1、SSD基础知识及一些技术解析基础知识及一些技术解析 Prepared by:chencanwen2012.4.12-目录目录 SSD定义及组成定义及组成 SSD发展历程发展历程 SSD分类分类 SSD与与HDD优劣比较优劣比较 SSD性能参数及一些技术解析性能参数及一些技术解析 SSD产品测试介绍产品测试介绍-SSD定义及组成定义及组成 SSD(Solid State Disk)俗称固态硬盘，相对原来主轴旋转，并无机械部分，所以被人称为固态硬盘。SSD由控制单元和存储单元(FLASH芯片)组成，存儲單元負責存儲資料，控制單元負責讀取、寫入資料。简单的说就是存储芯片通过阵列制成的硬盘(基本都是R
2、AID 0 模式，这也是SSD高速的原因)。固态硬盘的接口规范和定义、功能及使用方法上与普通硬盘的完全相同。-SSD定义及组成定义及组成-Controller 主控主控，负责读取、写入SandForce、Intel、Marvell（迈威）、JMicron智微、SamSung、Indilinx、Sandisk、Toshiba东芝、SkyMedi擎泰、Phison群联、SMI慧荣、KTC太和、Alcor安国、US Best联盛、亮发 Initio(量晶)Nand Flash 闪存闪存，负责存储负责存储 Intel、SamSung、Toshiba、Micron、Hynix、Sandisk、STMic
3、ro、Renesas、Qimonda、Numonyx、infineon Mobile DRAM:samsung、Elpida（尔必达）、Hynix（海力士）、Mcron（镁光）SSD定义及组成定义及组成-主控厂家主控厂家主控名称主控名称接口接口通道通道数数读写速度读写速度DRAM CacheIntelPC29AS21AA0SATA II10250/170(70)yPC29AS21BA0SATA II10Y(32M)sandyforceSF-1222SATA II8260/250SF-1565SATA II8SamsungSamsungG3SATA II220/200(120)yJMicron
4、JMF612SATA II+USB8230/180yJMF601SATA II+USB4100/50nJMF602SATA II+USB2.04150/100N(16KB buffer)JMF605SATA II+USB2.04150/100N(16KB buffer)IndiLinxIDX100M00SATA II2yIDX110M00SATA II4230/180yPhison（群联电子）PS3015-S5SATA II464MSMI（慧荣科技）SM2242tSATA II 4100/80 n Alcor（安国科技）AU7511SATA II4nUS Best(联盛科技）UT165Curr
5、ently only UT165 for USB-短板的出现硬盘短板的出现硬盘硬硬 盘盘C P U主主 板板内内 存存性性 能能 表表 现现SSD发展历程发展历程-1956年年9月，月，IBM向世界展示了向世界展示了第一台第一台磁盘存储系统磁盘存储系统IBM 350 RAMAC （Random Access Method of Accounting and Control）1968年，年，IBM公司首次提出公司首次提出“温彻斯特温彻斯特/Winchester”技术技术1973年，年，IBM公司制造出公司制造出第一台第一台采用采用“温彻期特温彻期特”技术的硬盘技术的硬盘1979年，年，IBM发明
6、发明薄膜磁头薄膜磁头，为减小硬盘体积、增大容量、提高读写速度提供了可，为减小硬盘体积、增大容量、提高读写速度提供了可能能80年代末期，年代末期，IBM发明了发明了MR（Magneto Resistive)磁阻，使得盘片的存储密度磁阻，使得盘片的存储密度 比以往比以往20MB每英寸提高了数十倍每英寸提高了数十倍 1991年，年，IBM生产的生产的3.5英寸的硬盘使用了英寸的硬盘使用了MR磁头，使硬盘的容量首次达到了磁头，使硬盘的容量首次达到了1GB，从此从此 硬盘容量开始进入了硬盘容量开始进入了GB数量级数量级 1999年年9月月7日，日，Maxtor宣布了首块宣布了首块单碟容量单碟容量高达高达
7、10.2GB的的ATA硬盘，把硬盘的容硬盘，把硬盘的容量量 引入了一个新里程碑引入了一个新里程碑2000年年2月月23日，希捷发布了转速高达日，希捷发布了转速高达15，000RPM的的Cheetah X15系列硬盘系列硬盘2000年年3月月16日，日，IBM第一款第一款“玻璃硬盘玻璃硬盘”问世问世HDDHDD发展历程发展历程-SSD发展历程发展历程 上世紀七十年代，Sun StorageTek公司就開發了第一個固態硬碟。由於價格昂貴、性能不穩定，使它來去匆匆。1989年,出現世界上第一款固態硬碟，不過由於其價格過於高昂因,在當時只限應用於非常特別的市場比如軍用市場。當時1M大小的快閃記憶體換算
8、下來的價格達到了3500$！2005年5月，三星首款基於Nand快閃記憶體技術的固態硬碟搶先出貨 2007年3月，INTEL發佈了其首款固態硬碟。-SSD基于DRAM基于FLASHMLCMulti-Level Cell多层单元NAND型 与非NOR型 或非SLCSingle Layer Cell 单层单元SSDSSD的分类的分类-SSDSSD的分类的分类 基于基于DRAM的SSD：采用DRAM作为存储介质，目前应用范围较窄。它仿效传统硬盘的设计、可被绝大部分操作系统的文件系统工具进行卷设置和管理，并提供工业标准的PCI和FC接口用于连接主机或者服务器。应用方式可分为SSD存储器和SSD存储器阵
9、列两种。它是一种高性能的存储器，而且它的使用寿命很长，美中不足的它需要独立供电电源来保护数据安全。-SSDSSD的分类的分类 基于闪存的基于闪存的SSD：采用Flash芯片作为存储介质，这也是通常所说的SSD。它的外观有多种，例如：笔记本硬盘（2.5）、微硬盘（1.8）、优盘等样式。这种SSD固态存储器最大的优点就是可以移动，而且数据保护不受电源控制，能适应于各种环境，但是使用年限不高，适合于个人用户使用。-单层单元单层单元(SLC，Single Layer Cell)每个单元是1bit成本高、容量小、速度快结构简单复写次数高达100000次 多层单元多层单元(MLC，Multi-Level
10、Cell)每个单元是2bit容量大、成本低，速度慢MLC存储单元中存放的资料较多，结构相对复杂，出错的几率会增加，必须进行错误修正，性能大幅落后于结构简单的SLC闪存复写次数500010000次为了保证MLC的寿命，控制芯片都校验和智能磨损平衡技术算法，使得每个存储单元的写入次数可以平均分摊，达到100万小时故障间隔时间(MTBF)。Nand FlashNand Flash-SLC&MLC性能区别 SLC NAND FlashMLC NAND FlashRandom Read25 s50 sErase2ms per block2ms per blockProgramming250 s900 s
11、-SSD与与HDD比较比较外观接口类型SSD3.5”,2.5”,1.8”SATA,PATA,FC,SCSI,SAS,USB,miniPCIe,DIMMHDD3.5”,2.5”,1.8”SATA,PATA,FC,SCSI,SAS-16转速转速(Rotational Speed 或或Spindle speed)，是硬盘内电机主轴的旋转速度，也就是硬盘盘片在，是硬盘内电机主轴的旋转速度，也就是硬盘盘片在一分钟内所能完成的最大转数。一分钟内所能完成的最大转数。平均访问时间平均访问时间(Average Access Time)是指磁头从起始位置到达目标磁道位置，并且从目标磁是指磁头从起始位置到达目标磁道
12、位置，并且从目标磁道上找到要读写的数据扇区所需的时间。平均访问时间道上找到要读写的数据扇区所需的时间。平均访问时间=平均寻道时间平均寻道时间+平均等待时间平均等待时间传输速率传输速率(Data Transfer Rate)，硬盘的数据传输率是指硬盘读写数据的速度。内部传输率硬盘的数据传输率是指硬盘读写数据的速度。内部传输率(Internal Transfer Rate)亦称持续传输率亦称持续传输率(Sustained Transfer Rate)，反映了硬盘缓冲区未用，反映了硬盘缓冲区未用时的性能。时的性能。SSD与与HDD性能性能比较比较-SLC,MLC,HDD的性能比较的性能比较其中HDD
13、为1.8英寸,SSD即是采用多个闪存芯片的并发读写来提供更好的性能.-18SSD,HDD功耗比较功耗比较-SSD与HDD其它比较MemoRight SSD MemoRight SSD Hitachi 7K200 HDDHitachi 7K200 HDD工作温度0至70度（商业），-40至85度（工业）5至55度震动20G Peak,102000Hz,(12Cycle/Axis)x3 AxisRandom(RMS)0.67G for horiontal 0.56G for vertical冲击1500G/0.5ms180G/1ms噪声0Idle:2.5 Seek:2.9SSD在较宽的工作温度范围
14、，强烈的抗震动和冲击的特性，使得SSD成为军事、车载、工控、视频监控、网络监控、网络终端、电力、医疗、航空等、导航设备等数据存储的首选-SSD,HDD功耗比较功耗比较-启动快启动快 没有电机加速旋转的过程。读取延迟小读取延迟小不用磁头，快速随机读取，读延迟极小。碎片不影响读取时间碎片不影响读取时间相对固定的读取时间。由于寻址时间与数据存储位置无关，因此磁盘碎片不会影响读取时间 写入速度快写入速度快基于DRAM的固态硬盘写入速度极快。无噪音无噪音 发热量较低发热量较低SSD总结总结-不会发生机械故障不会发生机械故障 内部不存在任何机械活动部件，不会发生机械故障，也不怕碰撞、冲击、振动、省电 工作
15、温度范围更大工作温度范围更大 典型的硬盘驱动器只能在5到55范围内工作。而大多数固态硬盘可在-1070工作，一些工业级的固态硬盘还可在-4085，甚至更大的温度范围下工作（e.g:RunCore军工级产品温度为-55135）。体积小重量轻体积小重量轻低容量的固态硬盘比同容量硬盘体积小、重量轻。但这一优势随容量增大而逐渐减弱。直至256GB，固态硬盘仍比相同容量的普通硬盘轻。SSD总结总结-成本高成本高 每单位容量价格是传统硬盘的510倍（基于闪存），甚至200300倍（基于DRAM）。容量低容量低 目前固态硬盘最大容量远低于传统硬盘。（美国公司Foremay推出了EC188M系列固态硬盘2TB
16、。）传统硬盘的容量仍在迅速增长，据称IBM已测试过4TB的传统硬盘。易受外界影响易受外界影响 由于不像传统硬盘那样屏蔽于法拉第笼中，固态硬盘更易受到某些外界因素的不良影响。如断电（基于DRAM的固态硬盘尤甚）、磁场干扰、静电等。SSD总结总结-写入寿命有限写入寿命有限 写入寿命有限（基于闪存）。一般闪存写入寿命为1万到10万次，特制的可达100万到500万次，然而整台计算机寿命期内文件系统的某些部分（如文件分配表）的写入次数仍将超过这一极限。特制的文件系统或者固件可以分担写入的位置，使固态硬盘的整体寿命达到20年以上。数据难以恢复数据难以恢复 数据损坏后难以恢复。一旦在硬件上发生损坏，如果是传
17、统的磁盘或者磁带存储方式，通过数据恢复也许还能挽救一部分数据。但是如果是固态存储，一但芯片发生损坏，要想在碎成几瓣或者被电流击穿的芯片中找回数据那几乎就是不可能的。当然这种不足也是可以牺牲存储空间来弥补的，主要用RAID 1来实现的备份，和传统的存储的备份原理相同。由于目前SSD的成本较高，采用这种方式备份还是价格不菲。SSD总结总结-影响影响SSD系统性能因素系统性能因素 1、控制器性能、控制器性能 2、闪存性能、闪存性能(MLC,SLC)3、通道数量、通道数量 4、接口、接口 5、其他、其他（PCB(工艺、层数工艺、层数layer)、辅料、辅料（磁珠、电源（磁珠、电源IC等等）-SSD是以
18、是以1 page写入，而擦除则是以写入，而擦除则是以block为最小单位。所以全新的为最小单位。所以全新的SSD因为数据顺序写入，能达到最佳性能。而使用过的因为数据顺序写入，能达到最佳性能。而使用过的SSD则将新数据写则将新数据写入空白区域，当删除数据并没有删除，只是原始数据被标注无效，当需擦入空白区域，当删除数据并没有删除，只是原始数据被标注无效，当需擦除数据时，以除数据时，以NAND数据块数据块(block)为单位进行擦除。为单位进行擦除。影响影响SSD系统性能因素系统性能因素-27写入放大写入放大 Write Amplification闪存写入数据量闪存写入数据量主控写入数据量主控写入数
19、据量写入放大倍数写入放大倍数因闪存读写特性决定，在写入数据前必须对闪存存储单元先进行擦除后方可改写。该特性使得产品使用寿命受到较多影响，同时也增加了无谓数据写入量。理论上说，写入放大倍数为1最适合。影响影响SSD系统性能因素系统性能因素-1.垃圾回收(GC)Garbage collection -这个比较特殊的算法用来整理，移动，合并，删除闪存块来提升效率,减少写入放大。2.预留空间（OP)Over-provisioning -这块取用一般被用来做优化，包括磨损均衡，GC,Trim和坏块映射。（7.37%）3.TRIM 开启后可以减少写入放大一个ATA指令，由操作系统发送给SSD主控，告诉主控
20、哪些数据是无效的并且可以不用做垃圾回收操作。Trim命令需要SSD的支持，windows7.4.可用容量 减少写入放大，好。(可用空间越大，写入放大越低）SSD控制器会使用所有的可用空间做垃圾回收和磨损均衡。保证一定的可用空间可以提升SSD效率，减少写入放大。（前提是支持Trim)5.安全擦除 Secure Erase 减少写入放大，好 清除所有用户数据和相关元数据，让SSD重置到初始性能。影响影响SSD系统性能因素系统性能因素-6.静动数据分离 Separating Static and Dynamic Data 减少写入放大，好 分组常改写和不常改写的数据。7.持续写入 Sequentia
21、l writes 减少写入放大，好 理论上来说，持续写入的写入放大为1，但是某些因素还是会影响这个数值。8.随机写入 Random writes 提高写入放大，不好 随机写入会写入很多非连续的LBA,当全盘颗粒都被写过后，GC功能就将被启用，速度就会受到影响，之后的写入放大就会达到SSD主控制器的最大倍数。大量的随机小文件的写入是“闪存杀手”。9.磨损平衡（WL）Wear Leveling 直接提高写入放大，不好确保闪存的每个块被写入的次数相等的一种机制。影响影响SSD系统性能因素系统性能因素-30垃圾收集（垃圾收集（Garbage collection）一旦SSD的所有块都已经写入了一次，S
22、SD主控制器将会初始化那些包含无效数据的块。（陈旧数据，这些块里的数据已经被更新的数据替换，已经无效了，没了LBA地址），现在他们正在等待被删除，以便新的数据可以写入其中,如何优化并整理这些个等待被删除的无效数据，这个算法被称为垃圾收集（GC).-31Trim功能与工作原理功能与工作原理 当LBA被操作系统更新后，只有随着之后的每次数据写入（其实等于覆盖），SSD主控制器才知道这个地址原来早已经失效了。（之前认为每个数据都是有效的）在Win7里，由于Trim的引入解决了这个问题，当某些文件被删除或者格式化了整个分区，操作系统把Trim指令和在操作中更新的LBA一起发给SSD主控制器（其中包含了
23、无效数据地址），这样在之后的GC操作中，无效数据就能被清空了，减少了写入放大同时也提升了性能。-Trim的依赖性和局限性 1.Trim命令需要SSD的支持，某些老型号的SSD可以靠刷新固件得到Trim支持（G2,barefoot,YK40），或者用一些独特的工具（barefoot wiper)提取出系统里所有无效的LBA告诉SSD主控并清除。2.Trim命令之后，速度并不一定是立马就能提升的，因为Trim后的干净空间可能随机的包含在每个块里，只有等着多次的copy block操作和主控的GC操作才能明显感觉到速度的提升。3.就算操作系统，驱动，SSD主控固件都满足Trim命令了，也不代表在某些
24、特定环境下能工作，比如RAID阵列和数据库（至少到目前为止）。-预留空间预留空间 Over-provisioning 预留空间一般是指用户不可操作的容量，为实际物理闪存容量减去用户可用容量。这块取用一般被用来做优化，包括磨损均衡，GC,Trim和坏块映射。-损耗均衡算法损耗均衡算法 Wear Leveling Wear Leveling就是采用一种基于页的文件存储算法，闪存物理地址和逻辑地址之间并没有一一对应的关系，当固态硬盘收到数据写入请求时，并不会循规蹈矩的按顺序进行写入，而是找到最少写入的单元写入。因而，在为写入数据动态分配物理块时,会根据各块的使用情况不同分配相应的优先级，从而均衡整个
25、存储器各单元的使用寿命。-SSD多通道并发技术多通道并发技术由于目前Nand Flash的数据总线为8bit，最大能提供25MB/s的读速度和3MB/s的写速度，显然SSD如果提供此速度是用户无法接受的，目前SSD控制器普遍采用多个通道同时并行操作多片Flash，类似RAID0，这样读写速度得到了极大地提高。-纠错管理与映射机制纠错管理与映射机制 SSD控制器会监测和校验读写Flash的数据，以确保对数据操作的成功，并内置纠错冗余数据，防止基于闪存设备的个别单元数据丢失造成整个数据块丢失。SSD的映射机制一般采用基于页的文件存储算法，闪存物理地址和逻辑地址之间并没有一一对应的关系。当固态硬盘收
26、到数据写入请求时，并不会循规蹈矩的按顺序进行写入，而是找到最方便写入最快的位置进行写入，以提高写入速度。-SSD通过自动校验来预防错误发生，个别单元读错误可以通过纠错来恢复数据，确保数据的完整性，逻辑地址与物理地址的映射机制，解决了写物理区块错误问题，同时在损耗均衡算法中也需要逻辑地址与物理地址的映射机制来实现。-38S.M.A.R.T，“Self-Monitoring，Analysis and Reporting Technology”，即“自我监测、分析及报告技术”。支持S.M.A.R.T技术的硬盘可以通过硬盘上的监测指令和主机上的监测软件对电路的运行情况、历史记录及预设的安全值进行分析、
27、比较。当出现安全值范围以外的情况时，就会自动向用户发出警告。-SSD写入的写入的2个关键点个关键点 文件碎片和写入合并文件碎片和写入合并 SSD内部多通道技术让写入大文件时候得到类似RAID 0阵列一样并行写入的能力.-假设我们要写一个4KB的文件，但是这个是NAND闪存写入的最小单位页大小，所以只能用一个通道的速度写入-Intel和其他厂商结合许多小的随机写入，再同一时间一起写入。-我们删除的时候，许多4KB不规则的碎片布满了整个Block。这些支离破碎的块是最麻烦的。几乎每一个写入到这些块将需要读,改,写操作，将大大增加写入放大，这就是写结合的缺点。-SSD产品测试介绍产品测试介绍-SSD产品测试介绍产品测试介绍-SSD产品测试介绍产品测试介绍-内部SSD test plan-
