1、第六章第六章 电解质材料电解质材料6.1 6.1 电容电介质材料电容电介质材料6.2 6.2 铁电材料铁电材料6.3 6.3 热释电材料热释电材料6.4 6.4 微波介质材料微波介质材料6.1 电容电解质材料电容电解质材料电容器电容器:存储电荷的元件。它是一种由两片相距很存储电荷的元件。它是一种由两片相距很近的金属板（金属薄膜）中间夹层绝缘物质（又近的金属板（金属薄膜）中间夹层绝缘物质（又称电介质材料）构成的。纸、陶瓷及塑料等都可称电介质材料）构成的。纸、陶瓷及塑料等都可以作为电容器的电解质。以作为电容器的电解质。一、电介质的极化一、电介质的极化10-710-610-510-410-310-2
2、10-1100101102103104105106电导率电导率 S/m半导体半导体导体超导体：超导体：绝缘体绝缘体6.1.1 电介质材料的基本概念电介质材料的基本概念1 1 电介质电介质绝缘体：是指能够承受较强电场的材料。绝缘体：是指能够承受较强电场的材料。电介质：具有绝缘特性，主要是指在较弱电场具电介质：具有绝缘特性，主要是指在较弱电场具 有极化能力的材料。有极化能力的材料。电介质：简单的认为就是绝缘体电介质：简单的认为就是绝缘体不准确不准确极化电荷：极化电荷：将电介质放入电场，将电介质放入电场，电介质表面感应出电荷，称为感应电介质表面感应出电荷，称为感应电荷或极化电荷。电荷或极化电荷。电电
3、介介质质U电介质的极化：电介质的极化：在外电场中，在外电场中，电介质表面出现极化电荷的现象电介质表面出现极化电荷的现象2 2 极化现象极化现象l极化电荷不能离开电介质到极板上，也不能在电介质内部自极化电荷不能离开电介质到极板上，也不能在电介质内部自由移动，它不象金属中的自由电荷能用传导方法将其引走。由移动，它不象金属中的自由电荷能用传导方法将其引走。l 无外电场时，分子正负中心重合，不显电性。无外电场时，分子正负中心重合，不显电性。l 有外电场时，正电中心和负电中心的移动，分子呈现极性。有外电场时，正电中心和负电中心的移动，分子呈现极性。无外电场无外电场有外电场有外电场材料内部材料内部3 3
4、极化的微观机制极化的微观机制正负电荷重合正负电荷重合原子核原子核电子云电子云1P二、电容二、电容电容：电容：电容器存储电荷的能力称为电容量，电容器存储电荷的能力称为电容量，简称为简称为电容电容。VQC 电容用电容用C C表示表示单位：单位：法拉（法拉（F）1F=1C/V：“C=1F”C=1F”其它单位其它单位：1F=101F=106 6F=10F=101212pFpF1 1 平行板电容器：平行板电容器：电介质电介质dSVQCrC:C:平行板电容器的电容量大小除与平行板电容器的电容量大小除与 极板面积与极板相距有关外，还和极板面积与极板相距有关外，还和 两极板间的绝缘电解质有关两极板间的绝缘电解
5、质有关r：电介质的相对介电常数，电介质的相对介电常数，与材质有关与材质有关极板（面积为极板（面积为S）电解质电解质(面积为面积为S1)dSCr圆片状圆片状2 2 圆柱形电容器（同轴电缆）：圆柱形电容器（同轴电缆）：ARBRl 两个长为两个长为 的圆柱体其间距离的圆柱体其间距离l两圆柱面间隙为：两圆柱面间隙为：BAdRR002AlRSCddS:内柱面面积内柱面面积3 3 电容器的串联和并联电容器的串联和并联l并联电容器的电容：并联电容器的电容：iiCCUqqqCi212C1CAUBUiCUCq11UCq22UCqiiBAUUU令iCCCC21l 串联电容器的电容：串联电容器的电容：iiCC11i
6、UUUUU321iUUUqUqC211C2C3CiCAUBU11UqC 22UqCiiUqC qUqUqUCi211电容器的并联电容器的并联21CCC电容器的串联电容器的串联21111CCC1C2C1C2C多层陶瓷电容器（多层陶瓷电容器（MLCC）并联并联多层电容器多层电容器C=单层电容单层电容(C)曾数（曾数（n）3 3 电容器应用电容器应用1 电容器用于存储电量以便高速释放。一定的时间一定的时间内充电，快速放电，能量密度高。应用于内充电，快速放电，能量密度高。应用于除颤除颤器、高能量闪光灯、激光器、器、高能量闪光灯、激光器、X X射线设备射线设备超声波超声波焊接设备、超声波清洗设备焊接设备
7、、超声波清洗设备。利用电火花加工工件利用电火花加工工件 如图，用高压对电容如图，用高压对电容C充电，当电压高至能使绝缘充电，当电压高至能使绝缘油击穿时，就会产生火花放电油击穿时，就会产生火花放电,经过多次放电过程，工经过多次放电过程，工件上正对电极处的金属就会被高温融化，而慢慢出现件上正对电极处的金属就会被高温融化，而慢慢出现与电极形状相同的几何图形与电极形状相同的几何图形.。2 电容器可以阻隔直流。如果将电容器通直如果将电容器通直流时，则在电容器充电完成后，电池的两流时，则在电容器充电完成后，电池的两极之间将不再有电流通过。然而，任何交极之间将不再有电流通过。然而，任何交流电流流电流(AC)
8、(AC)信号都可以畅通无阻地流过电信号都可以畅通无阻地流过电容器。其原因是随着交流电流的波动，电容器。其原因是随着交流电流的波动，电容器不断地充放电，就好像交流电流在流容器不断地充放电，就好像交流电流在流动一样。动一样。3 滤波。滤波。滤波电容的作用滤波电容的作用简单讲是使滤波后输出的简单讲是使滤波后输出的电压为稳定的直流电压。电压为稳定的直流电压。l电容器：电容器：以储存电荷和提供电容量为主要特征的元件其基以储存电荷和提供电容量为主要特征的元件其基本结构是两电极间夹一层电解质，外加一个本结构是两电极间夹一层电解质，外加一个 保护性的封装保护性的封装。纸质电容器纸质电容器陶瓷电容器陶瓷电容器电
9、解电容器电解电容器可变电容器可变电容器6.1.2 纸电解质材料纸电解质材料l纸电解质材料：纸电解质材料：一般是用两条铝箔作一般是用两条铝箔作为电极，中间以厚度为为电极，中间以厚度为0.0080.012mm的电容器纸隔开重叠卷绕而成的电容器纸隔开重叠卷绕而成。电容器纸：电容器纸：植物纤维素植物纤维素分子链上含有不对称的（分子链上含有不对称的（OHOH）基，本身具有较强的极性基，本身具有较强的极性特点：特点：体积较小，容量可以做得较大。体积较小，容量可以做得较大。但是固有电感和损耗比较大，适用于低频电路但是固有电感和损耗比较大，适用于低频电路。l电解电容器：电解电容器：以铝、钽、铌、钛金属作为阳极
10、；以铝、钽、铌、钛金属作为阳极；通过电化学阳极氧化法生成一薄层金属通过电化学阳极氧化法生成一薄层金属 氧化物作为电介质材料；氧化物作为电介质材料；多孔电解纸所吸附的工作电解液作为阴极多孔电解纸所吸附的工作电解液作为阴极6.1.3 6.1.3 电解电容器电解电容器电介质电介质l 电解电容器中按阳极材料的不同可分为：电解电容器中按阳极材料的不同可分为：铝电解电容器、钽电解电容器、铌电解电容器等铝电解电容器、钽电解电容器、铌电解电容器等l 根据电解质的不同，电解电容器可分为：根据电解质的不同，电解电容器可分为：液体电解电容器、固体电解电容器液体电解电容器、固体电解电容器1 铝电解电容器构造：铝电解电
11、容器构造：芯子：芯子：阳极铝箔、电介质、电解纸、阳极铝箔、电介质、电解纸、阴极铝箔阴极铝箔卷绕而成卷绕而成将芯子用铝壳和胶盖把它密闭起来即构成一个电解电容器将芯子用铝壳和胶盖把它密闭起来即构成一个电解电容器铝电解电容器铝电解电容器：（：（50）l工作阳极：工作阳极：正极铝箔正极铝箔l电介质：电介质：在铝箔表面通过电解质电化学在铝箔表面通过电解质电化学反应在阳极金属表面氧化生成一层反应在阳极金属表面氧化生成一层AlAl2 2O O3 3膜膜。利用这层利用这层AlAl2 2O O3 3 膜的介电性能可以实现存膜的介电性能可以实现存储电荷的功能的。此氧化物介质层依存于储电荷的功能的。此氧化物介质层依
12、存于电容器的阳极，不能独立存在。电容器的阳极，不能独立存在。l 阴极箔：阴极箔：为了使铝电解电容器的负极与外电路为了使铝电解电容器的负极与外电路 相连，使用与电解质相接触的阴极箔将工作相连，使用与电解质相接触的阴极箔将工作 阴极引出。阴极引出。l 工作阴极：工作阴极：并非阴极箔，而是电解质。并非阴极箔，而是电解质。l 浸有电解液的电解纸：浸有电解液的电解纸：起着储存电解液和防止起着储存电解液和防止 正箔和负箔物理接触的作用。正箔和负箔物理接触的作用。电解液电解液组成：组成：溶质：溶质：主要用的是硼酸、硼酸盐、羧酸盐及少量的其他无机盐主要用的是硼酸、硼酸盐、羧酸盐及少量的其他无机盐和去极化消氢剂
13、、缓蚀剂、水解抑制剂等。和去极化消氢剂、缓蚀剂、水解抑制剂等。溶剂：溶剂：二甲基甲酰胺、二甲基甲酰胺、Y一丁内酯、乙一丁内酯、乙 二醇、丙二醇、水等。二醇、丙二醇、水等。电介质电介质Al2O3的生成过程的生成过程（电解液的电化学反应）（电解液的电化学反应）2 铝电解电容器的工作原理铝电解电容器的工作原理工作原理：工作原理：电解电容器正负极不能接错电解电容器正负极不能接错 当电容器被充电时当电容器被充电时l如果负阴极铝箔接正，如果负阴极铝箔接正，电解质电离后，氢离子电解质电离后，氢离子聚集在正聚集在正极箔氧化膜表面，氢离子扩散通极箔氧化膜表面，氢离子扩散通过氧化膜过氧化膜(多孔膜多孔膜)到达阳极
14、铝箔到达阳极铝箔和电介质界面处，就在氧化膜、和电介质界面处，就在氧化膜、金属铝界面上放电转化为氢气金属铝界面上放电转化为氢气（得到电子，相当于空穴向阳极（得到电子，相当于空穴向阳极移动），移动），氢气泡靠膨胀力从氧化氢气泡靠膨胀力从氧化膜表面剥离穿过电解质后，电流膜表面剥离穿过电解质后，电流就流过了。就流过了。l如果阴极铝箔接负如果阴极铝箔接负电解质中阴离子聚集在氧化电解质中阴离子聚集在氧化膜的表面时，由于阴离子具膜的表面时，由于阴离子具有大的体积，不能通过膜放有大的体积，不能通过膜放电，膜就保持了电压电，膜就保持了电压。R1R2R3C1C2LD1R1R1：电极和引出端子的电阻：电极和引出端子
15、的电阻R2R2：阳极氧化膜和电解质的电阻：阳极氧化膜和电解质的电阻R3R3：损坏的阳极氧化膜的绝缘电阻：损坏的阳极氧化膜的绝缘电阻D1D1：具有单向导电性的阳极氧化膜：具有单向导电性的阳极氧化膜C1C1：阳极箔的容量：阳极箔的容量C2C2：阴极箔的容量：阴极箔的容量 L L：电极及引线端子等所引起的等效电感量：电极及引线端子等所引起的等效电感量铝电解电容器等效电路铝电解电容器等效电路(1)(1)电解电容器的两个导电极板有正负极之分电解电容器的两个导电极板有正负极之分;(2)(2)电解电容器的介质是利用电化学方法、在腐蚀过电解电容器的介质是利用电化学方法、在腐蚀过的阳极铝箔表面上生成约的阳极铝箔
16、表面上生成约0.01-1m0.01-1m的铝氧化膜作为的铝氧化膜作为电容器的电介质。它与铝阳极结合为一整体电容器的电介质。它与铝阳极结合为一整体;(3)(3)电解电容器的阴极是电解质电解电容器的阴极是电解质;(4)(4)电容器中的电解纸是起吸附工作电解液和衬垫隔电容器中的电解纸是起吸附工作电解液和衬垫隔离作用。离作用。铝电解电容器和其类型电容器相比不同之处：铝电解电容器和其类型电容器相比不同之处：3 铝电解电容器的制造工铝电解电容器的制造工艺艺l 开片开片根据电容器规格将阳极箔、阴极箔、电解电容器纸根据电容器规格将阳极箔、阴极箔、电解电容器纸按工艺规定的尺行裁切。按工艺规定的尺行裁切。l 刺铆
17、刺铆在裁切好的阳极箔阴极箔上分别铆接上正极引出线、在裁切好的阳极箔阴极箔上分别铆接上正极引出线、负极引出线。负极引出线。l 卷绕卷绕在铆好的阳极箔阴极箔中间隔入电解电容器纸卷绕在铆好的阳极箔阴极箔中间隔入电解电容器纸卷绕成芯包。成芯包。l 浸渍浸渍将芯包浸在工作电解液液体电解质中让电解电容器将芯包浸在工作电解液液体电解质中让电解电容器纸浸满工作液。纸浸满工作液。l 装配装配将浸渍好的芯包密封在铝壳中防止因工作电解液挥将浸渍好的芯包密封在铝壳中防止因工作电解液挥发渗漏芯包保证铝电解电容器的寿命。发渗漏芯包保证铝电解电容器的寿命。l 套套管套套管装配后在电容器的铝外壳上套上具有一定绝缘装配后在电容
18、器的铝外壳上套上具有一定绝缘性能的热收缩膜管上标注该电容器的型号规格。性能的热收缩膜管上标注该电容器的型号规格。l 老练老练组装后按极性加上规定的直流电压，通过芯包内组装后按极性加上规定的直流电压，通过芯包内工作电解液的电化学对在制造过程中受到损伤的氧化膜介工作电解液的电化学对在制造过程中受到损伤的氧化膜介质加以修复，使恢复其固有的良好电性能称为老练。质加以修复，使恢复其固有的良好电性能称为老练。l 分选分选对老练后的产品必须进行电性能测试主要测量漏对老练后的产品必须进行电性能测试主要测量漏电流。选出漏电流大的产品返回老练工序重新老练老练后电流。选出漏电流大的产品返回老练工序重新老练老练后再次
19、进行电性能测试。再次进行电性能测试。铝电解电容器使用时注意事项铝电解电容器使用时注意事项 1普通的铝电解电容器是有极性的普通的铝电解电容器是有极性的 在使用时先确认极性标志，引线短的为负极，引线在使用时先确认极性标志，引线短的为负极，引线长的为正极。如果反接加上电压则电路呈短路状态，长的为正极。如果反接加上电压则电路呈短路状态，并损坏电容器。并损坏电容器。2普通型的铝电解电容器不适用于频繁地充放电普通型的铝电解电容器不适用于频繁地充放电 如果在电路中频繁地充放电，引起电容器发热，漏如果在电路中频繁地充放电，引起电容器发热，漏电流增加，容量减少，同样会损坏电容器。电流增加，容量减少，同样会损坏电
20、容器。用陶瓷做介质。在陶瓷基体两面喷用陶瓷做介质。在陶瓷基体两面喷 涂银层，然后烧成银质薄膜作极板制成。涂银层，然后烧成银质薄膜作极板制成。根据实用中介电陶瓷的特性，将其分为：根据实用中介电陶瓷的特性，将其分为：型型 高频介电瓷高频介电瓷 型型 高介电系数瓷高介电系数瓷 型型 半导体介电瓷半导体介电瓷型型（低频）（低频）型型（高频）高频）低介（低介（0 +0的瓷料获得的瓷料获得0的瓷料。的瓷料。l热补偿高频瓷：热补偿高频瓷：这类陶瓷具有不同的温度系数，这类陶瓷具有不同的温度系数，以以 保持回路谐振频率的稳定性。保持回路谐振频率的稳定性。l热稳定高频瓷：热稳定高频瓷：这类陶瓷的温度系数很低，这类
21、陶瓷的温度系数很低，甚至为零。甚至为零。高介高频瓷主要应用于高介高频瓷主要应用于:l热补偿电容器瓷热补偿电容器瓷温度系数具有很大的负值，用来补偿振荡回路中电温度系数具有很大的负值，用来补偿振荡回路中电感的正温度系数，以使回路的谐振频率保持稳定。感的正温度系数，以使回路的谐振频率保持稳定。1、金红石瓷、金红石瓷 (TiO2)：8090，：-750 -85010-6/2、钛酸钙瓷、钛酸钙瓷 (CaTiO3)：150160 ：-1500 -160010-6/(-60120)钛酸钙瓷与金红石瓷性能比较钛酸钙瓷与金红石瓷性能比较性能指标金红石瓷钛酸钙瓷原因70 80150160结构不同结构不同a a（+
22、20+80）-（700100）10-6/-1500 -1600）10-6/线性膨胀系线性膨胀系数大数大tg（1MHz，20）（45）10-4（23）10-4玻璃相含量玻璃相含量少少V（cm）101110121014同上同上工作温度工作温度85150钛酸钙瓷钛酸钙瓷:工作温度高，适合制造小型、大容量、工作温度高，适合制造小型、大容量、对电容量稳定性要求不高的耦合旁路、隔直流等对电容量稳定性要求不高的耦合旁路、隔直流等场合或者电容器温度系数的调节剂。场合或者电容器温度系数的调节剂。金红石瓷：金红石瓷：由于由于-tg与温度、频率有关，适宜于与温度、频率有关，适宜于工作在低温高频下（工作在低温高频下（
23、85），通常作热补偿电），通常作热补偿电容器容器 作为作为 的负值调节剂。的负值调节剂。用用 途途l热稳定电容器瓷热稳定电容器瓷 所谓高频热稳定性电容器瓷，就是指所谓高频热稳定性电容器瓷，就是指a很小或接很小或接近于零。包括钛酸镁瓷，锡酸钙瓷等。近于零。包括钛酸镁瓷，锡酸钙瓷等。1 1、钛酸镁瓷、钛酸镁瓷 2 2、锡酸钙瓷、锡酸钙瓷 Mg2TiO4（正（正钛酸镁钛酸镁）与）与CaSnO3性能比较性能比较Mg2TiO4CaSnO31414a（2080）10-6/+60+110tg/10-4（20）33工作温度（工作温度（）150150钛酸镁瓷的基本晶相：钛酸镁瓷的基本晶相：正钛酸镁正钛酸镁Mg2
24、TiO4 和和金红石金红石TiO2若要得到若要得到a0的瓷料，且的瓷料，且较小，则加入较小，则加入CaO或或CaCO3。323)(CaTiOTiOCaCOCaO即：即：MgTiO3-CaTiO3固溶体陶瓷固溶体陶瓷。型陶瓷电容器以高介电常数为主要特征，其型陶瓷电容器以高介电常数为主要特征，其材料材料主体是具有钙钛矿型结构的铁电强介质瓷主体是具有钙钛矿型结构的铁电强介质瓷。铁电强介质陶瓷的高介电常数来源与材料中存在铁电强介质陶瓷的高介电常数来源与材料中存在的自发极化。的自发极化。高介陶瓷高介陶瓷高介陶瓷的性能要求高介陶瓷的性能要求：要求：要求：在工作温区的在工作温区的尽可能高尽可能高随温度的变化
25、率（随温度的变化率（/25）要小）要小随电场强度的变化率也要尽可能小随电场强度的变化率也要尽可能小航空航空石油钻探石油钻探军事军事高介高稳定高介高稳定：由于电容器主要用于低频电路中，因而由于电容器主要用于低频电路中，因而t，只要，只要tg3即可即可。:Tv 特别是工作在高温（特别是工作在高温（85），高湿，长期在直流电），高湿，长期在直流电场下（场下（1000小时），造成小时），造成v，故要求室温故要求室温v1012.cml由于介电常数受温度影响很大，电容器容量温度特性由于介电常数受温度影响很大，电容器容量温度特性通常用在规定温度范围内；通常用在规定温度范围内；l用这种材料制作的电容器在频率超
26、过一定范围时衰减用这种材料制作的电容器在频率超过一定范围时衰减幅度很大，因而主要应用于低频电路或对容量要求不幅度很大，因而主要应用于低频电路或对容量要求不大苛刻的中高频电路。大苛刻的中高频电路。半导体陶瓷电容器是一种利用特殊的显微结构来获取巨大半导体陶瓷电容器是一种利用特殊的显微结构来获取巨大的宏观效益的高性能陶瓷电容器。的宏观效益的高性能陶瓷电容器。用于制作这类电容器的主要材料有用于制作这类电容器的主要材料有BaTiO3和和SrTiO3 。纯纯BaTiO3陶瓷的禁带宽度约陶瓷的禁带宽度约3ev，因而室温电阻率很高然，因而室温电阻率很高然而在特殊情况下，而在特殊情况下，BaTiO3瓷可形成瓷可
27、形成n型半导体，使型半导体，使BaTiO3成为成为半导体陶瓷的方法及过程，称为半导体陶瓷的方法及过程，称为BaTiO3瓷的半导化。瓷的半导化。半导体介电陶瓷电容器半导体介电陶瓷电容器l原子价控法（施主掺杂法）原子价控法（施主掺杂法）l强制还原法强制还原法lAST法法1.BaTiO3瓷的半导化机理瓷的半导化机理原子价控法（施主掺杂法）原子价控法（施主掺杂法）在高纯（在高纯（999）BaTiO3中掺入微量的中掺入微量的离子半径与离子半径与Ba2+相近相近，电价比，电价比Ba2+离子高的离子离子高的离子（如（如La3+、Sm3+、Ce3+、Gd3+、Bi3+、Sb3+、Y3+、Dy3+）或）或离子半
28、径与离子半径与Ti4+相近而电价比相近而电价比Ti4+高的离子高的离子，如，如Nb5+、Ta5+、Sb5+等，它等，它们将们将取代取代Ba2+或或Ti4+位形成置换固溶体位形成置换固溶体，在室温下，上述，在室温下，上述离子电离而成为施主，向离子电离而成为施主，向BaTiO3提供导带电子（使部分提供导带电子（使部分Ti4+eTi3+）,从而从而V下降（下降（102.CM），成为半导瓷。），成为半导瓷。l 强制还原法强制还原法BaTiO3在还原气氛中（在还原气氛中（H2、CO）烧结或热处理，）烧结或热处理，从而半导化。从而半导化。l AST（Al2O3（SiO2）对于工业原料，含杂质较高，特别是对
29、于工业原料，含杂质较高，特别是Fe3+、Mn3+、Cu+、Cr3+等离子，他们往往在烧结过程中取代等离子，他们往往在烧结过程中取代BaTiO3中中Ti4+离子离子而成为受主，妨碍而成为受主，妨碍BaTiO3的半导化。的半导化。通过加入通过加入Al2O3（SiO2）可以促进）可以促进BaTiO3半导化半导化SiO2与杂质形成玻璃相，不令其游离存在与杂质形成玻璃相，不令其游离存在Al2O3Al3+置换置换Ba2+，进行施主掺杂，进行施主掺杂 1.半导体陶瓷电容器的分类及其性能半导体陶瓷电容器的分类及其性能 半导体陶瓷电容器按其结构、工艺可分为三类：半导体陶瓷电容器按其结构、工艺可分为三类：表表面阻
30、挡层型面阻挡层型，表面氧化型表面氧化型，晶界层型晶界层型。它们的构造。它们的构造及主要性能列于下表：及主要性能列于下表：2 半导体陶瓷电容器半导体陶瓷电容器（1）表面阻挡层电容器）表面阻挡层电容器 在高纯度的在高纯度的BaTiOBaTiO3 3中添加微量稀土元素氧化的中添加微量稀土元素氧化的后，获得后，获得n n型型BaTiOBaTiO3 3半导体陶瓷，使半导体陶瓷，使p p型半导体与型半导体与这陶瓷表面接触，形成这陶瓷表面接触，形成p-np-n结，利用结，利用p-np-n结的阻挡结的阻挡层电容的电容器称为表面阻挡层电容器。层电容的电容器称为表面阻挡层电容器。N型型BaTiO3半导体陶瓷半导体
31、陶瓷（2）表面氧化型电容器）表面氧化型电容器 将大气中烧成的电介质陶瓷量于将大气中烧成的电介质陶瓷量于H H2 2、COCO还原气氛还原气氛中处理，使其还原成半导体中处理，使其还原成半导体(半导体化半导体化)。然后再放。然后再放在大气中，使仅在大气中，使仅101015m15m厚的表面层重新氧化成绝厚的表面层重新氧化成绝缘体缘体(绝缘体化绝缘体化)，这部分为电介质层，这种类型的，这部分为电介质层，这种类型的陶瓷电容器称为表面氧化型半导体电容器陶瓷电容器称为表面氧化型半导体电容器。表面氧化型电容器基本结构表面氧化型电容器基本结构 （3）晶界型电容器）晶界型电容器首先使首先使BaTiO3BaTiO3陶瓷半导化，然后在半导体表面涂陶瓷半导化，然后在半导体表面涂高温下可形成玻璃相的氧化物（高温下可形成玻璃相的氧化物（BiBi2 2O O3 3、CuOCuO），烧结），烧结过程中过程中 液相向境界扩散，从而在晶粒表面形成电介液相向境界扩散，从而在晶粒表面形成电介质层，这种类型的陶瓷电容器称为晶界型电容器。质层，这种类型的陶瓷电容器称为晶界型电容器。氧化层氧化层l 晶界层型半导体电容器：晶界层型半导体电容器：晶粒内部为半导体，晶界处分布着绝缘性很高的介质层。整体上相当于许多个电容器的串连和并联，最终表现出很高的显介电常数2 半导体陶瓷电容器半导体陶瓷电容器谢谢！
