挂钩，支撑电池片尺寸：158*1585*9=45 PECVD：Plasma Enhance Chemical Vapour Deposition（等离子增强型化学气相沉积）等离子体：气体在一定条件下受到高能激发，发生电离，部分外层电子脱落原子核，形成电子、正离子和中性粒子混合物组成的一种形态，这种形态就称为等离子态。原理：PECVD是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。反应方程式：3SiH4+4NH3 Si3N4+12H23、PECVD原理及作用 正常的SiNx的Si/N之比为0.75，即Si3
3、N4。但是PECVD沉积氮化硅的化学计量比会随工艺不同而变化，Si/N变化的范围在0.75-2左右。除了Si和N，PECVD的氮化硅一般还包含一定比例的氢原子，即SixNyHz或SiNx:H。其物理性质和化学性质：结构致密，硬度大能抵御碱金属离子的侵蚀 介电强度高 耐湿性好 耐一般的酸碱，除HF和热H3PO4SiNx的优点：优良的表面钝化效果 高效的光学减反射性能（厚度和折射率匹配）低温工艺（有效降低成本）Si3N4膜的作用:减少光的反射:良好的折射率和厚度可以促进太阳光的吸收。防氧化:结构致密保证硅片不被氧化。U U型槽型槽U型槽NH3入口Si3H4入口 特气管石英管，及导电铜管等离子源U型
4、槽截面图石墨载板石英管磁体铜管氨气入口高密度等离子区硅烷入口硅片4、PECVD检测介绍目前我们使用为SENTECH的SE 400adv PV 激光椭偏仪测量：对太阳能电池采用不同的测试样品台。其中金字塔绒面单晶硅电池采用倾斜样品台测试，其他绒面的单晶硅和多晶硅电池采用水平固定样品台测试。选择预选设定的针对太阳能电池的Recipe，并点击“Measure”按钮后开始运行测量。当次测量结果显示在软件右上位置。在Protocol中关注deg of polarization（偏振角度）值要大于0.95。5、操作流程及注意事项1.1.目的目的 本文规定了C2 PECVD工序的基本操作流程。2.2.适用范
5、围适用范围 本规定适用于C2 PECVD工序。PECVD操作流程：3 3、内容、内容3.1 生产准备3.1.1 进入车间时必须穿好工作服、工作鞋，戴工作帽、手套和防尘口罩，衣着标准严格按照6S执行，不得穿着工作服在车间外活动，进入车间必须走风淋室。3.1.2做好工艺卫生，接班后用酒精和无尘布擦拭机器传送带，使自动上下料设备保持清洁，并及时清理碎片。3.2 操作流程3.2.1启动工艺在RothRau操作界面上，进入OP操作界面，点击“控制”，选择设定的工艺，启动工艺。等到等离子源全部启动之后，对石墨板预热至少一轮之后，进行生产。3.2.2上料装满去PSG后硅片的Schmid花篮运输到PECVD上
6、料台，保证扩散面向下。启动上下料设备，进入自动状态，进行生产。并确保PSG后硅片产出一小时内进入PECVD镀膜。3.2.3镀膜检测与不良检验镀膜检测：硅片镀膜之后，选取石墨板规定位置的硅片检验膜厚与折射率。不良检验：在上下料设备的lift处每4板，随机抽取一列观察其镀膜情况，若有不良及时返工。3.2.4下料将空的Baccini花篮放在卸料台上，硅片镀膜之后，由上下料设备装入片盒，将片盒从下料台上取下，送到丝网印刷工序。3.2.5设备PM事项3.2.5.1设备PM或开腔体之后需将载板空跑一轮后方可生产，空运行期间由工艺人员调整工艺。3.2.5.2开始生产时，先做1板硅片进行跟踪，如果膜厚折射率异
7、常，及时通知工艺人员进行调整，异常消除后方可生产。3.3仪器/工具/材料仪器：Roth&Rau、椭偏仪工具：Schmid花篮、Baccini花篮、石墨板。材料：PSG后硅片3.3注意事项3.3.1注意去PSG后硅片方向，确保扩散面向下。3.3.2生产之前必须在工艺启动状态下预热石墨板，至少预热一轮。3.3.3保证抽检硅片位置与顺序准确。3.3.4上料片盒每次设备PM时用无尘布+酒精擦拭一次。3.3.5 任何人未经允许不得更改工艺参数。其他事项其他事项-SPC-SPC（1）监控项目：膜厚 折射率（2）监控范围：膜厚：目标85nm，控制上下限范围3nm，规格上下限范围5nm；折射率：目标2.05，控制上下限范围0.03 规格上下限范围0.05（3）监控频率：5片/板 5点/片（4）量测方法：下料时取规定板号规定位置硅片用椭偏仪测量其膜厚和折射率。将测量结果、流程单号等信息详细记录。谢谢
