1、低频电子线路山东大学 信息科学与工程学院刘志军11/18/20221回顾上节课内容双极型晶体三极管l双极型晶体管的导电原理l晶体管电流分配关系和放大晶体三极管的放大作用11/18/20222本节课内容双极型晶体管的伏安特性曲线三极管主要参数晶体管命名法11/18/202231.3.3 双极型晶体管的伏安特性曲线BJT的伏安特性曲线 是指其各极电压与电流的关系。不同的放大器特性曲线内容意义不同。11/18/20224网络端口特性将晶体管视为二端口网络二端口网络，则特性曲线应有两组，即输入端输入端和输出端输出端的特性曲线。vBEvCEiBiC+11/18/20225 输入特性曲线（图）iBvBE0
2、vCE=01v11/18/20226输入特性曲线表达式VfiBECBVCE11/18/20227输入特性曲线分析V VCECE增大增大时时，曲线略有右移，到一定程度则不再变化。这是管子的基调效应。11/18/20228输出特性曲线（图）Ic(mA)vCE(V)0击穿区截止区饱和区工作区11/18/20229输出特性曲线表达式VfCiiCEBC11/18/202210输出特性曲线分析有四个区l饱和区l工作区l截止区l击穿区11/18/202211饱和区 eb结 和 cb结 均为正偏。管子完全导通，其正向压降正向压降很小。相当一个开关“闭合（Turn on）”。11/18/202212工作区 eb
3、结 正偏，cb结 反偏。这是管子的正常放大状态。此时具有“恒流特性”。11/18/202213截止区 eb结和cb结 均为反偏。管子不通，相当于一个“开关”打开（Turn off）。管子的cb结 承受大的 反向电压反向电压。11/18/202214击穿区 管子被反向电压（太大）击穿。管子的 PN结特性破坏。11/18/202215注意厄利电压（基调效应）。截止区对应 iB=ICBO 曲线以下区域。iC 电流增大，略有增大。工作区的恒流特性和厄利电压有关。11/18/2022161.3.4 三极管主要参数管子参数 是衡量晶体管质量好坏和选择管子的主要依据。11/18/2022171.电流放大参数
4、 电流放大参数用以衡量管子的放大性能。11/18/202218 共基直流电流放大参数IIIIECEcn111/18/202219共基交流电流放大参数iiIIecEC11/18/202220共射直流电流放大参数 IIBC11/18/202221共射交流电流放大参数 iiiibcBC11/18/202222管子的取值 放大状态 一般取一般取 =3060 =3060。太小太小 的管子放大不足。太大太大 的管子工作不稳定。11/18/2022232.极间反向电流极间反向电流极间反向电流 是指管子各电极之间的反向漏电流参数。11/18/202224C、B间反向饱和漏电流 ICBO11/18/202225
5、 管子C、E间反向饱和漏电流1IICBOCEO11/18/202226管子反向饱和漏电流硅管比锗管小。此值与本征激发本征激发有关。取决于温度特性（少子特性）。温度特性（少子特性）。11/18/2022273.极限参数使用时不应超过管子的极限参数值。否则使用时可能损坏。11/18/202228集电极最大允许电流ICM 留有一定的余量。ICM 指下降到额定值的2/3时 的IC值。ICM11/18/202229集电极最大允许功耗PCM 击穿区的功率损耗线（见下图）PCMViCMCM11/18/202230集电极最大允许功耗PCM（图）vCE0击穿区iB11/18/202231反向击穿电压VVVEBO
6、BRCEOBRCBOBR)()()(11/18/202232反向击穿电压另有 VCEOVCER VCES11/18/202233极限参数以上介绍的三个极限参数 PCM ICM V（BR）CEO所限定的区域称为晶体管安全工作区。11/18/202234 1.8 晶体管命名法1、国产半导体分立元件标准国产半导体分立元件标准 （国标）（国标）2 2、国产半导体集成电路标准、国产半导体集成电路标准（国标）（国标）11/18/2022351、国产半导体分立元件标准（国标）中国国家标准（中国国家标准（GB24974）规定的）规定的中国半导体器件型号命名方法中国半导体器件型号命名方法11/18/202236
7、中国半导体器件命名法中国半导体器件命名法第一部分：用数字表示器件的电极数目电极数目第二部分：用汉语拼音字母表示材料和材料和 极性极性第三部分：用汉语拼音字母表示器件的 类型类型第四部分：用数字表示器件序号序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号规格号11/18/202237第一部分用数字表示器件的电极数目符号和意义l2 2 二极管二极管l3 3 三极管三极管11/18/202238第二部分用汉语拼音字母表示材料和极性11/18/202239第二部分（二极管）lA N型锗材料lB P型锗材料lC N型硅材料lD P型硅材料11/18/202240第二部分（三极管）lA PNP型 锗材料lB NPN
8、型 锗材料lC PNP型 硅材料lD NPN型 硅材料lE 化合物 材 料 11/18/202241第三部分用汉语拼音字母表示器件的类型lP 普通管lV 微波管lW 稳压管lC 参量管11/18/202242第三部分用汉语拼音字母表示器件的类型lZ整流管lL整流堆lS隧道管lN阻尼管lU光电器件lK开关管11/18/202243第三部分X 低频小功率管 （f3MHz,Pc1W）G 高频小功率管 （f3MHz,Pc1W）D 低频大功率管 （f3MHz,Pc1W）A 高频大功率管（f3MHz,Pc1W）11/18/202244第三部分lT 闸流管（可控整流器）lY 体效应器件lB 雪崩管lJ 阶跃
9、恢复管lCS 场效应管lBT 特殊器件lFH 复合管lPIN PIN型管lJG 激光器件11/18/202245第三部分注：有些半导体器件（如场效应管、特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件等）的型号第三部分只有其中的三、四、五部分11/18/202246第四部分用数字表示器件序号11/18/202247第五部分用汉语拼音字母表示规格号11/18/202248示 例锗PNP型高频小功率三极管 3 A G 11 C 规格号 序号 高频小功率 PNP型锗材料 三极管 11/18/202249示例 CS 2 B 规格号 序号 场效应器件11/18/202250日本半导体型号标准日本工业标准（日本工业
10、标准（JIS-C-7012）规定的日）规定的日本半导体分立器件型号命名方法本半导体分立器件型号命名方法由五个基本部分组成，这五个基本部分五个基本部分的符号及意义见实验讲义。11/18/202251示例 2 S A 495 JEIA登记号 PNP高频管 JEIA注册产品 三极管11/18/202252示例 2 S C 502 A 2SC502改进型 JEIA登记号 NPN高频管 JEIA注册产品 三极管11/18/202253欧洲半导体器件型号命名法欧洲半导体器件型号命名法欧洲各国（德国、法国、意大利、荷兰等和匈牙利、罗马尼亚、波兰等国家），大都是用国际电子联合会的标准半导体国际电子联合会的标准
11、半导体分立器件型号命名法分立器件型号命名法。这种命名法由四四个基本部分个基本部分组成，各部分的符号及意义见实验讲义。11/18/202254示例 B T X64 200 最大反向峰值电压200伏 专用器件登记号 大功率可控硅 硅材料 11/18/202255美国半导体型号命名方法命名方法美国电子工业协会(EIA)的半导体分立器件型号命名方法规定，半导体分立器件型号由五部分组成五部分组成。第一部分为前缀，第五部分为后缀，中间三部分为型号的基本部分。这五部分的符号及其意义见实验讲义。11/18/202256示例 JAN 2 N 3553 登记号 注册标志 三极管 军用品11/18/202257示例
12、 2 N 1050 C 2N1050的C档 EIA登记号 EIA注册标志 非军用品11/18/2022582、国产半导体集成电路标准 第一部分：用字母表示器件符号（国标）第二部分：用字母表示器件类型第三部分：用阿拉伯 数字表示器件系列 和品种代号第四部分：用字母表示器件的工作温度范围第五部分：用字母表示器件的封装11/18/202259第一部分 C（中国制造中国制造）11/18/202260第二部分用字母表示器件类型器件类型lT TTLlH HTLlE ECLlC CMOS11/18/202261第二部分（续）lF 线性放大器lD 音响电视电路lW 稳压器lJ 接口电路lB 非线性电路lM 存
13、储器l 微机电路 11/18/202262第三部分第三部分：用阿拉伯 数字表示器件系列器件系列11/18/202263第四部分用字母表示器件的工作温度范围工作温度范围lC 0 70 CE 40 85 CR 55 85 CM 55 125 C11/18/202264第五部分用字母表示器件的封装器件的封装l W 陶管扁平 B 塑料扁平 F 全密封扁平 D 陶瓷直插 P 塑料直插 J 黑陶瓷直插 K 金属菱形 T 金属圆形 l -11/18/202265实例CF 0741 CTl线性通用运放 070 C 金属圆形封装11/18/202266实例 CC 14512 MFl CMOS 8选一数据选择器
14、55 125 C 全密封扁平封装 11/18/202267欧洲集成电路型号命名法欧洲集成电路型号命名法欧洲各国生产的集成电路绝大部分按欧洲电子联盟规定命名。11/18/202268欧洲集成电路型号欧洲集成电路型号基本规律型号由三部分组成三部分组成。11/18/202269第一部分由三个字母组成，第一个字母表示无线电类；第 二 个 字 母 表 示 使 用 范 围，如 表 示070，表示 55125，表示 2570。第三个字符没有特殊规定。11/18/202270第二部分由阿拉伯数字组成，表示器件的序号及类型序号及类型。11/18/202271第三部分是尾标，表示封装形式尾标，表示封装形式。通常有
15、两种：一种是用一个字母表示。如：表示圆柱型；表示塑料双列；表示陶瓷双列；表示四列引线；表示扁平；表示芯片。另一种用两个字母表示，第一个字母表示封装形式，如表示柱行；表示双列引线；表示功率双列引线；表示扁平双列引线；表示扁平四列引线；表示菱形；表示多重引线；表示带散热片国率性四列引线；表示三列引线。第二个字母表示封装材料，如：C表示金属陶瓷；P表示塑料；G表示玻璃陶瓷。11/18/202272实例TDA 0161 DP 塑料双列封装(第三部分)感应开关集成电路(第二部分)法国汤姆逊公司生产(第一部分)11/18/202273国外厂家型号美国仙童公司 A、F美国国民半导体公司 LF、LM、LH美国模拟器件公司 AD日本松下 AH日本东芝 TA、TC美国国家半导体公司 LM11/18/202274国外厂家型号美国得克萨斯器件公司 TL、TP、SN日本三洋公司 LA日本三菱公司 M美国摩托罗拉公司 MC、TDA法国汤姆逊公司 TAA荷兰飞利浦公司 TBA、TDA、TCA、NE日本夏普公司 IX -。11/18/202275封装和管脚排列见实验指导书。11/18/202276预习下节课内容第二章 模拟集成单元电路l2.1 放大器概述11/18/202277本小节结束（1-77）谢谢！谢谢！11/18/202278
